JPH09134910A

JPH09134910A - プラズマ化学気相成長装置および半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH09134910A
Application number: JP29246395A
Authority: JP
Inventors: Masayoshi Saito; 政良斉藤; Yutaka Kudo; 豊工藤; Yoshio Honma; 喜夫本間
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi High Tech Corp
Priority date: 1995-11-10
Filing date: 1995-11-10
Publication date: 1997-05-20

Abstract

(57)【要約】【課題】低コストで信頼性の高い、被覆性と耐水性に優
れた層間絶縁膜の形成装置及び半導体装置のシリコン酸
化膜の製造方法を提供する。【解決手段】シリコンソースにアルコキシシランを用い
て高耐水性膜を、0.5Torr以下の低圧プラズマＣＶＤで
高被覆性膜を形成し、高周波電力印加のタイミングを制
御してプラズマダメージを低減する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線における
金属配線間の絶縁膜形成に用いる化学気相成長装置およ
び、半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】多層配線用絶縁膜の形成法として、三つ
の代表的なプラズマを用いたＳｉ酸化膜形成法が知られ
ている。

【０００３】第一は、平行平板型プラズマＣＶＤ法と呼
ばれている方法で、アルミニウムのＣＶＤ室側壁と平行
平板型電極を持つプラズマＣＶＤ装置を用い、２〜１０
Torrの圧力領域で、１０mm以下のいわゆる狭電極間隔条
件下で膜形成を行う。上部電極から１３.５６ＭＨｚの
高周波電力を印加する単周波方式のものと、基板側にも
高周波(５０ｋＨｚ〜１３.５６ＭＨｚ）電力を印加する
二周波励起方式のものが知られている。Ｓｉソースはテ
トラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）を用いるのが
一般的である。

【０００４】第二は、Ｓｉ酸化膜のバイアススパッタ法
である。この方法では圧力が５〜３０ｍTorr程度に保た
れたチャンバの中の一方の電極側に石英のターゲット
を、もう一方の電極に基板を配置し、プラズマを生成し
てターゲットの石英をスパッタリングし、基板上に堆積
させるものである。この時、上部電極に高周波電力を印
加するとともに、下部電極にも埋込性を向上するため高
周波電力を印加していた。

【０００５】第三は、バイアスＥＣＲに代表されるバイ
アス印加高密度プラズマＣＶＤ法である。バイアスＥＣ
Ｒを例に説明すると、モノシランと酸素をＣＶＤ室に導
入し、１０ｍTorr程度の一定圧力に保って２.４５ＧＨ
ｚのマイクロ波を印加する。反応室には磁石が装備さ
れており、電子サイクロトロン共鳴を利用し、高密度プ
ラズマを形成する方式を取っている。段差部の被覆形状
を整えるため、基板側電極には１３.５６ＭＨｚの高周
波電力を印加している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】これらの上記従来技術
は、今後の微細化される半導体集積回路の成膜法として
次の課題を抱えている。

【０００７】まず、平行平板型プラズマＣＶＤ法では、
テトラエチルオルソシリケートと酸素を用いているが、
多層配線の高密度化に伴いアスペクト比（配線の高さ／
配線の間隔）が高くなり、０.３μｍ以降の微細デバイ
スで要求される絶縁膜に対しては、段差被覆性，平坦化
特性，吸湿性，耐水性が課題として挙げられる。

【０００８】次に、バイアススパッタ法では、成膜速度
が毎時２枚程度と小さくてスループットが小さかったこ
と、更にスパッタされたシリコン酸化物がチャンバ内に
付着し、パーティクルが多かったこと、ＣＶＤのような
膜の組成制御には適していないこと、適正埋込形状を得
るバイアス条件の設定ウインドウが小さいこと、クリー
ニング機構が用意されてなかったことなどにより、生産
の主流の方式にはならなかった。

【０００９】次に、バイアスＥＣＲ−ＣＶＤ法に代表さ
れるバイアス印加高密度プラズマＣＶＤ法は、以下に示
す膜質の均一性向上，スループット向上，装置の堆積プ
ロセスの稼働率向上，生産コスト低減，パターン上の三
角形の被覆形状の平坦化，プラズマダメージの抑制の課
題を抱えている。

【００１０】まず、形成された膜の膜質の均一性向上に
ついての現在の水準は、直径６インチまたは８インチの
基板上に成膜したとき、ＨＦ水溶液に対するエッチング
速度のばらつきが大きく、１５％を越えている。これを
５％以下としなければならない。これは均一磁場の形成
が難しいことに起因している。このとき成膜速度にも大
きなばらつきが見られる。磁場の均一性を高めるためい
ろいろと装備すると装置は高価になる。現在のバイアス
ＥＣＲ−ＣＶＤ装置は、従来装置の２倍以上の価格であ
る。

【００１１】また、パーティクルについても低減する必
要がある。これはモノシランが反応性の高い材料である
ことと、深いバイアスのもとでスパッタリングを行いな
がら膜形成を行っているためである。長時間のクリーニ
ングを行ってこのパーティクル低減を試みてはいるが、
依然として対策すべき大きな課題である。バイアスを印
加して積極的にスパッタリング効果を利用しているた
め、三角形の被覆形状がパターン上に形成され、平坦化
の為に化学的機械研磨（ＣＭＰ）法を適用しなければな
らず、これもコスト低減の障害の一つとなっている。

【００１２】本発明は、平行平板型のプラズマＣＶＤ装
置を用いて、０.５μｍより微細で高アスペクト比の溝
に対し、オーバーハングのない被覆形状の膜形成を行
う、水分の透過を阻止する優れた耐水性を有する膜形成
を行う、低いコストでプラズマダメージの少ない膜形成
を行う、ことを目的としてなされたものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】平行平板型の簡便なプラ
ズマＣＶＤ装置を用いてオーバーハングのない被覆形状
の膜形成を行うという課題は、上部電極の放電に加え
て、基板ホルダを兼ねた下部電極にも５０ｋＨｚ以上の
高周波電力を加えるか、あるいは電極と側壁との絶縁性
を高めて、平行平板型電極間に低圧域（０.５Torr 以
下）でも安定したプラズマが得られるようにすることに
より解決できる。

【００１４】水分の透過を阻止する優れた耐水性を有す
る膜形成を行うという課題は、シリコンソースにＳｉ−
Ｈ結合を有するアルコキシシランを用いることにより
解決できる。

【００１５】プラズマダメージの少ない膜形成を行うと
いう課題は、上部電極に高周波電力を印加している間に
のみ基板を保持する下部電極に高周波電力を印加するこ
とにより解決できる。

【００１６】ＣＶＤ反応室の内壁に絶縁物を配置する
か、または電極近傍にシールドを設置することにより、
低圧領域での不安定性を引き起こす異常放電を防ぎ、
０.５ Torr以下の低圧で電極間に安定したプラズマを
形成すると、低圧にすることによりイオンの平均自由工
程は圧力に反比例して大きくなり、基板に入射する垂直
成分が増す。また、下部電極側の電界に加速されたイオ
ンのエネルギは高まり、このイオンのスパッタリングの
効果が高まるので、段差部での被覆形状においてオーバ
ーハングを形成しないようにする作用を有する。

【００１７】また、シリコンソースにＳｉ−Ｈ結合を有
するアルコキシシランを用いると、プラズマＣＶＤ法で
形成した膜中の水酸基を低減するのと同時に膜中にＳｉ
−Ｈ基を含有させることができ、膜中を水分が透過する
のを阻止する緻密な膜が得られるという作用を有する。

【００１８】また、上部電極に高周波電力を印加してい
る間にのみ基板を保持する下部電極に高周波電力を印加
することは、プラズマを形成している間に下部電極に生
じたセルフバイアスによる電荷が徐々に拡散して中和す
るようにするため、プラズマのダメージを抑制するよう
作用する。

【００１９】

【発明の実施の形態】図１に本発明のＣＶＤ装置の一実
施例のＣＶＤ室を示す。反応室の構成は、ＣＶＤ室側壁
１０１が導伝体（アルミニウム等）で、その内壁を絶縁
体（アルミナ等）１０３で絶縁する構造とした。さら
に、反応ガスを均一にして供給するガス供給ヘッド兼上
部電極１０２及び加熱試料台兼下部電極１０５の周囲も
絶縁体でシールドした。プラズマ発生方式は、上部電極
１０２に高周波（１３.５６ＭＨｚ）を印加し、下部電
極１０５に高周波電源（４００ｋＨｚ）を印加する二周
波励起ＣＶＤ法を用いた。

【００２０】平行平板型プラズマＣＶＤ装置である本装
置の電極間隔と成膜圧力による放電状態の一例を図２に
示す。従来の平行平板型プラズマ酸化膜ＣＶＤ装置は、
成膜速度を大きくするため高圧側（１Torr以上）で狭電
極間隔方式を採用していた（図２中の１の領域）。しか
し、この領域では、スパッタリング効果が不足で、堆積
した酸化膜には、オーバーハングが見られる。この理由
は、プラズマ中の分子の平均自由工程が極端に小さいた
めに、イオンが十分に加速される前に他の分子と衝突し
てしまうためである。例えば、４Torrの場合のプラズマ
中の分子の平均自由工程は、およそ０.１mm 以下であ
る。スパッタリング効果を有効に利用するには、平均自
由工程が圧力の逆数に比例するので、イオンの平均自由
工程の大きい低圧（１Torr以下）で安定したプラズマを
得ることが必要である（図２中の２の領域）。電極間隔
を広くすると電極間の分子数が増加するので従来の圧力
より低圧側でも安定放電領域が存在する。

【００２１】しかし、従来の並行平板型プラズマ装置で
単純に圧力を下げていくと、プラズマが不安定になり、
やがて電極と側壁間に放電するようになり、電極間では
うまく放電しなくなった。そこで本発明の装置では電極
周辺と側壁を絶縁した。これにより電極と側壁間の放電
を防ぐことができた。更に、電極間隔を５０mmに広げる
ことにより０.５Torr 以下の低圧でより安定に放電する
ことが可能となった。

【００２２】上部電極に印加する高周波電力の周波数に
ついては、１３.５６ＭＨｚの他に２７ＭＨｚ及び４０
ＭＨｚを検討した。マッチングボックスのマッチングを
調整することと、フィルタのカットオフ周波数を設定し
直すことでいずれの周波数を用いても安定した放電が維
持された。周波数が高い方がＣＶＤ条件の変動に対し、
マージンが大きいという特性があった。これは、電離度
が周波数の増大に伴って大きくなるためである。

【００２３】また、低圧での安定した放電を形成するた
めのもう一つの手段として、電極近傍に０.５〜４mm の
ギャップでアース電位のシールドを配置する方式も検討
した。この方式も低圧での安定放電に有効であった。

【００２４】次に成膜方法について説明する。反応ガス
にはテトラエチルオルトシリケート（以下ＴＥＯＳ）、
液体材料中にＳｉ−Ｈを含むトリメトキシシリケート
（以下ＴＭＳ）やトリエトキシシリケート（以下ＴＥ
Ｓ）などのシリコンアルコキシドあるいは、フッ素を含
む材料（フロロアルコキシド）を用い、酸素または酸素
を含むガスと混合してプラズマＣＶＤ法でシリコン酸化
膜を堆積することができる。また、ＣＶＤ室のクリーニ
ングでは、ＣＦ₄やＣ₂Ｆ₆などのフッ素系ガスを含むガ
スとの反応により電極および反応室内壁の堆積物の除去
を行う。

【００２５】次に、ＴＭＳを用いてシリコン酸化膜を形
成した例をもとに実施例を説明する。ＴＭＳの場合の成
膜速度の酸素流量依存性を図３に示した。酸素流量を１
００sccm以上に設定すると、２００ｎｍ／min 以上の成
膜速度が得られることがわかった。後に述べる膜質の検
討結果を考慮して代表的な成膜条件を表１のように定め
た。

【００２６】この条件下では成膜速度が約２００ｎｍ／
min で５００ｎｍ堆積する場合、ウエハ搬送１分，流量
および圧力調整０.５分，成膜時間２.５分で１枚当たり
約４.０分である。また、クリーニングには２分かか
り、成膜／クリーニング工程の１枚当たりの処理時間は
６.０分で１時間当たり約１０枚の処理が可能である。
さらに、複数枚処理装置（反応室が３基の場合）では、
１時間当たり約２５枚程度の処理が可能である。

【００２７】

【表１】

【００２８】次に図４に段差被覆性（カバレッジ）に対
するバイアスパワー依存性を示す。この様子を図４に示
した。従来の成膜時の圧力の４Torrでは順テーパは確認
されなかった。圧力を低圧にしていくと、約０.５Torr
付近からオーバーハングは減少する傾向が認められた。
０.１Torr では顕著なバイアスパワー依存性が認められ
た。カバレッジは、形成した酸化膜の傾斜角で表示する
（図４(ａ)）。２００Ｗ付近よりバイアスパワーの増加
に伴って酸化膜の傾斜角は９０度以上の広角となり、順
テーパ形状を示した。４００Ｗ以上でθは一定値にぜん
近する傾向となった（図４(ｂ)）。従来の４Torrでは順
テーパは確認されないので、圧力を低減して平均自由工
程を大きくしたことと、バイアスを印加して基板付近に
イオンを加速する電界を形成した両者による効果が現れ
ている。Ａｒを添加すると同じ傾斜角を示す圧力が０.
２Torr ほど高圧側にシフトした。これはプラズマ密度
の増加とＡｒイオンの衝撃効果によるものと思われる。

【００２９】図５にプラズマシリコン酸化膜の絶縁耐圧
のバイアス停止時間依存性を示す。低抵抗シリコン基板
上に膜厚１００ｎｍのプラズマ酸化膜を堆積し、複数の
１mm平方のアルミニウム電極を形成したＭＯＳダイオー
ドを試料に用いた。図５の縦軸は絶縁耐圧で、リーク電
流が１μＡ／cm²に達したときの電界である。横軸はプ
ラズマシリコン酸化膜の形成時のバイアス停止タイミン
グ時間で、下部電極のＲＦ電力の停止時刻から上部電極
のＲＦ電力の停止時刻を引き算した値を示している。負
の時間は下部電極のＲＦ電力を停止してから上部電極の
ＲＦ電力を停止したことを表している。

【００３０】図に示されているように、下部電極のＲＦ
電力を停止してから上部電極のＲＦ電力を停止した場合
に高耐圧が保たれていることがわかる。これは、高周波
を先に停止した場合、ブロッキングキャパシタの電荷が
拡散して基板に帯電するのを抑えて絶縁破壊を防ぐため
である。本発明では、反応室に反応ガスを供給し、圧力
が一定になったところで高周波を印加し、続いて低周波
を印加する。また、成膜終了直前（３〜５秒前）に低周
波（バイアス）を先に停止した後、成膜終了時に高周波
を停止した。

【００３１】また、基板側電極の４００ＫＨｚの高周波
電力とともに、正のパルス電力を印加した。パルス幅は
１００nsec、パルス高さは４０ボルト、繰り返し回数は
毎秒２００回とした。このバイアス印加方式によれば、
パルスの効果としてプラズマ中から移動度の大きい電子
を基板表面に引き寄せて、基板表面の帯電を小さくで
き、チャージアップによる損傷を従来の１０分の１以下
に小さく抑えられることが確認された。

【００３２】次に本装置で形成したトリエトキシシラン
を原料としたプラズマ酸化膜の膜特性について説明す
る。図６に０.５％ＨＦ水溶液を用いた場合のエッチン
グ速度の酸素流量依存性を示す。このエッチング条件を
用いた場合のシリコン熱酸化膜は２.３ｎｍ／min 、Ｔ
ＥＯＳ−プラズマ酸化膜は９.５ｎｍ／min であった。
トリエトキシシラン−プラズマ酸化膜では酸素流量の増
加に伴いエッチング速度も増加する。さらに、エッチン
グ速度の範囲は、２.３〜４.９ｎｍ／min でこれらＴＥ
ＯＳを用いたプラズマシリコン酸化膜より低い。

【００３３】本装置で形成したシリコン酸化膜は、非常
に緻密な膜であった。図７に屈折率に対する酸素流量依
存性を示す。ＴＥＳ−プラズマ酸化膜の屈折率は酸素流
量の増加に伴い減少し、５０sccm以下で急激に高くな
る。ややシリコン熱酸化膜よりシリコン過剰の膜であっ
た。

【００３４】図８に本装置で堆積した酸化膜の耐水性を
示す。評価法はプレッシャークッカ（ＰＣＴ）法で、酸
化膜の水分透過阻止性を調べた。評価試料は、基板８０
１の上にＰＳＧ膜８０２を２００ｎｍ堆積し、さらに、
その上に評価するプラズマ酸化膜８０３を２００ｎｍ堆
積した構造とした（ｂ)(ｃ）。この試料をＰＣＴ評価
（加湿試験）の前後でＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換型赤外
吸光分光）測定を行い、１３２０cm^-1付近のＰ＝Ｏ結合
の吸光度変化を調べた。加湿試験の条件は、圧力２atm
，温度１２１℃，湿度１００％，１６８時間行った。
従来のプラズマTEOS膜では、成膜後とＰＣＴ処理後で比
較すると、Ｐ＝Ｏ結合の吸光度がＰＣＴ処理後で小さく
なり、プラズマ膜８０３の中を水分がＰＳＧ膜８０２ま
で透過していることを示す。しかし、本装置で堆積した
ＴＥＳ−プラズマ酸化膜では、同条件下でもＰ＝Ｏ結合
の変化は見られず、プラズマＴＥＯＳ膜に比べ水分透過
阻止性に優れる。

【００３５】図９を用いて本発明のプラズマ酸化膜の被
覆形状を説明する。図９（ａ）は従来のプラズマＣＶＤ
装置により堆積した酸化膜の形状で、配線９０２に対し
オーバーハングが見られる。しかし、本発明による酸化
膜は配線９０２に対しポジイテイブテーパ形状で配線９
０１上部の開口部が、従来の酸化膜（ａ）に比べ広くな
る（ｂ）。さらに、ＣＶＤ条件の最適化により配線間を
完全に埋め込むことも可能である（ｃ）。

【００３６】図１０はプラズマシリコン酸化膜上にＯ₃
−ＴＥＯＳ膜（オゾンとＴＥＯＳを熱的に反応させて成
膜させたＳｉＯ₂膜）を堆積した時の下地依存性を示し
た図である。下地依存性とは、プラズマ酸化膜のような
絶縁体上にＯ₃−ＴＥＯＳ膜を堆積すると表面が荒れる
現象（ａ）で、この結果段差部の平坦化が難しいとされ
ていた。しかし、本発明によるプラズマ酸化膜上では、
Ｏ₃−ＴＥＯＳ膜の下地依存性は見られず、配線間をボ
イドなく平坦化が可能であった（ｂ）。さらに、ＣＭＰ
（化学機械研磨）と組み合わせることにより優れた平坦
性を得ることが可能である（ｃ）。また、Ｏ₃−ＣＶＤ
膜の代わりに、塗布絶縁膜（ＳＯＧ）を重ねて形成して
も同様の効果が得られる。

【００３７】シリコン酸化膜のソースガスにＳｉ−Ｈを
含むアルコキシシランを用いると、高耐水性膜が形成で
き、モノシランよりパーティクルが少なく、安全面の取
り扱い上の制約も少なくなり、生産コストが低減する。
極端なバイアスを印加しなくても高段差被覆性が得られ
るという利点がある。

【００３８】また、ソースガスにＴＥＯＳを用いると順
テーパの緻密なシリコン酸化膜を形成することができ
る。

【００３９】ここまでの説明はノンドープのシリコン酸
化膜について行ってきたが、Ｆを含むソースガスを使用
するか、あるいは添加すると膜中にＦを含む低誘電率膜
を形成することができる。また、Ｓｉを含有するガスと
アンモニアガスとを用いて、プラズマ化学気相成長を行
うと、シリコン窒化膜を形成することができる。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、平行平板型のシンプル
な装置を用いて微細配線を有する半導体装置の高被覆性
層間絶縁膜を形成することができる。また、アルコキシ
シランを用いると、モノシランよりパーティクルが少な
く製品の歩留まりが向上するとともに、安全確保のため
の設備投資が少なくなる。また、高耐水性の膜が形成で
きるので塗布ガラス膜やオゾンＣＶＤ膜などの極めて埋
込性の優れた膜と積層して用いることができる。これら
によって、低コストでより高密の半導体装置を製造でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装置の反応
室を示す断面図。

【図２】反応室圧力と平行平板電極間隔の関係を示す放
電特性図。

【図３】酸素流量と成膜速度の関係を示す測定図。

【図４】バイアスパワーと段差被覆性の相関を示す説明
図。

【図５】バイアス停止タイミング時間と耐圧の関係を示
す説明図。

【図６】本発明の一実施例を示すプラズマシリコン酸化
膜形成時の酸素流量とエッチング速度の関係を示す特性
図。

【図７】本発明の一実施例を示すプラズマシリコン酸化
膜形成時の酸素流量と形成した膜の屈折率の関係を示す
特性図。

【図８】耐水性評価試料の断面図。

【図９】本発明の一実施例を示すプラズマシリコン酸化
膜の段差被覆性の特性図。

【図１０】本発明の一実施例を示す層間絶縁膜形成の工
程の説明図。

【符号の説明】

９０１…ＣＶＤシリコン酸化膜、９０２…アルミニウム
配線、９０３…プラズマシリコン酸化膜。

フロントページの続き (72)発明者本間喜夫東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応室内で、０.５Torr 以下の低圧領域
で、平行平板型電極間にプラズマを発生させ、絶縁膜を
形成する機構を有することを特徴とするプラズマ化学気
相成長装置。
【請求項２】電極周辺に絶縁体を含み、０.５Torr 以下
の低圧領域で、平行平板型電極間にプラズマを発生さ
せ、絶縁膜を形成する機構を有することを特徴とするプ
ラズマ化学気相成長装置。
【請求項３】電極周辺に導電体シールドを形成して、
０.５Torr 以下の低圧領域で、平行平板型電極間にプラ
ズマを発生させ、絶縁膜を形成する機構を有することを
特徴とするプラズマ化学気相成長装置。
【請求項４】請求項１，２または３において、上部電極
と試料ホルダを兼ねた下部電極にそれぞれ高周波電力を
印加する機構を有するプラズマ化学気相成長装置。
【請求項５】請求項４において、前記上部電極に１３.
５６ＭＨｚ以上の高周波電力を印加する機構を有する
プラズマ化学気相成長装置。
【請求項６】請求項５において、前記下部電極に５０Ｋ
Ｈｚ以上の高周波電力を印加する機構を有するプラズマ
化学気相成長装置。
【請求項７】請求項６において、前記下部電極に５０Ｋ
Ｈｚ以上の第一の高周波電力と、第二の正の複数のパル
ス電力を印加する機構とを有するプラズマ化学気相成長
装置。
【請求項８】請求項１，２，３，４，５，６または７に
おいて、前記上部電極に高周波を印加してから基板を保
持する下部電極に高周波を印加し、前記下部電極の高周
波電力の印加を停止してから、前記上部電極の高周波電
力の印加を停止する機構を有する半導体装置。
【請求項９】請求項１，２，３，４，５，６，７または
８において、Ｓｉを含有するガスと、酸素または酸素を
含むガスと、不活性ガスと、ハロゲンまたはハロゲン化
ガスを導入する配管が接続されているシリコン酸化膜の
プラズマ化学気相成長装置。
【請求項１０】請求項１，２，３，４，５，６，７，８
または９の前記プラズマ化学気相成長装置を用いて、
０.５Torr 以下の低圧領域で、Ｓｉを含有するガスと、
酸素または酸素を含むガスとを用いて、プラズマ化学気
相成長法でシリコン酸化膜を形成する半導体装置の製造
方法。
【請求項１１】請求項１０において、Ｓｉを含有するガ
スと、酸素または酸素を含むガスと、アルゴンガスまた
はアルゴンより原子番号が大きい不活性ガスとを用い
て、プラズマ化学気相成長法でシリコン酸化膜を形成す
る半導体装置の製造方法。
【請求項１２】請求項１０または１１において、Ｓｉを
含有するガスが、アルコキシ基とＳｉ−Ｈ結合を有する
アルコキシシランまたはモノシランのいずれかである半
導体装置の製造方法。
【請求項１３】請求項１２において、Ｓｉを含有するガ
スが、トリメトキシシランまたはトリエトキシシランの
いずれかである半導体装置の製造方法。
【請求項１４】請求項１０または１１において、Ｓｉを
含有するガスが、フッ素を含有するフロロアルコキシシ
ランまたはフロロアルコキシドであり、形成する膜がフ
ッ素を含有するシリコン酸化膜である半導体装置の製造
方法。
【請求項１５】請求項１０または１１において、Ｓｉを
含有するガスが、ＦＳｉ(ＯＣＨ₃)₃，ＦＳｉ(ＯＣ₂Ｈ₅)
₃,ＦＳｉ(ＯＣ₃Ｈ₇)₃,ＦＳiＨ(ＯＣＨ₃)₂,ＦＳiＨ(ＯＣ
₂Ｈ₅)₂，ＦＳｉＨ(ＯＣ₃Ｈ₇)₂，ＳｉＨＦ₃，ＳｉＨ₂Ｆ₂
のうちのいずれかである半導体装置の製造方法。
【請求項１６】請求項１０または１１において、Ｓｉを
含有するガスが、テトラエチルオルソシリケートである
半導体装置の製造方法。
【請求項１７】請求項１０，１１，１２，１３，１４，
１５または１６の前記半導体装置の製造方法によりプラ
ズマシリコン酸化膜を形成してから、この膜上に塗布法
またはオゾンを用いた化学気相堆積法によりシリコン酸
化膜を形成する半導体装置の製造方法。