JP2015102653A - ステンシルマスク及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン薄膜層にドライエッチングによって、所定の転写パターンの開口を中間酸化膜層上まで形成する工程と、ドライエッチングによって開口の酸化膜層接触部に、ノッチを形成する工程と、を有することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本工程でのトレンチエッチング方法としては、例えば、エッチング反応生成物(SiOx、SiNx等)で側壁のエッチングを防ぎつつトレンチエッチングを行う側壁保護エッチング(ガス圧50mTorr程度)、低温(−130℃程度、ガス圧20mTorr以下)で側壁のエッチングを防ぎつつトレンチエッチングを行う極低温エッチング、などを使用できる。
))。
シリコン薄膜層、中間酸化膜層、及びシリコン層を順次積層したSOI基板よりステンシルマスクを製造する方法において、
シリコン薄膜層にドライエッチングによって、所定の転写パターンの開口を中間酸化膜層上まで形成する工程と、
ドライエッチングによって開口の酸化膜層接触部に、ノッチを形成する工程と、
を有することを特徴とするステンシルマスクの製造方法としたものである。
パターン状に開口を形成されたシリコン薄膜層、中間酸化膜層、及び開口部を形成されたシリコン層が順次形成された構成のステンシルマスクにおいて、
シリコン薄膜層の開口が、シリコン層の開口部側で、ノッチを形成されたことを特徴とするステンシルマスクとしたものである。
るため、開口の形成の上での断面形状の厳密な制御の上での負荷が軽減される。
レジストを除去し、トレンチ洗浄して、シリコン薄膜層122にパターン状の開口を形成する(図3(d))。
つぎに保護用レジスト221を露光・現像し、保護膜コート222とする(図4(f))。これは、以下のシリコン層141のエッチングに対し、シリコン薄膜層122がエッチングされるのを防ぐためである。
20、21、121、122・・・シリコン薄膜層
30、31、131・・・中間酸化膜層
40、41、141・・・シリコン層
50・・・ノッチ
60、61・・・開口
71・・・庇
80、181・・・開口部
81・・・シリコン薄膜層が中間酸化膜層と接触する部位
90・・・イオン
211・・・EBレジストパターン
221・・・保護用レジスト
222・・・保護膜コート
231・・・開口部エッチング用厚膜レジスト
232・・・開口部エッチング用厚膜レジストパターン
Claims (2)
- シリコン薄膜層、中間酸化膜層、及びシリコン層を順次積層したSOI基板よりステンシルマスクを製造する方法において、
シリコン薄膜層にドライエッチングによって、所定の転写パターンの開口を中間酸化膜層上まで形成する工程と、
ドライエッチングによって開口の酸化膜層接触部に、ノッチを形成する工程と、
を有することを特徴とするステンシルマスクの製造方法。 - パターン状に開口を形成されたシリコン薄膜層、中間酸化膜層、及び開口部を形成されたシリコン層が順次形成された構成のステンシルマスクにおいて、
シリコン薄膜層の開口が、シリコン層の開口部側で、ノッチを形成されたことを特徴とするステンシルマスク。
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WO2017009564A1 (fr) * | 2015-07-10 | 2017-01-19 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Pochoir et procédé de fabrication du pochoir |
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