JP2006080359A - 窒化シリコン膜の製造方法及び窒化シリコン膜を用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基体上に、珪素源ガス、窒素源ガス及び水素を含む原料ガスを用いたプラズマ化学気相成長法により、200℃未満の成膜温度で、窒化シリコン膜を成膜する工程を具備することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
シランに対するアンモニアの流量比は、3以上であることが望ましい。これは、図5において、通常の好ましいエッチングレートである100nm/min以上になる流量比を検討した結果である。すなわち、流量比が3未満であるとエッチングレートが100nm/min未満となって低すぎるため、無機レジストとして剥離性に欠けてしまう。また、流量比が3以上であると、エッチングレートが100nm/min以上になるため、無機レジストとして好ましい剥離性を得ることが出来る。
図1を参照して、本発明の一実施例に係るパターン形成方法について説明する。
原料ガス:シラン(5sccm)、アンモニア(20sccm)、水素(250sccm)
反応圧力:1Torr
高周波パワー:180W
基板温度:150℃
膜厚:500nm。
反応圧力:30mTorr
高周波パワー:300W
続いて、図1(d)に示すように、RIEにより、上記窒化シリコン膜パターン15をマスクとして用いて、ダイヤモンド膜12をエッチングし、ダイヤモンド膜パターン16を形成した。RIE条件は下記の通りである。
反応圧力:30mTorr
高周波パワー:300W
最後に、図1(e)に示すように、フッ酸を用いて室温にて窒化シリコン膜パターン15をエッチング剥離し、微細なダイヤモンド膜パターン16を得た。
Claims (5)
- 基体上に、珪素源ガス、窒素源ガス及び水素を含む原料ガスを用いたプラズマ化学気相成長法により、200℃未満の成膜温度で、窒化シリコン膜を成膜することを特徴とする窒化シリコン膜の製造方法。
- 基板上に、金属、シリコン、炭素、又はそれらの化合物からなる被加工膜が成膜された構造を準備する工程、
前記被加工膜上に、珪素源ガス、窒素源ガス及び水素を含む原料ガスを用いたプラズマ化学気相成長法により、200℃未満の成膜温度で、窒化シリコン膜を成膜する工程、
前記窒化シリコン膜上に有機レジストパターンを形成する工程、
前記有機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記窒化シリコン膜をエッチングし、窒化シリコン膜パターンを形成する工程、
前記窒化シリコン膜パターンをエッチングマスクとして用いて、前記被加工膜をエッチングし、被加工膜パターンを形成する工程、及び
前記窒化シリコン膜パターンを除去する工程
を具備することを特徴とする、窒化シリコン膜を用いたパターン形成方法。 - 前記珪素源ガスはシランであり、窒素源ガスはアンモニアであって、シランに対するアンモニアの流量比が3以上であることを特徴とする請求項2に記載の、窒化シリコン膜を用いたパターン形成方法。
- 前記被加工膜が、炭素系膜であることを特徴とする請求項2又は3に記載の、窒化シリコン膜を用いたパターン形成方法。
- 前記炭素系膜は、メタン、水素、及び窒素を含む原料ガスを用いてプラズマ化学気相成長法により成膜されたダイヤモンド膜であることを特徴とする請求項4に記載の、窒化シリコン膜を用いたパターン形成方法。
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JP2006080359A true JP2006080359A (ja) | 2006-03-23 |
JP4517791B2 JP4517791B2 (ja) | 2010-08-04 |
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