JPH03211280A - Ｃｖｄ装置の脱ガス方法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置の脱ガス方法Info
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- JPH03211280A JPH03211280A JP610890A JP610890A JPH03211280A JP H03211280 A JPH03211280 A JP H03211280A JP 610890 A JP610890 A JP 610890A JP 610890 A JP610890 A JP 610890A JP H03211280 A JPH03211280 A JP H03211280A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、低圧チャンバ内で化学蒸着を行うＣＶＤ装置
内の反応性ガスの脱ガス方法に関する。
内の反応性ガスの脱ガス方法に関する。
ＣＶＤ装置では、反応性のガスを導入して、加熱したウ
ェハ上に所望のＣＶＤ膜を形成させる。
ェハ上に所望のＣＶＤ膜を形成させる。
ＣＶＤ膜の特性は、成膜を行う低圧チャンＡ内のガス組
成に敏感に影響を受け、場合によって番よ。
成に敏感に影響を受け、場合によって番よ。
ウェハ上にきれいに膜が付かず、はがれてしまうことも
ある。
ある。
チャンバ内のガス組成が変化する原因の一つに、成膜に
用いる反応性ガスの残留、あるいは、低圧チャンバ内の
デポ物を除去する目的で行うプラズマクリーニングで用
いる反応性ガス、あるいは、このプラズマクリーニング
で生成された反応性ガスの残留による影響がある。また
、これらの反応性ガスが残留した成膜室をメンテナンス
等のためにそのまま大気に開放すると、大気中の水分と
反応性ガスとが反応して、新たなガス、あるいは、化合
物が生成され、これらが、その後、成膜するＣＶＤ膜厚
の特性に影響を与えてしまう、大気中に有害なガスが放
出されて人体にも影響が及んでしまう。
用いる反応性ガスの残留、あるいは、低圧チャンバ内の
デポ物を除去する目的で行うプラズマクリーニングで用
いる反応性ガス、あるいは、このプラズマクリーニング
で生成された反応性ガスの残留による影響がある。また
、これらの反応性ガスが残留した成膜室をメンテナンス
等のためにそのまま大気に開放すると、大気中の水分と
反応性ガスとが反応して、新たなガス、あるいは、化合
物が生成され、これらが、その後、成膜するＣＶＤ膜厚
の特性に影響を与えてしまう、大気中に有害なガスが放
出されて人体にも影響が及んでしまう。
そこで、これまでは、低圧チャンバを大気に開放する前
、あるいは、プラズマスクリーニング後に不活性ガスの
導入、排気を行い、反応性ガスを除去するなどの方法が
行われていた。
、あるいは、プラズマスクリーニング後に不活性ガスの
導入、排気を行い、反応性ガスを除去するなどの方法が
行われていた。
ＣＶＤ装置に関連し、水分を除去する方法には。
特開昭６３−２４１１７１号公報がある。
反応性ガスの除去に関する上記従来技術では、不活性ガ
スを導入して、ガスの置換を行うことにより、空間に存
在する反応性ガスの除去はできても、低圧チャンバの器
壁に吸着しているガスの除去は不充分であった。このた
め、ＣＶＤ膜の特性が不安定になる問題があった。
スを導入して、ガスの置換を行うことにより、空間に存
在する反応性ガスの除去はできても、低圧チャンバの器
壁に吸着しているガスの除去は不充分であった。このた
め、ＣＶＤ膜の特性が不安定になる問題があった。
本発明の目的は、ＣＶＤ装置の低圧チャンバの器壁に吸
着した反応性ガスを除去することにある４これによって
、成膜したＣＶＤ膜の特性が安定したものとなる。
着した反応性ガスを除去することにある４これによって
、成膜したＣＶＤ膜の特性が安定したものとなる。
上記目的は、成膜を行う低圧チャンバ内で、不活性ガス
による放電を行うことによって達成される。
による放電を行うことによって達成される。
成膜室である低圧チャンバ内で、不活性ガスによる放電
を行うと、放電で発生した不活性ガスイオン等の器壁に
衝突し、この時、吸着していた反応性ガスがイオン等か
らエネルギをもらって脱離し、排気される。このように
、不活性ガスを導入することによって、空間中の反応性
ガスを除去し、不活性ガスによる放電によって、直接、
吸着ガスにエネルギを与えて物理的に脱離させることが
できるため、新たな反応性ガスを生成することなく、す
でに吸着している反応性ガスを除去することができる。
を行うと、放電で発生した不活性ガスイオン等の器壁に
衝突し、この時、吸着していた反応性ガスがイオン等か
らエネルギをもらって脱離し、排気される。このように
、不活性ガスを導入することによって、空間中の反応性
ガスを除去し、不活性ガスによる放電によって、直接、
吸着ガスにエネルギを与えて物理的に脱離させることが
できるため、新たな反応性ガスを生成することなく、す
でに吸着している反応性ガスを除去することができる。
以下、本発明の一実施例を第１図を用いて説明する。
低圧チャンバ７は、排気ポート６を介して真空ポンプに
接続されている。ウェハ３は、ドア４を介して出し入れ
される。成膜時は、ウェハホルダ８にウェハ３をセット
して加熱し、ウェハ３に対向した面から原料ガスを導入
して、ウェハ３上に所望の膜を作製する。この例では、
ＷＦｅとＳ ｉ Ｈ４のガスを導入してＷＳｉの膜を作
製している。この時、ＷＳｉ以外に、ＨＦやＳ ｉ Ｆ
４等のガスも発生し、原料ガスと共に低圧チャンバ７の
器壁に吸着してしまう。
接続されている。ウェハ３は、ドア４を介して出し入れ
される。成膜時は、ウェハホルダ８にウェハ３をセット
して加熱し、ウェハ３に対向した面から原料ガスを導入
して、ウェハ３上に所望の膜を作製する。この例では、
ＷＦｅとＳ ｉ Ｈ４のガスを導入してＷＳｉの膜を作
製している。この時、ＷＳｉ以外に、ＨＦやＳ ｉ Ｆ
４等のガスも発生し、原料ガスと共に低圧チャンバ７の
器壁に吸着してしまう。
また、ＷＳｉの膜は、ウェハ３上だけでなく、その周囲
のチャンバ壁にも付着する。これらは、はがれて異物と
してウェハ３に付着する可能性があるため、ある期間、
成膜作業を行うと、このＷＳｉを除去するために、プラ
ズマクリーニングを行う。
のチャンバ壁にも付着する。これらは、はがれて異物と
してウェハ３に付着する可能性があるため、ある期間、
成膜作業を行うと、このＷＳｉを除去するために、プラ
ズマクリーニングを行う。
本例では、低圧チャンバ７内八ＮＦｇガスを導入しなか
らＲＦ放電を行ってプラズマクリーニングを行っている
。この時、壁のＷＳｉとＮＦａが反応してＷＦｅ、５ｉ
Ｆａのガスが発生する。大部分は排気ポート６を通して
真空ポンプへ排気されるが、一部は低圧チャンバ７の器
壁に吸着する。
らＲＦ放電を行ってプラズマクリーニングを行っている
。この時、壁のＷＳｉとＮＦａが反応してＷＦｅ、５ｉ
Ｆａのガスが発生する。大部分は排気ポート６を通して
真空ポンプへ排気されるが、一部は低圧チャンバ７の器
壁に吸着する。
以上のように、成膜中、あるいは、プラズマクリーニン
グ中に反応性のガスが低圧チャンバ７の器壁に吸着して
しまう、この量が多いと、低圧チャンバ７内の残留ガス
組成が変化し、ＣＶＤ膜の特性に変化が生じて問題とな
る。
グ中に反応性のガスが低圧チャンバ７の器壁に吸着して
しまう、この量が多いと、低圧チャンバ７内の残留ガス
組成が変化し、ＣＶＤ膜の特性に変化が生じて問題とな
る。
そこで、従来は、Ｈｅなとの不活性ガスを導入しながら
真空ポンプで排気する方法で、これらの反応性ガスを除
去しようとしていた。しかし、この方法では空間に存在
するガスは除去できても、器壁に吸着したガスを充分除
去することができなかった。
真空ポンプで排気する方法で、これらの反応性ガスを除
去しようとしていた。しかし、この方法では空間に存在
するガスは除去できても、器壁に吸着したガスを充分除
去することができなかった。
これに対して、本発明では、不活性ガスを導入。
排気しながら、低圧チャンバ７内で放電を行い、その時
、生成される不活性ガスイオンで器壁の吸着ガスを除去
する。具体的には、まず、Ｈｅガスを１０−８Ｔｏｒｒ
から０ 、 Ｉ Ｔｏｒｒ程度の圧力まで低圧チャンバ
７へ導入する。その後、成膜作業中は保護するために電
極ホルダ２に収めていた電極１を、低圧チャンバ７内へ
出す。電極１は熱陰極（図示せず）と陽極から成る。Ｈ
ｅガスの場合、他の不活性ガスに比べて電離しにくいた
め、電極に熱陰極をつけている。まず、熱陰極を加熱し
たのち、陽極に正の直流電圧を徐々印加していくと、こ
の熱陰極と陽極の間でグロー放電が発生する。さらに、
陽極の電圧を増すと、電極内の放電が種火となって低い
電圧で、陽極と接地した低圧チャンバ７の間でメインの
直流グロー放電が発生する。
、生成される不活性ガスイオンで器壁の吸着ガスを除去
する。具体的には、まず、Ｈｅガスを１０−８Ｔｏｒｒ
から０ 、 Ｉ Ｔｏｒｒ程度の圧力まで低圧チャンバ
７へ導入する。その後、成膜作業中は保護するために電
極ホルダ２に収めていた電極１を、低圧チャンバ７内へ
出す。電極１は熱陰極（図示せず）と陽極から成る。Ｈ
ｅガスの場合、他の不活性ガスに比べて電離しにくいた
め、電極に熱陰極をつけている。まず、熱陰極を加熱し
たのち、陽極に正の直流電圧を徐々印加していくと、こ
の熱陰極と陽極の間でグロー放電が発生する。さらに、
陽極の電圧を増すと、電極内の放電が種火となって低い
電圧で、陽極と接地した低圧チャンバ７の間でメインの
直流グロー放電が発生する。
この放電で発生したＨｅ＋イオンは、陰極に相当する低
圧チャンバ７の器壁に衝突し、吸着していた反応性ガス
は、こＨｅ＋イオンからエネルギをもらって脱離し、排
気される。このように、単にＨｅガスを流すだけでなく
、Ｈｅ＋イオンとして、直接器壁の吸着ガスにエネルギ
を与えて脱離させることができるため、反応性ガスを効
率的に充分除去することができる。
圧チャンバ７の器壁に衝突し、吸着していた反応性ガス
は、こＨｅ＋イオンからエネルギをもらって脱離し、排
気される。このように、単にＨｅガスを流すだけでなく
、Ｈｅ＋イオンとして、直接器壁の吸着ガスにエネルギ
を与えて脱離させることができるため、反応性ガスを効
率的に充分除去することができる。
成膜作業を繰り返していると、プラズマクリーニングだ
けでは除去しきれない汚れが低圧チャンバ７内にたまっ
てしまうため、低圧チャンバ７の上蓋５をあけて清掃を
行う。この時、低圧チャンバ７の器壁に反応性ガスのＳ
ｉ Ｆ４等が残っていると、大気中の水分と反応して
、ＨＦやＳ ｉ Ｏｘが発生する可能性があり、これら
がその後、成膜するＣＶＤ膜の特性に影響を与えること
はもちろん、これらのガスが大気中にも放電されるため
、人体にも有害である。そこで、これを防止するため、
低圧チャンバ７を大気開放する前に、前述したと同じ方
法で、Ｈｅガスによる直流グロー放電を行う。
けでは除去しきれない汚れが低圧チャンバ７内にたまっ
てしまうため、低圧チャンバ７の上蓋５をあけて清掃を
行う。この時、低圧チャンバ７の器壁に反応性ガスのＳ
ｉ Ｆ４等が残っていると、大気中の水分と反応して
、ＨＦやＳ ｉ Ｏｘが発生する可能性があり、これら
がその後、成膜するＣＶＤ膜の特性に影響を与えること
はもちろん、これらのガスが大気中にも放電されるため
、人体にも有害である。そこで、これを防止するため、
低圧チャンバ７を大気開放する前に、前述したと同じ方
法で、Ｈｅガスによる直流グロー放電を行う。
第２図は、低圧チャンバ内に設置し、従来のＨｅガスを
導入、排気するだけの処理を行った試料２１と、本発明
のＨｅガスによる直流グロー放電を行った試料２２の二
試料を加熱し、その時。
導入、排気するだけの処理を行った試料２１と、本発明
のＨｅガスによる直流グロー放電を行った試料２２の二
試料を加熱し、その時。
脱離する反応性ガスの量を比較したものである。
吸着していたガス量が多いほど脱離量も多いと考えられ
る０図のように、本発明の処理を行った試料からの脱離
ガス量は非常に少ないことがわかる。
る０図のように、本発明の処理を行った試料からの脱離
ガス量は非常に少ないことがわかる。
ここでは、直流グロー放電による放電処理を行った例と
示したが、他の放電方法をとっても良く、また、放電に
用いるガスも、Ｈｅガス以外の不活性ガスでも良い。
示したが、他の放電方法をとっても良く、また、放電に
用いるガスも、Ｈｅガス以外の不活性ガスでも良い。
本発明によれば、ＣＶＤ装置の低圧チャンバに吸着した
反応性のガスを効率的に除去できるので、常に特性が一
定したＣＶＤ膜を作製できる効果がある。
反応性のガスを効率的に除去できるので、常に特性が一
定したＣＶＤ膜を作製できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明に
よる、及び、よらない試料からの反応性ガスの脱離量を
示すグラフである。 １・・・電極、２・・・電極ホルダ、３・・・ウェハ、
４・・・ドア、５・・・上蓋、６・・・排気ボート、７
・・・低圧チャンバ、８・・・ウェハホルダ、２１・・
・従来方法による脱ガス処理後の試料からの反応性ガス
の脱離ガス量、２２・・・本発明による脱ガス処理後の
試料からの反応性ガスの脱離ガス量。 第 第 回 試ｐ＋遥凌
よる、及び、よらない試料からの反応性ガスの脱離量を
示すグラフである。 １・・・電極、２・・・電極ホルダ、３・・・ウェハ、
４・・・ドア、５・・・上蓋、６・・・排気ボート、７
・・・低圧チャンバ、８・・・ウェハホルダ、２１・・
・従来方法による脱ガス処理後の試料からの反応性ガス
の脱離ガス量、２２・・・本発明による脱ガス処理後の
試料からの反応性ガスの脱離ガス量。 第 第 回 試ｐ＋遥凌
Claims (1)
- １．低圧チャンバ内で化学蒸着を行うＣＶＤ装置におい
て、 前記低圧チャンバ内で、不活性ガスによる放電を行い、
前記低圧チャンバ内の反応性ガスを除去することを特徴
とするＣＶＤ装置の脱ガス方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP610890A JPH03211280A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | Ｃｖｄ装置の脱ガス方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP610890A JPH03211280A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | Ｃｖｄ装置の脱ガス方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03211280A true JPH03211280A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11629306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP610890A Pending JPH03211280A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | Ｃｖｄ装置の脱ガス方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03211280A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441452B2 (en) * | 1998-06-10 | 2002-08-27 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing defects in anti-reflective coatings and semiconductor structures fabricated thereby |
| JP2007129009A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Osaka Univ | エピタキシャルＳｉ膜の製造方法およびプラズマ処理装置 |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP610890A patent/JPH03211280A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441452B2 (en) * | 1998-06-10 | 2002-08-27 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing defects in anti-reflective coatings and semiconductor structures fabricated thereby |
| US6461970B1 (en) * | 1998-06-10 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing defects in anti-reflective coatings and semiconductor structures fabricated thereby |
| US6670284B2 (en) | 1998-06-10 | 2003-12-30 | Micron Technology, Inc. | Method of decontaminating process chambers, methods of reducing defects in anti-reflective coatings, and resulting semiconductor structures |
| JP2007129009A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Osaka Univ | エピタキシャルＳｉ膜の製造方法およびプラズマ処理装置 |
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