JP2019507750A - 有機金属化合物及び方法 - Google Patents
有機金属化合物及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019507750A JP2019507750A JP2018542759A JP2018542759A JP2019507750A JP 2019507750 A JP2019507750 A JP 2019507750A JP 2018542759 A JP2018542759 A JP 2018542759A JP 2018542759 A JP2018542759 A JP 2018542759A JP 2019507750 A JP2019507750 A JP 2019507750A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- compound according
- cyclic
- methyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/025—Silicon compounds without C-silicon linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
Abstract
Description
(A)x−M−(OR3)4−x
式中:
Aは、−NR1R2、−N(R4)(CH2)nN(R5R6)、−N=C(NR4R5)(NR6R7)、OCOR1、ハロ及びYからなる群から選択され;
R1及びR2は、R1及びR2のうちの少なくとも1つはH以外でなければならないことを条件として、独立して、H及び1〜8個の炭素原子を有する環式又は非環式アルキル基からなる群から選択され;
R4、R5、R6及びR7は、独立して、H及び1〜4個の炭素原子を有する非環式アルキル基からなる群から選択され;
Yは、少なくとも1個の窒素原子を含有する3員〜13員の複素環式基からなる群から選択され;
R3は、1〜6個の炭素原子を有する環式又は非環式アルキル基であり;
Mは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr及びHfからなる群から選択され;
xは、1〜3の整数であり;
nは、1〜4の整数である。
(A)x−M−(OR3)4−x
式中:
Aは、−NR1R2、−N(R4)(CH2)nN(R5R6)、−N=C(NR4R5)(NR6R7)、OCOR1、ハロ及びYからなる群から選択され;
R1及びR2は、R1及びR2のうちの少なくとも1つはH以外でなければならないことを条件として、独立して、H及び1〜8個の炭素原子を有する環式又は非環式アルキル基からなる群から選択され;
R4、R5、R6及びR7は、独立して、H及び1〜4個の炭素原子を有する非環式アルキル基からなる群から選択され;
Yは、少なくとも1個の窒素原子を含有する3〜13位の複素環式基からなる群から選択され;
R3は、1〜6個の炭素原子を有する環式又は非環式アルキル基であり;
Mは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr及びHfからなる群から選択され;
xは、1〜3の整数であり;
nは、1〜4の整数である。
a)表面を覆う官能性O−H基を有する少なくとも1つの基材を提供する、
b)上記基材に、少なくとも1種の式1の化合物(式中、M=Si)を気相中にて送達する、
c)基材をパージガスでパージする;
d)上記基材に、酸素源を、気相中にて送達する、
e)基材をパージガスでパージする;
f)工程b)〜工程e)を、所望の厚さの酸化ケイ素が堆積されるまで繰り返す。
化学式:[(CH2)4N]−Si(OCH3)3
化学式:[(CH2)4N]2−Si(OCH3)2
化学式:[(CH2)4N]3−Si(OCH3)
化学式:[NC(N(CH3)2)2]−Si(OCH3)3
化学式:[NC(N(CH3)2)2]2−Si(OCH3)2
化学式:[NC(N(CH3)2)2]3−Si(OCH3)
化学式:[(CH3CH2)2N]−Si(OCH3)3
化学式:Cl−Si(OCH3)3
化学式:Cl2−Si(OCH3)2
化学式:(AcO)−Si(OCH3)3
化学式:[(CH3)2N]2−Si(OCH3)2
SiO2膜を、前駆体(ピロリジン)2Si(OMe)2から、O3又はH2Oを酸化剤として使用して、様々な温度及び圧力でCVD及びALDにより作製した。SiO2膜の成長速度に関するデータを取得し、膜品質を密度及び希HF酸中でのウェットエッチング速度(WER)によって評価した。
2 不活性ガス導入を制御する手動弁
3 不活性ガス導入をデジタル制御するマスフローコントローラ
4 不活性キャリアガスをバブラー1に導入するための自動切換弁
5 不活性キャリアガスを導入するためのバブラー上の手動弁
6 気化した前駆体を含む不活性キャリアガスを排出するためのバブラー上の手動弁
7 前駆体Aを収容するバブラー
8 気化した前駆体を含む不活性キャリアガスを反応室に導入するための自動切換弁
9 ライン内の残留物を除去するための自動切換弁
10 反応室
11 ライン内の前駆体及び残留物を除去するための自動切換弁
12 反応室内のガス圧を制御する真空ポンプの圧力調整弁
13 不活性キャリアガスをバブラー2に導入するための自動切換弁
14 不活性キャリアガスを導入するためのバブラー上の手動弁
15 前駆体Bを収容するバブラー
16 気化した前駆体を含む不活性キャリアガスを排出するためのバブラー上の手動弁
17 気化した前駆体を含む不活性キャリアガスを反応室に導入するための自動切換弁
18 ヒーター
19 熱電対
20 基材
Claims (44)
- 式1の有機金属化合物であって:
(A)x−M−(OR3)4−x
式中:
Aは、−NR1R2、−N(R4)(CH2)nN(R5R6)、−N=C(NR4R5)(NR6R7)、OCOR1、ハロ及びYからなる群から選択され;
R1及びR2は、R1及びR2のうちの少なくとも1つはH以外でなければならないことを条件として、独立して、H及び1〜8個の炭素原子を有する環式又は非環式アルキル基からなる群から選択され;
R4、R5、R6及びR7は、独立して、H及び1〜4個の炭素原子を有する非環式アルキル基からなる群から選択され;
Yは、少なくとも1個の窒素原子を含有する3〜13位の複素環式基からなる群から選択され;
R3は、1〜6個の炭素原子を有する環式又は非環式アルキル基であり;
Mは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr及びHfからなる群から選択され;
xは、1〜3の整数であり;
nは、1〜4の整数である、有機金属化合物。 - Mは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される、請求項1に記載の化合物。
- Mは、Siである、請求項2に記載の化合物。
- Aは、−NR1R2、−N(R4)(CH2)nN(R5R6)、−N=C(NR4R5)(R6R7)、OCOR1、ハロ及びYからなる群から選択される、請求項3に記載の化合物。
- Aは、アセタート、テトラエチルグアニジニル、ジメチルエチレンジアミニル、ブロモ、ヨード、−NR1R2及びYからなる群から選択される、請求項4に記載の化合物。
- Aは、−NR1R2である、請求項5に記載の化合物。
- R1及びR2は、独立して、H及び1〜4個の炭素原子を有する非環式アルキル基からなる群から選択される、請求項6に記載の化合物。
- R1及びR2は、独立して、メチル、エチル及びイソブチルからなる群から選択される、請求項7に記載の化合物。
- Aは、Yである、請求項5に記載の化合物。
- Yは、アジリジニル、アゼチジニル、ピロリジニル、ピロリル、ピペリジニル、ピリジニル、アゼパニル、及びアゼピニルからなる群から選択される、請求項9に記載の化合物。
- Yは、アジリジニル、アゼチジニル及びピロリジニルからなる群から選択される、請求項10に記載の化合物。
- R1及びR2は、R1及びR2のうちの少なくとも1つはH以外でなければならないことを条件として、独立して、H及び1〜8個の炭素原子を有する環式又は非環式アルキル基からなる群から選択される、請求項8又は11に記載の化合物。
- R1及びR2は、独立して、H及び1〜4個の炭素原子を有する非環式アルキル基からなる群から選択される、請求項12に記載の化合物。
- R1及びR2は、独立して、メチル、エチル及びイソブチルからなる群から選択される、請求項13に記載の化合物。
- R3は、1〜6個の炭素原子を有する環式又は非環式アルキル基である、請求項8又は11に記載の化合物。
- R3は、1〜4個の炭素原子を有する直鎖又は分岐鎖非環式アルキル基である、請求項15に記載の化合物。
- R3は、メチル及びエチルからなる群から選択される、請求項16に記載の化合物。
- R3は、メチル基である、請求項17に記載の化合物。
- R4、R5、R6及びR7は、独立して、H及び1〜4個の炭素原子を有する非環式アルキル基からなる群から選択される、請求項8又は11に記載の化合物。
- R4、R5、R6及びR7は、独立して、メチル及びエチルからなる群から選択される、請求項19に記載の化合物。
- R1及びR2は、独立して、メチル、エチル及びイソブチルからなる群から選択され、Yはピロリジニルであり、かつR3は、メチル及びエチルからなる群から選択される、請求項5に記載の化合物。
- 気相堆積プロセスにより金属酸化物膜を形成する方法であって、
a.表面を覆う官能性O−H基を有する少なくとも1つの基材を提供する工程、
b.前記基材に、少なくとも1種の式1の化合物を気相中にて送達する工程、
c.前記基材をパージガスでパージする工程、
d.前記基材に、酸素源を、気相中にて送達する工程、
e.前記基材をパージガスでパージする工程、
f.工程b)〜工程e)を、所望の厚さの金属酸化物が蒸着されるまで繰り返す工程
を含む、方法。 - Mは、Siである、請求項22に記載の方法。
- Aは、−NR1R2、−N(R4)(CH2)nN(R5R6)、−N=C(NR4R5)(R6R7)、OCOR1、ハロ及びYからなる群から選択される、請求項23に記載の方法。
- Aは、アセタート、テトラエチルグアニジニル、ジメチルエチレンジアミニル、ブロモ、ヨード、−NR1R2及びYからなる群から選択される、請求項24に記載の方法。
- Aは、−NR1R2である、請求項25に記載の方法。
- R1及びR2は、独立して、H及び1〜4個の炭素原子を有する非環式アルキル基からなる群から選択される、請求項26に記載の方法。
- R1及びR2は、独立して、メチル、エチル及びイソブチルからなる群から選択される、請求項27に記載の方法。
- Aは、Yである、請求項25に記載の方法。
- Yは、アジリジニル、アゼチジニル、ピロリジニル、ピロリル、ピペリジニル、ピリジニル、アゼパニル、及びアゼピニルからなる群から選択される、請求項29に記載の方法。
- Yは、アジリジニル、アゼチジニル及びピロリジニルからなる群から選択される、請求項30に記載の方法。
- R1及びR2は、R1及びR2のうちの少なくとも1つはH以外でなければならないことを条件として、独立して、H及び1〜8個の炭素原子を有する環式又は非環式アルキル基からなる群から選択される、請求項28又は31に記載の方法。
- R1及びR2は、独立して、H及び1〜4個の炭素原子を有する非環式アルキル基からなる群から選択される、請求項32に記載の方法。
- R1及びR2は、独立して、メチル、エチル及びイソブチルからなる群から選択される、請求項33に記載の方法。
- R3は、1〜6個の炭素原子を有する環式又は非環式アルキル基である、請求項28又は31に記載の方法。
- R3は、1〜4個の炭素原子を有する直鎖又は分岐鎖非環式アルキル基である、請求項35に記載の方法。
- R3は、メチル及びエチルからなる群から選択される、請求項36に記載の方法。
- R3は、メチル基である、請求項37に記載の方法。
- R4、R5、R6及びR7は、独立して、H及び1〜4個の炭素原子を有する非環式アルキル基からなる群から選択される、請求項28又は31に記載の方法。
- R4、R5、R6及びR7は、独立して、メチル及びエチルからなる群から選択される、請求項39に記載の方法。
- R1及びR2は、独立して、メチル、エチル及びイソブチルからなる群から選択され、Yはピロリジニルであり、かつR3は、メチル及びエチルからなる群から選択される、請求項25に記載の方法。
- 前記酸素源は、気相中H2O、気相中H2O2、O2、O3及びヒドラジンから選択される、請求項41に記載の方法。
- 前記気相堆積プロセスは、化学気相蒸着である、請求項41に記載の方法。
- 前記気相堆積プロセスは、原子層堆積である、請求項41に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021118491A JP7265589B2 (ja) | 2016-02-12 | 2021-07-19 | 金属酸化物膜を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CA2920646 | 2016-02-12 | ||
CA2920646A CA2920646A1 (en) | 2016-02-12 | 2016-02-12 | Organometallic compound and method |
PCT/CA2017/050158 WO2017136945A1 (en) | 2016-02-12 | 2017-02-10 | Organometallic compound and method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021118491A Division JP7265589B2 (ja) | 2016-02-12 | 2021-07-19 | 金属酸化物膜を形成する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019507750A true JP2019507750A (ja) | 2019-03-22 |
JP7072511B2 JP7072511B2 (ja) | 2022-05-20 |
Family
ID=59559019
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018542759A Active JP7072511B2 (ja) | 2016-02-12 | 2017-02-10 | 有機金属化合物 |
JP2021118491A Active JP7265589B2 (ja) | 2016-02-12 | 2021-07-19 | 金属酸化物膜を形成する方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021118491A Active JP7265589B2 (ja) | 2016-02-12 | 2021-07-19 | 金属酸化物膜を形成する方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11802134B2 (ja) |
EP (1) | EP3414254A4 (ja) |
JP (2) | JP7072511B2 (ja) |
KR (1) | KR102646655B1 (ja) |
CN (1) | CN109588049A (ja) |
CA (1) | CA2920646A1 (ja) |
SG (1) | SG11201806724YA (ja) |
TW (1) | TW201802101A (ja) |
WO (1) | WO2017136945A1 (ja) |
Families Citing this family (164)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
CA2975104A1 (en) | 2017-08-02 | 2019-02-02 | Seastar Chemicals Inc. | Organometallic compounds and methods for the deposition of high purity tin oxide |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
JP6923199B2 (ja) * | 2017-11-07 | 2021-08-18 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ハロシランの製造方法 |
WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
WO2019142055A2 (en) | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) * | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
JP7023905B2 (ja) | 2019-08-30 | 2022-02-22 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
JP7123100B2 (ja) | 2020-09-24 | 2022-08-22 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3296195A (en) * | 1963-12-20 | 1967-01-03 | Gen Electric | Curable composition |
JPS61502716A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-11-20 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | シリコン酸化物領域を有するデバイスの製作 |
JPH05308071A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 半導体装置のシリコン酸化膜の製造法 |
JPH06505957A (ja) * | 1991-12-26 | 1994-07-07 | アトフィナ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | ガラス基体の被覆法 |
JPH06263482A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-09-20 | Ppg Ind Inc | 被覆装置、ガラスの被覆方法、ガラス被覆用の化合物及び組成物、並びに被覆されたガラス基体 |
JPH0967379A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Ube Ind Ltd | ジアミノアルコキシシラン |
JPH09134910A (ja) * | 1995-11-10 | 1997-05-20 | Hitachi Ltd | プラズマ化学気相成長装置および半導体装置の製造方法 |
JPH09278819A (ja) * | 1996-04-17 | 1997-10-28 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | オレフィン重合用触媒およびこれを用いるオレフィンの重合方法 |
JPH11228647A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-08-24 | Bridgestone Corp | 部分的に連成していてヒドロカルボキシシラン化合物から生じた末端が組み込まれているジエンポリマー類およびコポリマー類 |
WO2003011945A2 (en) * | 2001-07-26 | 2003-02-13 | Dow Corning Corporation | Siloxane resins |
JP2005120332A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Ube Ind Ltd | α−オレフィンの重合又は共重合用触媒、その触媒成分及びα−オレフィンの重合方法 |
JP2005354076A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 金属酸化物の形成方法 |
JP2006028312A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Ube Ind Ltd | 環状アミノシラン、α−オレフィンの重合又は共重合用触媒、及びα−オレフィンの重合方法 |
US20060247404A1 (en) * | 2005-04-29 | 2006-11-02 | Todd Michael A | Apparatus, precursors and deposition methods for silicon-containing materials |
JP2008514605A (ja) * | 2004-09-28 | 2008-05-08 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 有機金属前駆体化合物 |
WO2009155507A1 (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Sigma-Aldrich Co. | Titanium pyrrolyl-based organometallic precursors and use thereof for preparing dielectric thin films |
JP2010507259A (ja) * | 2006-10-16 | 2010-03-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Sti用の二酸化シリコンの高品質誘電体膜の形成:harpii−遠隔プラズマ増強型堆積プロセス−のための異なるシロキサンベースの前駆物質の使用 |
JP2011018718A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Ube Industries Ltd | ジアルキルアミノ基を有する気相成長用シリコン原料及び当該材料を用いたシリコン含有薄膜の製造方法 |
WO2011156699A1 (en) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Complexes of imidazole ligands |
US8278224B1 (en) * | 2009-09-24 | 2012-10-02 | Novellus Systems, Inc. | Flowable oxide deposition using rapid delivery of process gases |
WO2012138332A1 (en) * | 2011-04-06 | 2012-10-11 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Hafnium-containing or zirconium-containing precursors for vapor deposition |
JP2013527147A (ja) * | 2010-04-07 | 2013-06-27 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 気相堆積のためのチタン含有前駆体 |
KR101308572B1 (ko) * | 2009-07-21 | 2013-09-13 | 주식회사 유엠티 | 실리콘을 함유하는 박막 증착을 위한 실리콘 전구체 제조 방법 |
JP2014532118A (ja) * | 2011-09-30 | 2014-12-04 | アーケマ・インコーポレイテッド | 大気圧化学蒸着法によるケイ素酸化物の蒸着 |
WO2015022298A1 (en) * | 2013-08-12 | 2015-02-19 | Saudi Basic Industries Corporation | Catalyst system for polymerisation of an olefin |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2699695B2 (ja) | 1991-06-07 | 1998-01-19 | 日本電気株式会社 | 化学気相成長法 |
JP2830604B2 (ja) * | 1992-04-28 | 1998-12-02 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5599387A (en) * | 1993-02-16 | 1997-02-04 | Ppg Industries, Inc. | Compounds and compositions for coating glass with silicon oxide |
JPH0797411A (ja) | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Tonen Corp | プロピレンのブロック共重合体の製造方法 |
JP2001122917A (ja) | 1999-10-27 | 2001-05-08 | Ube Ind Ltd | α−オレフィンの重合方法及びそれによって製造されるα−オレフィン重合体 |
JP4775908B2 (ja) | 2004-02-27 | 2011-09-21 | 東邦チタニウム株式会社 | オレフィン類重合用触媒およびこれを用いたオレフィン類重合体の製造方法 |
US8323754B2 (en) * | 2004-05-21 | 2012-12-04 | Applied Materials, Inc. | Stabilization of high-k dielectric materials |
US7956207B2 (en) * | 2006-09-28 | 2011-06-07 | Praxair Technology, Inc. | Heteroleptic organometallic compounds |
NZ581491A (en) * | 2007-07-27 | 2011-03-31 | China Mto Ltd | A separating method of cracked methanol gas to prepare polymer grade low carbon olefin |
EP2837634A1 (en) * | 2013-08-12 | 2015-02-18 | Saudi Basic Industries Corporation | Catalyst system for polymerisation of an olefin |
US20150275355A1 (en) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions and methods for the deposition of silicon oxide films |
-
2016
- 2016-02-12 CA CA2920646A patent/CA2920646A1/en not_active Abandoned
-
2017
- 2017-02-10 JP JP2018542759A patent/JP7072511B2/ja active Active
- 2017-02-10 CN CN201780010791.8A patent/CN109588049A/zh active Pending
- 2017-02-10 TW TW106104410A patent/TW201802101A/zh unknown
- 2017-02-10 KR KR1020187026118A patent/KR102646655B1/ko active IP Right Grant
- 2017-02-10 WO PCT/CA2017/050158 patent/WO2017136945A1/en active Application Filing
- 2017-02-10 US US16/076,208 patent/US11802134B2/en active Active
- 2017-02-10 SG SG11201806724YA patent/SG11201806724YA/en unknown
- 2017-02-10 EP EP17749873.0A patent/EP3414254A4/en active Pending
-
2021
- 2021-07-19 JP JP2021118491A patent/JP7265589B2/ja active Active
Patent Citations (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3296195A (en) * | 1963-12-20 | 1967-01-03 | Gen Electric | Curable composition |
JPS61502716A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-11-20 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | シリコン酸化物領域を有するデバイスの製作 |
JPH06505957A (ja) * | 1991-12-26 | 1994-07-07 | アトフィナ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | ガラス基体の被覆法 |
JPH05308071A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 半導体装置のシリコン酸化膜の製造法 |
JPH06263482A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-09-20 | Ppg Ind Inc | 被覆装置、ガラスの被覆方法、ガラス被覆用の化合物及び組成物、並びに被覆されたガラス基体 |
JPH0967379A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Ube Ind Ltd | ジアミノアルコキシシラン |
JPH09134910A (ja) * | 1995-11-10 | 1997-05-20 | Hitachi Ltd | プラズマ化学気相成長装置および半導体装置の製造方法 |
JPH09278819A (ja) * | 1996-04-17 | 1997-10-28 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | オレフィン重合用触媒およびこれを用いるオレフィンの重合方法 |
JPH11228647A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-08-24 | Bridgestone Corp | 部分的に連成していてヒドロカルボキシシラン化合物から生じた末端が組み込まれているジエンポリマー類およびコポリマー類 |
WO2003011945A2 (en) * | 2001-07-26 | 2003-02-13 | Dow Corning Corporation | Siloxane resins |
JP2005120332A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Ube Ind Ltd | α−オレフィンの重合又は共重合用触媒、その触媒成分及びα−オレフィンの重合方法 |
JP2005354076A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 金属酸化物の形成方法 |
JP2006028312A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Ube Ind Ltd | 環状アミノシラン、α−オレフィンの重合又は共重合用触媒、及びα−オレフィンの重合方法 |
JP2008514605A (ja) * | 2004-09-28 | 2008-05-08 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 有機金属前駆体化合物 |
US20060247404A1 (en) * | 2005-04-29 | 2006-11-02 | Todd Michael A | Apparatus, precursors and deposition methods for silicon-containing materials |
JP2010507259A (ja) * | 2006-10-16 | 2010-03-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Sti用の二酸化シリコンの高品質誘電体膜の形成:harpii−遠隔プラズマ増強型堆積プロセス−のための異なるシロキサンベースの前駆物質の使用 |
WO2009155507A1 (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Sigma-Aldrich Co. | Titanium pyrrolyl-based organometallic precursors and use thereof for preparing dielectric thin films |
JP2011018718A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Ube Industries Ltd | ジアルキルアミノ基を有する気相成長用シリコン原料及び当該材料を用いたシリコン含有薄膜の製造方法 |
KR101308572B1 (ko) * | 2009-07-21 | 2013-09-13 | 주식회사 유엠티 | 실리콘을 함유하는 박막 증착을 위한 실리콘 전구체 제조 방법 |
US8278224B1 (en) * | 2009-09-24 | 2012-10-02 | Novellus Systems, Inc. | Flowable oxide deposition using rapid delivery of process gases |
JP2013527147A (ja) * | 2010-04-07 | 2013-06-27 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 気相堆積のためのチタン含有前駆体 |
WO2011156699A1 (en) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Complexes of imidazole ligands |
WO2012138332A1 (en) * | 2011-04-06 | 2012-10-11 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Hafnium-containing or zirconium-containing precursors for vapor deposition |
JP2014532118A (ja) * | 2011-09-30 | 2014-12-04 | アーケマ・インコーポレイテッド | 大気圧化学蒸着法によるケイ素酸化物の蒸着 |
WO2015022298A1 (en) * | 2013-08-12 | 2015-02-19 | Saudi Basic Industries Corporation | Catalyst system for polymerisation of an olefin |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
GUILMENT, J.; PONCELET, O.; RIGOLA, J.; TRUCHET, S.: "Spectroscopic study of group IV alkoxides as molecular precursors of metal oxides", VIBRATIONAL SPECTROSCOPY, vol. 11(1),, JPN6021000899, 1996, pages 37 - 49, ISSN: 0004666645 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201802101A (zh) | 2018-01-16 |
US20210070783A1 (en) | 2021-03-11 |
KR102646655B1 (ko) | 2024-03-13 |
EP3414254A1 (en) | 2018-12-19 |
CA2920646A1 (en) | 2017-08-12 |
JP7265589B2 (ja) | 2023-04-26 |
JP7072511B2 (ja) | 2022-05-20 |
WO2017136945A1 (en) | 2017-08-17 |
KR20180116308A (ko) | 2018-10-24 |
JP2021181621A (ja) | 2021-11-25 |
CN109588049A (zh) | 2019-04-05 |
SG11201806724YA (en) | 2018-09-27 |
US11802134B2 (en) | 2023-10-31 |
EP3414254A4 (en) | 2019-10-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7265589B2 (ja) | 金属酸化物膜を形成する方法 | |
USRE45124E1 (en) | Methods of atomic layer deposition using titanium-based precursors | |
JP6596737B2 (ja) | アミドイミン配位子を含む金属複合体 | |
TWI491760B (zh) | 有機胺基矽烷前驅物及其膜的沉積方法 | |
KR101502251B1 (ko) | 유전체 필름의 형성 방법, 신규 전구체 및 그의 반도체 제조에서의 용도 | |
JP2019194226A (ja) | 有機アミノシラン前駆体およびこれを含む膜の堆積方法 | |
JP5654439B2 (ja) | 金属含有膜を被着させるための金属エノラート前駆体 | |
TWI652277B (zh) | 原子層沈積用有機金屬前驅物化合物、沉積有其的薄膜以及薄膜製造方法 | |
JP6193260B2 (ja) | ニッケル含有膜堆積用ニッケルアリルアミジナート前駆体 | |
JP7026683B2 (ja) | シクロペンタジエニル配位子を含む金属錯体 | |
KR101772478B1 (ko) | 유기 13족 전구체 및 이를 이용한 박막 증착 방법 | |
TWI831079B (zh) | 稀土前驅體、製備其的方法和使用其形成薄膜的方法 | |
CN114539295B (zh) | 稀土前驱体、制备其的方法和使用其形成薄膜的方法 | |
JP2019056133A (ja) | 金属薄膜の原子層堆積方法 | |
KR102557282B1 (ko) | 신규 화합물, 이를 포함하는 전구체 조성물, 및 이를 이용한 박막의 제조방법 | |
KR20230048755A (ko) | 5족 금속 화합물, 이를 포함하는 증착용 전구체 조성물 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | |
CN115724894A (zh) | 用于薄膜沉积的铌前体化合物和用其形成含铌薄膜的方法 | |
TW202313639A (zh) | 矽前驅物化合物、包含其之用於形成含矽薄膜的組成物及使用該組成物形成薄膜的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A529 | Written submission of copy of amendment under article 34 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A529 Effective date: 20180925 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200519 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210119 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210419 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210621 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220419 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220510 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7072511 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |