JP7379536B2 - 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
リソグラフィーの方法として、感光性組成物によりレジスト膜を形成した後、得られた膜を露光して、その後、現像する方法が挙げられる。特に、近年、露光の際に、ArFエキシマレーザーに加えて、EB(Electron Beam)、EUV(Extreme ultraviolet)光を用いる検討がなされており、EUV露光に適した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の開発がなされている。
特許文献2には、スルホニル基を有する樹脂、光酸発生剤、及び、酸に対して相対的に塩基性を有する成分であって、放射線の照射により塩基性が低下する化合物を含む化学増幅型レジスト材料が開示されている。
特許文献3には、スルホニル基を含む多環構造を有する樹脂、光酸発生剤、及び高エネルギー線又は熱に感応し、特定の含窒素基を有するスルホン酸を発生する化合物を含む化学増幅型レジスト材料が開示されている。
特許文献4には、スルホニル基を含む単環構造を有する樹脂、光酸発生剤、及び、酸拡散制御剤を含む組成物が開示されており、酸拡散制御剤として、露光により感光し弱酸を発生する光崩壊性塩基を用いてもよい旨が記載されている。
また、本発明は、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いる感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
<1>
(A)下記一般式(1)で表される構造を有する繰り返し単位(a1)を含有する樹脂と、
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、
(C)活性光線又は放射線の照射により分解して酸捕捉性が低下する化合物であって、アニオン性酸捕捉性基を有し、非イオン性の酸捕捉性基を有さず、且つ、フッ素原子をアニオン部に含有するイオン性化合物と、を含有し、
上記イオン性化合物(C)は、上記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)から発生する酸に対して相対的に弱酸となる酸を発生する化合物であり、
上記イオン性化合物(C)から発生する酸のpKaと、上記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)から発生する酸のpKaとの差が1.00以上である、
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
一般式(1)中、
n a1 は1以上の整数を表す。
R 1 ~R 4 はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又は水酸基を表す。n a1 が2以上の整数を表す場合、複数のR 1 及びR 2 は、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。
*は結合位置を表す。
<2>
上記イオン性化合物(C)が、下記一般式(C1)~(C3)のいずれかで表される化合物である、<1>に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
一般式(C1)中、
R C1 は、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。
L C1 は、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基を表す。
但し、R C1 、及びL C1 の少なくとも一方は、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている。
M C + は、有機カチオンを表す。
一般式(C2)中、
R C2 は、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。
L C2 は、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基を表す。
但し、R C2 、及びL C2 の少なくとも一方は、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている。
M C + は、有機カチオンを表す。
一般式(C3)中、
A C31 、及びA C32 は、それぞれ独立に、-SO 2 -R PC1 、又は-CO-R PC2 を表す。
R PC1 、及びR PC2 は、有機基を表す。
但し、A C31 、及びA C32 の少なくとも一方は、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている。
M C + は、有機カチオンを表す。
<3>
上記一般式(C1)~(C3)中のM C + が、下記一般式(ZcI)又は一般式(ZcII)で表されるカチオンである、<2>に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
一般式(ZcI)中、
R C01 、R C02 、及びR C03 は、それぞれ独立に、有機基を表す。
一般式(ZcII)中、
R C04 、及びR C05 は、それぞれ独立に、アリール基、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
<4>
上記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)と、上記イオン性化合物(C)が、同一の化合物であって、活性光線又は放射線の照射により酸を発生し、活性光線又は放射線の照射により分解して酸捕捉性が低下する化合物であり、アニオン性酸捕捉性基を有し、非イオン性の酸捕捉性基を有さず、且つ、フッ素原子をアニオン部に含有するイオン性化合物(D)である、<1>に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
<5>
(A)下記一般式(1)で表される構造を有する繰り返し単位(a1)を含有する樹脂と、
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、
(C)活性光線又は放射線の照射により分解して酸捕捉性が低下する化合物であって、アニオン性酸捕捉性基を有し、非イオン性の酸捕捉性基を有さず、且つ、フッ素原子をアニオン部に含有するイオン性化合物と、を含有し、
上記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)と、上記イオン性化合物(C)が、同一の化合物であって、活性光線又は放射線の照射により酸を発生し、活性光線又は放射線の照射により分解して酸捕捉性が低下する化合物であり、アニオン性酸捕捉性基を有し、非イオン性の酸捕捉性基を有さず、且つ、フッ素原子をアニオン部に含有するイオン性化合物(D)であり、
上記イオン性化合物(D)が、下記一般式(PD)で表される化合物である感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
一般式(1)中、
n a1 は1以上の整数を表す。
R 1 ~R 4 はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又は水酸基を表す。n a1 が2以上の整数を表す場合、複数のR 1 及びR 2 は、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。
*は結合位置を表す。
一般式(PD)中、
M D1 + 、及びM D2 + は、それぞれ独立に、有機カチオンを表す。
L D は、2価の有機基を表す。
A D1 - 、及びB D1 - は、それぞれ独立に、酸アニオン基を表す。
L D 、A D1 - 、及びB D1 - の少なくともいずれかは、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている。
但し、一般式(PD)で表される化合物のM D1 + 及びM D2 + がそれぞれ水素原子で置換されたHA D1 -L D -B D1 Hで表される化合物において、HA D1 で表される基のpKaは、B D1 Hで表される基のpKaよりも低い。
<6>
上記イオン性化合物(D)以外に、上記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)及び上記イオン性化合物(C)の少なくとも一方を含有する、<4>又は<5>に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
<7>
上記繰り返し単位(a1)が、下記一般式(1-2)で表される繰り返し単位(a1-2)である、<1>~<6>のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
一般式(1-2)中、
X a1 は水素原子、アルキル基、又はハロゲン原子を表す。
A a1 は単結合、2価の鎖状炭化水素基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基を表す。
n a1 は1以上の整数を表す。
R 1 ~R 4 はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又は水酸基を表す。n a1 が2以上の整数を表す場合、複数のR 1 及びR 2 は、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。
<8>
上記樹脂(A)が、さらに酸基を有する繰り返し単位(a2)を含有する、<1>~<7>のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
<9>
上記繰り返し単位(a2)中の酸基が、フェノール性水酸基又はフッ化アルキルアルコール基である、<8>に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
<10>
上記イオン性化合物(C)が、カチオン部にフッ素原子を有する、<1>~<9>のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
<11>
上記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)が、カチオン部にフッ素原子を有する、<1>~<10>のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
<12>
<1>~<11>のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。
<13>
<1>~<11>のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程と、
上記レジスト膜を露光する工程と、
現像液を用いて、上記露光されたレジスト膜を現像し、パターンを形成する工程と、を有するパターン形成方法。
<14>
<13>に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
本発明は、上記<1>~<14>に係る発明であるが、以下、それ以外の事項(例えば、下記[1]~[14])についても記載している。
(A)下記一般式(1)で表される構造を有する繰り返し単位(a1)を含有する樹脂と、
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、
(C)活性光線又は放射線の照射により分解して酸捕捉性が低下する化合物であって、アニオン性酸捕捉性基を有し、非イオン性の酸捕捉性基を有さず、且つ、フッ素原子をアニオン部に含有するイオン性化合物と、を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
na1は1以上の整数を表す。
R1~R4はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又は水酸基を表す。na1が2以上の整数を表す場合、複数のR1及びR2は、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。
*は結合位置を表す。
上記繰り返し単位(a1)が、下記一般式(1-2)で表される繰り返し単位(a1-2)である、[1]に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Xa1は水素原子、アルキル基、又はハロゲン原子を表す。
Aa1は単結合、2価の鎖状炭化水素基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基を表す。
na1は1以上の整数を表す。
R1~R4はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又は水酸基を表す。na1が2以上の整数を表す場合、複数のR1及びR2は、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。
上記樹脂(A)が、さらに酸基を有する繰り返し単位(a2)を含有する、[1]又は[2]に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
[4]
上記繰り返し単位(a2)中の酸基が、フェノール性水酸基又はフッ化アルキルアルコール基である、[3]に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
上記イオン性化合物(C)が、下記一般式(C1)~(C3)のいずれかで表される化合物である、[1]~[4]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
RC1は、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。
LC1は、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基を表す。
但し、RC1、及びLC1の少なくとも一方は、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている。
MC +は、有機カチオンを表す。
RC2は、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。
LC2は、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基を表す。
但し、RC2、及びLC2の少なくとも一方は、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている。
MC +は、有機カチオンを表す。
AC31、及びAC32は、それぞれ独立に、-SO2-RPC1、又は-CO-RPC2を表す。
RPC1、及びRPC2は、有機基を表す。
但し、AC31、及びAC32の少なくとも一方は、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている。
MC +は、有機カチオンを表す。
上記一般式(C1)~(C3)中のMC +が、下記一般式(ZcI)又は一般式(ZcII)で表されるカチオンである、[5]に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
RC01、RC02、及びRC03は、それぞれ独立に、有機基を表す。
RC04、及びRC05は、それぞれ独立に、アリール基、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
上記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)と、上記イオン性化合物(C)が、同一の化合物であって、活性光線又は放射線の照射により酸を発生し、活性光線又は放射線の照射により分解して酸捕捉性が低下する化合物であり、アニオン性酸捕捉性基を有し、非イオン性の酸捕捉性基を有さず、且つ、フッ素原子をアニオン部に含有するイオン性化合物(D)である、[1]~[4]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
上記イオン性化合物(D)が、下記一般式(PD)で表される化合物である[7]に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
MD1 +、及びMD2 +は、それぞれ独立に、有機カチオンを表す。
LDは、2価の有機基を表す。
AD1 -、及びBD1 -は、それぞれ独立に、酸アニオン基を表す。
LD、AD1 -、及びBD1 -の少なくともいずれかは、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている。
但し、一般式(PD)で表される化合物のMD1 +及びMD2 +がそれぞれ水素原子で置換されたHAD1-LD-BD1Hで表される化合物において、HAD1で表される基のpKaは、BD1Hで表される基のpKaよりも低い。
上記イオン性化合物(D)以外に、上記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)及び上記イオン性化合物(C)の少なくとも一方を含有する、[7]又は[8]に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
[10]
上記イオン性化合物(C)が、カチオン部にフッ素原子を有する、[1]~[9]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
上記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)が、カチオン部にフッ素原子を有する、[1]~[10]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
[12]
[1]~[11]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。
[1]~[11]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程と、
上記レジスト膜を露光する工程と、
現像液を用いて、上記露光されたレジスト膜を現像し、パターンを形成する工程と、を有するパターン形成方法。
[14]
[13]に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
また、本発明によれば、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いる感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供できる。
なお、本明細書において「~」を用いて表される数値範囲は、「~」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、X線、及びEUV光等による露光のみならず、電子線、及びイオンビーム等の粒子線による描画も含む。
H+解離自由エネルギーの計算方法については、例えばDFT(密度汎関数法)により計算できるが、他にも様々な手法が文献等で報告されており、これに制限されるものではない。なお、DFTを実施できるソフトウェアは複数存在するが、例えば、Gaussian16が挙げられる。
置換基Tとしては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基及びtert-ブトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基及びp-トリルオキシ基等のアリールオキシ基;メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;アセトキシ基、プロピオニルオキシ基及びベンゾイルオキシ基等のアシルオキシ基;アセチル基、ベンゾイル基、イソブチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基及びメトキサリル基等のアシル基;メチルスルファニル基及びtert-ブチルスルファニル基等のアルキルスルファニル基;フェニルスルファニル基及びp-トリルスルファニル基等のアリールスルファニル基;アルキル基;シクロアルキル基;アリール基;ヘテロアリール基;水酸基;カルボキシ基;ホルミル基;スルホ基;シアノ基;アルキルアミノカルボニル基;アリールアミノカルボニル基;スルホンアミド基;シリル基;アミノ基;モノアルキルアミノ基;ジアルキルアミノ基;アリールアミノ基;並びにこれらの組み合わせが挙げられる。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(以下、「レジスト組成物」とも言う)について説明する。
本発明のレジスト組成物は、ポジ型のレジスト組成物であっても、ネガ型のレジスト組成物であってもよい。また、アルカリ現像用のレジスト組成物であっても、有機溶剤現像用のレジスト組成物であってもよい。本発明の組成物は、典型的には、化学増幅型のレジスト組成物である。
なお、本発明のレジスト組成物において、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)と、イオン性化合物(C)は同一の化合物であってもよい。
微細なパターン形成を目的としたEUV(波長13.5nm)を用いたレジストパターンの形成において、酸拡散制御剤として従来用いられてきた活性光線又は放射線の照射により分解して塩基性が低下する化合物は、親水的なオニウム塩構造や、アミノ基等の酸捕捉基を有するため、酸拡散制御剤同士での相互作用が強い。そのため、レジスト組成物を調液した後に長い保存期間を設ける、又はレジスト組成物の塗布後に引き置き時間を設けると、レジスト組成物中の酸拡散制御剤同士が凝集し、得られるパターンにおけるLWR性能の悪化や欠陥の増加を招く。
さらに、本発明では、スルホニル基(-SO2-)を環員として含む単環型の環状構造を有する樹脂を用いている。酸拡散制御剤と適度な相互作用性を有する、スルホニル基を環員として含む単環型の環状構造を含む樹脂を用いることで、酸拡散制御剤の分散性を高めることが可能となる。スルホニル基を鎖状基中に含む場合は、スルホニル基を含む鎖状基の自由度が高いため、酸拡散制御剤との相互作用が強くなりすぎ、スルホニル基周辺に酸拡散制御剤が偏在してしまう。また、スルホニル基を多環型の環状構造中に含む場合は、スルホニル基を含む環状構造の自由度が低いため、酸拡散制御剤との相互作用が弱すぎ、酸拡散制御剤の分散に寄与しない。
このように、酸拡散制御剤の凝集を抑制することによって、レジスト組成物を長期間保存した場合でもLWR性能に優れるパターンを得られ、引き置き時間が生じた場合においてもパターンの欠陥発生を抑制できるものと推察される。
以下、レジスト組成物が含み得る成分について詳述する。
レジスト組成物は、樹脂(A)を含む。
樹脂(A)は、典型的には、酸分解性樹脂であり、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤に対する溶解度が減少する樹脂である。
樹脂(A)は、酸の作用により分解して極性基を生じる基(言い換えると、酸の作用により脱離する脱離基で極性基が保護された構造)を有する。このような基(構造)を酸分解性基とも言う。酸分解性基を有する樹脂(つまり、酸分解性基を有する繰り返し単位を有する樹脂)は、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤に対する溶解度が減少する。
樹脂(A)は、下記一般式(1)で表される構造を有する繰り返し単位(a1)を有する。
na1は1以上の整数を表す。
R1~R4はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又は水酸基を表す。na1が2以上の整数を表す場合、複数のR1及びR2は、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。
*は結合位置を表す。
na1は、1~5の整数であることが好ましく、3~5の整数であることがより好ましい。
上記アルキル基が置換基を有する場合の置換基としては、上記置換基Tに記載の置換基が挙げられ、ハロゲン原子であることが好ましく、フッ素原子であることがより好ましい。
Xa1は水素原子、アルキル基、又はハロゲン原子を表す。
Aa1は単結合、2価の鎖状炭化水素基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基を表す。
na1は1以上の整数を表す。
R1~R4はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又は水酸基を表す。na1が2以上の整数を表す場合、複数のR1及びR2は、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。
Xa1は水素原子、アルキル基、又はハロゲン原子を表す。
上記アルキル基が置換基を有する場合の置換基としては、上記置換基Tに記載の置換基が挙げられ、ハロゲン原子であることが好ましく、フッ素原子であることがより好ましい。
上記炭素数1~18の鎖状アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、n-ブチレン基、n-ペンチレン基等が挙げられ、メチレン基、エチレン基、又はn-プロピレン基が好ましく、メチレン基、又はエチレン基がより好ましく、メチレン基がさらに好ましい。
上記炭素数2~18の鎖状アルケニレン基としては、ビニル基、n-プロペニレン基、1-ブテニル基、2-ブテニル基等が挙げられる。
上記炭素数2~18の鎖状アルキニレン基としては、エチニレン基、n-プロピニレン基、1-ブチニレン基、2-ブチニレン基等が挙げられる。
樹脂(A)は、さらに、酸基を有する繰り返し単位(a2)を有することが好ましい。
フェノール性水酸基を有する繰り返し単位としては、下記の一般式(B2)で表される繰り返し単位が好ましい。
上記アルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。上記アルキル基の炭素数は1~10が好ましい。
上記アルキル基の置換基は水酸基又はハロゲン原子が好ましい。上記アルキル基が置換基を有する場合、置換基として水酸基及び/又はハロゲン原子のみを有するのが好ましい。上記アルキル基は-CH3が好ましい。
フッ化アルキルアルコール基を有する繰り返し単位としては、ヘキサフルオロイソプロパノール基を有する繰り返し単位が好ましく、下記一般式(A6)で表される繰り返し単位であることがより好ましい。
XQ6は、水素原子、ハロゲン原子、又は1価の有機基(好ましくはメチル基)を表す。
RQ6は、アルキレン基(直鎖状若しくは分岐鎖状。好ましくは炭素数1~5)、非芳香族性環基、又は、芳香環基、又はこれらの2つ以上を組み合わせてなる基を表す。
単環式炭化水素環基としては、例えば、炭素数3~12(好ましくは炭素数3~7)のシクロアルカン環基、及び、炭素数3~12のシクロアルケン環基が挙げられる。
多環式炭化水素環基としては、例えば、環集合炭化水素環基及び架橋環式炭化水素環基が挙げられる。
架橋環式炭化水素環としては、例えば、2環式炭化水素環、3環式炭化水素環、及び、4環式炭化水素環等が挙げられる。また、架橋環式炭化水素環は、5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環でもよい。
架橋環式炭化水素環基は、ノルボルナン環基、アダマンタン環基、ビシクロオクタン環基、又は、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカン環基が好ましい。
繰り返し単位(a2)は1種単独で使用してもよく、2種以上を使用してもよい。
樹脂(A)は、酸分解性基を有する繰り返し単位(「繰り返し単位(a3)」ともいう。)を更に含んでいてもよい。
極性基としては、例えば、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、及び、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等の酸性基(典型的には、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で解離する基)、並びに、アルコール性水酸基等が挙げられる。
式(Y1):-C(Rx1)(Rx2)(Rx3)
式(Y2):-C(=O)OC(Rx1)(Rx2)(Rx3)
式(Y3):-C(R36)(R37)(OR38)
式(Y4):-C(Rn)(H)(Ar)
なかでも、Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表すことが好ましく、Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、直鎖状のアルキル基を表すことがより好ましい。
Rx1~Rx3の2つが結合して、単環又は多環を形成してもよい。
Rx1~Rx3のアルキル基としては、特に限定されないが、炭素数1~20のアルキル基が挙げられ、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、及び、t-ブチル基等の炭素数1~4のアルキル基が好ましい。
Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、特に限定されないが、炭素数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びに、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
Rx1~Rx3のアリール基は、炭素数6~14のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等が挙げられる。
アルキル基、シクロアルキル基、アリール基は、置換基を有していてもよい。
Rx1~Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の1つが、酸素原子等のヘテロ原子、又は、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
Rx1~Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。
Mは、単結合又は2価の連結基を表す。
Qは、ヘテロ原子を含んでいてもよいアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいアリール基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基、アルデヒド基、又は、これらを組み合わせた基(例えば、アルキル基とシクロアルキル基とを組み合わせた基)を表す。
アルキル基及びシクロアルキル基は、例えば、メチレン基の1つが、酸素原子等のヘテロ原子、又は、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
なお、L1及びL2のうち一方は水素原子であり、他方はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は、アルキレン基とアリール基とを組み合わせた基であることが好ましい。
Q、M、及び、L1の少なくとも2つが結合して環(好ましくは、5員若しくは6員環)を形成してもよい。
パターンの微細化の点では、L2が2級又は3級アルキル基であることが好ましく、3級アルキル基であることがより好ましい。2級アルキル基としては、イソプロピル基、シクロヘキシル基又はノルボルニル基が挙げられ、3級アルキル基としては、tert-ブチル基又はアダマンタン基を挙げることができる。これらの態様では、Tg(ガラス転移温度)や活性化エネルギーが高くなるため、膜強度の担保に加え、かぶりの抑制ができる。
酸分解性基は、アセタール構造を有することが好ましい。アセタール構造は、例えば、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基などの極性基が、上記式(Y3)で表される基で保護された構造である。
L1は、2価の連結基を表す。2価の連結基としては、-CO-、-O-、-S―、-SO-、―SO2-、炭化水素基(例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基等)、及び、これらの複数が連結した連結基等が挙げられる。中でも、L1としては、-CO-、アリーレン基が好ましい。
アリーレン基としては、フェニレン基が好ましい。
アルキレン基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。アルキレン基の炭素数は特に制限されないが、1~10が好ましく、1~3がより好ましい。
アルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。アルキル基の炭素数は特に制限されないが、1~10が好ましく、1~3がより好ましい。
シクロアルキル基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。このシクロアルキル基の炭素数は、好ましくは3~8とする。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。
中でも、脱離基としては、上記式(Y1)~(Y4)で表される基が挙げられ、上記式(Y3)で表される基が好ましい。
Xa1は、水素原子、又は、アルキル基を表す。
Tは、単結合、又は、2価の連結基を表す。
Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基(直鎖状、又は、分岐鎖状)、又は、シクロアルキル基(単環、又は、多環)を表す。ただし、Rx1~Rx3の全てがアルキル基(直鎖状、又は、分岐鎖状)である場合、Rx1~Rx3のうち少なくとも2つはメチル基であることが好ましい。
Rx1~Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基(単環若しくは多環)を形成してもよい。
Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Tが-COO-Rt-基を表す場合、Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-(CH2)2-基、又は、-(CH2)3-基がより好ましい。
Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
Rx1~Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基が好ましく、その他にも、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が好ましい。
Rx1~Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の1つが、酸素原子等のヘテロ原子、又は、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
一般式(AI)で表される繰り返し単位は、例えば、Rx1がメチル基又はエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。
樹脂(A)は、繰り返し単位(a1)~(a3)とは別の極性基を有する繰り返し単位(「繰り返し単位(a4)」ともいう。)を更に含んでいてもよい。
すなわち、繰り返し単位(a4)は、ラクトン構造又はスルトン構造を有することが好ましく、ラクトン構造を有することが特に好ましい。
ビシクロ構造又はスピロ構造を形成する形で5~7員環ラクトン環に他の環が縮環しているラクトン構造も好ましい。ビシクロ構造又はスピロ構造を形成する形で5~7員環スルトン環に他の環が縮環しているスルトン構造も好ましい。
なかでも、一般式(LC1-1)、一般式(LC1-4)、一般式(LC1-5)、一般式(LC1-8)、一般式(LC1-16)、一般式(LC1-21)、若しくは、一般式(LC1-22)で表されるラクトン構造、又は一般式(SL1-1)で表されるスルトン構造が好ましい。
ALSは、エステル結合(-COO-で表される基)又はアミド結合(-CONH-で表される基)を表す。
RLS2のアルキレン基又はシクロアルキレン基は置換基を有してもよい。
中でもRLS3は、エーテル結合又はエステル結合が好ましく、エステル結合がより好ましい。
なかでも、前述の一般式(LC1-1)~(LC1-22)で表される構造、及び一般式(SL1-1)~(SL1-3)で表される構造のいずれかにおいて、ラクトン構造又はスルトン構造を構成する炭素原子1つから、水素原子を1つ除いてなる基であることが好ましい。なお、上記水素原子を1つ除かれる炭素原子は、置換基(Rb2)を構成する炭素原子ではないことが好ましい。
下記の例示において、ビニル基に結合するメチル基は、水素原子、ハロゲン原子、又は1価の有機基に置き換えられてもよい。
カーボネート基を有する繰り返し単位におけるカーボネート基は、環状炭酸エステル基に含まれているのが好ましい。
カーボネート基を有する繰り返し単位は、一般式(A4)で表される繰り返し単位が好ましい。
RA 1は、水素原子、ハロゲン原子又は1価の有機基(好ましくはメチル基)を表す。
nは、0以上(好ましくは0~3)の整数を表す。
RA 2は、置換基を表す。nが2以上の場合、複数存在するRA 2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Aは、単結合又は2価の連結基を表す。上記2価の連結基は、アルキレン基(好ましくは炭素数1~4)、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボン酸基、又はこれらを組み合わせた2価の基が好ましい。
Zは、式中の-O-CO-O-で表される基と共に単環又は多環を形成する原子団を表す。
Zが式中の-O-CO-O-で表される基と共に形成する単環又は多環は、5員環の環状炭酸エステル基が好ましく、下記一般式(CC1-1)で表される環状炭酸エステル構造がより好ましい。
つまり、一般式(A4)中のAは、下記一般式(CC1-1)で表される環状炭酸エステル構造の環員原子から水素原子を1つ引き抜いてなる基と結合しているのが好ましい。
その他、樹脂(A)は、下記の式(D)で表される繰り返し単位(a5)を更に含んでいてもよい。
mは0以上の整数を表す。mの上限は特に制限されないが、2以下の場合が多く、1以下の場合がより多い。
「cylic」は、主鎖の炭素原子を含む環状基である。環状基に含まれる原子数は特に制限されない。
R’は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び、アルケニル基、水酸基、アルコキシ基、アシロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、エステル基(-OCOR’’又は-COOR’’:R’’は炭素数1~20のアルキル基又はフッ素化アルキル基)、又は、カルボン酸基を表す。なお、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アリール基、上記アラルキル基、及び、上記アルケニル基は、それぞれ、置換機を有してもよい。また、R’で表される基中の炭素原子に結合している水素原子は、フッ素原子又はヨウ素原子で置換されていてもよい。
mは0以上の整数を表す。mの上限は特に制限されないが、2以下の場合が多く、1以下の場合がより多い。
また、式(E-2)、式(E-4)、式(E-6)、式(E-8)、及び式(E-12)中、2つのRは互いに結合して環を形成していてもよい。
上記アルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。上記アルキル基の炭素数は1~10が好ましい。上記アルキル基は、置換基としてフッ素原子のみを有するのが好ましい。
上記アルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。上記アルキル基の炭素数は1~10が好ましい。上記アルキル基の置換基はフッ素原子が好ましい。上記アルキル基が置換基を有する場合、置換基としてフッ素原子のみを有するのが好ましい。
Lの2価の連結基は、-COO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、及び、これらの複数が連結した連結基等が挙げられ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。
X7がアルキル基を表す場合のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1~12のアルキル基が挙げられ、メチル基、エチル基、i‐プロピル基、又はn-プロピル基が好ましく、メチル基、又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
上記アルキル基が置換基を有する場合の置換基としては、上記置換基Tに記載の置換基が挙げられる。
X7がハロゲン原子を表す場合のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子であることが好ましい。
繰り返し単位(a7)は1種単独で使用してもよく、2種以上を使用してもよい。
GPC法によりポリスチレン換算値として、樹脂(A)の重量平均分子量は、1,000~200,000が好ましく、3,000~20,000がより好ましく、4,500~15,000が更に好ましい。樹脂(A)の重量平均分子量を、1,000~200,000とすれば、耐熱性及びドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、更に、現像性の劣化、及び、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防げる。
樹脂(A)の分散度(分子量分布)は、通常1~5であり、1~3が好ましく、1.2~3.0がより好ましく、1.2~2.0が更に好ましい。分散度が小さいものほど、解像度、及び、レジスト形状が優れ、更に、レジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。
レジスト組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(光酸発生剤、又は光酸発生剤(B)ともいう)を含んでいてもよい。光酸発生剤は、露光(好ましくはEUV光の露光)により酸を発生する化合物である。
光酸発生剤は、低分子化合物の形態であってもよく、重合体の一部に組み込まれた形態であってもよい。また、低分子化合物の形態と重合体の一部に組み込まれた形態を併用してもよい。
光酸発生剤が、低分子化合物の形態である場合、分子量は3000以下が好ましく、2000以下がより好ましく、1000以下が更に好ましい。
光酸発生剤が、重合体の一部に組み込まれた形態である場合、樹脂(A)の一部に組み込まれてもよく、樹脂(A)とは異なる樹脂に組み込まれてもよい。
本発明において、光酸発生剤が、低分子化合物の形態であるのが好ましい。
光酸発生剤は特に限定されず、中でも、EUV光の照射により、有機酸を発生する化合物が好ましく、分子中にフッ素原子又はヨウ素原子を有する光酸発生剤がより好ましい。
上記有機酸として、例えば、スルホン酸(脂肪族スルホン酸、芳香族スルホン酸、及び、カンファースルホン酸等)、カルボン酸(脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸、及び、アラルキルカルボン酸等)、カルボニルスルホニルイミド酸、ビス(アルキルスルホニル)イミド酸、及び、トリス(アルキルスルホニル)メチド酸等が挙げられる。
上記体積の値は、富士通株式会社製の「WinMOPAC」を用いて求める。上記体積の値の計算にあたっては、まず、各例に係る酸の化学構造を入力し、次に、この構造を初期構造としてMM(Molecular Mechanics)3法を用いた分子力場計算により、各酸の最安定立体配座を決定し、その後、これら最安定立体配座についてPM(Parameterized Model number)3法を用いた分子軌道計算を行って、各酸の「accessible volume」を計算できる。
極性基としては、例えば、エーテル基、エステル基、アミド基、アシル基、スルホ基、スルホニルオキシ基、スルホンアミド基、チオエーテル基、チオエステル基、ウレア基、カーボネート基、カーバメート基、水酸基、及び、メルカプト基が挙げられる。
発生する酸が有する極性基の数は特に制限されず、1個以上であるのが好ましく、2個以上であるのがより好ましい。ただし、過剰な現像を抑制する点から、極性基の数は、6個未満であるのが好ましく、4個未満であるのがより好ましい。
光酸発生剤は、一般式(PA-1)で表される化合物を含むのが好ましい。
一般式(PA-1)中に2つ存在するRPは同一でも異なっていてもよい。
一般式(PA-1)中に2つ存在するRPの炭素数は、それぞれ独立に、1~25が好ましく、1~15がより好ましい。
一般式(PA-1)中に2つ存在するRPの水素原子を除く原子の数は、それぞれ独立に、2~30が好ましく、4~20がより好ましい。
RPは、一般式(RF)で表される基が好ましい。
-LRF-RRF (RF)
上記2価の連結基としては、例えば、-COO-、-CONH-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、アルキレン基(直鎖状でも分岐鎖状でもよい。好ましくは炭素数1~6)、シクロアルキレン基(好ましくは炭素数3~15)、アルケニレン基(直鎖状でも分岐鎖状でもよい。好ましくは炭素数2~6)、及び、これらの複数を組み合わせた2価の連結基等が挙げられる。
またこれらの2価の連結基が可能な場合に有し得る置換基は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。例えば、上記アルキレン基(複数を組み合わせた2価の連結基に含まれ得るアルキレン基も含む)がパーフルオロアルキレン基になっているのも好ましい。
上記2価の連結基は、-アルキレン基-COO-又は-アルキレン基-SO2-が好ましい。-アルキレン基-COO-及び-アルキレン基-SO2-は、アルキレン基がN-側に存在するのが好ましい。
RRFがシクロアルキル基である場合、上記シクロアルキル基は単環でも多環でもよい。
上記シクロアルキル基の炭素数は、3~15が好ましく、5~10がより好ましい。
上記シクロアルキル基としては、例えば、ノルボルニル基、及び、デカリニル基、アダマンチル基が挙げられる。
上記シクロアルキル基が有してもよい置換基は、アルキル基(直鎖状でも分岐鎖状でもよい。好ましくは炭素数1~5)が好ましい。上記シクロアルキル基はこれ以外の置換基を有さないのも好ましい。
上記シクロアルキル基の環員原子である炭素原子のうちの1個以上が、カルボニル炭素原子及び/又はヘテロ原子で置き換わっていてもよい。例えば、シクロアルキル基中の、LRFと結合する炭素原子(-CH<)が窒素原子(-N<)で置き換わってもよい。
RRFがアルキル基である場合、上記アルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
上記アルキル基の炭素数は1~10が好ましく、1~5がより好ましい。
上記アルキル基が有してもよい置換基は、シクロアルキル基、フッ素原子、又はシアノ基が好ましい。上記アルキル基はこれら以外の置換基を有さないのも好ましい。
上記置換基としてのシクロアルキル基の例としては、例えば、RRFがシクロアルキル基である場合において説明したシクロアルキル基が同様に挙げられる。
上記アルキル基が、上記置換基としてのフッ素原子を有する場合、上記アルキル基は、パーフルオロアルキル基となっていてもよいし、ならなくてもよい。上記アルキル基が、上記置換基としてのフッ素原子を有する場合、上記アルキル基の一部又は全部がパーフルオロメチル基であるのも好ましい。
M+のカチオンは、有機カチオンが好ましい。
上記有機カチオンは、それぞれ独立に、一般式(ZaI)で表されるカチオン(カチオン(ZaI))又は一般式(ZaII)で表されるカチオン(カチオン(ZaII))が好ましい。
R201、R202、及びR203は、それぞれ独立に、有機基を表す。
R201、R202、及びR203としての有機基の炭素数は、通常1~30であり、1~20が好ましい。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、又は、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、例えば、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)、及び、-CH2-CH2-O-CH2-CH2-が挙げられる。
カチオン(ZaI-1)は、上記一般式(ZaI)のR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウムカチオンである。
アリールスルホニウムカチオンは、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基であり、残りがアルキル基又はシクロアルキル基であってもよい。
また、R201~R203のうちの1つがアリール基であり、R201~R203のうちの残りの2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、又は、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203のうちの2つが結合して形成する基としては、例えば、1つ以上のメチレン基が酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、及び/又はカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基、又は-CH2-CH2-O-CH2-CH2-)が挙げられる。
アリールスルホニウムカチオンとしては、例えば、トリアリールスルホニウムカチオン、ジアリールアルキルスルホニウムカチオン、アリールジアルキルスルホニウムカチオン、ジアリールシクロアルキルスルホニウムカチオン、及び、アリールジシクロアルキルスルホニウムカチオンが挙げられる。
アリールスルホニウムカチオンが必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖状アルキル基、炭素数3~15の分岐鎖状アルキル基、又は、炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、及び、シクロヘキシル基等が挙げられる。
上記置換基は可能な場合は更に置換基を有していてもよく、例えば、上記アルキル基が置換基としてハロゲン原子を有して、トリフルオロメチル基等のハロゲン化アルキル基となっていてもよい。
カチオン(ZaI-2)は、式(ZaI)におけるR201~R203が、それぞれ独立に、芳香環を有さない有機基を表すカチオンである。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含む芳香族環も包含する。
R201~R203としての芳香環を有さない有機基は、一般的に炭素数1~30であり、炭素数1~20が好ましい。
R201~R203は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又はビニル基が好ましく、直鎖状又は分岐鎖状の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、又は、アルコキシカルボニルメチル基がより好ましく、直鎖状又は分岐鎖状の2-オキソアルキル基が更に好ましい。
R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1~5)、水酸基、シアノ基、又は、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。
カチオン(ZaI-3b)は、下記一般式(ZaI-3b)で表されるカチオンである。
R1c~R5cは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基、又は、アリールチオ基を表す。
R6c及びR7cは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基(t-ブチル基等)、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又は、アリール基を表す。
Rx及びRyは、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基、又は、ビニル基を表す。
上記環としては、例えば、芳香族又は非芳香族の炭化水素環、芳香族又は非芳香族のヘテロ環、及びこれらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環が挙げられる。環は、3~10員環が挙げられ、4~8員環が好ましく、5又は6員環がより好ましい。
R5cとR6c、及び、R5cとRxが結合して形成する基は、単結合又はアルキレン基が好ましい。アルキレン基としては、例えば、メチレン基及びエチレン基等が挙げられる。
lは0~2の整数を表す。
rは0~8の整数を表す。
R13は、水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又は、シクロアルキル基を有する基(シクロアルキル基そのものであってもよく、シクロアルキル基を一部に含む基であってもよい)を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
R14は、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又は、シクロアルキル基を有する基(シクロアルキル基そのものであってもよく、シクロアルキル基を一部に含む基であってもよい)を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R14は、複数存在する場合はそれぞれ独立して、水酸基等の上記基を表す。
R15は、それぞれ独立して、アルキル基、シクロアルキル基、又は、ナフチル基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。2つのR15が互いに結合して環を形成してもよい。2つのR15が互いに結合して環を形成するとき、環骨格内に、酸素原子、又は、窒素原子等のヘテロ原子を含んでもよい。一態様において、2つのR15がアルキレン基であり、互いに結合して環構造を形成するのが好ましい。
R204及びR205のアリール基は、フェニル基、又は、ナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。R204及びR205のアリール基は、酸素原子、窒素原子、又は、硫黄原子等を有するヘテロ環を有するアリール基であってもよい。ヘテロ環を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、及び、ベンゾチオフェン等が挙げられる。
R204及びR205のアルキル基及びシクロアルキル基は、炭素数1~10の直鎖状アルキル基又は炭素数3~10の分岐鎖状アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、又はペンチル基)、又は、炭素数3~10のシクロアルキル基(例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、又はノルボルニル基)が好ましい。
光酸発生剤は、一般式(PB)で表される化合物を含むのも好ましい。
M1 +A--L-B- M2 +(PB)
そのため、レジスト膜が露光された際にも、レジスト膜中で生じる酸の量及び拡散が均一になりやすく、現像後に得られるパターンの幅が安定する、と本発明者らは推測している。
M1 +及びM2 +の有機カチオンは、それぞれ独立に、一般式(PA-1)のM+についての説明の中で挙げた有機カチオンが同様に使用できる。
上記2価の有機基としては、例えば、-COO-、-CONH-、-CO-、アルキレン基(好ましくは炭素数1~6。直鎖状でも分岐鎖状でもよい)、シクロアルキレン基(好ましくは炭素数3~15)、アルケニレン基(好ましくは炭素数2~6)、及び、これらの複数を組み合わせた2価の連結基等が挙げられる。
上記シクロアルキレン基のシクロアルカン環を構成するメチレン基の1個以上が、カルボニル炭素及び/又はヘテロ原子(酸素原子等)で置き換わっていてもよい。
これらの2価の連結基は、更に、-O-、-S-、-SO-、及び、-SO2-からなる群から選択される基を有するのも好ましい。
*A-LA-LB-LC-LD-LE-*B (L)
上記XAは、1以上の整数を表し、1~10が好ましく、1~3がより好ましい。
RLA1及びRLA2は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
RLA1及びRLA2の置換基は、それぞれ独立に、フッ素原子又はフルオロアルキル基が好ましく、フッ素原子又はパーフルオロアルキル基がより好ましく、フッ素原子又はパーフルオロメチル基が更に好ましい。
XAが2以上の場合、XA個存在するRLA1は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
XAが2以上の場合、XA個存在するRLA2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
-(C(RLA1)(RLA2))-は、-CH2-、-CHF-、-CH(CF3)-、又は、-CF2-が好ましい。
中でも、一般式(PB)中のA-と直接結合する-(C(RLA1)(RLA2))-は、-CH2-、-CHF-、-CH(CF3)-、又は、-CF2-が好ましい。
一般式(PB)中のA-と直接結合する-(C(RLA1)(RLA2))-以外の-(C(RLA1)(RLA2))-は、それぞれ独立に、-CH2-、-CHF-、又は、-CF2-が好ましい。
上記アルキレン基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
上記アルキレン基の炭素数は、1~5が好ましく、1~2がより好ましく、1が更に好ましい上記シクロアルキレン基の炭素数は、3~15が好ましく、5~10がより好ましい。
上記シクロアルキレン基は単環でも多環でもよい。
上記シクロアルキレン基としては、例えば、ノルボルナンジイル基、及びアダマンタンジイル基が挙げられる。
上記シクロアルキレン基が有してもよい置換基は、アルキル基(直鎖状でも分岐鎖状でもよい。好ましくは炭素数1~5)が好ましい。
上記シクロアルキレン基のシクロアルカン環を構成するメチレン基の1個以上が、カルボニル炭素及び/又はヘテロ原子(酸素原子等)で置き換わっていてもよい。
LCが、「-アルキレン基-シクロアルキレン基-」の場合、アルキレン基部分は、LB側に存在するのが好ましい。
LBが単結合の場合、LCは、単結合又はシクロアルキレン基が好ましい。
上記-(C(RLE1)(RLE2))XE-におけるXEは、1以上の整数を表し、1~10が好ましく、1~3がより好ましい。
RLE1及びRLE2は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
XEが2以上の場合、XE個存在するRLE1は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
XEが2以上の場合、XE個存在するRLE2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
中でも、-(C(RLE1)(RLE2))-は、-CH2-が好ましい。一般式(L)中、LB、LC、及びLDが単結合の場合、LEも単結合であるのが好ましい。
酸アニオン基は、アニオン原子を有する基である。
A-は、具体的には、一般式(A-1)~(A-2)のいずれかで表される基であるのが好ましい。
一般式(A-2)中、RAは、有機基を表す。
RAは、アルキル基が好ましい。
上記アルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
上記アルキル基の炭素数は1~10が好ましく、1~5がより好ましい。
上記アルキル基が有してもよい置換基は、フッ素原子が好ましい。
置換基としてフッ素原子を有する上記アルキル基は、パーフルオロアルキル基となっていてもよいし、ならなくてもよい。
B-は、具体的には、一般式(B-1)~(B-4)のいずれかで表される基であるのが好ましい。
B-は、一般式(B-1)~(B-3)のいずれかで表される基が好ましく、一般式(B-1)~(B-2)のいずれかで表される基がより好ましい。
一般式(B-1)~(B-4)中、RBは、有機基を表す。
RBは、シクロアルキル基又はアルキル基が好ましい。
RBがシクロアルキル基である場合、上記シクロアルキル基の炭素数は、3~15が好ましく、5~10がより好ましい。
上記シクロアルキル基は単環でも多環でもよい。
上記シクロアルキル基としては、例えば、ノルボルニル基、及び、アダマンチル基が挙げられる。
上記シクロアルキル基が有してもよい置換基は、アルキル基(直鎖状でも分岐鎖状でもよい。好ましくは炭素数1~5)が好ましい。
上記シクロアルキル基の環員原子である炭素原子のうちの1個以上が、カルボニル炭素原子で置き換わっていてもよい。
RBがアルキル基である場合、上記アルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
上記アルキル基の炭素数は1~10が好ましく、1~5がより好ましい。
上記アルキル基が有してもよい置換基は、シクロアルキル基、フッ素原子、又は、シアノ基が好ましい。
上記置換基としてのシクロアルキル基の例としては、RBがシクロアルキル基である場合において説明したシクロアルキル基が同様に挙げられる。
上記アルキル基が、上記置換基としてのフッ素原子を有する場合、上記アルキル基は、パーフルオロアルキル基となっていてもよいし、ならなくてもよい。上記アルキル基が、上記置換基としてのフッ素原子を有する場合、上記アルキル基の一部又は全部がパーフルオロメチル基であるのも好ましい。
より具体的には、HA-L-BHで表される化合物について酸解離定数を求めた場合において、「HA-L-BH」が「A--L-BH」となる際のpKaを「HAで表される基のpKa」とし、更に、「A--L-BH」が「A--L-B-」となる際のpKaを「BHで表される基のpKa」とする。
「HAで表される基のpKa」及び「BHで表される基のpKa」は、それぞれ、「ソフトウェアパッケージ1」又は「Gaussian16」を用いて求める。
中でも、HAで表される基のpKaは、-12.00~1.00が好ましく、-7.00~0.50がより好ましく、-5.00~0.00が更に好ましい。
HBで表される基のpKaは、-4.00~14.00が好ましく、-2.00~12.00がより好ましく、-1.00~5.00が更に好ましい。
HBで表される基のpKaとHAで表される基のpKaとの差(「HBで表される基のpKa」-「HAで表される基のpKa」)は、0.10~20.00が好ましく、0.50~17.00がより好ましく、2.00~15.00が更に好ましい。
レジスト組成物は、上述した以外のその他の光酸発生剤を使用してもよい。
その他の光酸発生剤としては、例えば、「M+Z-(M+はカチオンを表しZ-はアニオンを表す)」で表される化合物(オニウム塩)が挙げられる。
「M+ Z-」で表される化合物において、Z-は、アニオンを表し、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンが好ましい。
上記アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン(フルオロアルキルスルホン酸アニオン等の脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、及び、カンファースルホン酸アニオン等)、カルボン酸アニオン(脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、及び、アラルキルカルボン酸アニオン等)、及び、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンが挙げられる。
R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR1及びR2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Lは、2価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。
Aは、環状の有機基を表す。
xは1~20の整数を表し、yは0~10の整数を表し、zは0~10の整数を表す。
Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基の炭素数は、1~10が好ましく、1~4がより好ましい。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基が好ましい。
Xfは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基が好ましい。Xfは、例えば、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、及び、CH2CH2C4F9等が挙げられ、中でも、フッ素原子、又は、CF3が好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であるのが好ましい。
R1及びR2は、フッ素原子又はCF3が好ましい。
yは0~4の整数が好ましく、0がより好ましい。
zは0~5の整数が好ましく、0~3の整数がより好ましい。
Lの2価の連結基としては、例えば、-COO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、及び、これらの複数が連結した連結基等が挙げられ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。中でも、-COO-、-CO-、又は、-O-が好ましく、-COO-がより好ましい。
脂環基は、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及び、シクロオクチル基等の単環のシクロアルキル基が好ましく、その他にも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEF(Mask Error Enhancement Factor)向上の点から好ましい。
芳香環基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環、及び、アントラセン環等が挙げられる。
複素環基としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、及び、ピリジン環等由来の基が挙げられる。中でも、フラン環、チオフェン環、又は、ピリジン環由来の基が好ましい。
また、好ましい具体例として以下の化合物が挙げられる。下記化合物において、可能な場合、アニオンとカチオンとは任意に交換できる。
光酸発生剤は、1種単独で使用してもよく、2種以上を使用してもよい。
レジスト組成物は、酸拡散制御剤として、(C)活性光線又は放射線の照射により分解して酸捕捉性が低下する化合物であって、アニオン性酸捕捉性基を有し、非イオン性の酸捕捉性基を有さず、且つ、フッ素原子をアニオン部に含有するイオン性化合物(イオン性化合物(C)、光崩壊性クエンチャー、又は光崩壊性クエンチャー(C)ともいう)を含む。
イオン性化合物(C)は、露光時に光酸発生剤(B)等から発生する酸をトラップし、余分な発生酸による、未露光部における樹脂(A)の反応を抑制するクエンチャーとして作用する。
イオン性化合物(C)から発生する酸のpKaと、光酸発生剤(B)から発生する酸のpKaとの差(イオン性化合物(C)から発生する酸のpKaから光酸発生剤(B)から発生する酸のpKaを引いた値)は、1.00以上が好ましく、1.00~10.00が好ましく、1.00~5.00がより好ましく、1.00~3.00が更に好ましい。
また、イオン性化合物(C)から発生する酸のpKaは、使用する光酸発生剤(B)の種類によっても異なるが、例えば、-4.00~14.00が好ましく、-2.00~12.00がより好ましく、-1.00~5.00が更に好ましい。
また、イオン性化合物(C)が有する酸捕捉性基は、アニオン性であり、アミノ基のような凝集性を高める非イオン性の酸捕捉性基を有さない。これによって、さらに凝集を抑制することが可能となる。
RC1は、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。
LC1は、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基を表す。
但し、RC1、及びLC1の少なくとも一方は、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている。
MC +は、有機カチオンを表す。
RC1は、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。
RC1がシクロアルキル基を表す場合のシクロアルキル基としては、炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、炭素数5~10のシクロアルキル基がより好ましい。シクロアルキル基は単環でも多環でもよい。
シクロアルキル基としては、例えば、ノルボルニル基、デカリニル基、及びアダマンチル基が挙げられ、アダマンチル基であることが好ましい。
アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられ、フェニル基であることが好ましい。
フッ素原子を有する基としては、フッ素置換アルキル基、又はフッ素置換シクロアルキル基が好ましい。
フッ素置換アルキル基としては、炭素数1~5のフッ化アルキル基が好ましい。具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられ、トリフルオロメチル基であることが好ましい。
フッ素置換シクロアルキル基としては、炭素数3~15のフッ化シクロアルキル基が好ましい。具体的には、フッ化シクロヘキシル基、フッ化シクロペンチル基、フッ化アダマンチル基等が挙げられ、フッ化シクロヘキシル基であることが好ましい。
アルキル基としては、鎖状又は分岐状の炭素数1~5のアルキル基が挙げられる。
フッ素原子以外のハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
LC1は、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基を表す。
鎖状又は分岐状の炭素数1~20のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、i-プロピレン基、n-ブチレン基、n-ペンチレン基等が挙げられ、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、又はn-ブチレン基が好ましい。
炭素数3~20の単環又は多環のシクロアルキレン基としては、アダマンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、シクロヘプチレン基、ノルボニレン基等が挙げられ、アダマンチレン基、シクロヘキシレン基、ノルボニレン基が好ましい。
MC +は、有機カチオンを表す。
MC +は、下記一般式(ZcI)又は一般式(ZcII)で表されるカチオンであることが好ましい。
RC01、RC02、及びRC03は、それぞれ独立に、有機基を表す。
RC04、及びRC05は、それぞれ独立に、アリール基、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
RC01、RC02、及びRC03は、それぞれ独立に、有機基を表す。
RC01、RC02、及びRC03としての有機基の炭素数は、通常1~30であり、1~20が好ましい。また、RC01~RC03のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、又は、カルボニル基を含んでいてもよい。RC01~RC03の内の2つが結合して形成する基としては、例えば、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)、及び、-CH2-CH2-O-CH2-CH2-が挙げられる。
RC04、及びRC05は、それぞれ独立に、アリール基、アルキル基、又は、シクロアルキル基を表す。
RC04、及びRC05のアリール基は、フェニル基、又は、ナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。RC04、及びRC05のアリール基は、酸素原子、窒素原子、又は、硫黄原子等を有するヘテロ環を有するアリール基であってもよい。ヘテロ環を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、及び、ベンゾチオフェン等が挙げられる。
RC04、及びRC05のアルキル基及びシクロアルキル基は、炭素数1~10の直鎖状アルキル基又は炭素数3~10の分岐鎖状アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、又はペンチル基)、又は、炭素数3~10のシクロアルキル基(例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、又はノルボルニル基)が好ましい。
RC2は、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。
LC2は、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基を表す。
但し、RC2、及びLC2の少なくとも一方は、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている。
MC +は、有機カチオンを表す。
RC2は、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。
RC2がシクロアルキル基を表す場合のシクロアルキル基としては、炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、炭素数5~10のシクロアルキル基がより好ましい。シクロアルキル基は単環でも多環でもよい。
シクロアルキル基としては、例えば、ノルボルニル基、デカリニル基、及びアダマンチル基が挙げられ、アダマンチル基であることが好ましい。
アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられ、フェニル基であることが好ましい。
LC2は、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基を表す。
鎖状又は分岐状の炭素数1~20のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、i-プロピレン基、n-ブチレン基、n-ペンチレン基等が挙げられ、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、又はn-ブチレン基が好ましい。
炭素数3~20の単環又は多環のシクロアルキレン基としては、アダマンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、シクロヘプチレン基、ノルボニレン基等が挙げられ、アダマンチレン基、シクロヘキシレン基、ノルボニレン基が好ましい。
上記RC2がシクロアルキル基を表す場合、LC2は、アルキレン基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基であることが好ましく、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されたアルキレン基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基であることが好ましい。
MC +は、上記一般式(ZcI)又は上記一般式(ZcII)で表されるカチオンであることが好ましい。
AC31、及びAC32は、それぞれ独立に、-SO2-RPC1、又は-CO-RPC2を表す。
RPC1、及びRPC2は、有機基を表す。
但し、AC31、及びAC32の少なくとも一方は、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている。
MC +は、有機カチオンを表す。
RPC1、及びRPC2は、有機基を表す。
RPC1、及びRPC2は、それぞれ、-LC31-RC31、及び-LC32-RC32で表されることが好ましい。
RC31、又はRC32がアルキル基を表す場合のアルキル基としては、鎖状又は分岐状の炭素数1~10のアルキル基が好ましく、炭素数1~5のアルキル基がより好ましい。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基等が挙げられ、メチル基、又はエチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
シクロアルキル基としては、例えば、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、デカリニル基、及びアダマンチル基が挙げられ、シクロヘキシル基又はアダマンチル基であることが好ましい。
上記シクロアルキル基の環員原子である炭素原子のうちの1個以上が、カルボニル炭素原子で置き換わっていてもよい。
LC31、及びLC32は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基を表すことが好ましい。
鎖状又は分岐状の炭素数1~20のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、i-プロピレン基、n-ブチレン基、n-ペンチレン基等が挙げられ、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、又はn-ブチレン基が好ましい。
炭素数3~20の単環又は多環のシクロアルキレン基としては、アダマンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、シクロヘプチレン基、ノルボニレン基等が挙げられ、アダマンチレン基、シクロヘキシレン基、ノルボニレン基が好ましい。
MC +は、上記一般式(ZcI)又は一般式(ZcII)で表されるカチオンであることが好ましい。
イオン性化合物(C)は、1種単独で使用してもよく、2種以上を使用してもよい。
本発明のレジスト組成物において、光酸発生剤(B)と、イオン性化合物(C)は、同一の化合物であってもよい。この場合の化合物とは、活性光線又は放射線の照射により酸を発生し、活性光線又は放射線の照射により分解して酸捕捉性が低下する化合物であり、アニオン性酸捕捉性基を有し、非イオン性の酸捕捉性基を有さず、且つ、フッ素原子をアニオン部に含有するイオン性化合物(D)(イオン性化合物(D)、光酸発生剤連結型クエンチャー、又は光酸発生剤連結型クエンチャー(D)ともいう)である。言い換えると、イオン性化合物(D)は、光酸発生剤(B)に相当する機能を有する構造と、イオン性化合物(C)に相当する機能を有する構造とを持ち合せている化合物である。
イオン性化合物(D)は、下記一般式(PD)で表される化合物であることが好ましい。
MD1 +、及びMD2 +は、それぞれ独立に、有機カチオンを表す。
LDは、2価の有機基を表す。
AD1 -、及びBD1 -は、それぞれ独立に、酸アニオン基を表す。
但し、一般式(PD)で表される化合物のMD1 +及びMD2 +がそれぞれ水素原子で置換されたHAD1-LD-BD1Hで表される化合物において、HAD1で表される基のpKaは、BD1Hで表される基のpKaよりも低い。
そのため、レジスト膜が露光された際にも、レジスト膜中で生じる酸の量及び拡散が均一になりやすく、現像後に得られるパターンの幅が安定する、と本発明者らは推測している。
MD1 +及びMD2 +の有機カチオンは、それぞれ独立に、上記一般式(ZcI)又は一般式(ZcII)で表されるカチオンであることが好ましい。
上記2価の有機基としては、例えば、-COO-、-CONH-、-CO-、アルキレン基(好ましくは炭素数1~6。直鎖状でも分岐鎖状でもよい)、シクロアルキレン基(好ましくは炭素数3~15)、アルケニレン基(好ましくは炭素数2~6)、及び、これらの複数を組み合わせた2価の連結基等が挙げられる。
上記シクロアルキレン基のシクロアルカン環を構成するメチレン基の1個以上が、カルボニル炭素及び/又は酸素原子で置き換わっていてもよい。
これらの2価の連結基は、更に、-O-、-S-、-SO-、及び、-SO2-からなる群から選択される基を有するのも好ましい。
*AD-LDA-LDB-LDC-LDD-LDE-*BD(LD)
一般式(LD)中、*BDは、一般式(PD)におけるBD1 -との結合位置を表す。
上記XADは、1以上の整数を表し、1~10が好ましく、1~3がより好ましい。
RD LA1及びRD LA2は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
RD LA1及びRD LA2の置換基は、それぞれ独立に、フッ素原子又はフルオロアルキル基が好ましく、フッ素原子又はパーフルオロアルキル基がより好ましく、フッ素原子又はパーフルオロメチル基が更に好ましい。
XADが2以上の場合、XAD個存在するRD LA1は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
XADが2以上の場合、XAD個存在するRD LA2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
-(C(RD LA1)(RD LA2))-は、-CH2-、-CHF-、-CH(CF3)-、又は、-CF2-が好ましい。
中でも、一般式(PD)中のAD1 -と直接結合する-(C(RD LA1)(RD LA2))-は、-CH2-、-CHF-、-CH(CF3)-、又は、-CF2-が好ましい。
一般式(PD)中のAD1 -と直接結合する-(C(RD LA1)(RD LA2))-以外の-(C(RD LA1)(RD LA2))-は、それぞれ独立に、-CH2-、-CHF-、又は、-CF2-が好ましい。
上記アルキレン基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
上記アルキレン基の炭素数は、1~5が好ましく、1~2がより好ましく、1が更に好ましい上記シクロアルキレン基の炭素数は、3~15が好ましく、5~10がより好ましい。
上記シクロアルキレン基は単環でも多環でもよい。
上記シクロアルキレン基としては、例えば、ノルボルナンジイル基、及びアダマンタンジイル基が挙げられる。
上記シクロアルキレン基が有してもよい置換基は、アルキル基(直鎖状でも分岐鎖状でもよい。好ましくは炭素数1~5)が好ましい。
上記シクロアルキレン基のシクロアルカン環を構成するメチレン基の1個以上が、カルボニル炭素及び/又はヘテロ原子(酸素原子等)で置き換わっていてもよい。
LDCが、「-アルキレン基-シクロアルキレン基-」の場合、アルキレン基部分は、LDB側に存在するのが好ましい。
LDBが単結合の場合、LDCは、単結合又はシクロアルキレン基が好ましい。
上記-(C(RD LE1)(RD LE2))XE D-におけるXEDは、1以上の整数を表し、1~10が好ましく、1~3がより好ましい。
RD LE1及びRD LE2は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
XEDが2以上の場合、XED個存在するRD LE1は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
XEDが2以上の場合、XED個存在するRD LE2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
中でも、-(C(RD LE1)(RD LE2))-は、-CH2-が好ましい。一般式(LD)中、LDB、LDC、及びLDDが単結合の場合、LDEも単結合であるのが好ましい。
酸アニオン基は、アニオン原子を有する基である。
AD1 -は、具体的には、一般式(AD-1)~(AD-2)のいずれかで表される基であるのが好ましい。
一般式(AD-2)中、RADは、有機基を表す。
RADは、アルキル基が好ましい。
上記アルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
上記アルキル基の炭素数は1~10が好ましく、1~5がより好ましい。
上記アルキル基が有してもよい置換基は、フッ素原子が好ましい。
置換基としてフッ素原子を有する上記アルキル基は、パーフルオロアルキル基となっていてもよいし、ならなくてもよい。
BD1 -は、一般式(BD-1)~(BD-3)のいずれかで表される基が好ましく、一般式(BD-1)~(BD-2)のいずれかで表される基がより好ましい。
RBDは、それぞれ独立に、有機基を表す。
LBDは、それぞれ独立に。単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基を表す。
*は、結合位置を表す。
RBDがアルキル基を表す場合のアルキル基としては、鎖状又は分岐状の炭素数1~10のアルキル基が好ましく、炭素数1~5のアルキル基がより好ましい。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基等が挙げられ、メチル基、又はエチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
シクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、ノルボルニル基、デカリニル基、及びアダマンチル基が挙げられる。
アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられ、フェニル基であることが好ましい。
鎖状又は分岐状の炭素数1~20のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、i-プロピレン基、n-ブチレン基、n-ペンチレン基等が挙げられ、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、又はn-ブチレン基が好ましい。
炭素数3~20の単環又は多環のシクロアルキレン基としては、アダマンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、シクロヘプチレン基、ノルボニレン基等が挙げられ、アダマンチレン基、シクロヘキシレン基、ノルボニレン基が好ましい。
より具体的には、HAD1-LD-BD1Hで表される化合物について酸解離定数を求めた場合において、「HAD1-LD-BD1H」が「AD1 --LD-BD1H」となる際のpKaを「HAD1で表される基のpKa」とし、更に、「AD1 --LD-BD1H」が「AD1 --LD-BD1 -」となる際のpKaを「BD1Hで表される基のpKa」とする。
「HAD1で表される基のpKa」及び「BD1Hで表される基のpKa」は、それぞれ、上記の通り、「ソフトウェアパッケージ1」又は「Gaussian16」を用いて求める。
中でも、HAD1で表される基のpKaは、-12.00~1.00が好ましく、-7.00~0.50がより好ましく、-5.00~0.00が更に好ましい。
BD1Hで表される基のpKaは、-4.00~14.00が好ましく、-2.00~12.00がより好ましく、-1.00~5.00が更に好ましい。
BD1Hで表される基のpKaとHAD1で表される基のpKaとの差(「BD1Hで表される基のpKa」-「HAD1で表される基のpKa」)は、0.10~20.00が好ましく、0.50~17.00がより好ましく、2.00~15.00が更に好ましい。
イオン性化合物(D)は、1種単独で使用してもよく、2種以上を使用してもよい。
本発明のレジスト組成物における、光酸発生剤(B)、又はイオン性化合物(C)に相当する化合物の含有形態としては、具体的には以下の態様が挙げられる。
(ii)イオン性化合物(D)
(iii)イオン性化合物(D)+イオン性化合物(D)以外の光酸発生剤(B)
(iv)イオン性化合物(D)+イオン性化合物(D)以外のイオン性化合物(C)
(v)イオン性化合物(D)+イオン性化合物(D)以外の光酸発生剤(B)+イオン性化合物(D)以外のイオン性化合物(C)
上記(iv)において、イオン性化合物(D)は光酸発生剤(B)として機能する必要があり、この場合、イオン性化合物(C)から発生する酸のpKaが、イオン性化合物(D)における光酸発生剤(B)に相当する機能を有する構造から発生する酸のpKaよりも大きくなる。
上記(v)においては、イオン性化合物(D)は光酸発生剤(B)として機能しても、イオン性化合物(C)として機能してもよい。光酸発生剤(B)として機能する場合には、イオン性化合物(C)から発生する酸のpKaが、イオン性化合物(D)における光酸発生剤(B)に相当する機能を有する構造から発生する酸のpKaよりも大きくなる。イオン性化合物(C)として機能する場合には、イオン性化合物(D)におけるイオン性化合物(C)に相当する機能を有する構造から発生する酸のpKaが、光酸発生剤(B)から発生する酸のpKaよりも大きくなる。
レジスト組成物は、本発明の効果を阻害しない範囲において、イオン性化合物(C)、イオン性化合物(D)以外の酸拡散制御剤(その他の酸拡散制御剤(E)、酸拡散制御剤(E)ともいう)を更に含んでいてもよい。酸拡散制御剤は、光酸発生剤から生じた酸をトラップするクエンチャーとして作用し、レジスト膜中における酸の拡散現象を制御する役割を果たす。
酸拡散制御剤(E)は、例えば、塩基性化合物であってもよい。
塩基性化合物は、下記一般式(A)~一般式(E)で示される構造を有する化合物が好ましい。
R203、R204、R205及びR206は、同一でも異なってもよく、炭素数1~20のアルキル基を表す。
これら一般式(A)及び一般式(E)中のアルキル基は、無置換であるのがより好ましい。
また、アミン化合物は、オキシアルキレン基を有するのが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1以上が好ましく、3~9がより好ましく、4~6が更に好ましい。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(-CH2CH2O-)、又は、オキシプロピレン基(-CH(CH3)CH2O-若しくはCH2CH2CH2O-)が好ましく、オキシエチレン基がより好ましい。
アンモニウム塩化合物は、オキシアルキレン基を有するのが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1以上が好ましく、3~9がより好ましく、4~6が更に好ましい。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(-CH2CH2O-)、又は、オキシプロピレン基(-CH(CH3)CH2O-、又は、-CH2CH2CH2O-)が好ましく、オキシエチレン基がより好ましい。
アンモニウム塩化合物のアニオンとしては、例えば、ハロゲン原子、スルホネート、ボレート、及び、フォスフェート等が挙げられ、中でも、ハロゲン原子、又は、スルホネートが好ましい。ハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、又は、ヨウ素原子が好ましい。スルホネートは、炭素数1~20の有機スルホネートが好ましい。有機スルホネートとしては、例えば、炭素数1~20のアルキルスルホネート、及び、アリールスルホネートが挙げられる。アルキルスルホネートのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、アルコキシ基、アシル基、及び、芳香環基等が挙げられる。アルキルスルホネートとしては、例えば、メタンスルホネート、エタンスルホネート、ブタンスルホネート、ヘキサンスルホネート、オクタンスルホネート、ベンジルスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、及び、ノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。アリールスルホネートのアリール基としてはベンゼン環基、ナフタレン環基、及び、アントラセン環基が挙げられる。ベンゼン環基、ナフタレン環基、及び、アントラセン環基が有し得る置換基は、炭素数1~6の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、又は、炭素数3~6のシクロアルキル基が好ましい。直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、及び、シクロアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、t-ブチル基、n-ヘキシル基、及び、シクロヘキシル基等が挙げられる。他の置換基としては、例えば、炭素数1~6のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、及び、アシルオキシ基等が挙げられる。
フェノキシ基の置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシルオキシ基、及び、アリールオキシ基等が挙げられる。置換基の置換位は、2~6位のいずれであってもよい。置換基の数は、1~5のいずれであってもよい。
レジスト組成物は、酸拡散制御剤として、プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下若しくは消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物であって、上記イオン性化合物(C)及びイオン性化合物(D)に該当しない化合物(以下、化合物(PA)ともいう)を含んでいてもよい。
酸の作用により脱離する基は、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、又は、ヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、又は、ヘミアミナールエーテル基がより好ましい。
低分子化合物の分子量は、100~1000が好ましく、100~700がより好ましく、100~500が更に好ましい。
低分子化合物は、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有してもよい。
酸拡散制御剤(E)は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を使用してもよい。
レジスト組成物は、上記樹脂(A)とは別に、樹脂(A)とは異なる疎水性樹脂を含んでいてもよい。
疎水性樹脂はレジスト膜の表面に偏在するように設計されるのが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性物質及び非極性物質の均一な混合に寄与しなくてもよい。
疎水性樹脂の添加による効果として、水に対するレジスト膜表面の静的及び動的な接触角の制御、並びに、アウトガスの抑制等が挙げられる。
フッ素原子を有するアルキル基(好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~4)は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
フッ素原子を有するアリール基としては、例えば、フェニル基、及び、ナフチル基等のアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
フッ素原子又は珪素原子を有する繰り返し単位としては、例えば、US2012/0251948A1の段落[0519]に例示された繰り返し単位が挙げられる。
ここで、疎水性樹脂中の側鎖部分が有するCH3部分構造は、エチル基、及び、プロピル基等が有するCH3部分構造を含むものである。
一方、疎水性樹脂の主鎖に直接結合しているメチル基(例えば、メタクリル酸構造を有する繰り返し単位のα-メチル基)は、主鎖の影響により疎水性樹脂の表面偏在化への寄与が小さいため、本発明におけるCH3部分構造には含めない。
レジスト組成物は、溶剤を含んでいてもよい。
溶剤は、(M1)プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、並びに、(M2)プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸エステル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル、鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、及び、アルキレンカーボネートからなる群より選択される少なくとも1つの少なくとも一方を含んでいるのが好ましい。なお、この溶剤は、成分(M1)及び(M2)以外の成分を更に含んでいてもよい。
プロピレングリコールモノアルキルエーテルは、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、及び、プロピレングリコールモノエチルエーテル(PGEE)が好ましい。
乳酸エステルは、乳酸エチル、乳酸ブチル、又は、乳酸プロピルが好ましい。
酢酸エステルは、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸プロピル、酢酸イソアミル、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、又は、酢酸3-メトキシブチルが好ましい。
また、酪酸ブチルも好ましい。
アルコキシプロピオン酸エステルは、3-メトキシプロピオン酸メチル(MMP)、又は、3-エトキシプロピオン酸エチル(EEP)が好ましい。
鎖状ケトンは、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、2-ヘプタノン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、又は、メチルアミルケトンが好ましい。
環状ケトンは、メチルシクロヘキサノン、イソホロン、シクロペンタノン、又は、シクロヘキサノンが好ましい。
ラクトンは、γ-ブチロラクトンが好ましい。
アルキレンカーボネートは、プロピレンカーボネートが好ましい。
このような成分(M2)は、プロピレングリコールモノメチルエーテル(fp:47℃)、乳酸エチル(fp:53℃)、3-エトキシプロピオン酸エチル(fp:49℃)、メチルアミルケトン(fp:42℃)、シクロヘキサノン(fp:44℃)、酢酸ペンチル(fp:45℃)、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル(fp:45℃)、γ-ブチロラクトン(fp:101℃)、又は、プロピレンカーボネート(fp:132℃)が好ましい。これらのうち、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル、酢酸ペンチル、又は、シクロヘキサノンがより好ましく、プロピレングリコールモノエチルエーテル、又は、乳酸エチルが更に好ましい。
なお、ここで「引火点」とは、東京化成工業株式会社又はシグマアルドリッチ社の試薬カタログに記載されている値を意味している。
つまり、溶剤は、成分(M1)と成分(M2)との双方を含む場合、成分(M2)に対する成分(M1)の質量比は、15/85以上が好ましく、40/60以上がより好ましく、60/40以上が更に好ましい。このような構成を採用すると、現像欠陥数を更に減少させられる。
なお、固形分とは、溶剤以外の全ての成分を意味する。
固形分濃度とは、レジスト組成物の総質量に対する、溶剤を除く他の成分の質量の質量百分率である。
「全固形分」とは、レジスト組成物の全組成から溶剤を除いた成分の総質量をいう。また、「固形分」とは、上述のように、溶剤を除いた成分であり、例えば、25℃において固体であっても、液体であってもよい。
レジスト組成物は、界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤を含むと、密着性により優れ、現像欠陥のより少ないパターンを形成できる。
界面活性剤は、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が好ましい。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の段落[0276]に記載の界面活性剤が挙げられる。また、エフトップEF301、又は、EF303(新秋田化成(株)製);フロラードFC430、431、及び、4430(住友スリーエム(株)製);メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、及び、R08(DIC(株)製);サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105又は106(旭硝子(株)製);トロイゾルS-366(トロイケミカル(株)製);GF-300又はGF-150(東亜合成化学(株)製)、サーフロンS-393(セイミケミカル(株)製);エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802又はEF601((株)ジェムコ製);PF636、PF656、PF6320、及び、PF6520(OMNOVA社製);KH-20(旭化成(株)製);FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D、及び、222D((株)ネオス製)を用いてもよい。なお、ポリシロキサンポリマーKP-341(信越化学工業(株)製)も、シリコン系界面活性剤として使用できる。
また、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の段落[0280]に記載されているフッ素系及び/又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。
レジスト組成物は、溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び/又は、現像液に対する溶解性を促進させる化合物(例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、又はカルボン酸基を含んだ脂環族若しくは脂肪族化合物)を更に含んでいてもよい。
本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により反応して性質が変化する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に関する。更に詳しくは、本発明の組成物は、IC(Integrated Circuit)等の半導体製造工程、液晶若しくはサーマルヘッド等の回路基板の製造、インプリント用モールド構造体の作製、その他のフォトファブリケーション工程、又は平版印刷版、若しくは酸硬化性組成物の製造に使用される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に関する。本発明において形成されるパターンは、エッチング工程、イオンインプランテーション工程、バンプ電極形成工程、再配線形成工程、及びMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)等において使用できる。
本発明は、本発明の感活性光線又は感放射線性組成物により形成された感活性光線性又は感放射線性膜(「レジスト膜」ともいう)にも関する。このような膜は、例えば、本発明の組成物が基板等の支持体上に塗布されることにより形成される。この膜の厚みは、0.02~0.1μmが好ましい。
基板上に塗布する方法としては、スピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により基板上に塗布されるが、スピン塗布が好ましく、その回転数は1000~3000rpm(rotations per minute)が好ましい。塗布膜は60~150℃で1~20分間、好ましくは80~120℃で1~10分間プリベークして薄膜を形成する。
被加工基板及びその最表層を構成する材料は、例えば、半導体用ウエハの場合、シリコンウエハを用いることができ、最表層となる材料の例としては、Si、SiO2、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG、有機反射防止膜等が挙げられる。
上記レジスト組成物を用いたパターン形成方法の手順は特に制限されないが、以下の工程を有するのが好ましい。
工程1:レジスト組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程
工程2:レジスト膜を(好ましくはEUV光で)露光する工程
工程3:現像液を用いて、露光されたレジスト膜を現像し、パターンを形成する工程
以下、上記それぞれの工程の手順について詳述する。
工程1は、レジスト組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程である。レジスト組成物の定義は、上述の通りである。
なお、塗布前にレジスト組成物を必要に応じてフィルター濾過するのが好ましい。フィルターのポアサイズは、0.1μm以下が好ましく、0.05μm以下がより好ましく、0.03μm以下が更に好ましい。また、フィルターは、ポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、又は、ナイロン製が好ましい。
レジスト組成物の塗布後、基板を乾燥し、レジスト膜を形成してもよい。なお、必要により、レジスト膜の下層に、各種下地膜(無機膜、有機膜、反射防止膜)を形成してもよい。
トップコート組成物は、レジスト膜と混合せず、更にレジスト膜上層に均一に塗布できるのが好ましい。
また、トップコートの形成前にレジスト膜を乾燥させるのが好ましい。次いで、得られたレジスト膜上に、上記レジスト膜の形成方法と同様の手段によりトップコート組成物を塗布し、更に乾燥して、トップコートを形成できる。
トップコートの膜厚は、10~200nmが好ましく、20~100nmがより好ましく、40~80nmが更に好ましい。
トップコートについては、特に限定されず、従来公知のトップコートを、従来公知の方法によって形成でき、例えば、特開2014-059543号公報の段落[0072]~[0082]の記載に基づいてトップコートを形成できる。
例えば、特開2013-61648号公報に記載されたような塩基性化合物を含むトップコートを、レジスト膜上に形成するのが好ましい。トップコートが含み得る塩基性化合物の具体的な例は、後述するレジスト組成物が含んでいてもよい塩基性化合物が挙げられる。
また、トップコートは、エーテル結合、チオエーテル結合、水酸基、チオール基、カルボニル結合、及び、エステル結合からなる群より選択される基又は結合を少なくとも一つ含む化合物を含むのが好ましい。
工程2は、レジスト膜を(好ましくはEUV光で)露光する工程である。
露光の方法としては、例えば、形成したレジスト膜に所定のマスクを通してEUV光を照射する方法が挙げられる。
加熱温度は80~150℃が好ましく、80~140℃がより好ましく、80~130℃が更に好ましい。
加熱時間は10~1000秒が好ましく、10~180秒がより好ましく、30~120秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光機及び/又は現像機に備わっている手段で実施でき、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
この工程は露光後ベークともいう。
工程3は、現像液を用いて、露光されたレジスト膜を現像し、パターンを形成する工程である。
現像液は、アルカリ現像液であっても、有機溶剤を含有する現像液(以下、有機系現像液ともいう)であってもよい。
また、現像を行う工程の後に、他の溶剤に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。
現像時間は未露光部の樹脂が十分に溶解する時間であれば特に制限はなく、10~300秒が好ましく、20~120秒がより好ましい。
現像液の温度は0~50℃が好ましく、15~35℃がより好ましい。
有機系現像液に対する有機溶剤の含有量は、現像液の全量に対して、50質量%以上100質量%以下が好ましく、80質量%以上100質量%以下がより好ましく、90質量%以上100質量%以下が更に好ましく、95質量%以上100質量%以下が特に好ましい。
上記パターン形成方法は、工程3の後に、リンス液を用いて洗浄する工程を含むのが好ましい。
炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及びエーテル系溶剤の例としては、有機溶剤を含む現像液において説明したものと同様のものが挙げられる。
また、本発明のパターン形成方法は、リンス工程の後に加熱工程(Post Bake)を含んでいてもよい。本工程により、ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。また、本工程により、レジストパターンがなまされ、パターンの表面荒れが改善される効果もある。リンス工程の後の加熱工程は、通常40~250℃(好ましくは90~200℃)で、通常10秒間~3分間(好ましくは30秒間~120秒間)行う。
基板(または、下層膜及び基板)の加工方法は特に限定されないが、工程3で形成されたパターンをマスクとして、基板(または、下層膜及び基板)に対してドライエッチングを行うことにより、基板にパターンを形成する方法が好ましい。
ドライエッチングは、1段のエッチングであっても、複数段からなるエッチングであってもよい。エッチングが複数段からなるエッチングである場合、各段のエッチングは同一の処理であっても異なる処理であってもよい。
エッチングは、公知の方法をいずれも使用でき、各種条件等は、基板の種類又は用途等に応じて、適宜、決定される。例えば、国際光工学会紀要(Proc.of SPIE)Vol.6924,692420(2008)、特開2009-267112号公報等に準じて、エッチングを実施できる。また、「半導体プロセス教本 第4版 2007年刊行発行人:SEMIジャパン」の「第4章エッチング」に記載の方法に準ずることもできる。
中でも、ドライエッチングは、酸素プラズマエッチングが好ましい。
レジスト組成物の製造においては、例えば、樹脂、及び、光酸発生剤等の各成分を溶剤に溶解させた後、素材が異なる複数のフィルターを用いて循環濾過を行うのが好ましい。例えば、孔径50nmのポリエチレン製フィルター、孔径10nmのナイロン製フィルター、孔径3nmのポリエチレン製フィルターを順列に接続し、10回以上循環濾過を行うのが好ましい。フィルター間の圧力差は小さい程好ましく、一般的には0.1MPa以下であり、0.05MPa以下が好ましく、0.01MPa以下がより好ましい。フィルターと充填ノズルの間の圧力差も小さい程好ましく、一般的には0.5MPa以下であり、0.2MPa以下が好ましく、0.1MPa以下がより好ましい。
レジスト組成物の製造装置の内部は、窒素等の不活性ガスによってガス置換を行うのが好ましい。これにより、酸素等の活性ガスのレジスト組成物中への溶解を抑制できる。
レジスト組成物はフィルターによって濾過された後、清浄な容器に充填される。容器に充填されたレジスト組成物は、冷蔵保存されるのが好ましい。これにより、経時による性能劣化が抑制される。組成物の容器への充填が完了してから、冷蔵保存を開始するまでの時間は短い程好ましく、一般的には24時間以内であり、16時間以内が好ましく、12時間以内がより好ましく、10時間以内が更に好ましい。保存温度は0~15℃が好ましく、0~10℃がより好ましく、0~5℃が更に好ましい。
薬液配管としては、例えば、SUS(ステンレス鋼)、又は、帯電防止処理の施されたポリエチレン、ポリプロピレン、若しくは、フッ素樹脂(ポリテトラフルオロエチレン、又は、パーフロオロアルコキシ樹脂等)で被膜された各種配管を使用できる。フィルター及びO-リングに関しても同様に、帯電防止処理の施されたポリエチレン、ポリプロピレン、又は、フッ素樹脂(ポリテトラフルオロエチレン、又は、パーフロオロアルコキシ樹脂等)を使用できる。
形成されるパターンがトレンチ(溝)パターン状又はコンタクトホールパターン状である場合、パターン高さをトレンチ幅又はホール径で割った値で求められるアスペクト比が、4.0以下が好ましく、3.5以下がより好ましく、3.0以下が更に好ましい。
本発明の電子デバイスは、電気電子機器(家電、OA(Office Automation)、メディア関連機器、光学用機器及び通信機器等)に、好適に、搭載されるものである。
〔樹脂(A)〕
表3に示される樹脂A(樹脂A-1~A-19、A’-1~A’-3)を以下に示す。
樹脂A-1~A-19、A’-1~A’-3は、後述する樹脂A-1の合成方法(合成例1)に準じて合成したものを用いた。表1に、後掲に示される各繰り返し単位の組成比(質量%比;左から順に対応)、重量平均分子量(Mw)、及び分散度(Mw/Mn)を示す。
なお、樹脂A-1~A-19、A’-1~A’-3の重量平均分子量(Mw)及び分散度(Mw/Mn)はGPC(溶媒:テトラヒドロフラン(THF))により測定した。また、樹脂の組成比(質量%比)は、13C-NMR(nuclear magnetic resonance)により測定した。
なお、樹脂A’-1~A’-3は、樹脂(A)ではないが、便宜上、表1の樹脂(A)に記載した。
シクロヘキサノン(226g)を窒素気流下にて80℃に加熱した。この液を攪拌しながら、下記式M-1で表されるモノマー(20g)、下記式M-2で表されるモノマー(50g)、下記式M-3で表されるモノマー(10g)、下記式M-4で表されるモノマー(20g)、シクロヘキサノン(420g)、及び2,2’-アゾビスイソ酪酸ジメチル〔V-601、和光純薬工業(株)製〕(12.42g)の混合溶液を6時間かけて滴下し、反応液を得た。滴下終了後、反応液を80℃にて更に2時間攪拌した。得られた反応液を放冷後、多量のメタノール/水(質量比9:1)で再沈殿した後、ろ過し、得られた固体を真空乾燥することで、樹脂A-1を83g得た。
<光酸発生剤(B)>
表3に示される光酸発生剤(B)(化合物B-1~B-9)の構造を以下に示す。
<光崩壊性クエンチャー(C)>
表3に示される光崩壊性クエンチャー(C)(化合物C-1~C-12、及びC’-1)の構造を以下に示す。
なお、化合物C’-1は、光崩壊性クエンチャー(C)ではないが、便宜上記載した。
<光酸発生剤連結型光崩壊性クエンチャー(D)>
表3に示される光酸発生剤連結型光崩壊性クエンチャー(D)(化合物D-1~D-5)の構造を以下に示す。
表3に示される酸拡散制御剤(E)(化合物E-1~E-6)の構造を以下に示す。
表3に示される樹脂(F)(樹脂F-1~F-6)を以下に示す。
樹脂F-1~F-6は、前述する樹脂A-1の合成方法(合成例1)に準じて合成したものを用いた。表2に、後掲に示される各繰り返し単位の組成比(質量%比;左から順に対応)、重量平均分子量(Mw)、及び分散度(Mw/Mn)を示す。
なお、樹脂F-1~F-6の重量平均分子量(Mw)及び分散度(Mw/Mn)はGPC(溶剤キャリア:テトラヒドロフラン(THF))により測定した(ポリスチレン換算量である)。また、樹脂の組成比(質量%比)は、13C-NMR(nuclear magnetic resonance)により測定した。
表3に示される界面活性剤を以下に示す。
H-1:メガファックF176(DIC(株)製、フッ素系界面活性剤)
H-2:メガファックR08(DIC(株)製、フッ素及びシリコン系界面活性剤)
H-3:PF656(OMNOVA社製、フッ素系界面活性剤)
表3に示される溶剤を以下に示す。
G-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
G-2:プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)
G-3:プロピレングリコールモノエチルエーテル(PGEE)
G-4:シクロヘキサノン
G-5:シクロペンタノン
G-6:2-ヘプタノン
G-7:乳酸エチル
G-8:γ-ブチロラクトン
G-9:プロピレンカーボネート
表3に示す各成分を固形分濃度が2.0質量%になるように混合した。次いで、得られた混合液を、最初に孔径50nmのポリエチレン製フィルター、次に孔径10nmのナイロン製フィルター、最後に孔径5nmのポリエチレン製フィルターの順番で通液させて濾過して、レジスト組成物(Re-1~Re-30、Re’-1~Re’-6)を調製した。
なお、固形分とは、溶剤以外の全ての成分を意味する。得られたレジスト組成物を、実施例及び比較例で使用した。
また、表中、「量」欄は、各成分の、レジスト組成物中の全固形分に対する含有量(質量%)を示す。
〔EUV露光、有機溶剤現像〕
直径12インチのシリコンウエハ上に下層膜形成用組成物AL412(Brewer Science社製)を塗布し、205℃で60秒間ベークして、膜厚20nmの下地膜を形成した。その上に、表2に示すレジスト組成物を塗布し、100℃で60秒間ベークして、膜厚30nmのレジスト膜を形成した。
EUV露光装置(Exitech社製、Micro Exposure Tool、NA0.3、Quadrupol、アウターシグマ0.68、インナーシグマ0.36)を用いて、得られたレジスト膜を有するシリコンウエハに対して、得られるパターンの平均ライン幅が20nmになるようにパターン照射を行った。なお、レクチルとしては、ラインサイズ=20nmであり、且つ、ライン:スペース=1:1であるマスクを用いた。
露光後のレジスト膜を90℃で60秒間ベークした後、酢酸n-ブチルで30秒間現像し、これをスピン乾燥してネガ型のパターンを得た。
<経時前のラインウィズスラフネス(経時前LWR性能、nm)>
上述の方法で得られたパターンを測長走査型電子顕微鏡(SEM((株)日立製作所S-9380II))を使用してパターン上部から観察した。パターンの線幅を250箇所で観測し、その測定ばらつきを3σで評価し、LWR(nm)とした。LWRの値が小さいほど経時前LWR性能が良好である。
なお、経時前LWR性能の評価においては、調製直後のレジスト組成物を用いてパターンを形成して評価に供した。
また経時前LWR(nm)は、5.0nm以下、4.7nm以下、4.4nm以下、4.1nm以下、3.8nm以下、3.5nm、3.2nm以下の順で好ましい。
上述の方法で得られたパターンを測長走査型電子顕微鏡(SEM((株)日立製作所S-9380II))を使用してパターン上部から観察した。パターンの線幅を250箇所で観測し、その測定ばらつきを3σで評価し、LWR(nm)とした。LWRの値が小さいほど経時後LWR性能が良好である。
なお、経時後LWR性能の評価においては、調製してから、室温(25℃)の暗室にて180日間保存した後のレジスト組成物を用いてパターンを形成して評価に供した。
また経時後LWR(nm)は、5.0nm以下、4.7nm以下、4.4nm以下、4.1nm以下、3.8nm以下、3.5nm、3.2nm以下の順で好ましい。
上述の方法で得られたパターンを、UVision5(AMAT社製)及びSEMVisionG4(AMAT社製)を使用して、シリコンウエハ1枚当たりの欠陥数を数えて、以下の評価基準に従って、評価した。欠陥数が少ないほど欠陥抑制性が良好である。
なお、欠陥抑制性の評価においては、調製直後のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、塗布、ベーク後すぐにEUV露光を行いパターンを形成した。
「A」:欠陥数が50個以下
「B」:欠陥数が50個超100個以下
「C」:欠陥数が100個超200個以下
「D」:欠陥数が200個超300個以下
「E」:欠陥数が300個超400個以下
「F」:欠陥数が400個超500個以下
「G」:欠陥数が500個超600個以下
「H」:欠陥数が600個超700個以下
「I」:欠陥数が700個超800個以下
「J」:欠陥数が800個超900個以下
「K」:欠陥数が900個超1000個以下
「L」:欠陥数が1000個超1100個以下
「M」:欠陥数が1100個超1200個以下
「N」:欠陥数が1200個超1300個以下
「O」:欠陥数が1300個超1400個以下
上述の方法で得られたパターンを、UVision5(AMAT社製)及びSEMVisionG4(AMAT社製)を使用して、シリコンウエハ1枚当たりの欠陥数を数えて、以下の評価基準に従って、評価した。欠陥数が少ないほど欠陥抑制性が良好である。
なお、欠陥抑制性の評価においては、調製直後のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、塗布、ベーク後のレジスト膜を室温(25℃)の暗室にて48時間保存した後にEUV露光を行いパターンを形成した。
評価指標としては、上記「A」~「O」を用いた。
直径12インチのシリコンウエハ上に下層膜形成用組成物AL412(Brewer Science社製)を塗布し、205℃で60秒間ベークして、膜厚20nmの下地膜を形成した。その上に、表4に示すレジスト組成物を塗布し、100℃で60秒間ベークして、膜厚30nmのレジスト膜を形成した。
EUV露光装置(Exitech社製、Micro Exposure Tool、NA0.3、Quadrupol、アウターシグマ0.68、インナーシグマ0.36)を用いて、得られたレジスト膜を有するシリコンウエハに対して、得られるパターンの平均ライン幅が20nmになるようにパターン照射を行った。なお、レクチルとしては、ラインサイズ=20nmであり、且つ、ライン:スペース=1:1であるマスクを用いた。
露光後のレジスト膜を90℃で60秒間ベークした後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で30秒間現像し、次いで純水で30秒間リンスした。その後、これをスピン乾燥してポジ型のパターンを得た。
得られたポジ型のパターンを用いて、上述したのと同様に、経時前後のLWR性能及び引き置き前後の欠陥抑制性の評価を行った。
また、本発明によれば、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いる感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供できる。
本出願は、2019年12月27日出願の日本特許出願(特願2019-239614)に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
Claims (14)
- (A)下記一般式(1)で表される構造を有する繰り返し単位(a1)を含有する樹脂と、
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、
(C)活性光線又は放射線の照射により分解して酸捕捉性が低下する化合物であって、アニオン性酸捕捉性基を有し、非イオン性の酸捕捉性基を有さず、且つ、フッ素原子をアニオン部に含有するイオン性化合物と、を含有し、
前記イオン性化合物(C)は、前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)から発生する酸に対して相対的に弱酸となる酸を発生する化合物であり、
前記イオン性化合物(C)から発生する酸のpKaと、前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)から発生する酸のpKaとの差が1.00以上である、
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
一般式(1)中、
na1は1以上の整数を表す。
R1~R4はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又は水酸基を表す。na1が2以上の整数を表す場合、複数のR1及びR2は、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。
*は結合位置を表す。 - 前記イオン性化合物(C)が、下記一般式(C1)~(C3)のいずれかで表される化合物である、請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
一般式(C1)中、
RC1は、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。
LC1は、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基を表す。
但し、RC1、及びLC1の少なくとも一方は、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている。
MC +は、有機カチオンを表す。
一般式(C2)中、
RC2は、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。
LC2は、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-C(=O)-、又はこれらを組み合わせてなる2価の連結基を表す。
但し、RC2、及びLC2の少なくとも一方は、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている。
MC +は、有機カチオンを表す。
一般式(C3)中、
AC31、及びAC32は、それぞれ独立に、-SO2-RPC1、又は-CO-RPC2を表す。
RPC1、及びRPC2は、有機基を表す。
但し、AC31、及びAC32の少なくとも一方は、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている。
MC +は、有機カチオンを表す。 - 前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)と、前記イオン性化合物(C)が、同一の化合物であって、活性光線又は放射線の照射により酸を発生し、活性光線又は放射線の照射により分解して酸捕捉性が低下する化合物であり、アニオン性酸捕捉性基を有し、非イオン性の酸捕捉性基を有さず、且つ、フッ素原子をアニオン部に含有するイオン性化合物(D)である、請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- (A)下記一般式(1)で表される構造を有する繰り返し単位(a1)を含有する樹脂と、
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、
(C)活性光線又は放射線の照射により分解して酸捕捉性が低下する化合物であって、アニオン性酸捕捉性基を有し、非イオン性の酸捕捉性基を有さず、且つ、フッ素原子をアニオン部に含有するイオン性化合物と、を含有し、
前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)と、前記イオン性化合物(C)が、同一の化合物であって、活性光線又は放射線の照射により酸を発生し、活性光線又は放射線の照射により分解して酸捕捉性が低下する化合物であり、アニオン性酸捕捉性基を有し、非イオン性の酸捕捉性基を有さず、且つ、フッ素原子をアニオン部に含有するイオン性化合物(D)であり、
前記イオン性化合物(D)が、下記一般式(PD)で表される化合物である感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
一般式(1)中、
n a1 は1以上の整数を表す。
R 1 ~R 4 はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又は水酸基を表す。n a1 が2以上の整数を表す場合、複数のR 1 及びR 2 は、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。
*は結合位置を表す。
一般式(PD)中、
M D1 + 、及びM D2 + は、それぞれ独立に、有機カチオンを表す。
L D は、2価の有機基を表す。
A D1 - 、及びB D1 - は、それぞれ独立に、酸アニオン基を表す。
L D 、A D1 - 、及びB D1 - の少なくともいずれかは、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている。
但し、一般式(PD)で表される化合物のM D1 + 及びM D2 + がそれぞれ水素原子で置換されたHA D1 -L D -B D1 Hで表される化合物において、HA D1 で表される基のpKaは、B D1 Hで表される基のpKaよりも低い。 - 前記イオン性化合物(D)以外に、前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)及び前記イオン性化合物(C)の少なくとも一方を含有する、請求項4又は5に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- 前記樹脂(A)が、さらに酸基を有する繰り返し単位(a2)を含有する、請求項1~7のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- 前記繰り返し単位(a2)中の酸基が、フェノール性水酸基又はフッ化アルキルアルコール基である、請求項8に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- 前記イオン性化合物(C)が、カチオン部にフッ素原子を有する、請求項1~9のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- 前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)が、カチオン部にフッ素原子を有する、請求項1~10のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- 請求項1~11のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。
- 請求項1~11のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を露光する工程と、
現像液を用いて、前記露光されたレジスト膜を現像し、パターンを形成する工程と、を有するパターン形成方法。 - 請求項13に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
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