JP2006080361A - ステンシルマスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上にマスク材料層を形成した構造を準備する工程、前記マスク材料層上に無機レジスト層を形成する工程、前記無機レジスト層上に有機レジスト層を塗布した後、リソグラフィーによりパターニングし、有機レジストパターンを形成する工程、前記有機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記無機レジスト層をエッチングし、無機レジストパターンを形成する工程、前記基板の裏面を加工し、ステンシルマスク基体を形成する工程、前記無機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記マスク材料層をエッチングし、マスク母体を形成する工程、及び前記無機レジストパターンを除去する工程を具備することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
S. D. Berger et.al., Applied Physics Letters,57, 153 (1990) )
図1(a)〜(d)を参照して、本発明の一実施例に係るステンシルマスクの製造方法について、工程順に説明する。
ターゲット材料:クロム
導入ガス:アルゴン(100sccm)、窒素(50sccm)
到達真空度:1x10−4Pa
反応圧力:0.7Pa
パワー:1kW
基板温度:室温
膜厚:50nm。
図2(a)〜(e)を参照して、本発明の他の実施例に係るステンシルマスクの製造方法について、工程順に説明する。
原料ガス:シラン(5sccm)、アンモニア(20sccm)、水素(250sccm)
反応圧力:1Torr
高周波パワー:180W
基板温度:150℃
膜厚:500nm。
反応圧力:30mTorr
高周波パワー:300W
その後、図2(d)に示すように、フォトリソグラフィーとRIEにより基板21を加工し、ステンシルマスク基体25を得た。ここで、エッチングガスとして四フッ化炭素を用いた。
反応圧力:30mTorr
高周波パワー:300W
最後に、フッ酸を用いて室温にて窒化シリコン膜パターン24をエッチングにより剥離し、ステンシルマスクを完成した。
Claims (5)
- 基板上にマスク材料層を形成した構造を準備する工程、
前記マスク材料層上に無機レジスト層を形成する工程、
前記無機レジスト層上に有機レジスト層を塗布した後、リソグラフィーによりパターニングし、有機レジストパターンを形成する工程、
前記有機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記無機レジスト層をエッチングし、無機レジストパターンを形成する工程、
前記基板の裏面を加工し、ステンシルマスク基体を形成する工程、
前記無機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記マスク材料層をエッチングし、マスク母体を形成する工程、及び
前記無機レジストパターンを除去する工程
を具備することを特徴とするステンシルマスクの製造方法。 - 基板上に形成されたストッパー層の上にマスク材料層を形成した構造を準備する工程、
前記マスク材料層上に無機レジスト層を形成する工程、
前記無機レジスト層上に有機レジスト層を塗布した後、リソグラフィーによりパターニングし、有機レジストパターンを形成する工程、
前記有機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記無機レジスト層をエッチングし、無機レジストパターンを形成する工程、
前記基板の裏面を加工し、開口を有するステンシルマスク基体を形成する工程、
前記ステンシルマスク基体の開口に露出する前記ストッパー層を除去する工程、
前記無機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記マスク材料層をエッチングし、マスク母体を形成する工程、及び
前記無機レジストパターンを除去する工程
を具備することを特徴とするステンシルマスクの製造方法。 - 前記マスク材料は、シリコン、炭素、金属、及びそれらの化合物からなる群から選ばれた1種であることを特徴とする請求項1又は2に記載のステンシルマスクの製造方法。
- 前記ストッパー層は、酸化シリコン、金属、炭素、及びそれらの化合物からなる群から選ばれた1種からなることを特徴とする請求項1又は2に記載のステンシルマスクの製造方法。
- 前記無機レジストは、窒化クロム、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、金属、及び金属化合物からなる群から選ばれた1種であることを特徴とする請求項1又は2に記載のステンシルマスクの製造方法。
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