CN113066740B - 一种半导体设备和清洗方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种半导体设备和清洗方法，包括：反应腔室，反应腔室用于对晶圆进行处理工艺；真空泵，真空泵通过排气管路与反应腔室的第一端连接，真空泵用于抽取反应腔室内的副产物；以及与排气管路连接的第一远程等离子体清洗装置，第一远程等离子体清洗装置用于清洗排气管路中的副产物。这样，通过在反应腔室与真空泵之间的排气管路上连接第一远程等离子体清洗装置，第一远程等离子体清洗装置产生的等离子体进入排气管路中，并与排气管路中的副产物反应，从而达到清洗排气管路中的副产物的目的，避免副产物堵塞排气管路。

Description

一种半导体设备和清洗方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体设备和清洗方法。

背景技术

在芯片的生产过程，晶圆需要经过很多不同的处理工艺，例如沉积、刻蚀、离子注入、退火等工艺。在反应腔室内进行这些半导体工艺时，会产生副产物，由于该反应腔室底端连接真空泵，以对反应腔内的气体进行抽取，形成真空环境，如果不对这些副产物进行有效过滤，会诱导反应腔室内沉积副产物。

但是在利用真空泵抽取副产物的过程中，副产物会附着在真空泵与反应腔室之间的排气管路上，甚至堵塞排气管路。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种半导体设备和清洗方法，以清洗排气管路中的副产物。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

一种半导体设备，包括：

反应腔室，所述反应腔室用于对晶圆进行处理工艺；

真空泵，所述真空泵通过排气管路与所述反应腔室的第一端连接，所述真空泵用于抽取所述反应腔室内的副产物；

与所述排气管路连接的第一远程等离子体清洗装置，所述第一远程等离子体清洗装置用于清洗所述排气管路中的副产物。

可选的：控制器，所述控制器用于根据所述排气管路中的副产物含量控制所述第一远程等离子体清洗装置的开启或闭合。

可选的，在所述排气管路和所述第一远程等离子体清洗装置之间有设置第一控制开关，所述第一控制开关用于控制所述第一远程等离子体清洗装置向所述排气管路中通入的等离子体量。

可选的，所述反应腔室的数量为多个，每个所述反应腔室的排气管路均连接有一个第一远程等离子体清洗装置，所述第一远程等离子体清洗装置用于清洗对应的所述排气管路中的副产物。

可选的，还包括：

与所述反应腔室的第二端连接的第二远程等离子体清洗装置，所述第二远程等离子体清洗装置用于清洗所述反应腔室内的副产物。

可选的，所述第一远程等离子体清洗装置包括：第一等离子体发生单元、第一输气管路；

所述第一等离子体发生单元用于产生第一等离子体，所述第一输气管路用于将所述第一等离子体输送至所述排气管路；

其中，所述第一输气管路的长度大于第一预设长度，所述第一等离子体中的电子和/或离子在所述第一输气管路中衰减，所述第一等离子体中的活性自由基经所述第一输气管路传送至所述排气管路以进行清洗。

可选的，所述第二远程等离子体清洗装置包括：第二等离子体发生单元、第二输气管路；

所述第二等离子体发生单元用于产生第二等离子体，所述第二输气管路用于将所述第二等离子体输送至所述反应腔室内；

其中，所述第二输气管路的长度大于第二预设长度，所述第二等离子体中的电子和/或离子在所述第二输气管路中衰减，所述第二等离子体中的活性自由基经所述第二输气管路传送至所述反应腔室内以进行清洗。

一种清洗方法，包括：

利用真空泵抽取反应腔室内的副产物，所述反应腔室用于对晶圆进行处理工艺，所述真空泵通过排气管路与所述反应腔室的第一端连接；利用与所述排气管路连接的第一远程等离子体清洗装置清洗所述排气管路中的副产物。

可选的，还包括：

利用第二远程等离子体清洗装置清洗所述反应腔室内的副产物，所述第二远程等离子体清洗装置与所述反应腔室的第二端连接。

可选的，所述第一远程等离子体清洗装置包括：第一等离子体发生单元、第一输气管路，所述第一输气管路的长度大于第一预设长度；

所述利用与所述排气管路连接的第一远程等离子体清洗装置清洗所述排气管路中的副产物，包括：

控制所述第一等离子体发生单元产生第一等离子体，所述第一等离子体中的电子和/或离子在所述第一输气管路中衰减，所述第一等离子体中的活性自由基经所述第一输气管路传送至所述排气管路以进行清洗；

所述第二远程等离子体清洗装置包括：第二等离子体发生单元、第二输气管路，所述第二输气管路的长度大于第二预设长度；

所述利用第二远程等离子体清洗装置清洗所述反应腔室内的副产物，包括：

控制所述第二等离子体发生单元产生第二等离子体，所述第二等离子体中的电子和/或离子在所述第二输气管路中衰减，所述第二等离子体中的活性自由基经所述第一输气管路传送至所述反应腔室内以进行清洗。

本发明实施例提供的一种半导体设备，包括：反应腔室，反应腔室用于对晶圆进行处理工艺；真空泵，真空泵通过排气管路与反应腔室的第一端连接，真空泵用于抽取反应腔室内的副产物；以及与排气管路连接的第一远程等离子体清洗装置，第一远程等离子体清洗装置用于清洗排气管路中的副产物。这样，通过在反应腔室与真空泵之间的排气管路上连接第一远程等离子体清洗装置，第一远程等离子体清洗装置产生的等离子体进入排气管路中，并与排气管路中的副产物反应，从而达到清洗排气管路中的副产物的目的，避免副产物堵塞排气管路。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1示出了根据本发明实施例一种半导体设备的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

正如背景技术的描述，在芯片的生产过程，晶圆需要经过很多不同的处理工艺，例如沉积、刻蚀、离子注入等工艺。在反应腔室内进行这些半导体工艺时，会产生副产物，由于该反应腔室底端连接真空泵，以对反应腔内的气体进行抽取，形成真空环境，如果不对这些副产物进行有效过滤，会诱导反应腔室内沉积副产物。但是在利用真空泵抽取副产物的过程中，副产物会附着在真空泵与反应腔室之间的排气管路上，甚至堵塞排气管路。

为此，本申请实施例提供一种半导体设备，参考图1所示，包括：

反应腔室110，所述反应腔室110用于对晶圆进行处理工艺；

真空泵120，所述真空泵120通过排气管路130与所述反应腔室110的第一端连接，所述真空泵120用于抽取所述反应腔室110内的副产物；

与所述排气管路130连接的第一远程等离子体清洗装置140，所述第一远程等离子体清洗装置140用于清洗所述排气管路130中的副产物。

本申请实施例中，反应腔室110用于对晶圆进行处理工艺。例如沉积工艺、刻蚀工艺或者离子注入工艺等。

沉积工艺通常包括物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺、原子层沉积(Atomic LayerDeposition，ALD)等。

物理气相沉积是指在真空条件下，采用物理方法，将固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，在基体表面沉积薄膜的技术。物理气相沉积包括：蒸镀(Evaporation)、溅镀(Sputtering)等。蒸镀是在高真空反应腔室内，将待蒸镀的材料(靶材)利用电热丝或电子束加热升温到熔化、气化温度、使材料蒸发，到达并附着在晶圆表面上的蒸镀技术。溅镀是向高真空的反应腔室内通入适当的气体(例如氩气)，并控制反应腔室在适当的压力下，反应腔室内的自由电子撞击氩分子，造成氩分子的解离，产生二次电子与氩离子，氩离子受到靶材上负电位的影响，加速撞击靶材，将靶材上的金属撞击下来，并沉积在晶圆表面上。

化学气相沉积是指通过气体混合的化学反应在晶圆表面沉积一层固体膜的工艺。化学气相沉积包括低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等。低压化学气相沉积法是将反应气体在反应腔室内进行沉积反应时的操作压力，降低到大约133Pa以下。等离子体化学气相沉积是一种用等离子体激活反应气体，促进在基体表面进行化学反应生成固态膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，利用低温等离子体作为能量源，通入适量的反应气体，利用等离子体放电，使反应气体激活并实现化学气相沉积的技术。

原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔室内而后在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的方法。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。

反应腔室内的刻蚀可以包括离子铣刻蚀(Ion Beam Milling，IBM)、等离子刻蚀(Plasma Etching，PE)、反应离子刻蚀(Reaction Ion Etching；RIE)等。离子铣刻蚀是指低气压下惰性气体辉光放电所产生的离子经过加速后入射到薄膜表面，裸露的薄膜被溅射而除去，是一种物理过程。等离子刻蚀是指低压条件下，反应气体在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体，等离子体包括带电的电子和离子，反应腔室中的气体在电子的撞击下，能够转变成离子并形成大量的活性反应基团，活性反应基团和被刻蚀物质表面形成化学反应并形成挥发性的反应生成物。反应离子刻蚀是指利用有化学反应性气体产生化学活性的基团和离子，经过电场加速的高能离子轰击被刻蚀材料，使被刻蚀材料表面受损，提高被刻蚀材料的表面活性，从而能够加快待刻蚀材料与反应气体产生的活性基团的反应速度，从而提高刻蚀速度。

离子注入工艺是把某种元素的原子电离成离子，并使其在几十至几百千伏的电压下进行加速，在获得较高速度后射入到真空靶室中的固体材料表面的一种离子束技术。材料经离子注入后，其表面的物理、化学及机械性能会发生显著的变化。

在反应腔室内进行沉积、刻蚀、等离子体注入等工艺时，需要将反应腔室内的副产物抽出，避免副产物沉积在反应腔室内部的相关位置，影响反应腔室内后续工艺的进行。通过将真空泵与反应腔室连接，利用真空泵将大部分的副产物及未反应的气体等抽走。具体的，在进行沉积工艺时，副产物例如可以为未沉积在晶圆表面的生成物、反应气体等，利用真空泵将沉积工艺产生的副产物抽走，减少沉积工艺产生的副产物沉积在反应腔室内壁、喷淋装置以及加热器上等。在进行刻蚀工艺时，副产物例如可以为反应气体形成的活性反应基团和被刻蚀材料反应形成的生成物，利用真空泵将刻蚀工艺产生的副产物抽走，能够减少刻蚀工艺产生的副产物沉积在反应腔室内壁，上下电极板上等。

但是，发明人发现，在真空泵抽取反应腔室内的副产物的过程中，会在真空泵和反应腔室之间的排气管路上粘附副产物，随着反应腔室内的反应的进行，真空泵的抽取操作增多，导致排气管路上粘附的副产物较多，甚至堵塞排气管路。

因此，本申请实施例设置与排气管路130连接的第一远程等离子体清洗装置140，以清洗排气管路130中的副产物。远程等离子体清洗主要是在反应区外将清洗气体电离，再利用气流、电场、磁场等将等离子体引入反应区中，以达到清洗的目的。相比传统的等离子体清洗，远程等离子体清洗是将等离子体加工区(产生沉积、刻蚀、表面改性等过程的基体表面)远离等离子体放电区，再利用气流、电场、磁场等将等离子体引入加工区。远程等离子体中包含有电子、离子和活性自由基等，但是由于加工区与放电区被适当分离，短寿命的电子、离子浓度迅速衰减，而长寿命的活性自由基的浓度较高，因此在远离放电区的位置，电子、离子等对材料表面的轰击损伤尽可能降低，活性自由基对样品的作用占主导地位，有利于控制目的性反应，以获得更好的清洗效果。

具体的，第一远程等离子体清洗装置140包括第一等离子体发生单元、第一输气管路，第一等离子体发生单元产生第一等离子体，第一输气管路用于将第一等离子体输送至排气管路中，以使得第一等离子体与排气管路中的副产物反应，以达到清洗排气管路中的副产物的目的。其中，第一输气管路的长度大于第一预设长度，第一等离子体中的电子和/或离子在第一输气管路中衰减，第一等离子体中的电子和/或离子在第一输气管路中衰减，第一等离子体中的活性自由基经第一输气管路传送至排气管路以进行清洗，第一预设长度可以根据第一等离子体中的电子和/或离子数量确定，以保证电子和/或离子衰减，而后由活性自由基完成清洗。该设备包括控制器，控制器用于根据排气管路130中的副产物含量控制第一远程等离子体清洗装置140的开启或闭合。例如，当排气管路130中的副产物含量大于预设含量时，开启第一远程等离子体清洗装置140，以进行排气管路130中的副产物的清洗。当排气管路130中的副产物浓度小于预设含量时，关闭第一远程等离子体清洗装置140。还可以在排气管路130和第一远程等离子体清洗装置140之间的连接管路上设置第一控制开关，第一控制开关用于控制第一远程等离子体清洗装置140向排气管路130通入的等离子体量，具体的，当排气管路130中的副产物含量大于预设含量时，通过第一控制开关增大第一远程等离子体清洗装置140向排气管路130中通入的等离子体量，当排气管路130中的副产物含量小于预设含量时，通过第一控制开关减小第一远程等离子体清洗装置140向排气管路130中通入的等离子体量，或者关闭第一远程等离子体清洗装置140向排气管路130中通入等离子体。

本实施例中，反应腔室110的数量为多个，每个反应腔室110的排气管路130上均连接有一个第一远程等离子体清洗装置140，第一远程等离子体清洗装置140用于清洗对应的排气管路130中的副产物。即每一个排气管路130均与一个第一远程等离子体清洗装置140连接，第一远程等离子体装置140能够清洗对应的排气管路130中的副产物。具体的，可以根据排气管路130中的副产物含量控制对应的第一远程等离子体清洗装置140的开启或闭合。

在具体的应用中，当多个反应腔室110内进行相同的处理工艺时，可以利用一个第一远程等离子体清洗装置140对多个反应腔室110的排气管路130中的副产物进行清洗。具体的，将一个第一远程等离子体清洗装置140与每个反应腔室110的排气管路130连接，而后将等离子体引入所有的排气管路130中。可以在每个排气管路130与第一远程等离子体清洗装置140之间设置控制开关，即每个排气管路130具有对应的控制开关，可以利用控制开关分别控制第一远程等离子体清洗装置140向多个排气管路130中通入的等离子体量，例如，当某一个排气管路130中的副产物含量低于预设值时，可以关闭与该排气管路130对应的控制开关，进而停止向该排气管路130通入等离子体。

在反应腔室内进行处理工艺时，处理工艺产生的副产物大部分会被真空泵抽走，但是少部分仍然会附着在反应腔室内。例如，对于通过正硅酸乙酯(TE0S)和臭氧或氧气的方法在衬底上沉积SiO₂的反应腔室而言，沉积过程中产生的非挥发性副产物会沉积于反应腔室的内壁表面、喷淋装置、加热器上等。随着沉积反应的进行，反应腔室内的喷淋装置、加热器、反应腔室内壁上不断堆积的副产物会开裂进而会导致反应过程中的腔室环境不断变化，影响沉积速率及其均匀性等反应参数，因此需要对反应腔室进行清洗。

本实施例中，可以在反应腔室110的第二端连接第二远程等离子体清洗装置150，第二远程等离子体清洗装置150用于清洗反应腔室110内的副产物。第二远程等离子清洗装置150可以包括：第二等离子体发生单元、第二输气管路，第二等离子体发生单元用于产生第二等离子体，第二输气管路用于将第二等离子体输送至反应腔室内，以使得第二等离子体能够与反应腔室内的副产物反应，达到清洗反应腔室的目的。其中，第二输气管路的长度大于第二预设长度，第二等离子体中的电子和/或离子在第二输气管路中衰减，第二等离子体中的电子和/或离子在第二输气管路中衰减，第二离子体中的活性自由基经第二输气管路传送至反应腔室内以进行清洗，第二预设长度可以根据第二等离子体中的电子和/或离子数量确定，以保证电子和/或离子衰减，而后由活性自由基完成清洗。第二远程等离子体清洗装置150与第一远程等离子体清洗装置140可以是相同的装置。

具体的，通过高密度等离子源，给氩气气体能量用来解离三氟化氮气体，产生氟离子，氟离子进入反应腔室，氟离子可与反应腔室内的副产物反应，将副产物刻蚀掉。而后利用与反应腔室110连接的真空泵120抽走第二远程等离子清洗装置150清洗反应腔室110内的副产物形成的生成物，即氟离子与副产物反应形成的生成物。例如，在清洗反应腔室内的Si0₂时，向反应腔室通入含氟气体和氧气的混合气体，如四氟化碳(CF₄)和氧气的混合气体并采用射频源对所述混合气体进行等离子体化，等离子体化的气体会与反应腔室内的副产物反应生成易挥发性物质，然后通过真空泵抽出反应腔室里的仍然残留的副产物和未反应的气体，从而去除反应腔室内喷淋装置、加热器以及反应腔室的内壁上的副产物。

在一些实施例中，可以在反应腔室110和第二远程等离子体清洗装置150设置第二控制开关，第二控制开关用于控制第二远程等离子体清洗装置150向反应腔室110内通入的等离子体量。具体的，当反应腔室110内的副产物含量大于预设含量时，通过第二控制开关增大第二远程等离子体清洗装置150向反应腔室110内通入的等离子体量，当反应腔室110内的副产物含量小于预设含量时，通过第二控制开关减小第二远程等离子体清洗装置150向反应腔室110内通入的等离子体量，或者关闭第二远程等离子体清洗装置150向反应腔室110内通入等离子体。在另一些实施例中，当设备包括控制器时，还可以利用控制器根据反应腔室110内的副产物含量控制第二远程等离子清洗装置150的开启或闭合，例如当反应腔室110内的副产物含量大于预设含量时，开启第二远程等离子体清洗装置150，以进行反应腔室110内的副产物的清洗。当反应腔室110内的副产物浓度小于预设含量时，关闭第二远程等离子体清洗装置150。

本实施例中，反应腔室110的数量为多个，每个反应腔室110的第二端均连接有一个第二远程等离子体清洗装置150，第二远程等离子体清洗装置150用于清洗对应的反应腔室110内的副产物。即每一个反应腔室110均与一个第二远程等离子体清洗装置150连接，第二远程等离子体装置150能够清洗对应的反应腔室110内的副产物。具体的，可以根据反应腔室110内的副产物含量控制对应的第二远程等离子体清洗装置150的开启或闭合。

在具体的应用中，当多个反应腔室110内进行相同的处理工艺时，可以利用一个第二远程等离子体清洗装置150对所有的反应腔室110进行清洗。具体的，将一个第二远程等离子体清洗装置150与每个反应腔室110的第二端连接，而后将等离子体引入所有的反应腔室110内。可以在每个反应腔室110与第二远程等离子体清洗装置150之间设置控制开关，即每个反应腔室110具有对应的控制开关，可以利用控制开关分别控制第二远程等离子体清洗装置150向多个反应腔室110内通入的等离子体量，例如，当某一个反应腔室110内的副产物含量低于预设值时，可以关闭与该反应腔室110对应的控制开关，进而停止向该反应腔室110内通入等离子体。

以上对本申请实施例提供的一种半导体设备进行了详细的描述，包括：反应腔室，反应腔室用于对晶圆进行处理工艺；真空泵，真空泵通过排气管路与反应腔室的第一端连接，真空泵用于抽取处理工艺产生的副产物；以及与排气管路连接的第一远程等离子体清洗装置，第一远程等离子体清洗装置用于清洗排气管路中的副产物。这样，通过在反应腔室与真空泵之间的排气管路上连接第一远程等离子体清洗装置，第一远程等离子体清洗装置产生的等离子体进入排气管路中，并与排气管路中的副产物反应，从而达到清洗排气管路中的副产物的目的，避免副产物堵塞排气管路。

本申请实施例还提供一种清洗方法，包括：

在步骤S01中，利用真空泵抽取反应腔室内的副产物，所述反应腔室用于对晶圆进行处理工艺，所述真空泵通过排气管路与所述反应腔室的第一端连接。

在半导体工艺中，通常在反应腔室内对晶圆进行处理工艺，在对晶圆进行沉积、刻蚀、等离子体注入等工艺时，需要将反应腔室内的副产物排出，可以通过真空泵与反应腔室连接，利用真空泵将大部分副产物以及未反应的气体等抽走。具体的，真空泵通过排气管路与反应腔室的第一端连接，并通过排气管路将反应腔室内的副产物等抽走。

在步骤S02中，利用与所述排气管路连接的第一远程等离子体清洗装置清洗所述排气管路中的副产物。

在利用真空泵抽取反应腔室内的副产物的过程中，会在排气管路上粘附副产物，随着反应腔室内的反应的进行，真空泵的抽取操作增多，导致排气管路上粘附的副产物较多，甚至堵塞排气管路。因此，需要对排气管路进行清洗，以去除排气管路上粘附的副产物。可以利用与排气管路连接的第一远程等离子体清洗装置清洗排气管路中的副产物。

本实施例中，在利用真空泵抽取反应腔室的副产物的过程中，可能存在无法将副产物全部抽取的情况，导致反应腔室内仍然残留副产物。可以利用第二远程等离子体清洗装置清洗反应腔室内的副产物，第二远程等离子体清洗装置与反应腔室的第二端连接，第二远程等离子体清洗装置产生的等离子体与反应腔室内的副产物反应，以达到去除反应腔室内残留的副产物的目的。而后，利用与排气管路连接的第一远程等离子体清洗装置清洗排气管路中的副产物，以清除排气管路中的副产物。具体的，第二远程等离子清洗装置和第一远程等离子体清洗装置可以为相同的装置。

在具体的应用中，第一远程等离子体清洗装置包括：第一等离子体发生单元、第一输气管路，第一输气管路的长度大于第一预设长度；控制第一等离子体发生单元产生第一等离子体，第一等离子体中的电子和/或离子在第一输气管路中衰减，第一等离子体中的活性自由基经第一输气管路传送至排气管路以进行清洗。第二远程等离子体清洗装置包括：第二等离子体发生单元、第二输气管路，第二输气管路的长度大于第二预设长度；控制第二等离子体发生单元产生第二等离子体，第二等离子体中的电子和/或离子在第二输气管路中衰减，第二等离子体中的活性自由基经第一输气管路传送至反应腔室内以进行清洗。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (8)

1.一种半导体设备，其特征在于，包括：

反应腔室，所述反应腔室用于对晶圆进行处理工艺；

真空泵，所述真空泵通过排气管路与所述反应腔室的第一端连接，所述真空泵用于抽取所述反应腔室内的副产物；

与所述排气管路连接的第一远程等离子体清洗装置，所述第一远程等离子体清洗装置用于清洗所述排气管路中的副产物；

还包括：控制器，所述控制器用于根据所述排气管路中的副产物含量控制所述第一远程等离子体清洗装置的开启或闭合；其中，当排气管路中的副产物含量大于预设含量时，开启所述第一远程等离子体清洗装置，当排气管路中的副产物浓度小于所述预设含量时，关闭所述第一远程等离子体清洗装置；

在所述排气管路和所述第一远程等离子体清洗装置之间有设置第一控制开关，所述第一控制开关用于控制所述第一远程等离子体清洗装置向所述排气管路中通入的等离子体量，其中，当排气管路中的副产物含量大于所述预设含量时，通过所述第一控制开关增大所述第一远程等离子体清洗装置向所述排气管路中通入的等离子体量，当所述排气管路中的副产物含量小于所述预设含量时，通过所述第一控制开关减小所述第一远程等离子体清洗装置向所述排气管路中通入的等离子体量，或者关闭所述第一远程等离子体清洗装置向所述排气管路中通入等离子体。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述反应腔室的数量为多个，每个所述反应腔室的排气管路均连接有一个第一远程等离子体清洗装置，所述第一远程等离子体清洗装置用于清洗对应的所述排气管路中的副产物。

3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括：

与所述反应腔室的第二端连接的第二远程等离子体清洗装置，所述第二远程等离子体清洗装置用于清洗所述反应腔室内的副产物。

4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一远程等离子体清洗装置包括：第一等离子体发生单元、第一输气管路；

所述第一等离子体发生单元用于产生第一等离子体，所述第一输气管路用于将所述第一等离子体输送至所述排气管路；

其中，所述第一输气管路的长度大于第一预设长度，所述第一等离子体中的电子和/或离子在所述第一输气管路中衰减，所述第一等离子体中的活性自由基经所述第一输气管路传送至所述排气管路以进行清洗。

5.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述第二远程等离子体清洗装置包括：第二等离子体发生单元、第二输气管路；

所述第二等离子体发生单元用于产生第二等离子体，所述第二输气管路用于将所述第二等离子体输送至所述反应腔室内；

其中，所述第二输气管路的长度大于第二预设长度，所述第二等离子体中的电子和/或离子在所述第二输气管路中衰减，所述第二等离子体中的活性自由基经所述第二输气管路传送至所述反应腔室内以进行清洗。

6.一种清洗方法，其特征在于，包括：

利用真空泵抽取反应腔室内的副产物，所述反应腔室用于对晶圆进行处理工艺，所述真空泵通过排气管路与所述反应腔室的第一端连接；

利用与所述排气管路连接的第一远程等离子体清洗装置清洗所述排气管路中的副产物；

其中，根据所述排气管路中的副产物含量控制所述第一远程等离子体清洗装置的开启或闭合；当排气管路中的副产物含量大于预设含量时，开启所述第一远程等离子体清洗装置，当排气管路中的副产物浓度小于所述预设含量时，关闭所述第一远程等离子体清洗装置；

在所述排气管路和所述第一远程等离子体清洗装置之间设置有第一控制开关，所述第一控制开关用于控制所述第一远程等离子体清洗装置向所述排气管路中通入的等离子体量，其中，当排气管路中的副产物含量大于所述预设含量时，通过所述第一控制开关增大所述第一远程等离子体清洗装置向所述排气管路中通入的等离子体量，当所述排气管路中的副产物含量小于所述预设含量时，通过所述第一控制开关减小所述第一远程等离子体清洗装置向所述排气管路中通入的等离子体量，或者关闭所述第一远程等离子体清洗装置向所述排气管路中通入等离子体。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

利用第二远程等离子体清洗装置清洗所述反应腔室内的副产物，所述第二远程等离子体清洗装置与所述反应腔室的第二端连接。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述第一远程等离子体清洗装置包括：第一等离子体发生单元、第一输气管路，所述第一输气管路的长度大于第一预设长度；

所述利用与所述排气管路连接的第一远程等离子体清洗装置清洗所述排气管路中的副产物，包括：

控制所述第一等离子体发生单元产生第一等离子体，所述第一等离子体中的电子和/或离子在所述第一输气管路中衰减，所述第一等离子体中的活性自由基经所述第一输气管路传送至所述排气管路以进行清洗；

所述第二远程等离子体清洗装置包括：第二等离子体发生单元、第二输气管路，所述第二输气管路的长度大于第二预设长度；

所述利用第二远程等离子体清洗装置清洗所述反应腔室内的副产物，包括：

控制所述第二等离子体发生单元产生第二等离子体，所述第二等离子体中的电子和/或离子在所述第二输气管路中衰减，所述第二等离子体中的活性自由基经所述第一输气管路传送至所述反应腔室内以进行清洗。

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