JP7453343B2 - パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法に関する。

近年、露光光源の短波長化（高エネルギー化）により急速にパターンの微細化が進んでいる。従来は、ｇ線、ｉ線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、ＫｒＦエキシマレーザー及びＡｒＦエキシマレーザーを用いた半導体素子の量産が開始されている。また、上記エキシマレーザーよりさらに短波長（高エネルギー）のＥＢ（電子線）、ＥＵＶ（極紫外線）、及びＸ線等の使用についても検討が行われている。

ところで、近年のリソグラフィー技術の進歩に伴って、ＩＣ（Integrated Circuit、集積回路）及びＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit、大規模集積回路）等の半導体デバイスの製造プロセスにおいては、化学増幅型レジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が使用される場合が多かった。これに対して、昨今、酸の拡散の影響を受けない非化学増幅型レジスト組成物が改めて注目されてきている。
非化学増幅型レジスト組成物として、例えば、特許文献１では、「支持体上に、酸性基と光吸収性を有するカチオンとの会合構造を有するレジスト膜を形成する工程（１）と、上記レジスト膜を露光し、上記会合構造を破壊して上記酸性基を露出させる工程（２）と、上記レジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程（３）とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法」を開示している。上記特許文献１では、具体的には、酸性基を有する基材（樹脂）成分と、光吸収性を有するカチオンを有し、露光により酸解離定数（ｐＫａ）が０以上の酸を発生するイオン性化合物とを含むレジスト組成物を使用して、上記基材成分中の酸性基と上記イオン性化合物中の光吸収性を有するカチオンとの会合構造を含むレジスト膜を形成している。上記レジスト膜は、工程（２）の露光工程において、レジスト膜の露光領域における会合構造を破壊して露光領域と未露光領域に溶解コントラストを生じさせることにより、続く工程（３）の現像工程でのパターン形成を可能にしている。

特開２０１３－１２７５２６号公報

ところで、パターン形成においては、通常、レジスト膜を基板上に形成した後、露光処理時に汚染源となり得るレジストの残渣及び汚染物の除去を目的として、得られたレジスト膜付き基板の少なくとも外周部（以下において「エッジ部」ともいう。）を洗浄する洗浄工程が実施される。例えば基板上にスピン塗布によりレジスト組成物を付与した場合には、基板の外周部にレジスト組成物の盛り上がりが生じ、基板の裏面までレジスト組成物が回り込んで付着する場合がある。上記洗浄工程は、このような付着したレジスト組成物を除去する工程であり、通常、ＥＢＲ液（Edge Bead Removal液）を使用した方法が適用されている。なお、このＥＢＲ液としては、通常、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、シクロヘキサン、及びこれらの混合溶剤が使用されている。

本発明者らは、特許文献１に記載された非化学増幅型レジスト組成物を用いたパターン形成方法について検討したところ、ＥＢＲ液による洗浄工程での洗浄精度を向上させようとすると、有機溶剤系現像液による現像の際に未露光部での膜減りが生じる場合があることを知見するに至った。すなわち、特許文献１に記載された非化学増幅型レジスト組成物から形成されるレジスト膜は上記会合構造に起因して有機溶剤に対して低溶解性であり、このため洗浄工程の洗浄精度を向上させるべくレジスト膜のＥＢＲ液に対する溶解性を高めようとすると、一方で、レジスト膜の有機溶剤系現像液に対する溶解性が増大して、現像の際に未露光部において膜減りが生じる場合があることを知見した。

そこで、本発明は、非化学増幅型レジスト組成物を使用したパターン形成方法であって、ＥＢＲ液による洗浄工程での洗浄性に優れ、且つ、有機溶剤系現像液を使用した現像の際に未露光部における膜減りが生じにくいパターン形成方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、上記パターン形成方法を用いた電子デバイスの製造方法を提供することを課題とする。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。

〔１〕 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
上記レジスト膜が形成された上記基板を回転させながら、有機溶剤を含む洗浄液で、上記基板の外周部を洗浄する洗浄工程と、
上記レジスト膜を露光する露光工程と、
露光された上記レジスト膜を、有機溶剤系現像液を用いてポジ現像する現像工程と、を含む、パターン形成方法であって、
上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、
極性基を有する樹脂と、
活性光線又は放射線の照射により分解するイオン対を含む化合物と、
溶剤と、を含み、
後述する式（１）～式（４）をいずれも満たす、パターン形成方法。
〔２〕 更に、後述する式（３－Ａ１）を満たす、〔１〕に記載のパターン形成方法。
〔３〕 更に、後述する式（３－Ａ２）を満たす、〔１〕に記載のパターン形成方法。
〔４〕 更に後述する式（５）を満たす、〔１〕～〔３〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
〔５〕 上記樹脂が極性基を有する繰り返し単位Ｘ１を含む、〔１〕～〔４〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
〔６〕 上記繰り返し単位Ｘ１が、フェノール性水酸基を含む繰り返し単位を含む、〔５〕に記載のパターン形成方法。
〔７〕 上記樹脂が、酸の作用によって有機溶剤系現像液に対する溶解性が低下する繰り返し単位Ｘ２を含まないか、又は、
上記樹脂が上記繰り返し単位Ｘ２を含む場合、上記繰り返し単位Ｘ２の含有量が、樹脂の全繰り返し単位に対して２０モル％以下である、〔１〕～〔６〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
〔８〕 上記樹脂が、酸の作用によって有機溶剤系現像液に対する溶解性が低下する繰り返し単位Ｘ２を含まないか、又は、
上記樹脂が上記繰り返し単位Ｘ２を含む場合、上記繰り返し単位Ｘ２の含有量が、樹脂の全繰り返し単位に対して、１０モル％以下である、〔１〕～〔６〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
〔９〕 〔１〕～〔８〕のいずれかに記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。

本発明によれば、非化学増幅型レジスト組成物を使用したパターン形成方法であって、ＥＢＲ液による洗浄工程での洗浄性に優れ、且つ、有機溶剤系現像液を使用した現像の際に未露光部における膜減りが生じにくいパターン形成方法を提供できる。
また、本発明によれば、上記パターン形成方法を用いた電子デバイスの製造方法を提供できる。

工程Ｘ１を説明するための模式図である。 工程Ｘ２を説明するための模式図である。 工程Ｘ２を説明するための模式図である。 工程Ｘ３を説明するための模式図である。 工程Ｘ３を説明するための模式図であり、露光後の状態を示す図である。 工程Ｘ４を経て得られるポジ型レジストパターンを説明するための模式図である。

以下、本発明に係るパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされる場合があるが、本発明はそのような実施態様に制限されない。
本明細書中における基（原子団）の表記について、本発明の趣旨に反しない限り、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さない基と共に置換基を有する基をも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。また、本明細書中における「有機基」とは、少なくとも１個の炭素原子を含む基をいう。
置換基は、特に断らない限り、１価の置換基が好ましい。
本明細書中における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光：Extreme Ultraviolet）、Ｘ線、及び電子線（ＥＢ：Electron Beam）等を意味する。本明細書中における「光」とは、活性光線又は放射線を意味する。
本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、及びＸ線等による露光のみならず、電子線、及びイオンビーム等の粒子線による描画も含む。
本明細書において、「～」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。
本明細書において表記される二価の基の結合方向は、特に断らない限り制限されない。例えば、「Ｘ－Ｙ－Ｚ」なる一般式で表される化合物中の、Ｙが－ＣＯＯ－である場合、Ｙは、－ＣＯ－Ｏ－であってもよく、－Ｏ－ＣＯ－であってもよい。また、上記化合物は「Ｘ－ＣＯ－Ｏ－Ｚ」であってもよく「Ｘ－Ｏ－ＣＯ－Ｚ」であってもよい。

本明細書において、（メタ）アクリル酸は、アクリル酸及びメタクリル酸を表す。

本明細書において、樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、及び分散度（分子量分布ともいう）（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）装置（東ソー製ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣ）によるＧＰＣ測定（溶媒：テトラヒドロフラン、流量（サンプル注入量）：１０μＬ、カラム：東ソー社製ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ－Ｍ、カラム温度：４０℃、流速：１．０ｍＬ／分、検出器：示差屈折率検出器（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ Ｉｎｄｅｘ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ））によるポリスチレン換算値として定義される。

本明細書において酸解離定数（ｐＫａ）とは、水溶液中でのｐＫａを表し、具体的には、下記ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求められる値である。本明細書中に記載したｐＫａの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示す。

ソフトウェアパッケージ１： Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ （ＡＣＤ／Ｌａｂｓ） Ｓｏｆｔｗａｒｅ Ｖ８．１４ ｆｏｒ Ｓｏｌａｒｉｓ （１９９４－２００７ ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）。

一方で、ｐＫａは、分子軌道計算法によっても求められる。この具体的な方法としては、熱力学サイクルに基づいて、溶媒中におけるＨ^＋解離自由エネルギーを計算して算出する手法が挙げられる。（なお、本明細書において、上記溶媒としては、通常は水を使用し、水ではｐＫａを求められない場合にはＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）を使用する。
Ｈ^＋解離自由エネルギーの計算方法については、例えばＤＦＴ（密度汎関数法）により計算できるが、他にも様々な手法が文献等で報告されており、これに制限されるものではない。なお、ＤＦＴを実施できるソフトウェアは複数存在するが、例えば、Ｇａｕｓｓｉａｎ１６が挙げられる。

本明細書中のｐＫａとは、上述した通り、ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を計算により求められる値を指すが、この手法によりｐＫａが算出できない場合には、ＤＦＴ（密度汎関数法）に基づいてＧａｕｓｓｉａｎ１６により得られる値を採用するものとする。

本明細書において、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。

［パターン形成方法、レジスト膜］
本発明のパターン形成方法は、下記工程Ｘ１～Ｘ４を含み、且つ、下記式（１）～式（４）をいずれも満たす。
工程Ｘ１：後述する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（以下「特定レジスト組成物」ともいう。）を用いて基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程
工程Ｘ２：上記レジスト膜が形成された上記基板を回転させながら、有機溶剤を含む洗浄液で、上記基板の外周部を洗浄する洗浄工程
工程Ｘ３：上記レジスト膜を露光する露光工程
工程Ｘ４：露光された上記レジスト膜を、有機溶剤系現像液を用いてポジ現像する現像工程

式（１）： ＳＰ１≧ＳＰ２
式（２）： ＳＰ２≧ＳＰ３
式（３）： Ｒ×ｔ／（１６．２×ｅｘｐ（０．２×（ＳＰ１－ＳＰ２）））≧１．０
式（４）： ＳＰ１＞ＳＰ３
式（１）～式（４）中、ＳＰ１は、上記レジスト膜形成工程において形成されるレジスト膜の溶解パラメータ（（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２）を表し、ＳＰ２は、上記洗浄工程で使用する上記有機溶剤の溶解パラメータ（（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２）を表し、ｔは、上記洗浄工程における洗浄時間（秒）を表し、Ｒは、上記洗浄工程における上記基板の回転数（回転／秒）を表し、ＳＰ３は、上記現像工程で使用する有機溶剤系現像液中の有機溶剤の溶解パラメータ（（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２）を表す。

≪特定レジスト組成物≫
特定レジスト組成物は、極性基を有する樹脂（以下「特定樹脂」ともいう。）と、活性光線又は放射線の照射により分解するイオン対を含む化合物（以下「特定光分解性イオン化合物」ともいう。）と、溶剤と、を含む。

上述の非化学増幅レジスト組成物である特定レジスト組成物を用いた工程Ｘ１～工程Ｘ４を含むパターン形成においては、工程Ｘ１において、特定樹脂と特定光分解性イオン化合物とが、特定樹脂中の極性基と特定光分解性イオン化合物中のイオン対との静電相互作用によって会合構造を形成し、この結果として有機溶剤系現像液に対して低溶解性又は不溶解性のレジスト膜が成膜する。得られたレジスト膜に対して工程Ｘ２（洗浄工程）を行った後、次いで、工程Ｘ３（露光工程）を実施すると、露光部において、特定光分解性イオン化合物が分解することにより会合構造が解除される。この結果として、露光部において、有機溶剤系現像液に対する溶解性が向上する。一方で、未露光部においては、有機溶剤系現像液に対する溶解性は概ね変化しない。すなわち上記工程Ｘ３を経ることで、レジスト膜の露光部と未露光部との間で有機溶剤系現像液に対する溶解性の差（溶解コントラスト）が生じ、続く工程Ｘ４において、レジスト膜の露光部が有機溶剤系現像液に溶解除去されてポジ型のパターンが形成される。

上記パターン形成において、特定レジスト組成物により形成されるレジスト膜は、上述の会合構造に起因して、洗浄液（ＥＢＲ液）として通常使用される有機溶剤に対する溶解性が低いという特徴がある。このため、洗浄液（ＥＢＲ液）による洗浄工程での洗浄精度を向上させるべく、レジスト膜形成工程により形成されるレジスト膜のＳＰ値（ＳＰ１）を、洗浄液中の有機溶剤のＳＰ値（ＳＰ２）に近づけた場合、上記レジスト膜のＳＰ値（ＳＰ１）が有機溶剤系現像液中の有機溶剤のＳＰ値（ＳＰ３）とも近づくため、パターンの凸部を形成する未露光部の膜減りが生じる場合があった。
上記問題に対して、本発明者らは、上述の非化学増幅レジスト組成物である特定レジスト組成物を用いた工程Ｘ１～工程Ｘ４を含むパターン形成が、上記式（１）～式（４）を満たす場合、ＥＢＲ液による洗浄工程での洗浄性に優れ、且つ、有機溶剤系現像液を使用した現像の際に未露光部における膜減りが生じにくいことを明らかとしている。上記パターン形成方法によれば、特定レジスト組成物から形成されるレジスト膜のＳＰ値（ＳＰ１）と洗浄液中の有機溶剤のＳＰ値（ＳＰ２）との差（ＳＰ１－ＳＰ２）が大きい場合、洗浄工程における基板の回転数と洗浄時間を調整することで、パターンの凸部を形成する未露光部の膜減りを生じさせることなく、洗浄精度の一層の向上が可能となる。
更に、後述するように、上記パターン形成方法が、更に式（５）を満たす場合（つまり、上記レジスト膜のＳＰ値（ＳＰ１）と、有機溶剤系現像液中の有機溶剤のＳＰ値（ＳＰ３）との差が所定値以上である場合）、パターンの凸部を形成する未露光部の膜減りがより一層抑制できる。

上記パターン形成方法は、例えば、ラインアンドスペースが１６ｎｍ以下のような微細パターンを形成する際に好適に使用され得る。

なお、本明細書において、「ＳＰ値（（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２）」とは、２０℃におけるハンセン溶解度パラメータ（ＨＳＰ値）を意図する。
ＨＳＰ値は、Ｈｉｌｄｅｂｒａｎｄによって導入された溶解度パラメーター（ＳＰ値）を３成分（分子間の分散力によるエネルギーδ_ｄ、分子間の双極子相互作用によるエネルギーδ_ｐ、分子間の水素結合によるエネルギーδ_ｈ）に分割したものである。つまり、ＨＳＰ値は、δ_ｄ＋δ_ｐ＋δ_ｈで表される。
溶剤や樹脂についてのＨＳＰ値は、Ｃｈａｒｌｅｓ Ｈａｎｓｅｎ Ｃｏｎｓｕｌｔｉｎｇ， Ｉｎｃ．（Ｈｏｒｓｈｏｌｍ， Ｄｅｎｍａｒｋ， ｈａｎｓｅｎ－ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ．ｃｏｍ）のソフトウェアＨＳＰｉＰを用いて求めることができる。
また、溶剤のδ_ｄ、δ_ｐ、δ_ｈは“ＨＡＮＳＥＮ ＳＯＬＢＩＬＩＴＹ ＰＡＲＡＭＥＴＥＲＳ” Ａ Ｕｓｅｒ’ｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ Ｓｅｃｏｎｄ Ｅｄｉｔｉｏｎに詳しく記載されている。また、多くの溶媒や樹脂についてのＨＳＰ値はＷｅｓｌｅｙ Ｌ．Ａｒｃｈｅｒ著、Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｓｐｌｖｅｎｔｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ等にも記載されている。

本明細書において、洗浄液に含まれる有機溶剤のＨＳＰ値は、ＨＳＰｉＰ（５ｔｈ ｅｄｉｔｉｏｎ ５．２．０６）のデータベースに登録されている有機溶剤に関してはその値を使用し、データベースにない有機溶媒に関しては、上記ＨＳＰｉＰにより推算される値を使用する。
なお、洗浄液に含まれる有機溶剤が２種以上である場合、洗浄液に含まれる有機溶剤のＨＳＰ値は、下記式（Ｈ１）により、各有機溶剤のＨＳＰ値の荷重平均値として求められる。
ｍ＝δ_１φ_１＋δ_２φ_２・・・＋δ_ｎφ_ｎ （Ｈ１）
ここでδ_１、δ_２、及びδ_ｎは各有機溶剤のＨＳＰ値でありφ_１、φ_２、及びφ_ｎは各有機溶剤の質量分率である。

本明細書において、有機溶剤系現像液に含まれる有機溶剤のＨＳＰ値は、ＨＳＰｉＰ（５ｔｈ ｅｄｉｔｉｏｎ ５．２．０６）のデータベースに登録されている有機溶剤に関してはその値を使用し、データベースにない有機溶媒に関しては、上記ＨＳＰｉＰにより推算される値を使用する。
なお、有機溶剤系現像液に含まれる有機溶剤が２種以上である場合、有機溶剤系現像液に含まれる有機溶剤のＨＳＰ値は、下記式（Ｈ１）により、各有機溶剤のＨＳＰ値の荷重平均値として求められる。
ｍ＝δ_１φ_１＋δ_２φ_２・・・＋δ_ｎφ_ｎ （Ｈ１）
ここでδ_１、δ_２、及びδ_ｎは各有機溶剤のＨＳＰ値でありφ_１、φ_２、及びφ_ｎは各有機溶剤の質量分率である。

本明細書において、レジスト膜形成工程において形成されるレジスト膜のＨＳＰ値は、レジスト膜、並びに、水、ジヨードメタン、メシチレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、γ-ブチロラクトン、４－メチル－２－ペンタノール、ジメチルスルホキシド、及び炭酸プロピレンを用いて、既知の方法により、ＨＳＰｉＰ（５ｔｈ ｅｄｉｔｉｏｎ ５．２．０６）より算出する。
なお、上述の既知の方法としては、例えば、レジスト膜の試験片をハンセンＳＰ値が既知である溶媒同士の種々の混合比に対して溶解／不溶解を判定し、得られた判定結果をδ_ｄ、δ_ｐ、及びδ_ｈの３次元座標上にプロットして、可溶な点を内包する球をフィッティングで求め、その中心座標としてＳＰ値を定義する方法が挙げられる。

以下、本発明のパターン形成方法及びレジスト膜について、図面を参照して工程毎に詳細に説明する。なお、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に制限されるものではない。

＜＜＜第1の実施形態＞＞＞
パターン形成方法の第１の実施形態は、下記工程Ｘ１、下記工程Ｘ２、下記工程Ｘ３、及び下記工程４をこの順に有する。
工程Ｘ１：特定レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程
工程Ｘ２：上記レジスト膜が形成された上記基板を回転させながら、有機溶剤を含む洗浄液で、上記基板の外周部を洗浄する洗浄工程
工程Ｘ３：上記レジスト膜を露光する露光工程
工程Ｘ４：露光された上記レジスト膜を、有機溶剤系現像液を用いてポジ現像する現像工程

〔工程Ｘ１：レジスト膜形成工程〕
工程Ｘ１は、図１に示すように、特定レジスト組成物を用いて、基板１上にレジスト膜２を形成する工程である。
特定レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する方法としては、例えば、特定レジスト組成物を基板上に塗布する方法が挙げられる。
特定レジスト組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板（例：シリコン、二酸化シリコン被覆）上に、スピナー又はコーター等の適当な塗布方法により塗布できる。塗布方法は、スピナーを用いたスピン塗布が好ましい。スピナーを用いたスピン塗布をする際の回転数は、１０００～３０００ｒｐｍが好ましい。
特定レジスト組成物を基板上に塗布して乾燥すると、特定樹脂中の極性基と特定光分解性イオン化合物との間で静電相互作用が働いて、特定樹脂と特定光分解性イオン化合物とが会合構造を形成してレジスト膜２が成膜する。この会合構造は、有機溶剤系現像液に対して低溶解性又は不溶解性を示す。なお、特定レジスト組成物の組成に関しては、後段において説明する。

特定レジスト組成物の塗布後、基板を加熱し、レジスト膜を形成してもよい。
なお、後述するように、工程Ｘ２での洗浄精度のより一層の向上の点で、加熱処理は、つづく工程Ｘ２の洗浄後に実施するのも好ましい。加熱処理を工程Ｘ２の洗浄後に実施する場合、工程Ｘ２での洗浄精度のより一層の向上の点で、加熱処理は、特定レジスト組成物の塗布後には実施しないのが好ましい。

加熱は通常の露光機、及び／又は現像機に備わっている手段で実施でき、ホットプレート等を用いて実施してもよい。
加熱温度としては、８０～１５０℃が好ましく、８０～１４０℃がより好ましく、８０～１３０℃が更に好ましい。加熱時間としては、３０～１０００秒が好ましく、３０～８００秒がより好ましく、４０～６００秒が更に好ましい。なお、加熱は、複数回に分けて実施されてもよい。

なお、特定レジスト組成物の塗布前に、必要により、レジスト膜の下層として、各種下地膜（無機膜、有機膜、反射防止膜）を形成してもよい。

レジスト膜形成工程において形成されるレジスト膜のＳＰ値としては、１５（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２以上が好ましく、２０（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２以上がより好ましく、２５（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２以上が更に好ましい。なお、上限値としては、例えば、４０（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２以下が好ましく、３５（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２以下がより好ましい。

上述したとおり、本明細書において「ＳＰ値（（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２）」とは、２０℃におけるハンセン溶解度パラメータ（ＨＳＰ値）を意図する。レジスト膜形成工程において形成されるレジスト膜のＨＳＰ値の算出方法についても既述のとおりである。

また、レジスト膜の上層にトップコート組成物を用いてトップコートを形成してもよい。
トップコート組成物は、レジスト膜と混合せず、更にレジスト膜上層に均一に塗布できるのが好ましい。
トップコート組成物は、例えば、樹脂と添加剤と溶剤とを含む。
トップコートは、特に制限されず、従来公知のトップコートを、従来公知の方法によって形成でき、例えば、特開２０１４－０５９５４３号公報の段落［００７２］～［００８２］の記載に基づいてトップコートを形成できる。
例えば、特開２０１３－０６１６４８号公報に記載されたような塩基性化合物を含むトップコートを、レジスト膜上に形成するのが好ましい。トップコートが含み得る塩基性化合物としては、例えば、国際公開２０１７/００２７３７号パンフレットに記載の塩基性化合物等も使用できる。
また、トップコートは、エーテル結合、チオエーテル結合、水酸基、チオール基、カルボニル結合、及びエステル結合からなる群より選択される基又は結合を少なくとも１つ含む化合物を含むのも好ましい。

〔工程Ｘ２：洗浄工程〕
工程Ｘ１を経て得られた、レジスト膜２が形成された基板１は、図２に示すように、通常、基板の外周部（エッジ部）１ａにレジスト組成物の盛り上がりが生じ、基板２の裏面１ｂまでレジスト組成物が回り込んで付着している場合もある。
工程Ｘ２は、レジスト膜２が形成された基板１を回転させながら、有機溶剤を含む洗浄液で、基板１のエッジ部１ａを有機溶剤で洗浄する工程である。工程Ｘ２の洗浄工程を経ることで、露光装置の汚染、及び露光不良による歩留まりの低下を抑制できる。
工程Ｘ２は、基板１の外周部１ａと基板１の裏面部１ｂとを洗浄する洗浄工程であるのが好ましい。
工程Ｘ２を経ることで、レジスト膜２が形成された基板１は、図３に示すようにエッジ部のレジスト膜２が除去される。

工程Ｘ２では、有機溶剤を含む洗浄液（ＥＢＲ液）を使用して洗浄処理を実施する。以下において、工程Ｘ２で使用し得る洗浄液について説明する。

洗浄液としては、工程Ｘ１で使用する特定レジスト組成物及び工程Ｘ４で使用する有機溶剤系現像液との間で上述したＳＰ値の関係を満たしさえすれば特に制限されない。
洗浄液に含まれる有機溶剤の沸点（常圧下での沸点）としては、例えば２５０℃以下であり、テーリング現象の発生をより抑制できる点で、１２０～２５０℃が好ましく、１２０～２００℃がより好ましく、１２０～１６０℃が更に好ましい。

洗浄液に含まれる有機溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸エステル、酢酸エステル、蟻酸エステル、プロピオン酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル、鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、アルキレンカーボネート、酪酸ブチル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル、イソ酪酸イソブチル、及びブタン酸ブチル等が挙げられる。

上記プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノＣ１～Ｃ５アルキルエーテルカルボキシレートが挙げられ、具体的には、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、及びプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。
上記プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノＣ１～Ｃ５アルキルエーテルが挙げられ、具体的には、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、及びプロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）等が挙げられる。

乳酸エステルとしては、乳酸エチル、乳酸ブチル、及び乳酸プロピル等が挙げられる。
酢酸エステルとしては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸プロピル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸３－メトキシブチル、酢酸２－メチルブチル、酢酸１－メチルブチル、及び酢酸ヘキシル等が挙げられる。
蟻酸エステルとしては、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、及び蟻酸プロピル等が挙げられる。

プロピオン酸エステルとしては、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸ペンチル、プロピオン酸ヘキシル、及びプロピオン酸ヘプチル等が挙げられる。
アルコキシプロピオン酸エステルとしては、３－メトキシプロピオン酸メチル（ＭＭＰ）、及び３－エトキシプロピオン酸エチル（ＥＥＰ）等が挙げられる。
鎖状ケトンとしては、１－オクタノン、２－オクタノン、１－ノナノン、２－ノナノン、アセトン、２－ヘプタノン、４－ヘプタノン、１－ヘキサノン、２－ヘキサノン、ジイソブチルケトン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、及びメチルアミルケトン等が挙げられる。
環状ケトンとしては、メチルシクロヘキサノン、イソホロン、シクロペンタノン、及びシクロヘキサノン等が挙げられる。
ラクトンとしては、γ－ブチロラクトンが挙げられる。
アルキレンカーボネートとしては、プロピレンカーボネートが挙げられる。

洗浄液に含まれる有機溶剤としては、なかでも、プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、酢酸エステル、環状ケトン、及びラクトンからなる群より選ばれる１種以上であるのが好ましい。

洗浄液において、有機溶剤は１種を単独で使用しても、複数混合してもよい。
洗浄液における有機溶剤（複数混合の場合は合計）の濃度は、６０質量％以上が好ましく、８５質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が更に好ましく、９５質量％以上が特に好ましく、９８質量％以上が最も好ましい。なお、上限値としては、例えば、１００質量％以下である。

洗浄液に含まれる有機溶剤のＳＰ値（ＳＰ２）としては、１２（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２以上が好ましく、１４（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２以上がより好ましく、１６（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２以上が更に好ましい。なお、上限値としては、例えば、３０（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２以下が好ましく、２６（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２以下がより好ましい。

上述したとおり、本明細書において「ＳＰ値（（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２）」とは、２０℃におけるハンセン溶解度パラメータ（ＨＳＰ値）を意図する。洗浄液に含まれる有機溶剤のＨＳＰ値の求め方についても既述のとおりである。

洗浄液は、必要に応じてその他の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、例えば、公知の界面活性剤が挙げられる。洗浄液が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量は、洗浄液の全量に対して、０．００１～５質量％が好ましく、０．００５～２質量％がより好ましく、０．０１～０．５質量％が更に好ましい。

洗浄工程は、レジスト膜付き基板（レジスト膜が形成された基板）を所定速度で回転させながら、上記レジスト膜付き基板に対してノズルを介して洗浄液を供給する工程であるのが好ましい。

レジスト膜付き基板の回転速度としては、１００（回転／分）以上が好ましく、５００（回転／分）以上がより好ましく、１０００（回転／分）以上が更に好ましい。レジスト膜付き基板の回転速度の上限値としては特に制限されないが、例えば、４０００（回転／分）以下である。
上記レジスト膜付き基板における洗浄液を供給する位置としては特に制限されないが、上記レジスト膜付き基板の外周部であるのが好ましい。

上記レジスト膜付き基板に対する洗浄液の供給速度としては、例えば、１～１００ｍＬ／分が好ましく、５～５０ｍＬ／分がより好ましい。

洗浄時間としては、例えば、２～３００秒が好ましく、５～１２０秒がより好ましく、７～９０秒が更に好ましい。

洗浄工程は、例えば、東京エレクトロン社製のＣＬＥＡＮ ＴＲＡＣＫ ＬＩＴＨＩＵＳ Ｐｒｏ Ｚ等を利用して実施できる。

洗浄工程の後、基板を加熱し、レジスト膜を形成してもよい。
加熱は通常の露光機、及び／又は現像機に備わっている手段で実施でき、ホットプレート等を用いて実施してもよい。
加熱温度としては、８０～１５０℃が好ましく、８０～１４０℃がより好ましく、８０～１３０℃が更に好ましい。加熱時間としては、３０～１０００秒が好ましく、３０～８００秒がより好ましく、４０～６００秒が更に好ましい。なお、加熱は、複数回に分けて実施されてもよい。

洗浄工程を経て得られるレジスト膜の膜厚としては特に制限されないが、より高精度な微細パターンを形成できる点から、１０～９０ｎｍが好ましく、１０～６５ｎｍがより好ましく、１５～５０ｎｍが更に好ましい。

〔工程Ｘ３：露光工程〕
工程Ｘ３は、図４に示すように、工程Ｘ２の洗浄工程を経て得られたレジスト膜２を所定のマスク３を介してパターン状に露光する工程である。
工程Ｘ３を実施すると、露光部（マスクの開口領域であり、図４中の矢印の領域が該当する。）において、レジスト膜２中の特定光分解性イオン化合物が分解することにより、特定樹脂と特定光分解性イオン化合物との会合構造が解除される。この結果として、露光部において、有機溶剤系現像液に対する溶解性が向上する。一方で、未露光部（マスクの非開口領域であり、図４中の矢印のない領域が該当する。）においては、上記会合構造は依然として維持されており、有機溶剤系現像液に対する溶解性は概ね変化しない。すなわち、上記工程Ｘ３を経ることで、レジスト膜の露光部と未露光部との間で有機溶剤系現像液に対する溶解性の差（溶解コントラスト）が生じ得る。
つまり、工程Ｘ３を経ることで、図５に示すように、有機溶剤系現像液に対して高溶解性の領域２ａ（露光部）と、有機溶剤系現像液に対して低溶解性又は不溶解性の領域２ｂ（未露光部）とが形成される。

露光工程に用いられる光源波長に制限はないが、例えば、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光（ＥＵＶ）、Ｘ線、及び電子線等が挙げられる。これらのなかでも遠紫外光が好ましく、その波長は２５０ｎｍ以下が好ましく、２２０ｎｍ以下がより好ましく、１～２００ｎｍが更に好ましい。具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ_２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、ＥＵＶ（１３ｎｍ）、又は電子線が好ましく、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ、又は電子線がより好ましく、ＥＵＶ又は電子線が更に好ましい。
なお、上記工程Ｘ２の露光工程における露光方法は、液浸露光であってもよい。また、露光工程を複数回に分けて露光を実施してもよい。
露光量としては、露光部２ａに存在する特定光分解性イオン化合物が光吸収により分解し得る程度であればよい。

露光後、現像を行う前に、加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake（「露光後ベーク」ともいう。））工程を行ってもよい。
加熱温度としては、８０～１５０℃が好ましく、８０～１４０℃がより好ましく、８０～１３０℃が更に好ましい。
加熱時間としては、１０～１０００秒が好ましく、１０～１８０秒がより好ましく、３０～１２０秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光機及び／又は現像機に備わっている手段で実施でき、ホットプレート等を用いて行ってもよい。また、加熱は、複数回に分けて実施されてもよい。

〔工程Ｘ４：現像工程〕
工程Ｘ４は、有機溶剤系現像液を用いて、露光されたレジスト膜を現像し、パターンを形成する工程である。工程Ｘ４を経ることで、図６に示すように、露光部２ａが有機溶剤系現像液に溶解除去され、未露光部２ｂが残膜してポジ型レジストパターンが形成される。すなわち、工程Ｘ３は、ポジ現像工程に該当する。

＜有機溶剤現像液＞
有機溶剤系現像液とは、有機溶剤を含む現像液を表す。
有機溶剤系現像液に含まれる有機溶剤の蒸気圧（混合溶剤である場合は全体としての蒸気圧）は、２０℃において、５ｋＰａ以下が好ましく、３ｋＰａ以下がより好ましく、２ｋＰａ以下が更に好ましい。有機溶剤の蒸気圧を５ｋＰａ以下にすることにより、現像液の基板上又は現像カップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。

有機溶剤系現像液としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、及び炭化水素系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含有する現像液であるのが好ましい。

ケトン系溶剤としては、例えば、１－オクタノン、２－オクタノン、１－ノナノン、２－ノナノン、アセトン、２－ヘプタノン（メチルアミルケトン）、４－ヘプタノン、１－ヘキサノン、２－ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、及びプロピレンカーボネート等が挙げられる。

エステル系溶剤としては、例えば、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル－３－エトキシプロピオネート、３－メトキシブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、ブタン酸ブチル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル、酢酸イソアミル、イソ酪酸イソブチル、及びプロピオン酸ブチル等が挙げられる。

アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、及び炭化水素系溶剤としては、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落［０７１５］～［０７１８］に開示された溶剤を使用できる。

なかでも、上述した露光工程においてＥＵＶ及び電子線を使用する場合、有機溶剤系現像液に含まれる有機溶剤としては、レジスト膜の膨潤をより抑制できる点で、炭素原子数が７以上（７～１４が好ましく、７～１２がより好ましく、７～１０が更に好ましい）、且つ、ヘテロ原子数が２以下のエステル系溶剤を使用するのが好ましい。
上記エステル系溶剤のヘテロ原子は、炭素原子及び水素原子以外の原子であって、例えば、酸素原子、窒素原子、及び硫黄原子等が挙げられる。ヘテロ原子数は、２以下が好ましい。

炭素原子数が７以上且つヘテロ原子数が２以下のエステル系溶剤としては、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸２－メチルブチル、酢酸１－メチルブチル、酢酸ヘキシル、プロピオン酸ペンチル、プロピオン酸ヘキシル、プロピオン酸ブチル、イソ酪酸イソブチル、プロピオン酸ヘプチル、又はブタン酸ブチルが好ましい。

また、上述した露光工程においてＥＵＶ及び電子線を使用する場合、有機溶剤系現像液に含まれる有機溶剤としては、レジスト膜の膨潤をより抑制できる点で、エステル系溶剤及び炭化水素系溶剤の混合溶剤、又はケトン系溶剤及び炭化水素溶剤の混合溶剤が好ましい。

有機溶剤系現像液に含まれる有機溶剤として、エステル系溶剤及び炭化水素系溶剤の混合溶剤を使用する場合、エステル系溶剤としては、上述した炭素原子数が７以上且つヘテロ原子数が２以下のエステル系溶剤が挙げられ、酢酸イソアミルが好ましい。また、炭化水素系溶剤としては、レジスト膜の溶解性を調製するという点から、飽和炭化水素溶剤（例えば、オクタン、ノナン、デカン、ドデカン、ウンデカン、ヘキサデカン等）が好ましい。
有機溶剤系現像液に含まれる有機溶剤として、ケトン系溶剤と炭化水素系溶剤の混合溶剤を使用する場合、ケトン系溶剤としては、上述したケトン系溶剤が挙げられ、２－ヘプタノンが好ましい。また、炭化水素系溶剤としては、レジスト膜の溶解性を調製するという点から、飽和炭化水素溶剤（例えば、オクタン、ノナン、デカン、ドデカン、ウンデカン、ヘキサデカン等）が好ましい。
なお、上記の混合溶剤を使用する場合、炭化水素系溶剤の含有量は、レジスト膜の溶剤溶解性に依存するため特に制限されず、適宜調製して必要量を決定すればよい。

有機溶剤系現像液に含まれる有機溶剤としては、なかでも、プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、酢酸エステル、環状ケトン、及びラクトンからなる群より選ばれる１種以上であるのが好ましい。
プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、酢酸エステル、環状ケトン、及びラクトンの各具体例としては、上述した洗浄液に含まれ得る、プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、酢酸エステル、環状ケトン、及びラクトンとして例示したものと同様である。

有機溶剤系現像液において、有機溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤又は水と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、有機溶剤系現像液全体としての含水率が１０質量％未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。有機溶剤系現像液における有機溶剤（複数混合の場合は合計）の濃度は、５０質量％以上が好ましく、６０質量％以上がより好ましく、８５質量％以上が更に好ましく、９０質量％以上が特に好ましく、９５質量％以上が最も好ましい。なお、上限値としては、例えば、１００質量％以下である。

有機溶剤系現像液に含まれる有機溶剤のＳＰ値（ＳＰ３）としては、１２（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２以上が好ましく、１４（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２以上がより好ましく、１６（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２以上が更に好ましい。なお、上限値としては、例えば、３０（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２以下が好ましく、２５（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２以下がより好ましい。
なお、上述したとおり、本明細書において「ＳＰ値（（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２）」とは、２０℃におけるハンセン溶解度パラメータ（ＨＳＰ値）を意図する。有機溶剤系現像液に含まれる有機溶剤のＨＳＰ値の求め方についても既述のとおりである。

有機溶剤系現像液は、必要に応じて公知の界面活性剤を適当量含んでいてもよい。
界面活性剤の含有量は有機溶剤系現像液の全量に対して、通常０．００１～５質量％であり、０．００５～２質量％が好ましく、０．０１～０．５質量％がより好ましい。

現像方法としては、例えば、有機溶剤系現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に有機溶剤系現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止して現像する方法（パドル法）、基板表面に有機溶剤系現像液を噴霧する方法（スプレー法）、及び一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら有機溶剤系現像液を吐出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）が挙げられる。
また、現像を行う工程の後に、他の溶剤に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。
現像時間としては、未露光部の樹脂が十分に溶解する時間であれば特に制限はなく、１０～３００秒が好ましく、２０～１２０秒がより好ましい。
現像液の温度としては、０～５０℃が好ましく、１５～３５℃がより好ましい。

また、現像工程の後に加熱工程（Post Bake）を含んでいてもよい。本工程により、パターン間及びパターン内部に残留した有機溶剤系現像液が除去される。また、本工程により、レジストパターンがなまされ、パターンの表面荒れが改善される効果もある。
パターン形成工程が、現像工程後にリンス工程をさらに有する場合、上記加熱工程は、リンス工程後に実施されるのが好ましい。
現像工程の後の加熱工程における加熱温度としては、４０～２５０℃が好ましく、８０～２００℃がより好ましい。また、加熱時間としては、１０秒間～３分間が好ましく、３０～１２０秒間がより好ましい。

〔式（１）～式（４）の関係〕
上記パターン形成方法は、下記式（１）～式（４）を満たす。
式（１）： ＳＰ１≧ＳＰ２
式（２）： ＳＰ２≧ＳＰ３
式（３）： Ｒ×ｔ／（１６．２×ｅｘｐ（０．２×（ＳＰ１－ＳＰ２）））≧１．０
式（４）： ＳＰ１＞ＳＰ３
式（１）～式（４）中、ＳＰ１は、上記レジスト膜形成工程において形成されるレジスト膜の溶解パラメータ（（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２）を表し、ＳＰ２は、上記洗浄工程で使用する上記有機溶剤の溶解パラメータ（（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２）を表し、ｔは、上記洗浄工程における洗浄時間（秒）を表し、Ｒは、上記洗浄工程における上記基板の回転数（回転／秒）を表し、ＳＰ３は、上記現像工程で使用する有機溶剤系現像液中の有機溶剤の溶解パラメータ（（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２）を表す。

なかでも、洗浄工程における洗浄精度がより優れる点で、式（３－Ａ１）を満たすのが好ましく、式（３－Ａ２）を満たすのがより好ましい。
式（３－Ａ１）：
Ｒ×ｔ／（１６．２×ｅｘｐ（０．２×（ＳＰ１－ＳＰ２）））≧１．５
式（３－Ａ２）：
Ｒ×ｔ／（１６．２×ｅｘｐ（０．２×（ＳＰ１－ＳＰ２）））≧２．２

なお、式（３）中のＲ×ｔ／（１６．２×ｅｘｐ（０．２×（ＳＰ１－ＳＰ２）））、式（３－Ａ１）中のＲ×ｔ／（１６．２×ｅｘｐ（０．２×（ＳＰ１－ＳＰ２）））、及び式（３－Ａ２）中のＲ×ｔ／（１６．２×ｅｘｐ（０．２×（ＳＰ１－ＳＰ２）））の上限値としては、例えば、３０以下が好ましく、２０以下がより好ましい。

また、上記パターン形成方法は、有機溶剤系現像液を使用した現像の際に未露光部における膜減りが生じにくい点で、更に式（５）を満たすのが好ましい。
式（５）： ＳＰ１－ＳＰ３≧７．０
なお、式（５）中のＳＰ１－ＳＰ３の上限値としては、２５以下であるのが好ましく、２０以下であるのがより好ましい。また、式（５）中のＳＰ１－ＳＰ３の下限値としては、１０以上が好ましく、１２以上であるのがより好ましい。

＜＜＜その他の実施形態＞＞＞
本発明のパターン形成方法は、上述した第１の実施形態に制限されず、例えば、上述した工程Ｘ１～工程Ｘ４以外に更にその他の工程を有する実施形態であってもよい。以下、本発明のパターン形成方法が有し得るその他の工程について説明する。

〔その他の工程〕
＜リンス工程＞
パターン形成方法は、工程Ｘ４の後に、リンス液を用いて洗浄する工程を含むのが好ましい。
リンス液としては、パターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用できる。リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含むものが好ましい。

リンス工程の方法は特に制限されず、例えば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法（回転塗布法）、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、及び基板表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）等が挙げられる。
また、上記パターン形成方法は、リンス工程の後に加熱工程（Post Bake）を含んでいてもよい。上述したとおり、現像工程後にリンス工程を実施する場合、現像工程後には加熱工程を実施しなくてもよい。本工程により、パターン間及びパターン内部に残留した有機溶剤系現像液及びリンス液が除去される。また、本工程により、レジストパターンがなまされ、パターンの表面荒れが改善される効果もある。
リンス工程の後の加熱工程における加熱温度としては、４０～２５０℃が好ましく、８０～２００℃がより好ましい。また、加熱時間としては、１０秒間～３分間が好ましく、３０～１２０秒間がより好ましい。

＜エッチング工程＞
また、形成されたパターンをマスクとして、基板のエッチング処理を実施してもよい。
エッチングは、公知の方法をいずれも使用でき、各種条件等は、基板の種類又は用途等に応じて、適宜、決定される。例えば、国際光工学会紀要（Ｐｒｏｃ．ｏｆ ＳＰＩＥ）Ｖｏｌ．６９２４，６９２４２０（２００８）、特開２００９－２６７１１２号公報等に準じて、エッチングを実施できる。また、「半導体プロセス教本 第４版 ２００７年刊行 発行人：ＳＥＭＩジャパン」の「第４章 エッチング」に記載の方法に準ずることもできる。

＜精製工程＞
上記パターン形成方法は、パターン形成方法において使用される特定レジスト組成物、及び特定レジスト組成物以外の各種材料（例えば現像液、リンス液、反射防止膜形成用組成物、トップコート形成用組成物等）を精製する工程を有していてもよい。
特定レジスト組成物及び特定レジスト組成物以外の各種材料に含まれる不純物の含有量は、１質量ｐｐｍ以下が好ましく、１０質量ｐｐｂ以下がより好ましく、１００質量ｐｐｔ以下が更に好ましく、１０質量ｐｐｔ以下が特に好ましく、１質量ｐｐｔ以下が最も好ましい。ここで、金属不純物としては、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、及び、Ｚｎ等が挙げられる。

各種材料から金属等の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルターを用いた濾過が挙げられる。フィルター孔径は、ポアサイズ１００ｎｍ未満が好ましく、１０ｎｍ以下がより好ましく、５ｎｍ以下が更に好ましい。フィルターは、ポリテトラフルオロエチレン製、ポリエチレン製、又はナイロン製のフィルターが好ましい。フィルターは、上記フィルター素材とイオン交換メディアとを組み合わせた複合材料で構成されていてもよい。フィルターは、有機溶剤であらかじめ洗浄したフィルターを用いてもよい。フィルター濾過工程では、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して用いてもよい。複数種類のフィルターを使用する場合は、孔径及び／又は材質が異なるフィルターを組み合わせて使用してもよい。また、各種材料を複数回濾過してもよく、複数回濾過する工程が循環濾過工程であってもよい。
特定レジスト組成物の製造においては、例えば、特定樹脂及び特定光分解性イオン化合物等の各成分を溶剤に溶解させた後、素材が異なる複数のフィルターを用いて循環濾過を行うのが好ましい。例えば、孔径５０ｎｍのポリエチレン製フィルター、孔径１０ｎｍのナイロン製フィルター、孔径３ｎｍのポリエチレン製フィルターを順列に接続し、１０回以上循環濾過を行うのが好ましい。フィルター間の圧力差は小さい程好ましく、一般的には０．１ＭＰａ以下であり、０．０５ＭＰａ以下が好ましく、０．０１ＭＰａ以下がより好ましい。フィルターと充填ノズルの間の圧力差も小さい程好ましく、一般的には０．５ＭＰａ以下であり、０．２ＭＰａ以下が好ましく、０．１ＭＰａ以下がより好ましい。
特定レジスト組成物の製造装置の内部は、窒素等の不活性ガスによってガス置換を行うのが好ましい。これにより、酸素等の活性ガスの特定レジスト組成物中への溶解を抑制できる。
特定レジスト組成物はフィルターによって濾過された後、清浄な容器に充填される。容器に充填された特定レジスト組成物は、冷蔵保存されるのが好ましい。これにより、経時による性能劣化が抑制される。組成物の容器への充填が完了してから、冷蔵保存を開始するまでの時間は短い程好ましく、一般的には２４時間以内であり、１６時間以内が好ましく、１２時間以内がより好ましく、１０時間以内が更に好ましい。保存温度は０～１５℃が好ましく、０～１０℃がより好ましく、０～５℃が更に好ましい。

また、各種材料に含まれる金属等の不純物を低減する方法としては、例えば、各種材料を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する方法、各種材料を構成する原料に対してフィルター濾過を行う方法、及び、装置内をテフロン（登録商標）でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う方法等が挙げられる。

フィルター濾過の他、吸着材による不純物の除去を行ってもよく、フィルター濾過と吸着材とを組み合わせて使用してもよい。吸着材としては、公知の吸着材を使用でき、例えば、シリカゲル及びゼオライト等の無機系吸着材、並びに、活性炭等の有機系吸着材を使用できる。上記各種材料に含まれる金属等の不純物を低減するためには、製造工程における金属不純物の混入を防止する必要がある。製造装置から金属不純物が十分に除去されたかどうかは、製造装置の洗浄に使用された洗浄液中に含まれる金属成分の含有量を測定して確認できる。使用後の洗浄液に含まれる金属成分の含有量は、１００質量ｐｐｔ（parts per trillion）以下が好ましく、１０質量ｐｐｔ以下がより好ましく、１質量ｐｐｔ以下が更に好ましい。

有機溶剤系現像液及びリンス液等の有機系処理液には、静電気の帯電、引き続き生じる静電気放電に伴う、薬液配管及び各種パーツ（フィルター、Ｏ－リング、チューブ等）の故障を防止する為、導電性の化合物を添加してもよい。導電性の化合物は特に制限されないが、例えば、メタノールが挙げられる。添加量は特に制限されないが、好ましい現像特性又はリンス特性を維持する点で、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。
薬液配管としては、例えば、ＳＵＳ（ステンレス鋼）、又は帯電防止処理の施されたポリエチレン、ポリプロピレン、若しくは、フッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、又はパーフロオロアルコキシ樹脂等）で被膜された各種配管を使用できる。フィルター及びＯ－リングに関しても同様に、帯電防止処理の施されたポリエチレン、ポリプロピレン、又はフッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、又はパーフロオロアルコキシ樹脂等）を使用できる。

〔感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物〕
以下において、工程Ｘ１で使用される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（特定レジスト組成物）について説明する。

＜特定光分解性イオン化合物＞
特定レジスト組成物は、活性光線又は放射線の照射により分解するイオン対を含む化合物（特定光分解性イオン化合物）を含む。
上記イオン対とは、価数の合計がＷである正電荷を帯びた原子団であるカチオン部位と、価数の合計がＷである負電荷を帯びた原子団であるアニオン部位と、から構成される。つまり、上記イオン対とは、価数の絶対値が同じとなるカチオン部位とアニオン部位とから構成されている。上記イオン対は、塩構造あってもよいし、カチオン部位とアニオン部位とが共有結合で連結した構造（いわゆるベタイン構造）であってもよい。
特定光分解性イオン化合物においては、カチオン部位は価数が１である正電荷を帯びた原子団を表し、アニオン部位は価数が１である負電荷を帯びた原子団を表すのが好ましい。
特定光分解性イオン化合物としては、例えば、活性光線又は放射線に対する吸収性を有するカチオン部位と、活性光線又は放射線の照射を受けてプロトン付加構造を形成し得るアニオン部位とからなるイオン対を有する化合物であるのが好ましく、例えば、スルホニウムカチオン部位又はヨードニウムカチオン部位と非求核性のアニオン部位とからなるイオン対を有する化合物であるのが好ましい。

特定光分解性イオン化合物が含む上記イオン対の数としては特に制限されないが、形成されるパターンの解像性及び／又はＬＥＲ（line edge roughness）性能がより優れる点で、２個以上が好ましい。また、その上限値としては特に制限されないが、形成されるパターンの解像性及び／又はＬＥＲ性能がより優れる点で、２０個以下が好ましく、１０個以下がより好ましく、６個以下が更に好ましく、５個以下が特に好ましく、４個以下が最も好ましい。

特定光分解性イオン化合物は、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。
以下において、まず、低分子化合物である特定光分解性イオン化合物について説明する。

＜＜低分子化合物である特定光分解性イオン化合物＞＞
特定光分解性イオン化合物が低分子化合物である場合、特定光分解性イオン化合物の分子量としては、形成されるパターンの解像性及び／又はＬＥＲ性能がより優れる点で、５，０００以下が好ましく、３０００以下がより好ましく、２０００以下が更に好ましい。なお、下限値としては特に制限されないが、１００以上が好ましく、２００以上がより好ましく、３００以上が更に好ましい。

低分子化合物である特定光分解性イオン化合物としては、例えば、下記一般式（ＥＸ１）～（ＥＸ４）で表される化合物が挙げられる。
以下において、一般式（ＥＸ１）で表される化合物について説明する。
（一般式（ＥＸ１）で表される化合物）

一般式（ＥＸ１）中、Ｘ_Ｅ１は、単結合、又はｍ_Ｅ１価の連結基を表す。Ｌ_Ｅ１は、単結合又は２価の連結基を表す。ｍ_Ｅ１は、２～４の整数を表す。Ａ_Ｅ１ ^－は、アニオン部位を表す。Ｍ_Ｅ１ ^＋は、カチオン部位を表す。複数存在するＬ_Ｅ１、Ａ_Ｅ１ ^－、及びＭ_Ｅ１ ^＋は、各々同一であっても異なっていてもよい。
なお、一般式（ＥＸ１）中、Ａ_Ｅ１ ^－とＭ_Ｅ１ ^＋とはイオン対（塩構造）を構成している。また、Ｘ_Ｅ１が単結合を表す場合、ｍ_Ｅ１は２を表す。すなわち、Ｘ_Ｅ１が単結合を表す場合、上記一般式（ＥＸ１）は下記式で表される。

一般式（ＥＸ１）中、上記Ｘ_Ｅ１で表されるｍ_Ｅ１価の連結基としては特に制限されないが、例えば、下記（ＥＸ１－ａ１）～（ＥＸ１－ａ３）で表される連結基が挙げられる。なお、下記（ＥＸ１－ａ１）～（ＥＸ１－ａ３）中、＊は、上記一般式（ＥＸ１）中に明示されるＬ_Ｅ１との結合位置を表す。

上記（ＥＸ１－ａ１）～（ＥＸ１－ａ３）中、Ｘ_Ｅ１１、Ｘ_Ｅ１２、及びＸ_Ｅ１３は、各々独立に、有機基を表す。なお、上記Ｘ_Ｅ１１で表される有機基は、２価の連結基を構成する。言い換えると、上記Ｘ_Ｅ１１で表される有機基は、一般式（ＥＸ１）中のＬ_Ｅ１との結合位置（＊）を２個有する。同様に、上記Ｘ_Ｅ１２で表される有機基は３価の連結基を構成し、上記Ｘ_Ｅ１３で表される有機基は４価の連結基を構成する。
Ｘ_Ｅ１１、Ｘ_Ｅ１２、及びＸ_Ｅ１３で表される有機基としては、具体的には、ヘテロ原子（ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、及び硫黄原子が挙げられる。また、ヘテロ原子は、例えば、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ₂－、－ＮＲ^１－、－ＣＯ－、又はこれらを２種以上組み合わせた連結基の形態で含まれていてもよい。）を含んでいてもよい炭化水素から形成される炭化水素基が挙げられ、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、脂環基、芳香族炭化水素基、複素環基、又はこれらの複数を組み合わせた連結基が好ましい。
なお、上記Ｘ_Ｅ１１で表される有機基としてのヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基とは、上述のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素から水素原子を２つ除いて形成される２価の基を意味し、上記Ｘ_Ｅ１２で表される有機基としてのヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基とは、上述のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素から水素原子を３つ除いて形成される３価の基を意味し、上記Ｘ_Ｅ１３で表される有機基としてのヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基とは、上述のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素から水素原子を４つ除いて形成される４価の基を意味する。

上記Ｒ^１は、水素原子又は置換基を表す。上記置換基としては特に制限されないが、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１～６。直鎖状でも分岐鎖状でもよい。）が好ましい。

上記直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の炭素数としては特に制限されないが、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が更に好ましく、１～３が特に好ましい。
上記脂環基の炭素数としては特に制限されないが、３～３０が好ましく、６～２０がより好ましく、６～１５が更に好ましく、６～１２が特に好ましい。脂環基は、単環式及び多環式のいずれであってもよく、スピロ環であってもよい。単環式の脂環基を構成する脂環としては、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、及びシクロオクタン等の単環のシクロアルカンが挙げられる。多環式の脂環基を構成する脂環としては、例えば、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロデカン、テトラシクロドデカン、及びアダマンタン等の多環のシクロアルカンが挙げられる。
上記芳香族炭化水素基を構成する芳香族炭化水素環の炭素数としては特に制限されないが、６～３０が好ましく、６～２０がより好ましく、６～１５が更に好ましく、６～１２が特に好ましい。芳香族炭化水素基としては、単環式であってもよく、多環式であってもよい。上記芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環及びナフタレン環等が挙げられる。
上記複素環基を構成する複素環の炭素数としては特に制限されないが、３～２５が好ましく、３～２０がより好ましく、６～２０が更に好ましく、６～１５が特に好ましく、６～１０が最も好ましい。また、上記複素環としては、単環式及び多環式のいずれであってもよく、芳香族複素環及び脂肪族複素環のいずれであってもよい。更に、上記複素環は、スピロ環であってもよい。芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、及びピリジン環が挙げられる。脂肪族複素環としては、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環、スルトン環、及びデカヒドロイソキノリン環等が挙げられる。

上述した直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、脂環基、芳香族炭化水素基、及び複素環基は、更に置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、及びスルホン酸エステル基が挙げられる。

Ｘ_Ｅ１１としては、なかでも、単結合、置換基を有していてもよい直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、置換基を有していてもよい脂環基、又は置換基を有していてもよい脂肪族複素環基が好ましい。
Ｘ_Ｅ１２及びＸ_Ｅ１３としては、なかでも、置換基を有していてもよい直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、置換基を有していてもよい脂環基、又は置換基を有していてもよい脂肪族複素環基が好ましい。

一般式（ＥＸ１）中、Ｌ_Ｅ１で表される２価の連結基としては特に制限されないが、アルキレン基、アリーレン基、－ＣＯ－、－ＣＯＮＲ^Ｎ－、－Ｏ－、及び－Ｓ－からなる群より選ばれる１種以上又は２種以上を組み合わせた２価の連結基であるのが好ましく、アルキレン基、アリーレン基、－ＣＯ－、Ｏ－、及び－Ｓ－からなる群より選ばれる１種以上又は２種以上を組み合わせた２価の連結基であるのがより好ましく、アルキレン基、アリーレン基、－ＣＯＯ－、及び－Ｓ－からなる群より選ばれる１種以上又は２種以上を組み合わせた２価の連結基であるのが更に好ましい。
上記アルキレン基としては、直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。アルキレン基の炭素数としては、１～１０が好ましく、１～４がより好ましい。
上記アリーレン基としては、例えば、フェニレン基が挙げられる。
上記アルキレン基及び上記アリーレン基は、更に置換基を有していてもよい。置換基としては特に制限されないが、例えば、フッ素原子が挙げられる。なお、上記アルキレン基が置換基としてフッ素原子を含む場合、パーフルオロアルキレン基であってもよい。
なお、上記Ｒ^Ｎは、水素原子又は置換基を表す。上記置換基としては特に制限されないが、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１～６。直鎖状でも分岐鎖状でもよい。）が好ましい。

一般式（ＥＸ１）中、Ａ_Ｅ１ ^－は、アニオン部位を表す。
Ａ_Ｅ１ ^－で表されるアニオン部位としては特に制限されず、例えば、下記一般式（ＥＸ１－ｂ１）～（ＥＸ１－ｂ１０）で表されるアニオン性官能基が挙げられる。

一般式（ＥＸ１－ｂ１）～（ＥＸ１－ｂ１０）中、＊は結合位置を表す。
なお、一般式（ＥＸ１－ｂ９）における＊は、－ＣＯ－及び－ＳＯ_２－のいずれでもない基に対する結合位置であるのも好ましい。

一般式（ＥＸ１－ｂ３）～（ＥＸ１－ｂ７）、（ＥＸ１－ｂ９）中、Ｒ^Ａ１は、有機基を表す。
Ｒ^Ａ１としては、アルキル基（直鎖状でも分岐鎖状でもよい。炭素数は１～１５が好ましい。）、シクロアルキル基（単環でも多環でもよい。炭素数は３～２０が好ましい。）、又はアリール基（単環でも多環でもよい。炭素数は６～２０が好ましい。）が好ましい。また、Ｒ^Ａ１で表されるアルキル基、シクロアルキル基、及びアリール基は、更に置換基を有していてもよい。
なお、一般式（ＥＸ１－ｂ７）においてＲ^Ａ１中の、Ｎ^－と直接結合する原子は、－ＣＯ－における炭素原子、及び－ＳＯ_２－における硫黄原子のいずれでもないのも好ましい。

上記シクロアルキル基としては、例えば、ノルボルニル基、及びアダマンチル基が挙げられる。
上記シクロアルキル基が有してもよい置換基としては、アルキル基（直鎖状でも分岐鎖状でもよい。好ましくは炭素数１～５）が好ましい。また、上記シクロアルキル基は、環員原子である炭素原子のうちの１個以上が、カルボニル炭素原子で置き換わっていてもよい。

上記アルキル基の炭素数は１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。
上記アルキル基が有してもよい置換基としては、シクロアルキル基、フッ素原子、又はシアノ基が好ましい。なお、上記置換基としてのシクロアルキル基の例としては、Ｒ^Ａ１がシクロアルキル基である場合において説明したシクロアルキル基が同様に挙げられる。
上記アルキル基がフッ素原子を置換基として有する場合、上記アルキル基は、パーフルオロアルキル基となっていてもよい。
また、上記アルキル基は、１つ以上の－ＣＨ_２－がカルボニル基で置換されていてもよい。

上記アリール基としては、ベンゼン環基が好ましい。
上記アリール基が有してもよい置換基はとしては、アルキル基、フッ素原子、又はシアノ基が好ましい。上記置換基としてのアルキル基の例としては、Ｒ^Ａ１がシクロアルキル基である場合において説明したアルキル基が同様に挙げられ、パーフルオロアルキル基が好ましく、パーフルオロメチル基がより好ましい。

一般式（ＥＸ１－ｂ５）中のＲ^Ａ１は、パーフルオロアルキル基を表すのが好ましい。上記パーフルオロアルキル基の炭素数は１～１５が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６が更に好ましい。

一般式（ＥＸ１－ｂ８）中のＲ^Ａ２は、水素原子又は置換基を表す。上記置換基としては特に制限されないが、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１～６。直鎖状でも分岐鎖状でもよい。）が好ましい。

Ａ_Ｅ１ ^－としては、なかでも、（ＥＸ１－ｂ１）～（ＥＸ１－ｂ３）が好ましい。

一般式（ＥＸ１）中、Ｍ_Ｅ１ ^＋は、カチオン部位を表す。
Ｍ_Ｅ１ ^＋で表されるカチオン部位としては、感度、形成されるパターンの解像性、及び／又はＬＥＲがより優れる点で、一般式（ＺａＩ）で表される有機カチオン（カチオン（ＺａＩ））又は一般式（ＺａＩＩ）で表される有機カチオン（カチオン（ＺａＩＩ））が好ましい。

上記一般式（ＺａＩ）において、Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、及びＲ^２０３は、それぞれ独立に、有機基を表す。
Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、及びＲ^２０３としての有機基の炭素数は、通常１～３０であり、１～２０が好ましい。また、Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ^２０１～Ｒ^２０３の内の２つが結合して形成する基としては、例えば、アルキレン基（例えば、ブチレン基及びペンチレン基）、及び－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｏ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－が挙げられる。

一般式（ＺａＩ）における有機カチオンの好適な態様としては、後述する、カチオン（ＺａＩ－１）、カチオン（ＺａＩ－２）、一般式（ＺａＩ－３ｂ）で表される有機カチオン（カチオン（ＺａＩ－３ｂ））、及び一般式（ＺａＩ－４ｂ）で表される有機カチオン（カチオン（ＺａＩ－４ｂ））が挙げられる。

まず、カチオン（ＺａＩ－１）について説明する。
カチオン（ＺａＩ－１）は、上記一般式（ＺａＩ）のＲ^２０１～Ｒ^２０３の少なくとも１つがアリール基である、アリールスルホニウムカチオンである。
アリールスルホニウムカチオンは、Ｒ^２０１～Ｒ^２０３の全てがアリール基でもよいし、Ｒ^２０１～Ｒ^２０３の一部がアリール基であり、残りがアルキル基又はシクロアルキル基であってもよい。
また、Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のうちの１つがアリール基であり、Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のうちの残りの２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のうちの２つが結合して形成する基としては、例えば、１つ以上のメチレン基が酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、及び／又はカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基（例えば、ブチレン基、ペンチレン基、又は－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｏ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－）が挙げられる。
アリールスルホニウムカチオンとしては、例えば、トリアリールスルホニウムカチオン、ジアリールアルキルスルホニウムカチオン、アリールジアルキルスルホニウムカチオン、ジアリールシクロアルキルスルホニウムカチオン、及びアリールジシクロアルキルスルホニウムカチオンが挙げられる。

アリールスルホニウムカチオンに含まれるアリール基としては、フェニル基又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有するヘテロ環構造を有するアリール基であってもよい。ヘテロ環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、及びベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウムカチオンが２つ以上のアリール基を有する場合に、２つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
アリールスルホニウムカチオンが必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数１～１５の直鎖状アルキル基、炭素数３～１５の分岐鎖状アルキル基、又は炭素数３～１５のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、及びシクロヘキシル基等が挙げられる。

Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、それぞれ独立に、アルキル基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３～１５）、アリール基（例えば炭素数６～１４）、アルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキルアルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、ハロゲン原子、水酸基、及びフェニルチオ基が挙げられる。
上記置換基は可能な場合さらに置換基を有していてもよく、例えば、上記アルキル基が置換基としてハロゲン原子を有して、トリフルオロメチル基などのハロゲン化アルキル基となっていてもよい。

次に、カチオン（ＺａＩ－２）について説明する。
カチオン（ＺａＩ－２）は、式（ＺａＩ）におけるＲ^２０１～Ｒ^２０３が、それぞれ独立に、芳香環を有さない有機基を表すカチオンである。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含む芳香族環も包含する。
Ｒ^２０１～Ｒ^２０３としての芳香環を有さない有機基は、一般的に炭素数１～３０であり、炭素数１～２０が好ましい。
Ｒ^２０１～Ｒ^２０３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又はビニル基が好ましく、直鎖状又は分岐鎖状の２－オキソアルキル基、２－オキソシクロアルキル基、又はアルコキシカルボニルメチル基がより好ましく、直鎖状又は分岐鎖状の２－オキソアルキル基が更に好ましい。

Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、炭素数１～１０の直鎖状アルキル基又は炭素数３～１０の分岐鎖状アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、及びペンチル基）、並びに、炭素数３～１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びノルボルニル基）が挙げられる。
Ｒ^２０１～Ｒ^２０３は、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば炭素数１～５）、水酸基、シアノ基、又はニトロ基によって更に置換されていてもよい。

次に、カチオン（ＺａＩ－３ｂ）について説明する。
カチオン（ＺａＩ－３ｂ）は、下記一般式（ＺａＩ－３ｂ）で表されるカチオンである。

一般式（ＺａＩ－３ｂ）中、
Ｒ_１ｃ～Ｒ_５ｃは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基、又はアリールチオ基を表す。
Ｒ_６ｃ及びＲ_７ｃは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基（ｔ－ブチル基等）、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアリール基を表す。
Ｒ_ｘ及びＲ_ｙは、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、２－オキソアルキル基、２－オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基、又はビニル基を表す。

Ｒ_１ｃ～Ｒ_５ｃ中のいずれか２つ以上、Ｒ_５ｃとＲ_６ｃ、Ｒ_６ｃとＲ_７ｃ、Ｒ_５ｃとＲ_ｘ、及びＲ_ｘとＲ_ｙは、それぞれ結合して環を形成してもよく、この環は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、ケトン基、エステル結合、又はアミド結合を含んでいてもよい。
上記環としては、芳香族又は非芳香族の炭化水素環、芳香族又は非芳香族のヘテロ環、及びこれらの環が２つ以上組み合わされてなる多環縮合環が挙げられる。環としては、３～１０員環が挙げられ、４～８員環が好ましく、５又は６員環がより好ましい。

Ｒ_１ｃ～Ｒ_５ｃ中のいずれか２つ以上、Ｒ_６ｃとＲ_７ｃ、及びＲ_ｘとＲ_ｙが結合して形成する基としては、ブチレン基及びペンチレン基等のアルキレン基が挙げられる。このアルキレン基中のメチレン基が酸素原子等のヘテロ原子で置換されていてもよい。
Ｒ_５ｃとＲ_６ｃ、及びＲ_５ｃとＲ_ｘが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基が好ましい。アルキレン基としては、メチレン基及びエチレン基等が挙げられる。

次に、カチオン（ＺａＩ－４ｂ）について説明する。
カチオン（ＺａＩ－４ｂ）は、下記一般式（ＺａＩ－４ｂ）で表されるカチオンである。

一般式（ＺａＩ－４ｂ）中、
ｌは０～２の整数を表す。
ｒは０～８の整数を表す。
Ｒ_１３は、水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基（シクロアルキル基そのものであってもよく、シクロアルキル基を一部に含む基であってもよい。）を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
Ｒ_１４は、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基（シクロアルキル基そのものであってもよく、シクロアルキル基を一部に含む基であってもよい。）を表す。これらの基は置換基を有してもよい。Ｒ_１４は、複数存在する場合はそれぞれ独立して、水酸基等の上記基を表す。
Ｒ_１５は、それぞれ独立して、アルキル基、シクロアルキル基、又はナフチル基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。２つのＲ_１５が互いに結合して環を形成してもよい。２つのＲ_１５が互いに結合して環を形成するとき、環骨格内に、酸素原子、又は窒素原子等のヘテロ原子を含んでもよい。一態様において、２つのＲ_１５がアルキレン基であり、互いに結合して環構造を形成するのが好ましい。

一般式（ＺａＩ－４ｂ）において、Ｒ_１３、Ｒ_１４、及びＲ_１５のアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状である。アルキル基の炭素数は、１～１０が好ましい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、又はｔ－ブチル基等がより好ましい。

次に、一般式（ＺａＩＩ）について説明する。
一般式（ＺａＩＩ）中、Ｒ^２０４及びＲ^２０５は、それぞれ独立に、アリール基、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアリール基としてはフェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有するヘテロ環を有するアリール基であってもよい。ヘテロ環を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、及びベンゾチオフェン等が挙げられる。
Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数１～１０の直鎖状アルキル基又は炭素数３～１０の分岐鎖状アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、又はペンチル基）、又は炭素数３～１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、又はノルボルニル基）が好ましい。

Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい。Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３～１５）、アリール基（例えば炭素数６～１５）、アルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、ハロゲン原子、水酸基、及びフェニルチオ基等が挙げられる。

一般式（ＥＸ１）中のＭ_Ｅ１ ^＋で表されるカチオン部位の具体例としては、例えば、特開２０１３－１２７５２６号公報の段落［０１７７］－［０１８８］、［０１９３］、［０１９７］等に開示されたものが挙げられる。

（一般式（ＥＸ２）で表される化合物）

一般式（ＥＸ２）中、Ｘ_Ｅ２は、単結合、又はｍ_Ｅ２価の連結基を表す。Ｌ_Ｅ２は、単結合又は２価の連結基を表す。ｍ_Ｅ２は、２～４の整数を表す。Ｍ_Ｅ２ ^＋は、カチオン部位を表す。Ａ_Ｅ２ ^－は、アニオン部位を表す。複数存在するＬ_Ｅ２、Ｍ_Ｅ２ ^＋、及びＡ_Ｅ２ ^－は、各々同一であっても異なっていてもよい。
なお、一般式（ＥＸ２）中、Ｍ_Ｅ２ ^＋とＡ_Ｅ２ ^－とはイオン対（塩構造）を構成している。また、上述した一般式（ＥＸ１）におけるＸ_Ｅ１と同様に、Ｘ_Ｅ２が単結合を表す場合、ｍ_Ｅ２は２を表す。

一般式（ＥＸ２）中のＸ_Ｅ２で表されるｍ_Ｅ２価の連結基、Ｌ_Ｅ２で表される２価の連結基としては、各々、一般式（ＥＸ１）中のＸ_Ｅ１で表されるｍ_Ｅ２価の連結基及びＬ_Ｅ１で表される２価の連結基と同じのものが挙げられ、また好適態様も同じである。

一般式（ＥＸ２）中のＡ_Ｅ２ ^－で表されるアニオン部位としては、例えば、下記一般式（ＥＸ２－ａ１）で表される有機アニオン、下記一般式（ＥＸ２－ａ２）で表される有機アニオン、下記一般式（ＥＸ２－ａ３）で表される有機アニオン、下記一般式（ＥＸ２－ａ４）で表される有機アニオン、及び下記一般式（ＥＸ２－ａ５）で表される有機アニオンが挙げられる。

一般式（ＥＸ２－ａ１）中、Ｒ^５１は、１価の有機基を表す。
Ｒ^５１で表される１価の有機基としては、具体的には、ヘテロ原子（ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、及び硫黄原子が挙げられる。また、ヘテロ原子は、例えば、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ₂－、－ＮＲ^Ａ－、－ＣＯ－、又はこれらを２種以上組み合わせた連結基の形態で含まれていてもよい。）を含んでいてもよい炭化水素から水素原子を１つ除いて形成される炭化水素基が挙げられ、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、脂環基、芳香族炭化水素基、又は複素環基が好ましい。
なお、上記Ｒ^Ａは、水素原子又は置換基を表す。置換基としては特に制限されないが、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１～６。直鎖状でも分岐鎖状でもよい。）が好ましい。
また、上述の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、脂環基、芳香族炭化水素基、及び複素環基は、更に置換基を有していてもよい。
上述した直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、脂環基、芳香族炭化水素基、及び複素環基、並びにこれらが有していてもよい置換基の具体例としては、上述した一般式（ＥＸ１－ａ１）～（ＥＸ１－ａ３）中、Ｘ_Ｅ１１、Ｘ_Ｅ１２、及びＸ_Ｅ１３で表されるヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基の一例として示した直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、脂環基、芳香族炭化水素基、及び複素環基、並びにこれらが有していてもよい置換基と各々同じである。
なお、Ｒ^５１で表される直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、及びアルキニル基のいずれであってもよいが、アルキル基が好ましい。上記アルキル基の炭素数としては、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が更に好ましい。Ｒ^５１で表される芳香族炭化水素基としては、フェニル基又はナフチル基が好ましい。

一般式（ＥＸ２－ａ２）中、Ｚ^２ｃは、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～３０の１価の炭化水素基を表す。
ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、及び硫黄原子が挙げられる。また、ヘテロ原子は、例えば、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ₂－、－ＮＲ^Ａ－、－ＣＯ－、又はこれらを２種以上組み合わせた連結基の形態で含まれていてもよい。なお、上記Ｒ^Ａは、水素原子又は置換基を表す。置換基としては特に制限されないが、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１～６。直鎖状でも分岐鎖状でもよい。）が好ましい。

上記炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、脂環基、芳香族炭化水素基、又は複素環基が好ましい。なお、上述の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、脂環基、芳香族炭化水素基、及び複素環基は、更に置換基を有していてもよい。
上述した直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、脂環基、芳香族炭化水素基、及び複素環基、並びにこれらが有していてもよい置換基の具体例としては、上述した一般式（ＥＸ１－ａ１）～（ＥＸ１－ａ３）中、Ｘ_Ｅ１１、Ｘ_Ｅ１２、及びＸ_Ｅ１３で表されるヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基の一例として示した直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、脂環基、芳香族炭化水素基、及び複素環基、並びにこれらが有していてもよい置換基と各々同じである。
上記Ｚ^２ｃで表されるヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～３０の１価の炭化水素基としては、例えば、置換基を有していてもよいアルキル基、又は、置換基を有していてもよいノルボルニル基を有する基が好ましい。上記ノルボルニル基を形成する炭素原子は、カルボニル炭素であってもよい。

一般式（ＥＸ２－ａ３）中、Ｒ^５２は、１価の有機基を表す。
Ｒ^５２で表される１価の有機基としては、上述したＲ^５１で表される１価の有機基と同様のものが挙げられる。
Ｙ^３は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、又はカルボニル基を表す。
Ｙ^３で表される直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基の炭素数としては、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が更に好ましく、１～３が特に好ましい。
Ｙ^３で表されるシクロアルキレン基の炭素数としては、６～２０が好ましく、６～１２がより好ましい。
Ｙ^３で表されるアリーレン基の炭素数としては、６～２０が好ましく、６～１０がより好ましい。
Ｙ^３で表される直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、シクロアルキレン基、及びアリーレン基は更に置換基を有していてもよい。置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１～５のフッ素化アルキル基等が挙げられる。
Ｒｆは、フッ素原子を含む炭化水素基を表す。
Ｒｆで表されるフッ素原子を含む炭化水素基としては、フッ素化アルキル基（炭素数としては、１～１０が好ましく、１～６がより好ましい。）が好ましい。

一般式（ＥＸ２－ａ４）中、Ｒ^５３は、１価の置換基を表す。置換基としては特に制限されず、例えば、アルキル基、アルコキシ基、及びフッ素原子等が挙げられる。
ｐは、０～５の整数を表す。ｐとしては０～３が好ましく、０がより好ましい。

一般式（ＥＸ２－ａ５）中、Ｒ^５３は、フッ素原子を含む炭化水素基を表す。
Ｒ^５３で表されるフッ素原子を含む炭化水素基としては、フッ素化アルキル基（炭素数としては、１～１０が好ましく、１～６がより好ましい。）が好ましく、パーフルオロアルキル基がより好ましい。
Ｙ^４は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、又はカルボニル基を表す。
Ｙ^４で表される直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基の炭素数としては、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が更に好ましく、１～３が特に好ましい。
Ｙ^４で表されるシクロアルキレン基の炭素数としては、６～２０が好ましく、６～１２がより好ましい。
Ｙ^４で表されるアリーレン基の炭素数としては、６～２０が好ましく、６～１０がより好ましい。
Ｙ^４で表される直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、シクロアルキレン基、及びアリーレン基は更に置換基を有していてもよい。置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１～５のフッ素化アルキル基等が挙げられる。
Ｒｇは、１価の有機基を表す。
Ｒｇで表される１価の有機基としては、上述したＲ^５１で表される１価の有機基と同様のものが挙げられる。

一般式（ＥＸ２）中のＡ_Ｅ２ ^－で表されるアニオン部位の具体例としては、例えば、特開２０１３－１２７５２６号公報の段落［０２１５］－［０２１６］、［０２２０］、［０２２９］－［０２３０］等に開示されたものが挙げられる。

一般式（ＥＸ２）中のＭ_Ｅ２ ^＋は、カチオン部位を表す。
Ｍ_Ｅ２ ^＋で表されるカチオン部位としては、感度、形成されるパターンの解像性、及び／又はＬＥＲがより優れる点で、一般式（ＥＸ２－ｂ１）で表されるカチオン部位又は一般式（ＥＸ２－ｂ１）で表されるカチオン部位が好ましい。

上記一般式（ＥＸ２－ｂ１）において、Ｒ^３０１及びＲ^３０２は、それぞれ独立に、有機基を表す。
Ｒ^３０１及びＲ^３０２としての有機基の炭素数は、通常１～３０であり、１～２０が好ましい。また、Ｒ^３０１及びＲ^３０２が結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ^３０１及びＲ^３０２が結合して形成する基としては、例えば、アルキレン基（例えば、ブチレン基及びペンチレン基）、及び－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｏ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－が挙げられる。
なお、一般式（ＥＸ２）中に明示されるＬ_Ｅ２が２価の連結基を表す場合、Ｒ^３０１及びＲ^３０２は、各々独立して、上記Ｌ_Ｅ２と互いに結合して環状構造を形成してもよい。Ｌ_Ｅ２で表される２価の連結基と、Ｍ_Ｅ２ ^＋でとしての一般式（ＥＸ２－ｂ１）で表されるカチオン部位との組み合わせの好適形態としては、Ｌ_Ｅ２で表される２価の連結基中の一般式（ＥＸ２－ｂ１）で表されるカチオン部位との連結部位が（以下「特定連結部位」ともいう。）がアリーレン基であり、且つ、Ｒ^３０１及びＲ^３０２もアリール基である形態、又は、特定連結部位がアリーレン基であり、且つ、Ｒ^３０１及びＲ^３０２が互いに結合して上述した環構造を形成する形態が挙げられる。
Ｒ^３０１及びＲ^３０２としては、なかでも、アリール基であるのが好ましく、フェニル基又はナフチル基であるのがより好ましく、フェニル基であるのが更に好ましい。
なお、Ｒ^３０１及びＲ^３０２で表されるアリール基は、更に置換基を有していてもよい。上記置換基としては、それぞれ独立に、アルキル基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３～１５）、アリール基（例えば炭素数６～１４）、アルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキルアルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、ハロゲン原子、水酸基、及びフェニルチオ基が挙げられる。なお、上記置換基は可能な場合さらに置換基を有していてもよく、例えば、上記アルキル基が置換基としてハロゲン原子を有して、トリフルオロメチル基などのハロゲン化アルキル基となっていてもよい。

一般式（ＥＸ２－ｂ２）中、Ｒ^３０３は、アリール基、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ^３０３のアリール基としては、フェニル基又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。Ｒ^３０３のアリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有するヘテロ環を有するアリール基であってもよい。ヘテロ環を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、及びベンゾチオフェン等が挙げられる。
Ｒ^３０３で表されるアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数１～１０の直鎖状アルキル基又は炭素数３～１０の分岐鎖状アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、又はペンチル基）、又は炭素数３～１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、又はノルボルニル基）が好ましい。

Ｒ^３０３で表されるアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。Ｒ^３０３のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３～１５）、アリール基（例えば炭素数６～１５）、アルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、ハロゲン原子、水酸基、及びフェニルチオ基等が挙げられる。

一般式（ＥＸ２）で表される化合物としては、なかでも、下記一般式（ＥＸ２―Ａ）で表される化合物であるのが好ましい。

一般式（ＥＸ２－Ａ）中、Ｘ_Ｅ２、Ｌ_Ｅ２１、Ａ_Ｅ２ ^－、及びｍ_Ｅ２としては、一般式（ＥＸ２）中のＸ_Ｅ２、Ｌ_Ｅ２、Ａ_Ｅ２ ^－、及びｍ_Ｅ２と同義である。
Ｍ_Ｅ２ ^＋は、上述した一般式（ＥＸ２－ｂ１）で表されるカチオン部位を表す。

一般式（ＥＸ２－Ａ）中のＬ_Ｅ２２は、置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。
Ｌ_Ｅ２２で表されるアリーレン基としては、フェニレン基又はナフチレン基が好ましく、フェニレン基がより好ましい。
Ｌ_Ｅ２２で表されるアリーレン基が有していてもよい置換基としては、それぞれ独立に、アルキル基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３～１５）、アリール基（例えば炭素数６～１４）、アルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキルアルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、ハロゲン原子、水酸基、及びフェニルチオ基が挙げられる。なお、上記置換基は可能な場合さらに置換基を有していてもよく、例えば、上記アルキル基が置換基としてハロゲン原子を有して、トリフルオロメチル基などのハロゲン化アルキル基となっていてもよい。

（一般式（ＥＸ３）で表される化合物）

一般式（ＥＸ３）中、Ｘ_Ｅ３は、単結合、又はｍ_Ｅ３価の連結基を表す。Ｌ_Ｅ３は、単結合又は２価の連結基を表す。ｍ_Ｅ３は、２～４の整数を表す。Ｑ_Ｅ１は、アニオン部位とカチオン部位とを含み、且つアニオン部位とカチオン部位とが非塩構造のイオン対を構成している有機基を表す。言い換えると、Ｑ_Ｅ１は、カチオン部位とアニオン部位とが共有結合で連結してなる有機基を表す。複数存在するＬ_Ｅ３及びＱ_Ｅ１は、各々同一であっても異なっていてもよい。また、上述した一般式（ＥＸ１）におけるＸ_Ｅ１と同様に、Ｘ_Ｅ３が単結合を表す場合、ｍ_Ｅ３は２を表す。

一般式（ＥＸ３）中のＸ_Ｅ３で表されるｍ_Ｅ３価の連結基、Ｌ_Ｅ３で表される２価の連結基としては、一般式（ＥＸ１）中のＸ_Ｅ１で表されるｍ_Ｅ１価の連結基及びＬ_Ｅ１で表される２価の連結基と同じのものが挙げられ、また好適態様も同じである。

一般式（ＥＸ３）中のＱ_Ｅ１で表される上記有機基としては、例えば、下記一般式（ＥＸ３－１）及び下記一般式（ＥＸ３－２）が挙げられる。

一般式（ＥＸ３－１）中、Ｌ_Ｅ４は、単結合又は２価の連結基を表す。Ａ_Ｅ３ ^－は、アニオン部位を表す。Ｍ_Ｅ３ ^＋は、カチオン部位を表す。＊は、一般式（ＥＸ３）中に明示されるＸ_Ｅ３との結合位置を表す。
一般式（ＥＸ３－２）中、Ｌ_Ｅ５は、単結合又は２価の連結基を表す。Ａ_Ｅ４ ^－は、アニオン部位を表す。Ｍ_Ｅ４ ^＋は、カチオン部位を表す。＊は、一般式（ＥＸ３）中に明示されるＸ_Ｅ３との結合位置を表す。

一般式（ＥＸ３－１）及び一般式（ＥＸ３－２）中のＬ_Ｅ４及びＬ_Ｅ５としては、一般式（ＥＸ１）中のＬ_Ｅ１と同じのものが挙げられ、また好適態様も同じである。

一般式（ＥＸ３－１）中のＭ_Ｅ３ ^＋としては、一般式（ＥＸ２）中のＭ_Ｅ２ ^＋と同じのものが挙げられ、また好適態様も同じである。なお、一般式（ＥＸ３－１）中に明示されるＬ_Ｅ４が２価の連結基を表し、Ｍ_Ｅ３ ^＋が一般式（ＥＸ２－ｂ１）で表されるカチオン部位を表す場合、Ｍ_Ｅ３ ^＋としての一般式（ＥＸ２－ｂ１）で表されるカチオン部位中のＲ^３０１及びＲ^３０２は、各々独立して、上記Ｌ_Ｅ２と互いに結合して環状構造を形成してもよい。上記Ｌ_Ｅ４で表される２価の連結基と、上記Ｍ_Ｅ３ ^＋としての一般式（ＥＸ２－ｂ１）で表されるカチオン部位中のＲ^３０１及びＲ^３０２との組み合わせの好適形態も、上述した一般式（ＥＸ２）における、Ｌ_Ｅ２で表される２価の連結基と、Ｍ_Ｅ２ ^＋としての一般式（ＥＸ２－ｂ１）で表されるカチオン部位中のＲ^３０１及びＲ^３０２との組み合わせの好適形態と同様である。

一般式（ＥＸ３－２）中のＡ_Ｅ４ ^－としては、一般式（ＥＸ１）中のＡ_Ｅ１ ^－と同じのものが挙げられ、また好適態様も同じである。

一般式（ＥＸ３－１）中、Ａ_Ｅ３ ^－は、アニオン部位を表す。
Ａ_Ｅ３ ^－で表されるアニオン部位としては特に制限されず、例えば、下記一般式（ＥＸ３－ａ１）～（ＥＸ３－ａ１９）で表されるアニオン性官能基が挙げられる。

一般式（ＥＸ３－２）中、Ｍ_Ｅ４ ^＋は、カチオン部位を表す。
Ｍ_Ｅ４ ^＋で表されるカチオン部位としては、感度、形成されるパターンの解像性、及び／又はＬＥＲがより優れる点で、一般式（ＥＸ３－ｂ１）で表されるカチオン部位又は一般式（ＥＸ３－ｂ１）で表されるカチオン部位が好ましい。

上記一般式（ＥＸ２－ｂ１）において、Ｒ^４０１は、有機基を表す。
Ｒ^４０１としての有機基の炭素数は、通常１～３０であり、１～２０が好ましい。
Ｒ^４０１としては、アルキル基、シクロアルキル基、及びアリール基が挙げられ、アリール基であるのが好ましく、フェニル基又はナフチル基であるのがより好ましく、フェニル基であるのが更に好ましい。なお、Ｒ^４０１で表されるアリール基は、更に置換基を有していてもよい。上記置換基としては、それぞれ独立に、アルキル基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３～１５）、アリール基（例えば炭素数６～１４）、アルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキルアルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、ハロゲン原子、水酸基、及びフェニルチオ基が挙げられる。なお、上記置換基は可能な場合さらに置換基を有していてもよく、例えば、上記アルキル基が置換基としてハロゲン原子を有して、トリフルオロメチル基などのハロゲン化アルキル基となっていてもよい。
なお、一般式（ＥＸ３）中に明示されるＱ_Ｅ１が一般式（ＥＸ３－２）を表し、一般式（ＥＸ３）中に明示されるＬ_Ｅ３及び一般式（ＥＸ３－２）中に明示されるＬ_Ｅ５が２価の連結基を表し、且つ、一般式（ＥＸ３－２）中に明示されるＭ_Ｅ４ ^＋が一般式（ＥＸ２－ｂ１）を表す場合、Ｌ_Ｅ３で表される２価の連結基と、Ｌ_Ｅ５で表される２価の連結基と、Ｍ_Ｅ４ ^＋でとしての一般式（ＥＸ３－ｂ１）で表されるカチオン部位との組み合わせの好適形態としては、Ｌ_Ｅ３で表される２価の連結基中の一般式（ＥＸ３－ｂ１）で表されるカチオン部位との連結位置と、Ｌ_Ｅ５で表される２価の連結基中の一般式（ＥＸ３－ｂ１）で表されるカチオン部位との連結位置がアリーレン基であり、且つ、Ｒ^３０１がアリール基である形態が挙げられる。

一般式（ＥＸ３）で表される化合物としては、なかでも、下記一般式（ＥＸ３―Ａ）で表される化合物であるのが好ましい。

一般式（ＥＸ３－Ａ）中、Ｘ_Ｅ３、Ｌ_Ｅ３１、及びｍ_Ｅ３としては、一般式（ＥＸ３）中のＸ_Ｅ３、Ｌ_Ｅ３、及びｍ_Ｅ３と同義である。
Ｌ_Ｅ５２及びＡ_Ｅ４ ^－としては、一般式（ＥＸ３－２）中のＬ_Ｅ５及びＡ_Ｅ４ ^－と同義である。
Ｍ_Ｅ４ ^＋は、上述した一般式（ＥＸ３－ｂ１）で表されるカチオン部位を表す。

一般式（ＥＸ３－Ａ）中のＬ_Ｅ３２及びＬ_Ｅ５１は、置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。
一般式（ＥＸ３－Ａ）中のＬ_Ｅ３２及びＬ_Ｅ５１で表されるアリーレン基及び上記アリーレン基が有していてもよい置換基としては、一般式（ＥＸ２－Ａ）中のＬ_Ｅ２２で表されるアリーレン基及び上記アリーレン基が有していてもよい置換基と同じであり、好適態様も同じである。

（一般式（ＥＸ４）で表される化合物）
一般式（ＥＸ４）：Ｍ_Ｅ５ ^＋Ａ_Ｅ５ ^－
一般式（ＥＸ４）中のＭ_Ｅ５ ^＋及びＡ_Ｅ５ ^－は、一般式（ＥＸ１）中のＭ_Ｅ１ ^＋、及び一般式（ＥＸ２）中のＡ_Ｅ２ ^－と同義であり、好適態様も同じである。
なお、一般式（ＥＸ４）中、Ａ_Ｅ１ ^－とＭ_Ｅ１ ^＋とはイオン対（塩構造）を構成している。

以下において、低分子化合物である特定光分解性イオン化合物の具体例を挙げるがこれに制限されない。

＜＜高分子化合物である特定光分解性イオン化合物＞＞
特定光分解性イオン化合物が高分子化合物である場合、特定光分解性イオン化合物の重量平均分子量としては、ＧＰＣ法によりポリスチレン換算値として、２０００超が好ましく、２，０００超２００，０００以下が好ましく、２，０００超２０，０００以下がより好ましく、２，０００超１５，０００以下が更に好ましい。

高分子化合物である特定光分解性イオン化合物としては特に制限されず、例えば、特開２０１７－１４６５２１号公報の段落［０１０１］～段落［０１０２］に記載のモノマーを含むポリマーが挙げられる。

特定レジスト組成物中の特定光分解性イオン化合物の含有量（複数含まれる場合にはその合計含有量）は、組成物の全固形分に対して、０．１～４０．０質量％が好ましく、０．１～３０．０質量％がより好ましく、２．０～３０．０質量％が更に好ましく、５．０～３０．０質量％が特に好ましい。
なお、固形分とは、組成物中の溶剤を除いた成分を意図し、溶剤以外の成分であれば液状成分であっても固形分とみなす。
また、特定光分解性イオン化合物は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を使用してもよい。

＜特定樹脂＞
特定レジスト組成物は、極性基を有する樹脂（特定樹脂）を含む。
（極性基）
極性基としては、ｐＫａが１３以下の酸基であるのが好ましい。
極性基としては、例えば、フェノール性水酸基、カルボキシ基、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基）、スルホン酸基、スルホンアミド基、又はイソプロパノール基が好ましい。
また、上記ヘキサフルオロイソプロパノール基は、フッ素原子の１つ以上（好ましくは１～２つ）が、フッ素原子以外の基（アルコキシカルボニル基等）で置換されてもよい。このように形成された－Ｃ（ＣＦ_３）（ＯＨ）－ＣＦ_２－も、酸基として好ましい。また、フッ素原子の１つ以上がフッ素原子以外の基に置換されて、－Ｃ（ＣＦ_３）（ＯＨ）－ＣＦ_２－を含む環を形成してもよい。

（極性基を有する繰り返し単位Ｘ１）
特定樹脂は、形成されるパターンの解像性及び／又はＬＥＲ性能がより優れる点で、極性基を有する繰り返し単位Ｘ１（以下「繰り返し単位Ｘ１」ともいう。）を含むのが好ましい。繰り返し単位Ｘ１が含む極性基としては、既述のとおりである。なお、繰り返し単位Ｘ１は、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい。

繰り返し単位Ｘ１としては、式（Ｂ）で表される繰り返し単位が好ましい。

Ｒ_３は、水素原子、又はフッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよい１価の有機基を表す。
フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい１価の有機基としては、－Ｌ_４－Ｒ_８で表される基が好ましい。Ｌ_４は、単結合、又はエステル基を表す。Ｒ_８は、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアルキル基、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいシクロアルキル基、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアリール基、又はこれらを組み合わせた基が挙げられる。

Ｒ_４及びＲ_５は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、ヨウ素原子、又はフッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアルキル基を表す。

Ｌ_２は、単結合又はエステル基を表す。
Ｌ_３は、（ｎ＋ｍ＋１）価の芳香族炭化水素環基、又は（ｎ＋ｍ＋１）価の脂環式炭化水素環基を表す。芳香族炭化水素環基としては、ベンゼン環基及びナフタレン環基が挙げられる。脂環式炭化水素環基としては、単環であっても多環であってもよく、例えば、シクロアルキル環基が挙げられる。
Ｒ_６は、水酸基、カルボキシ基、又はフッ素化アルコール基（好ましくは、ヘキサフルオロイソプロパノール基）を表す。なお、Ｒ_６が水酸基の場合、Ｌ_３は（ｎ＋ｍ＋１）価の芳香族炭化水素環基であることが好ましい。
Ｒ_６は、水酸基又はカルボキシ基であるのが好ましく、水酸基であるのがより好ましく、Ｒ_６が水酸基であり、且つ、Ｌ_３が（ｎ＋ｍ＋１）価の芳香族炭化水素環基であるのが更に好ましい。
Ｒ_７は、ハロゲン原子を表す。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子が挙げられる。
ｍは、１以上の整数を表す。ｍは、１～３の整数が好ましく、１～２の整数が好ましい。
ｎは、０又は１以上の整数を表す。ｎは、１～４の整数が好ましい。
なお、（ｎ＋ｍ＋１）は、１～５の整数が好ましい。

繰り返し単位Ｘ１としては、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位も好ましい。

一般式（Ｉ）中、
Ｒ_４１、Ｒ_４２及びＲ_４３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、Ｒ_４２はＡｒ_４と結合して環を形成していてもよく、その場合のＲ_４２は単結合又はアルキレン基を表す。
Ｘ_４は、単結合、－ＣＯＯ－、又は－ＣＯＮＲ_６４－を表し、Ｒ_６４は、水素原子又はアルキル基を表す。
Ｌ_４は、単結合又はアルキレン基を表す。
Ａｒ_４は、（ｎ＋１）価の芳香環基を表し、Ｒ_４２と結合して環を形成する場合には（ｎ＋２）価の芳香環基を表す。
ｎは、１～５の整数を表す。

一般式（Ｉ）におけるＲ_４１、Ｒ_４２、及びＲ_４３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ヘキシル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基、及びドデシル基等の炭素数２０以下のアルキル基が好ましく、炭素数８以下のアルキル基がより好ましく、炭素数３以下のアルキル基が更に好ましい。

一般式（Ｉ）におけるＲ_４１、Ｒ_４２、及びＲ_４３のシクロアルキル基としては、単環型でも多環型でもよい。なかでも、シクロプロピル基、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の炭素数３～８個で単環型のシクロアルキル基が好ましい。
一般式（Ｉ）におけるＲ_４１、Ｒ_４２、及びＲ_４３のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
一般式（Ｉ）におけるＲ_４１、Ｒ_４２、及びＲ_４３のアルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記Ｒ_４１、Ｒ_４２、及びＲ_４３におけるアルキル基と同様のものが好ましい。

上記各基における好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、水酸基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、及びニトロ基が挙げられる。置換基の炭素数は８以下が好ましい。

Ａｒ_４は、（ｎ＋１）価の芳香環基を表す。ｎが１である場合における２価の芳香環基は、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基、及びアントラセニレン基等の炭素数６～１８のアリーレン基、又はチオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、トリアジン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、及びチアゾール環等のヘテロ環を含む２価の芳香環基が好ましい。なお、上記芳香環基は、置換基を有していてもよい。

ｎが２以上の整数である場合における（ｎ＋１）価の芳香環基の具体例としては、２価の芳香環基の上記した具体例から、（ｎ－１）個の任意の水素原子を除してなる基が挙げられる。
（ｎ＋１）価の芳香環基は、更に置換基を有していてもよい。

上述したアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルキレン基、及び（ｎ＋１）価の芳香環基が有し得る置換基としては、例えば、一般式（Ｉ）におけるＲ_４１、Ｒ_４２、及びＲ_４３で挙げたアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、及びブトキシ基等のアルコキシ基；フェニル基等のアリール基；等が挙げられる。
Ｘ_４により表される－ＣＯＮＲ_６４－（Ｒ_６４は、水素原子又はアルキル基を表す）におけるＲ_６４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ヘキシル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基、及びドデシル基等の炭素数２０以下のアルキル基が挙げられ、炭素数８以下のアルキル基が好ましい。
Ｘ_４としては、単結合、－ＣＯＯ－、又は－ＣＯＮＨ－が好ましく、単結合又は－ＣＯＯ－がより好ましい。

Ｌ_４におけるアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、及びオクチレン基等の炭素数１～８のアルキレン基が好ましい。
Ａｒ_４としては、炭素数６～１８の芳香環基が好ましく、ベンゼン環基、ナフタレン環基、及びビフェニレン環基がより好ましい。
一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位は、ヒドロキシスチレン構造を備えていることが好ましい。即ち、Ａｒ_４は、ベンゼン環基であることが好ましい。

一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位としては、下記一般式（１）で表される繰り返し単位が好ましい。

一般式（１）中、
Ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。
Ｒは、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、又はアリールオキシカルボニル基を表し、複数個ある場合には同じであっても異なっていてもよい。複数のＲを有する場合には、互いに共同して環を形成していてもよい。Ｒとしては水素原子が好ましい。
ａは、１～３の整数を表す。
ｂは、０～（５－ａ）の整数を表す。

以下、繰り返し単位Ｘ１を例示する。式中、Ｒは、水素原子又は置換基（置換基としては、ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基が好ましい。）を表し、ａは、１又は２を表す。

なお、上記繰り返し単位のなかでも、以下に具体的に記載する繰り返し単位が好ましい。式中、Ｒは、水素原子又はメチル基を表し、ａは、２又は３を表す。

繰り返し単位Ｘ１の含有量（複数種含まれる場合はその合計含有量）は、特定樹脂中の全繰り返し単位に対し、例えば、４０～１００モル％であり、５０～１００モル％が好ましく、６０～１００モル％がより好ましいく、７０～１００モル％が更に好ましく、８０～１００モル％が特に好ましく、９０～１００モル％が最も好ましい。

（その他の繰り返し単位）
特定樹脂は、上述した繰り返し単位Ｘ１以外のその他の繰り返し単位を含んでいてもよい。以下において、その他の繰り返し単位について説明する。

≪酸の作用によって有機溶剤系現像液に対する溶解性が低下する繰り返し単位Ｘ２≫
特定樹脂は、酸の作用によって有機溶剤系現像液に対する溶解性が低下する繰り返し単位Ｘ２（以下「繰り返し単位Ｘ２」ともいう。）を含んでいてもよい。

繰り返し単位Ｘ２は、酸の作用により分解して極性基を生じる基（以下「酸分解性基」ともいう。）を含むのが好ましい。酸分解性基としては、酸の作用により脱離する脱離基で極性基が保護された構造であるのが好ましい。繰り返し単位Ｘ２は、上記構成により、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤に対する溶解度が減少する。
上記極性基としては、アルカリ可溶性基が好ましく、例えば、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、リン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及びトリス（アルキルスルホニル）メチレン基等の酸性基、並びにアルコール性水酸基等が挙げられる。
なかでも、極性基としては、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基）、又はスルホン酸基が好ましい。

酸の作用により脱離する脱離基としては、例えば、式（Ｙ１）～（Ｙ４）で表される基が挙げられる。
式（Ｙ１）：－Ｃ（Ｒｘ_１）（Ｒｘ_２）（Ｒｘ_３）
式（Ｙ２）：－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（Ｒｘ_１）（Ｒｘ_２）（Ｒｘ_３）
式（Ｙ３）：－Ｃ（Ｒ_３６）（Ｒ_３７）（ＯＲ_３８）
式（Ｙ４）：－Ｃ（Ｒｎ）（Ｈ）（Ａｒ）

式（Ｙ１）及び式（Ｙ２）中、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、アルキル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）、シクロアルキル基（単環若しくは多環）、アルケニル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）、又はアリール基（単環若しくは多環）を表す。なお、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の全てがアルキル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）である場合、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のうち少なくとも２つはメチル基であることが好ましい。
なかでも、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表すことが好ましく、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、直鎖状のアルキル基を表すことがより好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して、単環又は多環を形成してもよい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及びｔ－ブチル基等の炭素数１～５のアルキル基が好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びにノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアリール基としては、炭素数６～１０のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等が挙げられる。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルケニル基としては、ビニル基が好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成される環としては、シクロアルキル基が好ましい。Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、若しくは、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、若しくは、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基がより好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基、又はビニリデン基で置き換わっていてもよい。また、これらのシクロアルキル基は、シクロアルカン環を構成するエチレン基の１つ以上が、ビニレン基で置き換わっていてもよい。
式（Ｙ１）又は式（Ｙ２）で表される基は、例えば、Ｒｘ_１がメチル基又はエチル基であり、Ｒｘ_２とＲｘ_３とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。

式（Ｙ３）中、Ｒ_３６～Ｒ_３８は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。Ｒ_３７とＲ_３８とは、互いに結合して環を形成してもよい。１価の有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基等が挙げられる。Ｒ_３６は水素原子であることも好ましい。
なお、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基には、酸素原子等のヘテロ原子及び／又はカルボニル基等のヘテロ原子を有する基が含まれていてもよい。例えば、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、例えば、メチレン基の１つ以上が、酸素原子等のヘテロ原子及び／又はカルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
また、Ｒ_３８は、繰り返し単位の主鎖が有する別の置換基と互いに結合して、環を形成してもよい。Ｒ_３８と繰り返し単位の主鎖が有する別の置換基とが互いに結合して形成する基は、メチレン基等のアルキレン基が好ましい。

式（Ｙ３）としては、下記式（Ｙ３－１）で表される基が好ましい。

ここで、Ｌ_１及びＬ_２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はこれらを組み合わせた基（例えば、アルキル基とアリール基とを組み合わせた基）を表す。
Ｍは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｑは、ヘテロ原子を含んでいてもよいアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいアリール基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基、アルデヒド基、又はこれらを組み合わせた基（例えば、アルキル基とシクロアルキル基とを組み合わせた基）を表す。
アルキル基及びシクロアルキル基は、例えば、メチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、又はカルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
なお、Ｌ_１及びＬ_２のうち一方は水素原子であり、他方はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はアルキレン基とアリール基とを組み合わせた基であることが好ましい。
Ｑ、Ｍ、及びＬ_１の少なくとも２つが結合して環（好ましくは、５員若しくは６員環）を形成してもよい。
パターンの微細化の点では、Ｌ_２が２級又は３級アルキル基であることが好ましく、３級アルキル基であることがより好ましい。２級アルキル基としては、イソプロピル基、シクロヘキシル基又はノルボルニル基が挙げられ、３級アルキル基としては、ｔｅｒｔ－ブチル基又はアダマンタン基が挙げられる。これらの態様では、Ｔｇ（ガラス転移温度）及び活性化エネルギーが高くなるため、膜強度の担保に加え、かぶりの抑制ができる。

式（Ｙ４）中、Ａｒは、芳香環基を表す。Ｒｎは、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。ＲｎとＡｒとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。Ａｒはより好ましくはアリール基である。

繰り返し単位の酸分解性が優れる点から、極性基を保護する脱離基において、極性基（又はその残基）に非芳香族環が直接結合している場合、上記非芳香族環中の、上記極性基（又はその残基）と直接結合している環員原子に隣接する環員原子は、置換基としてフッ素原子等のハロゲン原子を有さないのも好ましい。

酸の作用により脱離する脱離基は、他にも、３－メチル－２－シクロペンテニル基のような置換基（アルキル基等）を有する２－シクロペンテニル基、及び１，１，４，４－テトラメチルシクロヘキシル基のような置換基（アルキル基等）を有するシクロヘキシル基でもよい。

酸分解性基を有する繰り返し単位としては、式（Ａ）で表される繰り返し単位も好ましい。

Ｌ_１は、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい２価の連結基を表し、Ｒ_１は水素原子、フッ素原子、ヨウ素原子、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアルキル基、又はフッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ_２は酸の作用によって脱離し、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい脱離基を表す。ただし、Ｌ_１、Ｒ_１、及びＲ_２のうち少なくとも１つは、フッ素原子又はヨウ素原子を有する。
Ｌ_１は、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい２価の連結基を表す。フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい２価の連結基としては、－ＣＯ－、－Ｏ－、－Ｓ―、－ＳＯ－、―ＳＯ_２－、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい炭化水素基（例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基等）、及びこれらの複数が連結した連結基等が挙げられる。なかでも、Ｌ_１としては、－ＣＯ－、又は－アリーレン基－フッ素原子若しくはヨウ素原子を有するアルキレン基－が好ましい。
アリーレン基としては、フェニレン基が好ましい。
アルキレン基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。アルキレン基の炭素数は特に制限されないが、１～１０が好ましく、１～３がより好ましい。
フッ素原子又はヨウ素原子を有するアルキレン基に含まれるフッ素原子及びヨウ素原子の合計数は特に制限されないが、２以上が好ましく、２～１０がより好ましく、３～６が更に好ましい。

Ｒ_１は、水素原子、フッ素原子、ヨウ素原子、フッ素原子若しくはヨウ素原子が有していてもよいアルキル基、又はフッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアリール基を表す。
アルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。アルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～１０が好ましく、１～３がより好ましい。
フッ素原子又はヨウ素原子を有するアルキル基に含まれるフッ素原子及びヨウ素原子の合計数は特に制限されないが、１以上が好ましく、１～５がより好ましく、１～３が更に好ましい。
上記アルキル基は、ハロゲン原子以外の酸素原子等のヘテロ原子を含んでいてもよい。

Ｒ_２は、酸の作用によって脱離し、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい脱離基を表す。
なかでも、脱離基としては、式（Ｚ１）～（Ｚ４）で表される基が挙げられる。
式（Ｚ１）：－Ｃ（Ｒｘ_１１）（Ｒｘ_１２）（Ｒｘ_１３）
式（Ｚ２）：－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（Ｒｘ_１１）（Ｒｘ_１２）（Ｒｘ_１３）
式（Ｚ３）：－Ｃ（Ｒ_１３６）（Ｒ_１３７）（ＯＲ_１３８）
式（Ｚ４）：－Ｃ（Ｒｎ_１）（Ｈ）（Ａｒ_１）

式（Ｚ１）、（Ｚ２）中、Ｒｘ_１１～Ｒｘ_１３は、それぞれ独立に、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアルキル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいシクロアルキル基（単環若しくは多環）、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアルケニル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）、又はフッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアリール基（単環若しくは多環）を表す。なお、Ｒｘ_１１～Ｒｘ_１３の全てがアルキル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）である場合、Ｒｘ_１１～Ｒｘ_１３のうち少なくとも２つはメチル基であることが好ましい。
Ｒｘ_１１～Ｒｘ_１３は、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい点以外は、上述した（Ｙ１）、（Ｙ２）中のＲｘ_１～Ｒｘ_３と同じであり、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、及びアリール基の定義及び好適範囲と同じである。

式（Ｚ３）中、Ｒ_１３６～Ｒ_１３８は、それぞれ独立に、水素原子、又はフッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよい１価の有機基を表す。Ｒ_１３７とＲ_１３８とは、互いに結合して環を形成してもよい。フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい１価の有機基としては、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよいアルキル基、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよいシクロアルキル基、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよいアリール基、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよいアラルキル基、及びこれらを組み合わせた基（例えば、アルキル基とシクロアルキル基とを組み合わせた基）が挙げられる。
なお、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基には、フッ素原子及びヨウ素原子以外に、酸素原子等のヘテロ原子が含まれていてもよい。つまり、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、例えば、メチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、又はカルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
また、Ｒ_１３８は、繰り返し単位の主鎖が有する別の置換基と互いに結合して、環を形成してもよい。この場合、Ｒ_１３８と繰り返し単位の主鎖が有する別の置換基とが互いに結合して形成する基は、メチレン基等のアルキレン基が好ましい。

式（Ｚ３）としては、下記式（Ｚ３－１）で表される基が好ましい。

ここで、Ｌ_１１及びＬ_１２は、それぞれ独立に、水素原子；フッ素原子、ヨウ素原子及び酸素原子からなる群から選択されるヘテロ原子を有していてもよいアルキル基；フッ素原子、ヨウ素原子及び酸素原子からなる群から選択されるヘテロ原子を有していてもよいシクロアルキル基；フッ素原子、ヨウ素原子及び酸素原子からなる群から選択されるヘテロ原子を有していてもよいアリール基；又はこれらを組み合わせた基（例えば、フッ素原子、ヨウ素原子及び酸素原子からなる群から選択されるヘテロ原子を有していてもよい、アルキル基とシクロアルキル基とを組み合わせた基）を表す。
Ｍ_１は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｑ_１は、フッ素原子、ヨウ素原子及び酸素原子からなる群から選択されるヘテロ原子を有していてもよいアルキル基；フッ素原子、ヨウ素原子及び酸素原子からなる群から選択されるヘテロ原子を有していてもよいシクロアルキル基；フッ素原子、ヨウ素原子及び酸素原子からなる群から選択されるアリール基；アミノ基；アンモニウム基；メルカプト基；シアノ基；アルデヒド基；又はこれらを組み合わせた基（例えば、フッ素原子、ヨウ素原子及び酸素原子からなる群から選択されるヘテロ原子を有していてもよい、アルキル基とシクロアルキル基とを組み合わせた基）を表す。

式（Ｚ４）中、Ａｒ_１は、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい芳香環基を表す。Ｒｎ_１は、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアルキル基、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいシクロアルキル基、又はフッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアリール基を表す。Ｒｎ_１とＡｒ_１とは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。

繰り返し単位Ｘ２としては、一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位も好ましい。

一般式（ＡＩ）において、
Ｘａ_１は、水素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ｔは、単結合、又は２価の連結基を表す。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、アルキル基（直鎖状、又は分岐鎖状）、シクロアルキル基（単環若しくは多環）、アルケニル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）、又はアリール（単環若しくは多環）基を表す。ただし、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の全てがアルキル基（直鎖状、又は分岐鎖状）である場合、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のうち少なくとも２つはメチル基であることが好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して、単環又は多環（単環又は多環のシクロアルキル基等）を形成してもよい。

Ｘａ_１により表される、置換基を有していてもよいアルキル基としては、例えば、メチル基又は－ＣＨ_２－Ｒ_１１で表される基が挙げられる。Ｒ_１１は、ハロゲン原子（フッ素原子等）、水酸基又は１価の有機基を表し、例えば、ハロゲン原子が置換していてもよい炭素数５以下のアルキル基、ハロゲン原子が置換していてもよい炭素数５以下のアシル基、及びハロゲン原子が置換していてもよい炭素数５以下のアルコキシ基が挙げられ、炭素数３以下のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。Ｘａ_１としては、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、又はヒドロキシメチル基が好ましい。

Ｔの２価の連結基としては、アルキレン基、芳香環基、－ＣＯＯ－Ｒｔ－基、及び－Ｏ－Ｒｔ－基等が挙げられる。式中、Ｒｔは、アルキレン基、又はシクロアルキレン基を表す。
Ｔは、単結合又は－ＣＯＯ－Ｒｔ－基が好ましい。Ｔが－ＣＯＯ－Ｒｔ－基を表す場合、Ｒｔは、炭素数１～５のアルキレン基が好ましく、－ＣＨ_２－基、－（ＣＨ_２）_２－基、又は－（ＣＨ_２）_３－基がより好ましい。

Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及びｔ－ブチル基等の炭素数１～４のアルキル基が好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアリール基としては、炭素数６～１０のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等が挙げられる。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルケニル基としては、ビニル基が好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基が好ましく、その他にも、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。なかでも、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基が好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基、又はビニリデン基で置き換わっていてもよい。また、これらのシクロアルキル基は、シクロアルカン環を構成するエチレン基の１つ以上が、ビニレン基で置き換わっていてもよい。
一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位は、例えば、Ｒｘ_１がメチル基又はエチル基であり、Ｒｘ_２とＲｘ_３とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。

上記各基が置換基を有する場合、置換基としては、例えば、アルキル基（炭素数１～４）、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基（炭素数１～４）、カルボキシル基、及びアルコキシカルボニル基（炭素数２～６）等が挙げられる。置換基中の炭素数は、８以下が好ましい。

一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位としては、好ましくは、酸分解性（メタ）アクリル酸３級アルキルエステル系繰り返し単位（Ｘａ_１が水素原子又はメチル基を表し、且つ、Ｔが単結合を表す繰り返し単位）である。

特定樹脂は、形成されるパターンの解像性及び／又はＬＥＲ性能がより優れる点で、繰り返し単位Ｘ２を含まれないのが好ましい。特定樹脂が繰り返し単位Ｘ２を含む場合、形成されるパターンの解像性及び／又はＬＥＲ性能がより優れる点で、繰り返し単位Ｘ２の含有量は、樹脂の全繰り返し単位に対して、２０モル％以下であるのが好ましく、１０モル％以下であるのがより好ましい。なお、下限値としては、０モル％超である。

繰り返し単位Ｘ２の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、式中、Ｘａ_１はＨ、Ｆ、ＣＨ_３、ＣＦ_３、及びＣＨ_２ＯＨのいずれか、Ｒｘａ及びＲｘｂはそれぞれ炭素数１～５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表す。

≪ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位≫
特定樹脂は、ラクトン基、スルトン基、及びカーボネート基からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位（以下、総称して「ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位」ともいう。）を有していてもよい。
ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位は、ヘキサフルオロプロパノール基等の酸基を有さないのも好ましい。

ラクトン基又はスルトン基としては、ラクトン構造又はスルトン構造を有していればよい。ラクトン構造又はスルトン構造は、５～７員環ラクトン構造又は５～７員環スルトン構造が好ましい。なかでも、ビシクロ構造若しくはスピロ構造を形成する形で５～７員環ラクトン構造に他の環構造が縮環しているもの、又はビシクロ構造若しくはスピロ構造を形成する形で５～７員環スルトン構造に他の環構造が縮環しているもの、がより好ましい。
特定樹脂は、下記一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表されるラクトン構造、又は下記一般式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１－３）のいずれかで表されるスルトン構造の環員原子から、水素原子を１つ以上引き抜いてなるラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。
また、ラクトン基又はスルトン基が主鎖に直接結合していてもよい。例えば、ラクトン基又はスルトン基の環員原子が、特定樹脂の主鎖を構成してもよい。

上記ラクトン構造又はスルトン構造部分は、置換基（Ｒｂ_２）を有していてもよい。好ましい置換基（Ｒｂ_２）としては、炭素数１～８のアルキル基、炭素数４～７のシクロアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数１～８のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、及び酸分解性基等が挙げられる。ｎ２は、０～４の整数を表す。ｎ２が２以上の時、複数存在するＲｂ_２は、異なっていてもよく、また、複数存在するＲｂ_２同士が結合して環を形成してもよい。

一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表されるラクトン構造又は一般式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１－３）のいずれかで表されるスルトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、例えば、下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位等が挙げられる。

一般式（ＡＩ）中、Ｒｂ_０は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１～４のアルキル基を表す。
Ｒｂ_０のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、及びハロゲン原子が挙げられる。
Ｒｂ_０のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。Ｒｂ_０は、水素原子又はメチル基が好ましい。
Ａｂは、単結合、アルキレン基、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有する２価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた２価の基を表す。なかでも、単結合、又は－Ａｂ_１－ＣＯ_２－で表される連結基が好ましい。Ａｂ_１は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又は単環若しくは多環のシクロアルキレン基であり、メチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、又はノルボルニレン基が好ましい。
Ｖは、一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表されるラクトン構造の環員原子から水素原子を１つ引き抜いてなる基、又は一般式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１－３）のいずれかで表されるスルトン構造の環員原子から水素原子を１つ引き抜いてなる基を表す。

ラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位に、光学異性体が存在する場合、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、１種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。１種の光学異性体を主に使用する場合、その光学純度（ｅｅ）は９０以上が好ましく、９５以上がより好ましい。

カーボネート基としては、環状炭酸エステル基が好ましい。
環状炭酸エステル基を有する繰り返し単位としては、下記一般式（Ａ－１）で表される繰り返し単位が好ましい。

一般式（Ａ－１）中、Ｒ_Ａ ^１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基（好ましくはメチル基）を表す。
ｎは０以上の整数を表す。
Ｒ_Ａ ^２は、置換基を表す。ｎが２以上の場合、複数存在するＲ_Ａ ^２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ａは、単結合又は２価の連結基を表す。上記２価の連結基としては、アルキレン基、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有する２価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた２価の基が好ましい。
Ｚは、式中の－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－で表される基と共に単環又は多環を形成する原子団を表す。

ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位を以下に例示する。

特定樹脂がラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位を含む場合、ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位の含有量は、特定樹脂中の全繰り返し単位に対し、１～６０モル％が好ましく、１～４０モル％がより好ましく、５～３０モル％が更に好ましい。

≪下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位≫
特定樹脂は、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位を有するもの好ましい。

一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ_５は、少なくとも一つの環状構造を有し、水酸基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。
Ｒａは水素原子、アルキル基、又は－ＣＨ_２－Ｏ－Ｒａ_２基を表す。式中、Ｒａ_２は、水素原子、アルキル基、又はアシル基を表す。

Ｒ_５が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、例えば、炭素数３～１２（より好ましくは炭素数３～７）のシクロアルキル基、又は炭素数３～１２のシクロアルケニル基が挙げられる。

多環式炭化水素基としては、環集合炭化水素基及び架橋環式炭化水素基が挙げられる。架橋環式炭化水素環としては、２環式炭化水素環、３環式炭化水素環、及び４環式炭化水素環等が挙げられる。また、架橋環式炭化水素環としては、５～８員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。
架橋環式炭化水素基として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、又はトリシクロ［５、２、１、０^２，６］デカニル基が好ましく、ノルボニル基又はアダマンチル基がより好ましい。

脂環式炭化水素基は置換基を有していてもよく、置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、及び保護基で保護されたアミノ基が挙げられる。
ハロゲン原子としては、臭素原子、塩素原子、又はフッ素原子が好ましい。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ブチル基、又はｔ－ブチル基が好ましい。上記アルキル基は更に置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、又は保護基で保護されたアミノ基が挙げられる。

保護基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、及びアラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。
アルキル基としては、炭素数１～４のアルキル基が好ましい。
置換メチル基としては、メトキシメチル基、メトキシチオメチル基、ベンジルオキシメチル基、ｔ－ブトキシメチル基、又は２－メトキシエトキシメチル基が好ましい。
置換エチル基としては、１－エトキシエチル基、又は１－メチル－１－メトキシエチル基が好ましい。
アシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、及びピバロイル基等の炭素数１～６の脂肪族アシル基が好ましい。
アルコキシカルボニル基としては、炭素数１～４のアルコキシカルボニル基が好ましい。

特定樹脂が一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位を含む場合、一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の含有量は、特定樹脂中の全繰り返し単位に対し、１～４０モル％が好ましく、１～２０モル％がより好ましい。
一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Ｒａは、Ｈ、ＣＨ_３、ＣＨ_２ＯＨ、又はＣＦ_３を表す。

≪下記一般式（ＸＩ）で表される繰り返し単位≫
特定樹脂は、下記一般式（ＸＩ）で表される繰り返し単位を有するもの好ましい。

一般式（ＸＩ）中、
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。
Ｒｘａは、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、又はアリールオキシカルボニル基を表し、複数個ある場合には同じであっても異なっていてもよい。複数のＲｘａを有する場合には、互いに共同して環を形成していてもよい。
ｘｂは、１～５の整数を表す。

Ｒｘ_１～Ｒｘ_３で表されるアルキル基、シクロアルキル基、及びハロゲン原子としては、上述した式（Ｉ）におけるＲ_４１、Ｒ_４２、及びＲ_４３で表されるアルキル基、シクロアルキル基、及びハロゲン原子の好適態様と同じである。

Ｒｘａで表されるアルキル基、シクロアルキル基、及びハロゲン原子としては、上述した式（Ｉ）におけるＲ_４１、Ｒ_４２、及びＲ_４３で表されるアルキル基、シクロアルキル基、及びハロゲン原子の好適態様と同じである。
Ｒｘａで表されるアリール基としては、炭素数６～１５のアリール基が好ましく、炭素数６～１０のアリール基がより好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等が挙げられる。
Ｒｘａで表されるアルケニル基としては、ビニル基が好ましい。
Ｒｘａで表されるアラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、及びアルキルオキシカルボニル基中のアルキル基部分の炭素数としては特に制限されないが、１～１２が好ましく、１～６がより好ましい。
Ｒｘａで表されるアリールオキシカルボニル基及びアラルキル中のアリール基部分としては、Ｒｘａで表されるアリール基と同様のものが挙げられる。
Ｒｘａとしては、アルキル基が好ましく、なかでも、炭素数１～６のアルキル基が好ましく、例えば、ｔｅｒｔ－ブチル基等が挙げられる。
ｘｂとしては、１～３の整数を表すのが好ましく、１又は２がより好ましい。

特定樹脂が一般式（ＸＩ）で表される繰り返し単位を含む場合、一般式（ＸＩ）で表される繰り返し単位の含有量は、特定樹脂中の全繰り返し単位に対し、１～５０モル％が好ましく、１～４０モル％がより好ましい。

≪その他の繰り返し単位≫
更に、特定樹脂は、上述した繰り返し単位以外の繰り返し単位を有してもよい。その他の繰り返し単位としては、ドライエッチング耐性、標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、解像力、耐熱性、及び感度等を調節する目的で様々な繰り返し単位が挙げられる。なお、特定樹脂は、形成されるパターンの解像性及び／又はＬＥＲ性能がより優れる点で、イオン対を含む繰り返し単位を実質的に含まない構造であるのが好ましい。ここでいう実質的にとは、イオン対を含む繰り返し単位の含有量が、特定樹脂の全繰り返し単位に対して５モル％以下であることをいい、３モル％以下が好ましく、１モル％以下がより好ましく、０モル％であるのが更に好ましい。
その他の繰り返し単位としては、国際公報２０１７／００２７３７号の段落［００８８］～［００９３］に記載の繰り返し単位も好ましい。

特定樹脂の具体例としては、例えば、国際公報２０１７／００２７３７号の段落［００９８］～［０１０１］に記載ものもが挙げられるが、これに制限されない。

特定樹脂は、常法に従って（例えばラジカル重合）合成できる。
ＧＰＣ法によりポリスチレン換算値として、特定樹脂の重量平均分子量は、１，０００～２００，０００が好ましく、２，０００～２０，０００がより好ましく、２，０００～１５，０００が更に好ましい。特定樹脂の重量平均分子量を、１，０００～２００，０００とすることにより、耐熱性及びドライエッチング耐性の劣化をより一層抑制できる。また、現像性の劣化、及び粘度が高くなって製膜性が劣化することもより一層抑制できる。
特定樹脂の分散度（分子量分布）は、通常１～５であり、１～３が好ましく、１．２～３．０がより好ましく、１．２～２．０が更に好ましい。分散度が小さいものほど、解像度、及びレジスト形状がより優れ、更に、レジストパターンの側壁がよりスムーズであり、ラフネス性にもより優れる。

特定レジスト組成物において、特定樹脂の含有量（複数種含まれる場合はその合計量）は、組成物の全固形分に対して、５０．０～９９．９質量％が好ましく、６０．０～９９．０質量％がより好ましく、６０．０～９５．０質量％が更に好ましく、７０．０～９５．０質量％が特に好ましい。
また、特定樹脂は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を使用してもよい。

＜溶剤＞
特定レジスト組成物は、溶剤を含む。
溶剤は、（Ｍ１）プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、並びに、（Ｍ２）プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸エステル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル、鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、及びアルキレンカーボネートからなる群より選択される少なくとも１つの少なくとも一方を含んでいるのが好ましい。なお、この溶剤は、成分（Ｍ１）及び（Ｍ２）以外の成分を更に含んでいてもよい。

本発明者らは、このような溶剤と上述した樹脂とを組み合わせて使用すると、組成物の塗布性が向上すると共に、現像欠陥数の少ないパターンが形成可能となることを見出している。その理由は必ずしも明らかではないが、これら溶剤は、上述した樹脂の溶解性、沸点及び粘度のバランスが良いため、組成物膜の膜厚のムラ及びスピンコート中の析出物の発生等を抑制できることに起因していると本発明者らは考えている。

成分（Ｍ１）は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ：ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ ａｃｅｔａｔｅ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、及びプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートからなる群より選択される少なくとも１つが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）がより好ましい。

成分（Ｍ２）は、以下の溶剤が好ましい。
プロピレングリコールモノアルキルエーテルは、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、及びプロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）が好ましい。
乳酸エステルは、乳酸エチル、乳酸ブチル、又は乳酸プロピルが好ましい。
酢酸エステルは、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸プロピル、酢酸イソアミル、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、又は酢酸３－メトキシブチルが好ましい。
また、酪酸ブチルも好ましい。
アルコキシプロピオン酸エステルは、３－メトキシプロピオン酸メチル（ＭＭＰ）、又は３－エトキシプロピオン酸エチル（ＥＥＰ）が好ましい。
鎖状ケトンは、１－オクタノン、２－オクタノン、１－ノナノン、２－ノナノン、アセトン、２－ヘプタノン、４－ヘプタノン、１－ヘキサノン、２－ヘキサノン、ジイソブチルケトン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、又はメチルアミルケトンが好ましい。
環状ケトンは、メチルシクロヘキサノン、イソホロン、シクロペンタノン、又はシクロヘキサノンが好ましい。
ラクトンは、γ－ブチロラクトンが好ましい。
アルキレンカーボネートは、プロピレンカーボネートが好ましい。

成分（Ｍ２）は、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、乳酸エチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、γ－ブチロラクトン、又はプロピレンカーボネートがより好ましい。

上記成分の他、炭素数が７以上（７～１４が好ましく、７～１２がより好ましく、７～１０が更に好ましい）、かつ、ヘテロ原子数が２以下のエステル系溶剤を使用するのが好ましい。

炭素数が７以上かつヘテロ原子数が２以下のエステル系溶剤としては、例えば、酢酸アミル、酢酸２－メチルブチル、酢酸１－メチルブチル、酢酸ヘキシル、プロピオン酸ペンチル、プロピオン酸ヘキシル、プロピオン酸ブチル、イソ酪酸イソブチル、プロピオン酸ヘプチル、及びブタン酸ブチル等が挙げられ、酢酸イソアミルが好ましい。

成分（Ｍ２）は、引火点（以下、ｆｐともいう）が３７℃以上である溶剤が好ましい。このような成分（Ｍ２）は、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ｆｐ：４７℃）、乳酸エチル（ｆｐ：５３℃）、３－エトキシプロピオン酸エチル（ｆｐ：４９℃）、メチルアミルケトン（ｆｐ：４２℃）、シクロヘキサノン（ｆｐ：４４℃）、酢酸ペンチル（ｆｐ：４５℃）、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル（ｆｐ：４５℃）、γ－ブチロラクトン（ｆｐ：１０１℃）、又はプロピレンカーボネート（ｆｐ：１３２℃）が好ましい。これらのうち、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル、酢酸ペンチル、又はシクロヘキサノンがより好ましく、プロピレングリコールモノエチルエーテル、又は乳酸エチルが更に好ましい。
なお、ここで「引火点」とは、東京化成工業株式会社又はシグマアルドリッチ社の試薬カタログに記載されている値を意味している。

溶剤は、成分（Ｍ１）を含んでいるのが好ましい。溶剤は、実質的に成分（Ｍ１）のみからなるか、又は成分（Ｍ１）と他の成分との混合溶剤であるのがより好ましい。後者の場合、溶剤は、成分（Ｍ１）と成分（Ｍ２）との双方を含んでいるのが更に好ましい。

成分（Ｍ１）と成分（Ｍ２）との質量比（Ｍ１／Ｍ２）は、「１００／０」～「０／１０」が好ましく、「１００／０」～「１５／８５」がより好ましく、「１００／０」～「４０／６０」が更に好ましく、「１００／０」～「６０／４０」が特に好ましい。
つまり、溶剤は、成分（Ｍ１）と成分（Ｍ２）との双方を含む場合、成分（Ｍ２）に対する成分（Ｍ１）の質量比は、１５／８５以上が好ましく、４０／６０以上がより好ましく、６０／４０以上が更に好ましい。このような構成を採用すると、現像欠陥数を更に減少させられる。

なお、溶剤が成分（Ｍ１）と成分（Ｍ２）との双方を含んでいる場合、成分（Ｍ２）に対する成分（Ｍ１）の質量比は、例えば、９９／１以下とする。

上述した通り、溶剤は、成分（Ｍ１）及び（Ｍ２）以外の成分を更に含んでいてもよい。この場合、成分（Ｍ１）及び（Ｍ２）以外の成分の含有量は、溶剤の全量に対して、５～３０質量％が好ましい。

特定レジスト組成物中の溶剤の含有量は、固形分濃度が０．５～２０．０質量％となるように定めるのが好ましく、０．５～１０．０質量％となるように定めるのがより好ましく、１．０～５．０質量％となるように定めるのが更に好ましい。こうすると、特定レジスト組成物の塗布性を更に向上させられる。
なお、固形分とは、溶剤以外の全ての成分を意味する。

＜その他の添加剤＞
特定レジスト組成物は、特定樹脂、特定光分解性イオン化合物、及び溶剤以外のその他の添加材を含んでいてもよい。

（酸拡散制御剤）
特定レジスト組成物は、酸拡散制御剤を更に含んでいてもよい。酸拡散制御剤は、特定光分解性イオン化合物が露光により分解して生成し得る酸性分解物をトラップするクエンチャーとして作用し、レジスト膜中における上記酸性分解物の拡散現象を制御する役割を果たす。
酸拡散制御剤は、例えば、塩基性化合物であってもよい。
塩基性化合物は、下記一般式（Ａ）～一般式（Ｅ）で示される構造を有する化合物が好ましい。

一般式（Ａ）及び一般式（Ｅ）中、Ｒ^２００、Ｒ^２０１及びＲ^２０２は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１～２０）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３～２０）又はアリール基（好ましくは炭素数６～２０）を表し、ここで、Ｒ^２０１とＲ^２０２は、互いに結合して環を形成してもよい。

上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基は、炭素数１～２０のアミノアルキル基、炭素数１～２０のヒドロキシアルキル基、又は炭素数１～２０のシアノアルキル基が好ましい。
Ｒ^２０３、Ｒ^２０４、Ｒ^２０５及びＲ^２０６は、同一でも異なってもよく、炭素数１～２０のアルキル基を表す。
これら一般式（Ａ）及び一般式（Ｅ）中のアルキル基は、無置換であるのがより好ましい。

塩基性化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン（アルキル基部分は直鎖状でも分岐鎖状でもよく、一部がエーテル基及び／又はエステル基で置き換えられていてもよい。アルキル基部分の水素原子以外の全原子の合計数の合計は１～１７が好ましい）、又はピペリジンが好ましい。中でも、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造、又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び／又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、又は水酸基及び／又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等がより好ましい。

イミダゾール構造を有する化合物としては、例えば、イミダゾール、２、４、５－トリフェニルイミダゾール、及びベンズイミダゾール等が挙げられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては、例えば、１、４－ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン、１、５－ジアザビシクロ［４，３，０］ノナ－５－エン、及び１、８－ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ－７－エン等が挙げられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、及び２－オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド等が挙げられる。具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリス（ｔ－ブチルフェニル）スルホニウムヒドロキシド、ビス（ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、及び２－オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシド等が挙げられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としては、オニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えば、アセテート、アダマンタン－１－カルボキシレート、及びパーフルオロアルキルカルボキシレート等が挙げられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、例えば、トリ（ｎ－ブチル）アミン、及びトリ（ｎ－オクチル）アミン等が挙げられる。アニリン化合物としては、例えば、２，６－ジイソプロピルアニリン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ－ジブチルアニリン、及びＮ，Ｎ－ジヘキシルアニリン等が挙げられる。水酸基及び／又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、例えば、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリス（メトキシエトキシエチル）アミン、及び「（ＨＯ－Ｃ_２Ｈ_４－Ｏ－Ｃ_２Ｈ_４）_２Ｎ（－Ｃ_３Ｈ_６－Ｏ－ＣＨ_３）」等が挙げられる。水酸基及び／又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチル）アニリン等が挙げられる。

塩基性化合物として、フェノキシ基を有するアミン化合物、及びフェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物が好ましく挙げられる。

アミン化合物としては、例えば、１級、２級、及び３級のアミン化合物を使用でき、少なくとも１つのアルキル基が窒素原子に結合しているアミン化合物が好ましい。アミン化合物は、３級アミン化合物であるのがより好ましい。アミン化合物は、少なくとも１つのアルキル基（好ましくは炭素数１～２０）が窒素原子に結合していれば、アルキル基の他に、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３～２０）又はアリール基（好ましくは炭素数６～１２）が窒素原子に結合していてもよい。
また、アミン化合物は、オキシアルキレン基を有するのが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に１以上が好ましく、３～９がより好ましく、４～６が更に好ましい。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基（－ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－）、又はオキシプロピレン基（－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２Ｏ－若しくはＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－）が好ましく、オキシエチレン基がより好ましい。

アンモニウム塩化合物としては、例えば、１級、２級、３級、及び４級のアンモニウム塩化合物が挙げられ、少なくとも１つのアルキル基が窒素原子に結合しているアンモニウム塩化合物が好ましい。アンモニウム塩化合物は、少なくとも１つのアルキル基（好ましくは炭素数１～２０）が窒素原子に結合していれば、アルキル基の他に、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３～２０）又はアリール基（好ましくは炭素数６～１２）が窒素原子に結合していてもよい。
アンモニウム塩化合物は、オキシアルキレン基を有するのが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に１以上が好ましく、３～９がより好ましく、４～６が更に好ましい。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基（－ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－）、又はオキシプロピレン基（－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２Ｏ－、又は－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－）が好ましく、オキシエチレン基がより好ましい。
アンモニウム塩化合物のアニオンとしては、例えば、ハロゲン原子、スルホネート、ボレート、及びフォスフェート等が挙げられ、中でも、ハロゲン原子、又はスルホネートが好ましい。ハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子が好ましい。スルホネートは、炭素数１～２０の有機スルホネートが好ましい。有機スルホネートとしては、例えば、炭素数１～２０のアルキルスルホネート、及びアリールスルホネートが挙げられる。アルキルスルホネートのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、アルコキシ基、アシル基、及び芳香環基等が挙げられる。アルキルスルホネートとしては、例えば、メタンスルホネート、エタンスルホネート、ブタンスルホネート、ヘキサンスルホネート、オクタンスルホネート、ベンジルスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、及びノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。アリールスルホネートのアリール基としてはベンゼン環基、ナフタレン環基、及びアントラセン環基が挙げられる。ベンゼン環基、ナフタレン環基、及びアントラセン環基が有し得る置換基は、炭素数１～６の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数３～６のシクロアルキル基が好ましい。直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、及びシクロアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、及びシクロヘキシル基等が挙げられる。他の置換基としては、例えば、炭素数１～６のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、及びアシルオキシ基等が挙げられる。

フェノキシ基を有するアミン化合物、及びフェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物とは、アミン化合物又はアンモニウム塩化合物のアルキル基の窒素原子と反対側の末端にフェノキシ基を有するものである。
フェノキシ基の置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、
シアノ基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシルオキシ基、及びアリールオキシ基等が挙げられる。置換基の置換位は、２～６位のいずれであってもよい。置換基の数は、１～５のいずれであってもよい。

フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも１つのオキシアルキレン基を有するのが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に１以上が好ましく、３～９がより好ましく、４～６が更に好ましい。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基（－ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－）、又はオキシプロピレン基（－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２Ｏ－又は－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－）が好ましく、オキシエチレン基がより好ましい。

フェノキシ基を有するアミン化合物は、フェノキシ基を有する１又は２級アミン及びハロアルキルエーテルを加熱して反応させた後、反応系に強塩基（例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、及びテトラアルキルアンモニウム等）の水溶液を添加し、更に、有機溶剤（例えば、酢酸エチル及びクロロホルム等）で反応生成物を抽出して得られる。又は１又は２級アミンと末端にフェノキシ基を有するハロアルキルエーテルを加熱して反応させた後、反応系に強塩基の水溶液を添加し、更に、有機溶剤で反応生成物を抽出して得られる。

特定レジスト組成物は、酸拡散制御剤として、プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下若しくは消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物（以下、化合物（ＰＡ）ともいう）を含んでいてもよい。

プロトンアクセプター性官能基とは、プロトンと静電的に相互作用し得る基、又は電子を有する官能基であって、例えば、環状ポリエーテル等のマクロサイクリック構造を有する官能基、又はπ共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する官能基を意味する。π共役に寄与しない非共有電子対を有する窒素原子とは、例えば、下記一般式に示す部分構造を有する窒素原子である。

プロトンアクセプター性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル構造、アザクラウンエーテル構造、１～３級アミン構造、ピリジン構造、イミダゾール構造、及びピラジン構造等が挙げられる。

化合物（ＰＡ）は、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下若しくは消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する。ここで、プロトンアクセプター性の低下若しくは消失、又はプロトンアクセプター性から酸性への変化とは、プロトンアクセプター性官能基にプロトンが付加することに起因するプロトンアクセプター性の変化である。具体的には、プロトンアクセプター性官能基を有する化合物（ＰＡ）とプロトンからプロトン付加体が生成する時、その化学平衡に於ける平衡定数が減少することを意味する。

化合物（ＰＡ）としては、例えば、特開２０１４－４１３２８号公報の段落［０４２１］～［０４２８］、特開２０１４－１３４６８６号公報の段落［０１０８］～［０１１６］に記載されたものを援用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物も酸拡散制御剤として使用できる。上記低分子化合物は、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体が好ましい。
酸の作用により脱離する基は、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、３級エステル基、３級水酸基、又はヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、又はヘミアミナールエーテル基がより好ましい。
低分子化合物の分子量は、１００～１０００が好ましく、１００～７００がより好ましく、１００～５００が更に好ましい。
低分子化合物は、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有してもよい。

酸拡散制御剤としてば、例えば、特開２０１８－１５５７８８号公報の段落［０１２３］～［０１２８］、［０１４７］～［０１５５］に記載の内容も援用できる。
酸拡散制御剤としては、例えば、特開２０１３－１１８３３号公報の段落［０１４０］～［０１４４］に記載の化合物（アミン化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、及び含窒素複素環化合物等）も挙げられる。

以下に酸拡散制御剤の具体例を示すが、本発明はこれに制限されるものではない。

特定レジスト組成物が酸拡散制御剤を含む場合、酸拡散制御剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．００１～１５質量％が好ましく、０．０１～８質量％がより好ましい。
酸拡散制御剤は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を使用してもよい。

（界面活性剤）
特定レジスト組成物は、界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤を含むと、密着性により優れ、現像欠陥のより少ないパターンを形成できる。
界面活性剤は、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤が好ましい。
フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の段落［０２７６］に記載の界面活性剤が挙げられる。また、エフトップＥＦ３０１、又はＥＦ３０３（新秋田化成（株）製）；フロラードＦＣ４３０、４３１、及び４４３０（住友スリーエム（株）製）；メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１８９、Ｆ１１３、Ｆ１１０、Ｆ１７７、Ｆ１２０、及びＲ０８（ＤＩＣ（株）製）；サーフロンＳ－３８２、ＳＣ１０１、１０２、１０３、１０４、１０５又は１０６（旭硝子（株）製）；トロイゾルＳ－３６６（トロイケミカル（株）製）；ＧＦ－３００又はＧＦ－１５０（東亜合成化学（株）製）、サーフロンＳ－３９３（セイミケミカル（株）製）；エフトップＥＦ１２１、ＥＦ１２２Ａ、ＥＦ１２２Ｂ、ＲＦ１２２Ｃ、ＥＦ１２５Ｍ、ＥＦ１３５Ｍ、ＥＦ３５１、ＥＦ３５２、ＥＦ８０１、ＥＦ８０２又はＥＦ６０１（（株）ジェムコ製）；ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、及びＰＦ６５２０（ＯＭＮＯＶＡ社製）；ＫＨ－２０（旭化成（株）製）；ＦＴＸ－２０４Ｇ、２０８Ｇ、２１８Ｇ、２３０Ｇ、２０４Ｄ、２０８Ｄ、２１２Ｄ、２１８Ｄ、及び２２２Ｄ（（株）ネオス製）を用いてもよい。なお、ポリシロキサンポリマーＫＰ－３４１（信越化学工業（株）製）も、シリコン系界面活性剤として使用できる。

また、界面活性剤は、上記に示すような公知の界面活性剤の他に、テロメリゼーション法（テロマー法ともいわれる）又はオリゴメリゼーション法（オリゴマー法ともいわれる）により製造されたフルオロ脂肪族化合物を用いて合成してもよい。具体的には、このフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を備えた重合体を、界面活性剤として用いてもよい。このフルオロ脂肪族化合物は、例えば、特開２００２－９０９９１号公報に記載された方法によって合成できる。
また、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の段落［０２８０］に記載されているフッ素系及び／又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。

これら界面活性剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を使用してもよい。

特定レジスト組成物が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０００１～２質量％が好ましく、０．０００５～１質量％がより好ましい。

（その他の添加剤）
特定レジスト組成物は、溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び／又は現像液に対する溶解性を促進させる化合物（例えば、分子量１０００以下のフェノール化合物、又はカルボン酸基を含んだ脂環族若しくは脂肪族化合物）を更に含んでいてもよい。

特定レジスト組成物は、溶解阻止化合物を更に含んでいてもよい。ここで「溶解阻止化合物」とは、酸の作用により分解して有機系現像液中での溶解度が減少する、分子量３０００以下の化合物である。

［電子デバイスの製造方法］
また、本発明は、上記したパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法にも関する。本発明の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイスは、電気電子機器（例えば、家電、ＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）関連機器、メディア関連機器、光学用機器、及び通信機器等）に、好適に搭載される。

以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

［感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の調製］
〔各種成分〕
＜樹脂＞
表１に示される樹脂（Ａ－１）及び樹脂（Ａ－２）の構造を以下に示す。
なお、樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）はＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））により測定した（ポリスチレン換算量である）。また、樹脂の組成比（モル％比）は、^１３Ｃ－ＮＭＲ（ｎｕｃｌｅａｒ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）により測定した。
樹脂（Ａ－１）及び樹脂（Ａ－２）は、既知の手順で合成したものを使用した。

＜活性光線又は放射線の照射により分解するイオン対を含む化合物（光分解性イオン化合物）＞
表１に示される光分解性イオン化合物（Ｂ－１～Ｂ－４）の構造を以下に示す。

＜溶剤＞
表１に示される溶剤（Ｃ－１～Ｃ－３）を以下に示す。
Ｃ－１： プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
Ｃ－２： プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
Ｃ－３： γ－ブチロラクトン

＜現像液＞
表２に示される現像液（Ｄ－１～Ｄ－３）を以下に示す。
Ｄ－１： 酢酸ブチル
Ｄ－２： 酢酸イソペンチル
Ｄ－３： シクロヘキサノン

＜洗浄液（エッジリンス液）＞
表２に示される洗浄液（Ｅ－１～Ｅ－５）を以下に示す。
Ｅ－１： プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
Ｅ－２： プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
Ｅ－３： シクロヘキサノン
Ｅ－４： γ－ブチロラクトン
Ｅ－５： 酢酸ブチル

〔感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の調製〕
表１に示す組成に基づいて、組成物の固形分濃度が１．６質量％になるように各種成分を混合し、得られた混合液を０．０３μｍのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過することにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（以下、レジスト組成物ともいう）を調製した。なお、レジスト組成物において、固形分とは、溶剤以外の全ての成分を意味する。得られたレジスト組成物を、実施例及び比較例で使用した。

以下において、表１を示す。
なお、表１中、「樹脂の含有量（質量％）」「光分解性イオン化合物の含有量（質量％）」における数値は、いずれも組成物中の全固形分に対する含有量を表す。

［パターン形成及び評価］
〔パターン形成〕
１２インチシリコンウェハ上に下層膜形成用組成物ＡＬ４１２（Ｂｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ社製）を塗布して塗膜を形成した。次に、エッジ部の塗膜を、ＰＧＭＥＡ/ＰＧＭＥ）（質量比）＝３０/７０の混合溶剤にて１５００ｒｐｍの回転数で１０秒間洗浄した後、２０５℃で６０秒間ベークして、膜厚２０ｎｍの下地膜を形成した。
続いて、得られた下層膜を形成したシリコンウェハ（１２インチ）上に、表１に記載のレジスト組成物を塗布して塗膜を形成した（レジスト膜形成工程）。

次に、ウェハのエッジ部における塗膜を、表２に記載の洗浄液と条件で洗浄した。なお、洗浄液の供給速度は、１５ｍｌ／分とした。洗浄後、得られたレジスト膜を１２０℃で６０秒間ベークして、膜厚３０ｎｍのレジスト膜を有するシリコンウェハを得た（洗浄工程）。

ＥＵＶ露光装置（Ｅｘｉｔｅｃｈ社製、Ｍｉｃｒｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｔｏｏｌ、ＮＡ０．３、Ｑｕａｄｒｕｐｏｌ、アウターシグマ０．６８、インナーシグマ０．３６）を用いて、得られたレジスト膜を有するシリコンウェハに対してパターン照射を行った。なお、レクチルとしては、ラインサイズ＝１４ｎｍであり、かつ、ライン：スペース＝１：１であるマスクを用いた（露光工程）。

その後、１００℃で６０秒間ベークした後、表２に記載の現像液で３０秒間現像した（現像工程）。現像後、４０００ｒｐｍの回転数で３０秒間シリコンウェハを回転させ、更に、９０℃で６０秒間ベークすることにより、ピッチ２８ｎｍ、ライン幅１４ｎｍ（スペース幅１４ｎｍ）のラインアンドスペースパターンを得た。

〔評価〕
上記パターン形成に際して、以下に示す評価を実施した。

＜エッジ部における膜厚均一性＞
上記パターン形成において、洗浄後のレジスト膜を１２０℃で６０秒間ベークした後、ＶＭ－３１１０(大日本スクリーン製造（株）製)を使用してウェハのエッジ部（洗浄液によって洗浄処理された領域であって、ウェハ端より２ｍｍ地点）での膜厚を９６点測定し、標準偏差（３σ）を算出し、下記評価基準で評価を実施した。値が小さいほど洗浄後の残渣が少なく、良好な膜厚均一性であることを示す。つまり、洗浄精度が優れていることを示す。実用上、評価結果が「Ｃ」以上であるのが好ましい。
（評価基準）
「Ａ」：３σが２．０ｎｍ以下
「Ｂ」：３σが２．０ｎｍ超４．０ｎｍ以下
「Ｃ」：３σが４．０ｎｍ超６．０ｎｍ以下
「Ｄ」：３σが６．０ｎｍ超

＜膜減り耐性＞
上記パターン形成において、洗浄後のレジスト膜を１２０℃で６０秒間ベークした後、ＶＭ－３１１０(大日本スクリーン製造（株）製)を使用してウェハのエッジ部（洗浄液による洗浄処理がされていない領域であって、ウェハ端より５ｍｍ地点）での膜厚を９６点測定し、平均膜厚（Ｔ_１）を算出した。また、上記パターン形成において現像工程及び現像工程後に実施されるスピン乾燥工程を経たレジスト膜に対しても、ＶＭ－３１１０(大日本スクリーン製造（株）製)を使用してウェハのエッジ部（洗浄液による洗浄処理がされていない未露光領域であって、ウェハ端より５ｍｍ地点）での膜厚を９６点測定し、平均膜厚（Ｔ_２）を算出した。
次いで、平均膜厚（Ｔ_１）に対する平均膜厚（Ｔ_２）の比（平均膜厚（Ｔ_２）／平均膜厚（Ｔ_１））に基づいて、下記評価基準により膜減り耐性を評価した。値が大きいほど現像による膜減り耐性が良好であることを示す。実用上、評価結果が「Ｂ」以上が好ましく、「Ａ」であるのが最も好ましい。
「Ａ」：平均膜厚（Ｔ_２）／平均膜厚（Ｔ_１）が０．７超
「Ｂ」：平均膜厚（Ｔ_２）／平均膜厚（Ｔ_１）が０．５超０．７以下
「Ｃ」：平均膜厚（Ｔ_２）／平均膜厚（Ｔ_１）が０．５以下

〔溶解パラメータ〕
レジスト膜の溶解パラメータ（ＳＰ１）は、レジスト膜、並びに、水、ジヨードメタン、メシチレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、γ-ブチロラクトン、４－メチル－２－ペンタノール、ジメチルスルホキシド、及び炭酸プロピレンを用いて、既知の方法によってＨＳＰｉＰ（５ｔｈ ｅｄｉｔｉｏｎ ５．２．０６）より算出した。
また、洗浄液の溶解パラメータ（ＳＰ２）、及び有機溶剤系現像液中の有機溶剤の溶解パラメータ（ＳＰ３）は、ＨＳＰｉＰ（５ｔｈ ｅｄｉｔｉｏｎ ５．２．０６）のデータベースの値を用いた。

以下に表２を示す。

なお、表２中、式（１）～式（５）に関しては、既述のとおりである。
また、表２中、「式（１）を満たすか否か」欄において、「Ａ」とは式（１）を満たす場合を表し、「Ｂ」とは式（１）を満たさない場合を表す。なお、「式（２）を満たすか否か」「式（３）を満たすか否か」「式（４）を満たすか否か」の各欄における「Ａ」及び「Ｂ」についても、各々、同様の意図である。

表２示すように、本発明のパターン形成方法により形成されるパターンは、ＥＢＲ液による洗浄工程において、レジスト除去対象であるエッジ部の膜厚均一性に優れ（すなわち、洗浄工程における洗浄精度に優れ）、且つ、有機溶剤系現像液を使用した現像の際に未露光部における膜減りが生じにくい（膜減り耐性に優れる）ことが明らかである。

また、実施例１～６の対比から、パターン形成方法が式（３－Ａ１）を満たす場合（好ましくは、式（３－Ａ２）を満たす場合）、洗浄工程における洗浄精度がより優れることが確認できる。
また、実施例１１の結果等から、パターン形成方法が式（５）を満たす場合、膜減り耐性がより優れることが確認できる。

１ 基板
１ａ 基板の外周部（エッジ部）
１ｂ 基板の裏面
２ レジスト膜
３ マスク
２ａ 有機溶剤系現像液に対して高溶解性の領域（露光部）
２ｂ 有機溶剤系現像液に対して低溶解性又は不溶解性の領域（未露光部）

Claims (9)

1. 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
   前記レジスト膜が形成された前記基板を回転させながら、有機溶剤を含む洗浄液で、前記基板の外周部を洗浄する洗浄工程と、
   前記レジスト膜を露光する露光工程と、
   露光された前記レジスト膜を、有機溶剤系現像液を用いてポジ現像する現像工程と、を含む、パターン形成方法であって、
   前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、
   極性基を有する樹脂と、
   活性光線又は放射線の照射により分解するイオン対を含む化合物と、
   溶剤と、を含み、
   下記式（１）～式（４）をいずれも満たす、パターン形成方法。
   式（１）： ＳＰ１≧ＳＰ２
   式（２）： ＳＰ２≧ＳＰ３
   式（３）： Ｒ×ｔ／（１６．２×ｅｘｐ（０．２×（ＳＰ１－ＳＰ２）））≧１．０
   式（４）： ＳＰ１＞ＳＰ３
   式（１）～式（４）中、ＳＰ１は、前記レジスト膜形成工程において形成されるレジスト膜の溶解パラメータ（（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２）を表し、ＳＰ２は、前記洗浄工程で使用する前記有機溶剤の溶解パラメータ（（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２）を表し、ｔは、前記洗浄工程における洗浄時間（秒）を表し、Ｒは、前記洗浄工程における前記基板の回転数（回転／秒）を表し、ＳＰ３は、前記現像工程で使用する有機溶剤系現像液中の有機溶剤の溶解パラメータ（（Ｊ／ｃｍ^３）^１／２）を表す。
   但し、前記Ｒは、１０００（回転／分）以上、２５（回転／秒）以下である。
2. 更に、下記式（３－Ａ１）を満たす、請求項１に記載のパターン形成方法。
   式（３－Ａ１）：
   Ｒ×ｔ／（１６．２×ｅｘｐ（０．２×（ＳＰ１－ＳＰ２）））≧１．５
3. 更に、下記式（３－Ａ２）を満たす、請求項１に記載のパターン形成方法。
   式（３－Ａ２）：
   Ｒ×ｔ／（１６．２×ｅｘｐ（０．２×（ＳＰ１－ＳＰ２）））≧２．２
4. 更に下記式（５）を満たす、請求項１～３のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
   式（５）： ＳＰ１－ＳＰ３≧７．０
5. 前記樹脂が極性基を有する繰り返し単位Ｘ１を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
6. 前記繰り返し単位Ｘ１が、フェノール性水酸基を含む繰り返し単位を含む、請求項５に記載のパターン形成方法。
7. 前記樹脂が、酸の作用によって有機溶剤系現像液に対する溶解性が低下する繰り返し単位Ｘ２を含まないか、又は、
   前記樹脂が前記繰り返し単位Ｘ２を含む場合、前記繰り返し単位Ｘ２の含有量が、樹脂の全繰り返し単位に対して２０モル％以下である、請求項１～６のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
8. 前記樹脂が、酸の作用によって有機溶剤系現像液に対する溶解性が低下する繰り返し単位Ｘ２を含まないか、又は、
   前記樹脂が前記繰り返し単位Ｘ２を含む場合、前記繰り返し単位Ｘ２の含有量が、樹脂の全繰り返し単位に対して、１０モル％以下である、請求項１～６のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
9. 請求項１～８のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。