JP2009060083A - 半導体素子の微細パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1補助パターン108をマスクとして下部反射防止膜をエッチングして下部反射防止膜パターン106aを形成し、前記下部反射防止膜パターンと前記第1補助パターン108の表面に絶縁膜110を形成し、下部のハードマスク膜104と絶縁膜110上に第2補助膜を形成し、前記第2補助膜が前記下部反射防止膜パターン106a間の前記ハードマスク膜104上に残留して第2補助パターン112aとなるようにエッチングし、前記第1補助パターン108の上部、および前記絶縁膜110を除去し、前記ハードマスク膜104をエッチングしてハードマスクパターンを形成し、前記ハードマスクパターンをエッチングマスクとしてエッチング対象膜102をエッチングする半導体素子の微細パターン形成方法。
【選択図】図1E
Description
第一に、第1補助パターンとして一般なフォトレジスト膜を用いてシリコン(Si)の含有された下部反射防止膜(Bottom Anti Reflective Coating:BARC)パターンを形成することが、既存の露光工程の解像度よりさらに微細なパターンを形成することができる。
102、202 エッチング対象膜
102a、202a 目標パターン
104、204 ハードマスク膜
104a、204a アモルファスカーボン膜
104b、204b シリコン酸化窒化膜
104c、204c ハードマスクパターン
106、206 シリコンの含有された下部反射防止膜
106a、206a シリコンの含有された下部反射防止膜パターン
108、208 第1補助パターン
110、210 絶縁膜
112、212 第2補助膜
112a、212a 第2補助パターン
Claims (41)
- 半導体基板上にエッチング対象膜、ハードマスク膜、シリコンの含有された下部反射防止膜、および第1補助パターンを形成する段階と、
前記第1補助パターンをエッチングマスクとして前記下部反射防止膜をエッチングして下部反射防止膜パターンを形成する段階と、
前記下部反射防止膜パターンと前記第1補助パターンの表面に絶縁膜を形成する段階と、
前記ハードマスク膜と絶縁膜上に第2補助膜を形成する段階と、
前記第2補助膜が前記下部反射防止膜パターン間の前記ハードマスク膜上に残留して第2補助パターンとなるようにエッチング工程を行う段階と、
前記第1補助パターンの上部、および前記下部反射防止膜パターンと第2補助パターン間の前記絶縁膜を除去する段階と、
前記下部反射防止膜パターンと第2補助パターンをエッチングマスクとして前記ハードマスク膜をエッチングしてハードマスクパターンを形成する段階と、
前記ハードマスクパターンをエッチングマスクとして前記エッチング対象膜をエッチングする段階とを含むことを特徴とする、半導体素子の微細パターン形成方法。 - 前記エッチング対象膜は、絶縁物または導電物の膜質からなることを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記ハードマスク膜は、アモルファスカーボン膜およびシリコン酸化窒化膜(SiON)が積層された構造で形成することを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記第1補助パターンは、フォトレジスト膜で形成することを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記第1補助パターンの臨界寸法(Critical Dimension、CD)は、最終工程によって形成された微細パターンのピッチの半分程度となるようにすることを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記絶縁膜は、有機膜またはアモルファスカーボン膜で形成することを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記絶縁膜形成工程の際に、前記絶縁膜は前記ハードマスク膜の上部にも形成できることを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記絶縁膜は、前記シリコンの含有された下部反射防止膜パターンと第2補助膜に対して相異なるエッチング選択比を持つ物質で形成することを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記絶縁膜は、前記第1補助パターンと同一のエッチング選択比を持つことを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記シリコンの含有された下部反射防止膜パターンと第1補助パターンの側面に蒸着された前記絶縁膜の厚さは、最終工程によって形成された微細パターンのピッチの半分程度となるようにすることを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記第2補助膜は、エッチバック工程によってエッチングすることを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記第2補助膜エッチング工程の際に、前記第2補助パターンは前記第1補助パターンの高さまで残留することを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記絶縁膜は、ドライエッチング工程によって除去することを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記絶縁膜除去工程の際に、前記絶縁膜は、前記シリコンの含有された下部反射防止膜パターンと第2補助パターンに対して相異なるエッチング選択比を持つことを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記ハードマスク膜の上部に形成された前記絶縁膜は、前記絶縁膜除去工程の際に前記第2補助パターンの下部に残留することを特徴とする、請求項7に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記絶縁膜除去工程の際に、前記第1補助パターンも除去されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記第2補助パターンは、前記シリコンの含有された下部反射防止膜パターンの間に形成されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- セルゲート領域、選択トランジスタ領域および周辺回路領域が定義された半導体基板の上部にエッチング対象膜、ハードマスク膜、シリコンの含有された下部反射防止膜、および第1補助パターンを形成する段階と、
前記第1補助パターンをエッチングマスクとして前記下部反射防止膜をエッチングして下部反射防止膜パターンを形成する段階と、
前記下部反射防止膜パターンと第1補助パターンの表面に絶縁膜を形成する段階と、
前記ハードマスク膜と絶縁膜上に第2補助膜を形成する段階と、
前記選択トランジスタ領域および周辺回路領域に形成された前記第2補助膜を除去する段階と、
前記セルゲート領域に形成された前記第2補助膜が前記下部反射防止膜パターン間の前記ハードマスク膜上に残留して第2補助パターンとなるようにエッチング工程を行う段階と、
前記セルゲート領域において前記第1補助パターンの上部、および前記下部反射防止膜パターンと第2補助パターン間の前記絶縁膜を除去する段階と、
前記下部反射防止膜パターンおよび第2補助パターンをエッチングマスクとして前記ハードマスク膜をエッチングしてハードマスクパターンを形成する段階と、
前記ハードマスクパターンをエッチングマスクとして前記エッチング対象膜をエッチングする段階とを含んでなることを特徴とする、半導体素子の微細パターン形成方法。 - 前記エッチング対象膜は、タングステンシリサイド(WSix)膜で形成することを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記エッチング対象膜と前記半導体基板との間には、トンネル絶縁膜、フローティングゲート用第1導電膜、誘電体膜、およびコントロールゲート用第2導電膜が積層された構造で形成されることを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記ハードマスク膜は、アモルファスカーボン膜およびシリコン酸化窒化膜が積層された構造で形成することを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記第1補助パターンは、フォトレジスト膜で形成することを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記第1補助パターンの臨界寸法(Critical Dimension、CD)は、最終工程によって形成された微細パターンのピッチの半分程度となるようにすることを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記絶縁膜は、前記第2補助膜とシリコンの含有された下部反射防止膜パターンに対して相異なるエッチング選択比を持つ物質で形成することを特徴とする、請求項18に記載の 半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記絶縁膜は、有機膜またはアモルファスカーボン膜で形成することを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記絶縁膜形成工程の際に、前記絶縁膜は前記ハードマスク膜の上部にも形成できることを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記絶縁膜は、前記第1補助パターンと同一のエッチング選択比を持つことを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記シリコンの含有された下部反射防止膜パターンの側面に蒸着された前記絶縁膜の厚さは、最終工程によって形成された微細パターンのピッチの半分程度となるようにすることを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記第2補助膜は、シリコンの含有されたフォトレジスト膜で形成することを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記選択トランジスタ領域および周辺回路領域に形成された前記第2補助膜の除去工程の際にドライエッチング工程によって除去することを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記セルゲート領域に形成された前記第2補助膜のエッチング工程の際に、前記選択トランジスタ領域に残留する前記第2補助膜も除去されることを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記選択トランジスタ領域に残留する第2補助膜は、エッチバック工程によってエッチングすることを特徴とする、請求項31に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記第2補助膜エッチング工程の際に、前記第2補助パターンは前記第1補助パターンの高さまで残留することを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記絶縁膜除去工程の際に、前記絶縁膜は、前記シリコンの含有された下部反射防止膜と第2補助パターンに対して相異なるエッチング選択比を持つことを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記セルゲート領域に形成された前記絶縁膜除去工程の際に、前記選択トランジスタ領域および周辺回路領域に形成された前記絶縁膜も除去されることを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記選択トランジスタ領域および周辺回路領域に形成された前記絶縁膜は、ドライエッチング工程によって除去することを特徴とする、請求項35に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記ハードマスクの上部に形成された前記絶縁膜は、前記絶縁膜除去工程の際に前記第2補助パターンの下部に残留することを特徴とする、請求項26に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記絶縁膜除去工程の際に、前記第1補助パターンは同一のエッチング選択比を持つことを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記絶縁膜除去工程の際に、前記第1補助パターンも共に除去されることを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記第2補助パターンは、前記シリコンの含有された下部反射防止膜パターンの間に形成されることを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
- 前記エッチング対象膜エッチング工程の際に、前記エッチング対象膜と前記半導体基板との間に形成された前記トンネル絶縁膜、フローティングゲート用第1導電膜、誘電体膜、およびコントロールゲート用第2導電膜も共にエッチングされることにより、ゲートを形成することを特徴とする、請求項20に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012216846A (ja) * | 2007-12-20 | 2012-11-08 | Sk Hynix Inc | 半導体素子の形成方法 |
US9218984B2 (en) | 2007-12-20 | 2015-12-22 | SK Hynix Inc. | Method for manufacturing a semiconductor device |
KR20190141256A (ko) * | 2017-05-12 | 2019-12-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판들 및 챔버 컴포넌트들 상에서의 금속 실리사이드 층들의 증착 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120034782A1 (en) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of Forming Fine Patterns |
KR101093969B1 (ko) * | 2010-08-04 | 2011-12-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 미세 패턴 형성방법 |
US8529777B2 (en) * | 2011-09-12 | 2013-09-10 | Tdk Corporation | Method of making a mask, method of patterning by using this mask and method of manufacturing a micro-device |
CN103887217B (zh) * | 2014-03-27 | 2017-01-18 | 华映视讯(吴江)有限公司 | 形成膜层图案的方法 |
KR102354460B1 (ko) | 2015-02-12 | 2022-01-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9911693B2 (en) * | 2015-08-28 | 2018-03-06 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices including conductive lines and methods of forming the semiconductor devices |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60207339A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-18 | Matsushita Electronics Corp | パタ−ン形成方法 |
JPS62234333A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Matsushita Electronics Corp | 微細溝加工用マスクの形成方法 |
JPH01110727A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-27 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH01124219A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | パターン付け方法 |
JPH02266517A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-31 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2007081403A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の微細パターン形成方法 |
JP2007305976A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の微細パターン形成方法 |
JP2008091851A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子のハードマスクパターン形成方法 |
JP2008270730A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の微細パターン形成方法 |
JP2009055022A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-03-12 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4838991A (en) * | 1987-10-30 | 1989-06-13 | International Business Machines Corporation | Process for defining organic sidewall structures |
US7052972B2 (en) * | 2003-12-19 | 2006-05-30 | Micron Technology, Inc. | Method for forming sublithographic features during the manufacture of a semiconductor device and a resulting in-process apparatus |
US7265056B2 (en) * | 2004-01-09 | 2007-09-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming novel BARC open for precision critical dimension control |
KR100720481B1 (ko) * | 2005-11-28 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
KR100784062B1 (ko) * | 2006-01-20 | 2007-12-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 |
KR100672123B1 (ko) * | 2006-02-02 | 2007-01-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 |
US7488685B2 (en) * | 2006-04-25 | 2009-02-10 | Micron Technology, Inc. | Process for improving critical dimension uniformity of integrated circuit arrays |
KR100734464B1 (ko) * | 2006-07-11 | 2007-07-03 | 삼성전자주식회사 | 미세 피치의 하드마스크 패턴 형성 방법 및 이를 이용한반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
US7807575B2 (en) * | 2006-11-29 | 2010-10-05 | Micron Technology, Inc. | Methods to reduce the critical dimension of semiconductor devices |
US20090087990A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Tokyo Electron Limited | Manufacturing method, manufacturing apparatus, control program and program recording medium of semiconductor device |
US20090311634A1 (en) * | 2008-06-11 | 2009-12-17 | Tokyo Electron Limited | Method of double patterning using sacrificial structure |
KR101077453B1 (ko) * | 2009-03-31 | 2011-10-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
JP4815519B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2011-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | マスクパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
US8026178B2 (en) * | 2010-01-12 | 2011-09-27 | Sandisk 3D Llc | Patterning method for high density pillar structures |
-
2007
- 2007-09-03 KR KR1020070088888A patent/KR100965011B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60207339A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-18 | Matsushita Electronics Corp | パタ−ン形成方法 |
JPS62234333A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Matsushita Electronics Corp | 微細溝加工用マスクの形成方法 |
JPH01110727A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-27 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH01124219A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | パターン付け方法 |
JPH02266517A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-31 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2007081403A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の微細パターン形成方法 |
JP2007305976A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の微細パターン形成方法 |
JP2008091851A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子のハードマスクパターン形成方法 |
JP2008270730A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の微細パターン形成方法 |
JP2009055022A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-03-12 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012216846A (ja) * | 2007-12-20 | 2012-11-08 | Sk Hynix Inc | 半導体素子の形成方法 |
US9218984B2 (en) | 2007-12-20 | 2015-12-22 | SK Hynix Inc. | Method for manufacturing a semiconductor device |
KR20190141256A (ko) * | 2017-05-12 | 2019-12-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판들 및 챔버 컴포넌트들 상에서의 금속 실리사이드 층들의 증착 |
JP2020520116A (ja) * | 2017-05-12 | 2020-07-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板及びチャンバ部品上への金属ケイ素化合物層の堆積 |
JP7221879B2 (ja) | 2017-05-12 | 2023-02-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板及びチャンバ部品上への金属ケイ素化合物層の堆積 |
KR102601706B1 (ko) * | 2017-05-12 | 2023-11-10 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판들 및 챔버 컴포넌트들 상에서의 금속 실리사이드 층들의 증착 |
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