KR102482649B1 - 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법 - Google Patents
극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102482649B1 KR102482649B1 KR1020200084866A KR20200084866A KR102482649B1 KR 102482649 B1 KR102482649 B1 KR 102482649B1 KR 1020200084866 A KR1020200084866 A KR 1020200084866A KR 20200084866 A KR20200084866 A KR 20200084866A KR 102482649 B1 KR102482649 B1 KR 102482649B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- pellicle
- silicon carbide
- extreme ultraviolet
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 31
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 73
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 25
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 5
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002055 nanoplate Substances 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- AJXBBNUQVRZRCZ-UHFFFAOYSA-N azanylidyneyttrium Chemical compound [Y]#N AJXBBNUQVRZRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical group [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 143
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 5
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 본 발명은 a) 기판의 일면 위에 탄화규소 층을 형성하는 단계와, b) 상기 탄화규소 층 위에 금속 촉매 층을 형성하는 단계와, c) 상기 금속 촉매 층 위에 고체 탄소 소스 층을 형성하는 단계와, d) 상기 고체 탄소 소스 층의 적어도 일부가 상기 금속 촉매 층으로 확산되면서 과포화되어 상기 탄화규소 층과 상기 금속 촉매 층 사이에 그래핀 층이 형성되도록 열처리하는 단계와, e) 상기 금속 촉매 층을 제거하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법에 따르면 열처리 과정에서 탄화규소 층 위에 그래핀 층이 바로 형성된다. 따라서 탄화규소 층과 그래핀 층 사이의 결합력이 개선된다.
Description
본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 또는 액정 표시판 등의 제조에서 반도체 웨이퍼 또는 액정용 기판에 패터닝을 하는 경우에 포토리소그라피라는 방법이 사용된다. 포토리소그라피에서는 패터닝의 원판으로서 마스크가 사용되고, 마스크 상의 패턴이 웨이퍼 또는 액정용 기판에 전사된다. 이 마스크에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지로 인하여 빛이 흡수되거나, 반사되기 때문에 전사한 패턴이 손상되어 반도체 장치나 액정 표시판 등의 성능이나 수율의 저하를 초래한다는 문제가 발생한다. 따라서, 이들의 작업은 보통 클린룸에서 행해지지만 이 클린룸 내에도 먼지가 존재하므로, 마스크 표면에 먼지가 부착하는 것을 방지하기 위하여 펠리클을 부착하는 방법이 행해지고 있다. 이 경우, 먼지는 마스크의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클 막 위에 부착되고, 리소그라피 시에는 초점이 마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상의 먼지는 초점이 맞지 않아 패턴에 전사되지 않는 이점이 있다.
점차 반도체 제조용 노광 장치의 요구 해상도는 높아져 가고 있고, 그 해상도를 실현하기 위해서 광원의 파장이 점점 더 짧아지고 있다. 구체적으로, UV 광원은 자외광 g선(436), I선(365), KrF 엑시머 레이저(248), ArF 엑시머 레이저(193)에서 극자외선(EUV, extreme UltraViolet, 13.5㎚)으로 점점 파장이 짧아지고 있다. 이러한 극자외선을 이용한 노광 기술을 실현하기 위해서는 새로운 광원, 레지스트, 마스크, 펠리클의 개발이 불가결하다. 즉, 종래의 유기 펠리클 막은 높은 에너지를 가진 노광 광원에 의해서 물성이 변화되고, 수명이 짧기 때문에 극자외선용 펠리클에는 사용되기 어렵다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 다양한 시도가 진행되고 있다.
예를 들어, 공개특허 제2009-0088396호에는 에어로겔 필름으로 이루어진 펠리클이 개시되어 있다.
그리고 공개특허 제2009-0122114호에는 실리콘 단결정 막으로 이루어지는 펠리클 막과 그 펠리클 막을 지지하는 베이스 기판을 포함하며, 베이스 기판은 60% 이상의 개구부를 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선용 펠리클이 개시되어 있다.
공개특허 제2009-0122114호에 개시된 극자외선용 펠리클은 극자외선의 투과를 위해서 실리콘 단결정 막을 박막으로 형성하여야 한다. 이러한 실리콘 단결정 박막은 작은 충격에도 쉽게 손상될 수 있으므로, 이를 지지하기 위한 베이스 기판을 사용한다. 이러한 베이스 기판의 보강 틀은 일정한 패턴을 형성하며, 이 패턴이 리소그라피 공정에서 기판에 전사된다는 문제가 있다. 또한, 투과율이 60% 정도로 매우 낮다는 문제가 있다.
극자외선은 파장이 짧기 때문에 에너지가 매우 높으며, 투과율이 낮기 때문에 상당량의 에너지가 펠리클 막과 베이스 기판에 흡수되어 펠리클 막과 베이스 기판이 가열될 수 있다. 따라서 펠리클 막과 베이스 기판의 재질이 서로 다를 경우에는 리소그라피 공정에서 발생하는 열에 의한 열팽창 차이에 의해서 변형이 발생할 수 있다는 문제 또한 있다.
펠리클 막을 보강하기 위한 별도의 베이스 기판을 사용하지 않는 프리스텐딩 펠리클을 사용하는 방법도 개시되어 있다.
예를 들어, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1552940호에는 니켈 호일에 흑연 박막을 형성한 후 니켈 호일을 염화철이 포함된 수용액을 이용하여 에칭하여 흑연 박막을 얻는 방법이 개시되어 있다.
또한, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1303795호, 제1940791호에는 유기물 기판에 지르코늄 또는 몰리브덴 금속 박막 층, 실리콘 박막 층, 탄화규소 박막 층 또는 카본 박막 층을 형성한 후 유기물 기판을 용매를 이용하여 용해하여 펠리클 막을 얻는 방법이 개시되어 있다.
또한, 실리콘 기판의 양면에 질화규소 층을 형성하고, 실리콘 기판의 윗면의 질화규소 층 위에 극자외선의 투과율이 높은 코어 층인 단결정 또는 다결정 실리콘 층, 질화규소 층, 캐핑 층을 순차적으로 형성한 후, 실리콘 기판의 아랫면에 형성된 질화규소 층에 포토레지스트를 도포한 후 패터닝하고, 질화규소 층의 중심부를 건식에칭으로 제거하고, 실리콘 기판의 중심부를 습식에칭으로 제거하여 극자외선이 투과되는 윈도우를 형성하여 펠리클을 제조하는 방법도 사용되고 있다.
또한, 코어 층으로 열전도도가 높고, 극자외선의 흡수율이 낮은 그래핀 층을 사용하는 방법도 연구되고 있다. 종래의 방법에서는 그래핀 층을 전이금속 촉매 층이 형성된 기판에 탄화수소를 포함한 혼합가스를 주입하여 열처리함으로써 탄소를 흡착시킨 후 냉각하는 방법으로 형성하였으며, 이 그래핀 층을 기판에서 분리한 후, 질화규소 층이 형성된 실리콘 기판에 전사하였다.
그런데 이러한 방법으로 전사된 그래핀 층은 질화규소 층으로부터 쉽게 박리된다는 문제점이 있었다. 또한, 극자외선의 반사 등과 같이, 그래핀 층에 잔존하는 금속 촉매에 의한 펠리클 특성에 대한 악영향도 있을 수 있다는 문제점도 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 그래핀 코어 층을 사용하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 새로운 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 a) 기판의 일면 위에 탄화규소 층을 형성하는 단계와, b) 상기 탄화규소 층 위에 금속 촉매 층을 형성하는 단계와, c) 상기 금속 촉매 층 위에 고체 탄소 소스 층을 형성하는 단계와, d) 상기 고체 탄소 소스 층의 적어도 일부가 상기 금속 촉매 층으로 확산되면서 과포화되어 상기 탄화규소 층과 상기 금속 촉매 층 사이에 그래핀 층이 형성되도록 열처리하는 단계와, e) 상기 금속 촉매 층을 제거하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 금속 촉매 층은 니켈, 코발트, 크롬, 루테늄, 백금, 몰리브덴 또는 이들의 합금 중에서 선택된 금속 층인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 금속 촉매 층은 니켈 구리 합금 층인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.
삭제
또한, 상기 고체 탄소 소스 층은 비정질 탄소 층, 흑연 층, 그래핀 나노플레이트 층, 탄소나노튜브 층 또는 그래핀 층인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 기판은 적어도 일면에 질화규소 층이 형성된 실리콘 기판인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 d) 단계는 600~1200℃, 비산화성 분위기에서 열처리하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 비산화성 분위기는 아르곤 가스 분위기 또는 아르곤 및 수소 가스 분위기인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 그래핀 층 위에 캐핑 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 캐핑 층은 질화규소, 산화질화규소(SiON), 산화이트륨(Y2O3), 질화이트륨(YN), 루테늄(Ru), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 탄화붕소(B4C), 탄화규소(SiC), 질화붕소(BN) 중 적어도 하나를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 d) 단계는 600~1200℃, 비산화성 분위기에서 열처리하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 비산화성 분위기는 아르곤 가스 분위기 또는 아르곤 및 수소 가스 분위기인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 그래핀 층 위에 캐핑 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 캐핑 층은 질화규소, 산화질화규소(SiON), 산화이트륨(Y2O3), 질화이트륨(YN), 루테늄(Ru), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 탄화붕소(B4C), 탄화규소(SiC), 질화붕소(BN) 중 적어도 하나를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법에 따르면 열처리 과정에서 탄화규소 층 위에 그래핀 층이 바로 형성된다. 따라서 탄화규소 층과 그래핀 층 사이의 결합력이 개선된다. 또한, 그래핀 층의 전사 과정이 필요하지 않기 때문에 공정이 간소화된다.
또한, 그래핀 층으로부터 금속 촉매를 용이하게 제거할 수 있어서, 잔존하는 금속 촉매에 의한 극자외선의 반사와 같은 펠리클 특성 변화 우려가 적다. 또한, 금속 촉매 층의 조성을 좀더 자유롭게 선택할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법의 순서도이다.
도 2a 내지 2h는 도 1에 도시된 실시예의 각 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 2a 내지 2h는 도 1에 도시된 실시예의 각 단계를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법에 대해서 상세히 설명한다.
다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법의 순서도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법은 실리콘 기판의 양면에 질화규소 층을 형성하는 단계(S1)와, 실리콘 기판의 일면에 형성된 질화규소 층 위에 탄화규소 층을 형성하는 단계(S2)와, 탄화규소 층 위에 금속 촉매 층을 형성하는 단계(S3)와, 금속 촉매 층 위에 고체 탄소 소스 층을 형성하는 단계(S4)와, 탄화규소 층과 금속 촉매 층 사이에 그래핀 층이 형성되도록 열처리하는 단계(S5)와, 금속 촉매 층을 제거하는 단계(S6)와, 그래핀 층 위에 캐핑 층을 형성하는 단계(S7)와, 실리콘 기판의 다른 일면에 형성된 질화규소 층과 실리콘 기판을 에칭하여 윈도우를 형성하는 단계(S8)를 포함한다.
이하, 도 2a 내지 2h를 참고하여, 각각의 단계에 대해서 설명한다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(10)의 상면과 하면에 각각 질화규소(SixNy) 층(11a, 11b)을 형성한다(S1).
상면에 형성된 질화규소 층(11a)은 습식 에칭 액과 수소 라디칼로부터 탄화규소 층(12)을 보호하는 역할을 한다. 질화규소 층(11a, 11b)은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정이나, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정을 통해서 증착하는 방법으로 형성할 수 있다. 질화규소 층(11a, 11b)은 극자외선에 대한 투과율이 낮기 때문에 얇은 두께로 증착되어야 한다.
다음, 도 2b에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(10)의 일면에 형성된 질화규소 층(11a) 위에 탄화규소 층(12)을 형성한다(S2).
탄화규소 층(12)은 극자외선에 대한 투과율이 높으며, 열방사율 및 내수소성이 우수하다. 또한, 후술하는 공정에서 탄화규소 층(12) 위에 형성되는 그래핀 층(15)과의 결합력이 우수하다.
여기서 탄화규소 층(12)의 두께는 30 ~ 500Å인 것이 바람직하다. 두께가 두꺼워지면 극자외선의 투과율이 떨어지기 때문이다.
그리고 탄화규소 층(12)의 평균 결정립 크기(Grain size)는 500㎚ 이하인 것이 바림직하다. 평균 결정립 크기가 너무 크면, 기계적 강도가 떨어지기 때문이다.
또한, 중심선 평균조도는 0.1㎚Ra ~ 15㎚Ra인 것이 바람직하다. 탄화규소 층(12)의 표면이 거칠어지면, 탄화규소 층(12)과 다른 층 간의 밀착력이 떨어진다.
탄화규소 층(12)은 CVD나 PVD 공정으로 형성할 수 있다. 예를 들어, DC 스퍼터링, RF 스퍼터링, 마그네트론 스퍼터링, 바이어스 스퍼터링, 반응성 스퍼터링(Reactive sputtering), 전자빔 증착 공정, 이온빔 증착 공정, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정 등을 통해서 형성할 수 있다. 반응가스로는 SixHy, CxHy 등이 적합하다.
그리고 형성된 탄화규소 층(12)의 평균 결정립 크기(Grain size)와 중심선 평균조도를 조절하기 위해서 열처리 또는 플라즈마 처리를 진행한다.
열처리는 CVD 장비, 급속 열처리 장비, 열처리로 등에서 진행할 수 있다. 열처리 분위기는 진공인 것이 바람직하며, 그리고 열처리 온도는 400 ~ 900℃이고, 시간은 15 ~ 60분인 것이 바람직하다.
플라즈마 처리는 반응성 이온식각(RIE) 장치, 유도결합 플라즈마(ICP) 장치, 용량성 결합 플라즈마(CCP) 장치, 대기압 플라즈마 장치, 화학적 이온 빔 식각(CAIBE) 장치, 반응성 이온 빔 식각(RIBE) 장치 등으로 진행할 수 있다. 플라즈마 처리는 수소(H), 탄소(C), 플루오르화(F), 아르곤 (Ar) 가스 중 적어도 하나를 포함하는 단일가스 혹은 혼합가스로 플라즈마를 형성하여 진행할 수 있다.
그리고 이온빔을 사용하는 경우에 80~111eV의 이온빔을 사용하여 10초 이하로 플라즈마 처리를 진행하는 것이 바람직하다.
열처리 또는 플라즈마 처리 후 평균 결정립 크기(Grain size)는 500㎚ 이하이며, 중심선 평균조도는 0.1㎚Ra ~ 15㎚Ra인 것이 바람직하다.
다음, 도 2c에 도시된 바와 같이, 탄화규소 층(12) 위에 금속 촉매 층(13)을 형성한다(S3).
금속 촉매 층(13)으로는 니켈, 코발트, 크롬, 루테늄, 백금, 몰리브덴 또는 이들의 합금 등을 사용할 수 있다. 바람직하게는 금속 촉매 층(13)은 니켈 구리 합금 층일 수 있다. 니켈은 탄소 용해도가 높으며, 구리는 탄소 용해도가 낮고 에칭이 용이하므로, 니켈과 구리의 함량을 조절하면 생성되는 그래핀 층(15)의 두께와 금속 촉매 층(13)의 에칭 속도를 조절할 수 있다. 금속 촉매 층(13)은 스퍼터링이나 진공증착 방법 등의 방법으로 형성할 수 있다.
다음, 도 2d에 도시된 바와 같이, 금속 촉매 층(13) 위에 고체 탄소 소스 층(14)을 형성한다(S4).
고체 탄소 소스 층(14)은 PVD 또는 CVD 방법으로 형성된 비정질 탄소 층, 흑연 층, 그래핀 나노플레이트 층, 탄소나노튜브 층 또는 그래핀 층일 수 있다. 또한, 비정질 탄소 파우더, 흑연 파우더, 그래핀 나노플레이트 파우더, 탄소나노튜브 파우더 또는 그래핀 파우더를 용매에 분산하여 코팅액을 제조한 후 스핀 코팅 등의 방법으로 코팅액을 도포한 후 건조하여 형성한 비정질 탄소 층, 흑연 층, 그래핀 나노플레이트 층, 탄소나노튜브 층 또는 그래핀 층일 수도 있다.
다음, 도 2e에 도시된 바와 같이, 열처리를 통해서 탄화규소 층(12)과 상기 금속 촉매 층(13) 사이에 그래핀 층(15)을 형성한다(S5).
열처리는 600~1200℃, 비산화성 분위기에서 진행된다. 예를 들어, 아르곤 가스 분위기 또는 수소 가스가 소량 포함된 아르곤 분위기에서 열처리가 진행될 수 있다. 본 단계에서는 고체 탄소 소스 층(14)의 적어도 일부가 금속 촉매 층(13)으로 확산되면서 과포화 상태에 이르게 되며, 탄소 핵이 형성되면서 탄화규소 층(12)과 금속 촉매 층(13) 사이에 그래핀 층(15)을 형성한다. 그래핀 층(15)이 탄화규소 층(12) 위에 직접 형성되므로 그래핀 층(15)과 탄화규소 층(12)의 결합력이 향상된다. 그래핀 층(15)은 극자외선에 대한 투과율이 높으며, 기계적 강도가 우수하고, 열전도도가 높다는 장점이 있다.
다음, 도 2f에 도시된 바와 같이, 금속 촉매 층(13)을 제거한다(S6).
금속 촉매 층(13)은 염화철(FeCl3) 용액, 과황산암모늄((NH4)2S2O8) 용액, 산성 용액 등의 에칭액을 이용해서 제거할 수 있다. 이때, 금속 촉매 층(13) 위에 잔류하는 고체 탄소 소스 층(14) 도 함께 제거된다.
다음, 도 2g에 도시된 바와 같이, 그래핀 층(15) 위에 캐핑 층(16)을 형성한다(S7).
캐핑 층(16)은 고출력의 극자외선으로부터 그래핀 층(15)을 보호하는 역할을 한다. 캐핑 층(16)은 극자외선 광에 의해서 발생하는 수소 라디칼에 안정적이며, 산화로부터 그래핀 층을 보호해야 한다. 캐핑 층(16)은 질화규소 층 또는 산화질화규소(SiON), 산화이트륨(Y2O3), 질화이트륨(YN), 루테늄(Ru), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 탄화붕소(B4C), 탄화규소(SiC), 질화붕소(BN) 중 적어도 하나를 포함하는 층일 수 있다. 캐핑 층(16)은 질화규소 층인 것이 바람직하다.
캐핑 층(16)은 CVD 법, 스퍼터링법, 전자빔 증착법, 이온빔 증착법 등의 다양한 방법으로 형성할 수 있다.
다음, 도 2h에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(10)의 다른 일면에 형성된 질화규소 층(11b)과 실리콘 기판(10)을 에칭하여 윈도우를 형성한다(S8).
실리콘 기판(10)의 하면에 형성된 질화규소 층(11b) 위에 포토레지스트 층을 도포하고, 패터닝을 한 후 건식 에칭으로 질화규소 층(11b)의 중심 부분을 제거하고, 습식 에칭을 통해서 실리콘 기판(10)의 중심 부분을 제거하여, 극자외선이 투과될 수 있는 윈도우를 형성하면, 극자외용 펠리클을 얻을 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.
10: 실리콘 기판
11a, 11b: 질화규소 층
12: 탄화규소 층
13: 금속촉매 층
14: 고체 탄소 소스 층
15: 그래핀 층
16: 캐핑 층
11a, 11b: 질화규소 층
12: 탄화규소 층
13: 금속촉매 층
14: 고체 탄소 소스 층
15: 그래핀 층
16: 캐핑 층
Claims (10)
- a) 기판의 일면 위에 탄화규소 층을 형성하는 단계와,
b) 상기 탄화규소 층 위에 금속 촉매 층을 형성하는 단계와,
c) 상기 금속 촉매 층 위에 고체 탄소 소스 층을 형성하는 단계와,
d) 상기 c) 단계에서 형성된 고체 탄소 소스 층의 적어도 일부가 상기 금속 촉매 층으로 확산되면서 과포화되어 상기 탄화규소 층과 상기 금속 촉매 층 사이에 그래핀 층이 형성되도록 열처리하는 별도의 열처리 단계와,
e) 상기 금속 촉매 층을 제거하는 단계와,
f) 상기 기판을 패터닝하여 상기 탄화규소 층과 상기 그래핀 층을 포함하는 펠리클 막을 노출시키는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 금속 촉매 층은 니켈, 코발트, 크롬, 루테늄, 백금, 몰리브덴 또는 이들의 합금 중에서 선택된 금속 층인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법. - 제2항에 있어서,
상기 금속 촉매 층은 니켈 구리 합금 층인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 고체 탄소 소스 층은 비정질 탄소 층, 흑연 층, 그래핀 나노플레이트 층, 탄소나노튜브 층 또는 그래핀 층인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 기판은 적어도 일면에 질화규소 층이 형성된 실리콘 기판인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 d) 단계는 600~1200℃, 비산화성 분위기에서 열처리하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법. - 제6항에 있어서,
상기 비산화성 분위기는 아르곤 가스 분위기 또는 아르곤 및 수소 가스 분위기인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 그래핀 층 위에 캐핑 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법. - 제8항에 있어서,
상기 캐핑 층은 질화규소, 산화질화규소(SiON), 산화이트륨(Y2O3), 질화이트륨(YN), 루테늄(Ru), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 탄화붕소(B4C), 탄화규소(SiC), 질화붕소(BN) 중 적어도 하나를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 a) 단계는,
a-1) 기판 위에 직접 또는 기판 위에 형성된 다른 막 위에 두께가 30 ~ 500Å인 탄화규소 막을 증착하는 단계와,
a-2) 증착된 탄화규소 막을 열처리하여 탄화규소 막의 평균 결정립 크기(Grain size)를 100 ~ 500㎚로 조절하는 단계와,
a-3) 열처리된 탄화규소 막을 플라즈마 식각 처리하여 중심선 평균조도가 0.1㎚Ra ~ 15㎚Ra인 탄화규소 층을 형성하는 단계를 포함하는 탄화규소 층을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200084866A KR102482649B1 (ko) | 2020-07-09 | 2020-07-09 | 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법 |
| PCT/KR2021/008492 WO2022010201A1 (ko) | 2020-07-09 | 2021-07-05 | 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200084866A KR102482649B1 (ko) | 2020-07-09 | 2020-07-09 | 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220006887A KR20220006887A (ko) | 2022-01-18 |
| KR102482649B1 true KR102482649B1 (ko) | 2022-12-29 |
Family
ID=79553332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200084866A KR102482649B1 (ko) | 2020-07-09 | 2020-07-09 | 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102482649B1 (ko) |
| WO (1) | WO2022010201A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102504698B1 (ko) * | 2022-04-04 | 2023-02-28 | 주식회사 그래핀랩 | 펠리클 제조방법 |
| WO2023232408A1 (en) * | 2022-05-31 | 2023-12-07 | Asml Netherlands B.V. | A membrane and associated method and apparatus |
| KR20230174998A (ko) * | 2022-06-22 | 2023-12-29 | 주식회사 에프에스티 | 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법 |
| KR20240049899A (ko) * | 2022-10-11 | 2024-04-18 | 주식회사 그래핀랩 | 펠리클 제조 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110104442A1 (en) | 2007-10-29 | 2011-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene sheet, graphene base including the same, and method of preparing the graphene sheet |
| WO2012086387A1 (ja) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | 日本電気株式会社 | グラフェン基板の製造方法およびグラフェン基板 |
| US20170205705A1 (en) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Pellicle and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7723704B2 (en) | 2006-11-10 | 2010-05-25 | Globalfoundries Inc. | EUV pellicle with increased EUV light transmittance |
| JP4934099B2 (ja) | 2008-05-22 | 2012-05-16 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
| KR101611410B1 (ko) * | 2009-04-07 | 2016-04-11 | 삼성전자주식회사 | 그래핀의 제조 방법 |
| KR101303795B1 (ko) | 2011-12-26 | 2013-09-04 | 주식회사 에프에스티 | 초극자외선용 펠리클 및 그 제조방법 |
| TW201331127A (zh) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Ritedia Corp | 圖案化石墨烯製備方法 |
| US10431354B2 (en) * | 2013-03-15 | 2019-10-01 | Guardian Glass, LLC | Methods for direct production of graphene on dielectric substrates, and associated articles/devices |
| KR101552940B1 (ko) | 2013-12-17 | 2015-09-14 | 삼성전자주식회사 | 흑연-함유 박막을 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막 |
| KR102251999B1 (ko) | 2015-01-09 | 2021-05-17 | 삼성전자주식회사 | 펠리클 및 이의 제조 방법 |
| KR102189172B1 (ko) | 2016-06-28 | 2020-12-09 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | 펠리클막, 펠리클 프레임체, 펠리클 및 그 제조 방법 |
| KR20220165812A (ko) * | 2016-07-05 | 2022-12-15 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | 펠리클막, 펠리클 프레임체, 펠리클, 그 제조 방법, 노광 원판, 노광 장치, 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR101940791B1 (ko) | 2017-05-19 | 2019-01-21 | 주식회사 에프에스티 | 유기물 희생층 기판을 이용한 초극자외선용 펠리클의 제조방법 |
| JP7019472B2 (ja) * | 2018-03-22 | 2022-02-15 | 三井化学株式会社 | カーボンナノチューブ自立膜の製造方法、およびペリクルの製造方法 |
| KR20190107603A (ko) | 2019-04-22 | 2019-09-20 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조방법 |
-
2020
- 2020-07-09 KR KR1020200084866A patent/KR102482649B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-07-05 WO PCT/KR2021/008492 patent/WO2022010201A1/ko active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110104442A1 (en) | 2007-10-29 | 2011-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene sheet, graphene base including the same, and method of preparing the graphene sheet |
| WO2012086387A1 (ja) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | 日本電気株式会社 | グラフェン基板の製造方法およびグラフェン基板 |
| US20170205705A1 (en) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Pellicle and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022010201A1 (ko) | 2022-01-13 |
| KR20220006887A (ko) | 2022-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102482649B1 (ko) | 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법 | |
| JP7126032B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用のメンブレン | |
| CN109765752B (zh) | Euv光刻用防护膜及其制造方法 | |
| JP7368363B2 (ja) | グラフェンペリクルリソグラフィ装置 | |
| KR20180126986A (ko) | 유기물 희생층 기판을 이용한 초극자외선용 펠리클의 제조방법 | |
| KR102247692B1 (ko) | 펠리클 구조체 및 이의 제조방법 | |
| JP7320039B2 (ja) | 多層グラフェンの直接成長方法およびそれを用いた極紫外線露光用ペリクルの製造方法 | |
| JPH0864524A (ja) | Ｘ線吸収マスクの製造方法 | |
| KR102301568B1 (ko) | 탄화규소 층을 포함하는 극자외선용 펠리클의 제조방법 | |
| JP4027458B2 (ja) | Ｘ線マスクブランク及びその製造方法並びにｘ線マスクの製造方法 | |
| KR102349295B1 (ko) | 카르빈(carbyne) 층을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막 및 그 제조방법 | |
| JP3631017B2 (ja) | Ｘ線マスクブランク及びその製造方法、並びにｘ線マスク及びその製造方法 | |
| KR102546968B1 (ko) | 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법 | |
| JPH07134413A (ja) | フラーレン含有レジスト材料を用いたデバイス作製プロセス | |
| US20220326602A1 (en) | Low-temperature direct growth method of multilayer graphene, pellicle for extreme ultraviolet lithography using the same, and method for manufacturing the pellicle | |
| JP3995784B2 (ja) | ドライエッチング方法、及びｘ線マスクの製造方法 | |
| KR102514745B1 (ko) | 극자외선 리소그라피용 펠리클 및 그 제조방법 | |
| KR102282273B1 (ko) | 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조방법 | |
| JP4517791B2 (ja) | 窒化シリコン膜を用いたパターン形成方法 | |
| JP3866912B2 (ja) | リソグラフィ用マスク基板およびその製造方法 | |
| KR20230125966A (ko) | 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법 | |
| KR20230055422A (ko) | 어시스트층을 이용한 프리스탠딩 나노 멤브레인의 제조 방법 | |
| KR20230069757A (ko) | 다성분계 실리콘 화합물 층을 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막 | |
| KR20240092300A (ko) | Euv 펠리클 멤브레인의 제조방법 | |
| KR20230029242A (ko) | 극자외선 리소그라피용 펠리클 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |