JP4550126B2 - エッチングマスク形成方法、エッチング方法、および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
図1(a)を参照すると、シリコンウエハwの上に、酸化シリコン膜10、窒化チタン(TiN)膜12、下部反射防止膜(BARC)14、およびレジスト膜16がこの順に積層されている。酸化シリコン膜10は、例えばテトラエトキシシラン(TEOS)を原料としたプラズマCVDによりウエハw上に堆積される。TiN膜12は、例えばTiNターゲットを使用したスパッタリングにより酸化シリコン膜10上に堆積される。BARC14は、例えばスピンコートによりTiN膜12上に塗布され、レジスト膜16は、例えばスピンコートによりBARC14上に塗布される。
続けて、酸化シリコン膜18上にBARC20を塗布する。BARC20は、液体状の反射防止剤をウエハw上へ滴下し、ウエハwを回転することにより形成されるため、反射防止剤の流動性により酸化シリコン膜18の凹部がBARC20により埋められて、BARC20の表面はほぼ平坦となる。この後、BARC20上にレジスト膜22を塗布する(図1(c))。
次いで、酸化シリコン膜24をエッチバックする。このエッチングには、CF4,C4F8,CHF3,CH3F,またはCH2F2などのフッ化炭素ガスと、Arガス等との混合ガスをエッチングガスとして利用することができる。ここでのエッチング量は約15nmであり、その結果、図1(e)に示すとおり、BARC20とレジストパターン22aが露出する。また、上記のエッチングガスによれば、異方性のエッチングが行われるため、レジストパターン22aの側壁には、約15nmの幅を有する酸化シリコン部24aが残っている。
上述のTiN用のエッチングマスクを用いてTiN膜12をエッチングすると、図2(e)に示すように、ハードマスク12aが得られる。このエッチングには、Cl2ガスおよびN2ガスを含むエッチングガスを利用した異方性エッチングを利用することができる。また、Cl2ガスおよびN2ガスを基本としてHBr等を使用しても良い。
ハードマスク12aを用いて酸化シリコン膜10をエッチングし、ハードマスク12aや酸化シリコン部18a,18b等を除去し、クリーンプロセスを行うと、図2(f)に示すように、酸化シリコン膜18にウエハwへと至る開口10aが形成され、これにより、本実施形態によるエッチング方法が終了する。なお、開口10aの直径は、開口の直径に等しく約30nmであり、開口10aの間隔も約30nmである。
上述の本発明の一実施形態によるエッチング方法の効果をより明瞭にするため、以下に比較例のエッチング方法について説明する。比較例のエッチング方法は、本発明の発明者により検討された方法であり、上述した本発明の一実施形態によるエッチング方法により開口され得る開口10aとほぼ同一の開口を形成することができる。具体的には、比較例のエッチング方法では、従来のダブルパターニング技術にレジスト膜のトリミングとSWTとが組み合わされている。以下、図3(a)〜図5(c)を参照しながら、比較例のエッチング方法を説明する。
12,32 TiN膜
14,20,34,44 BARC(下部反射防止膜)
16,22,36,46 レジスト膜
16a,22a,36a,46a レジストパターン
10a,32a 開口
Claims (5)
- エッチングの対象となる対象層上に、当該対象層のエッチングに使用されるエッチングマスクを形成するためのマスク膜を形成するマスク膜形成工程;
前記マスク膜の上に第1のレジストパターンを形成するステップと、
前記第1のレジストパターンを縮小することにより第2のレジストパターンを形成するステップと、
前記第2のレジストパターンの側壁および上面に第1の酸化シリコン膜を堆積するステップと
を含み、前記第2のレジストパターンおよび前記第1の酸化シリコン膜を有する第1のマスク層を形成する第1のマスク層形成工程;
前記第1のマスク層を覆う第1の反射防止膜を形成するステップと、
前記第1の反射防止膜上に、前記第2のレジストパターンの開口の上にレジストが残るように第3のレジストパターンを形成するステップと、
前記第3のレジストパターンを縮小することにより第4のレジストパターンを形成するステップと、
前記第4のレジストパターンの側壁および上面に第2の酸化シリコン膜を堆積し、該第2の酸化シリコン膜をエッチバックすることにより、前記第4のレジストパターンの側壁に堆積された前記第2の酸化シリコン膜から形成される酸化シリコン側壁部を形成するステップと
を含み、前記酸化シリコン側壁部が、前記第1のマスク層の前記第2のレジストパターンの上方に形成されてなる第2のマスク層を形成する第2のマスク層形成工程;
前記第2のマスク層の前記酸化シリコン側壁部を用いて前記第1のマスク層の前記第1の酸化シリコン膜と前記第2のレジストパターンとをエッチングすることにより前記酸化シリコン側壁部により定まる第1の開口を形成するステップと、
前記第1のマスク層に残る、前記第2のレジストパターンの側壁に堆積された前記第1の酸化シリコン膜の側面により定まる第2の開口を形成するステップと
を含む、第3のマスク層を形成する第3のマスク層形成工程;並びに
前記第3のマスク層の前記第1の開口と前記第2の開口とを通して前記マスク膜をエッチングすることにより、前記対象層のエッチングに使用される前記エッチングマスクを形成するエッチングマスク形成工程;
を含むエッチングマスク形成方法。 - 前記第1のマスク層形成工程が、前記マスク膜上に第2の反射防止膜を形成するステップを更に含み、
前記第1のレジストパターンが前記第2の反射防止膜上に形成される、請求項1に記載のエッチングマスク形成方法。 - 前記マスク膜が窒化チタンまたはシリコンで形成される、請求項1または2に記載のエッチングマスク形成方法。
- エッチングの対象となる対象層上に、請求項1から3のいずれか一項に記載のエッチングマスク形成方法により形成されたエッチングマスクを利用して、前記対象層をエッチングするエッチング方法。
- 請求項4に記載のエッチング方法を含む、半導体デバイスの製造方法。
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