JPH06264270A - 硬質カーボン膜のパターニング方法 - Google Patents

硬質カーボン膜のパターニング方法

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JPH06264270A
JPH06264270A JP7277293A JP7277293A JPH06264270A JP H06264270 A JPH06264270 A JP H06264270A JP 7277293 A JP7277293 A JP 7277293A JP 7277293 A JP7277293 A JP 7277293A JP H06264270 A JPH06264270 A JP H06264270A
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JP
Japan
Prior art keywords
hard carbon
film
carbon film
mask
etching
Prior art date
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Pending
Application number
JP7277293A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeaki Shimauchi
岳明 島内
Shigeru Kizaki
茂 木崎
Noboru Taguchi
昇 田口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Watch Co Ltd
Original Assignee
Citizen Watch Co Ltd
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Publication date
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  • ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 基板11に硬質カーボン膜15を形成し、さ
らにマスク膜17を形成し、露光現像処理を行いレジス
ト19をパターニングする工程と、レジストをエッチン
グマスクにしてマスク膜をエッチングする工程と、マス
ク膜をエッチングマスクとし酸素、または酸素を主体と
するガスをエッチングガスとするドライエッチングによ
り硬質カーボン膜をエッチングする工程と、マスク膜を
除去する工程とを有する。 【効果】 硬質カーボン膜の微細パターンを得ることが
できる。これにより硬質カーボン膜を噴射加工やケミカ
ルエッチングなどのマスク材として利用することや、基
板上に部分的に形成することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、炭化水素を含有するガ
ス雰囲気中におけるプラズマ化学蒸着法(以下プラズマ
CVD法と略す)や、イオンビームスパッタリング法に
より形成する硬質カーボン膜のパターニング方法に関す
る。
【0002】
【従来技術】硬質カーボン膜は、1970年代後半から
英国で研究され始めたi−カーボンと俗称される超硬質
炭素膜であり、炭素原子の結合状態に長周期の結晶性が
見られず、アモルファスシリコンと類似の結合状態を有
するものと考えられている。
【0003】この膜の形成方法としては、炭化水素ガス
をプラズマ分解するプラズマCVD法が主なものであ
り、高周波電圧(13.56MHz)を印加する方法が
知られている。その他の硬質カーボン膜形成方法として
は、イオンビームスパッタリング法が存在する。
【0004】また、その硬質カーボン膜物性にはダイヤ
モンドの物性と類似点が多く、高硬度、耐摩耗性、潤滑
性、絶縁性、耐薬品性などの優れた特性を有する。この
ため工具をはじめとして各種機械、電子部品への保護コ
ーティング、あるいは機能性デバイスなどへの応用が期
待されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】たとえばこの耐摩耗性
に注目して、サンドブラスト法をはじめとする噴射加工
法のマスク材料としても応用が期待される。しかしなが
ら、硬質カーボン膜は、耐薬品性にも非常に優れた特性
を有するため、熱硫酸やフッ酸などを用いてもエッチン
グすることは不可能である。また、ドライエッチングに
おいても有効なエッチングガスが見つかっていない。現
在、この硬質カーボン膜を取り去る方法としては、40
0℃以上の温度において熱分解するしか方法がなく、こ
のため、微細パターン有する硬質カーボン膜を作成する
ことはできない。
【0006】本発明の目的は、上記課題を解決して、耐
摩耗性、耐薬品性を有する硬質カーボン膜を、微細なパ
ターンにパターニングする方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の硬質カーボン膜のパターニング方法におい
ては、硬質カーボン膜の上に金属、半導体、酸化物、窒
化物、あるいはこれらを組み合わせたマスク膜を形成
し、このマスク膜にレジストを用いて所定のパターンを
作成し、このマスク膜のパターンをマスクとして酸素、
あるいは酸素に少量のアルゴンなどの不活性ガスを加え
た酸素を主体とするガスを用いたドライエッチング法に
より、この硬質カーボン膜をエッチングして、硬質カー
ボン膜をパターニングする。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図1は、本発明における硬質カーボン膜のパターニ
ング方法を工程順に示す断面図である。硬質カーボン膜
の形成方法の例として炭化水素ガスを材料としたプラズ
マCVD法を用いた例を示し、マスク膜の材料として
は、金属、半導体、酸化物、窒化物であるチタン、シリ
コン、酸化シリコン、窒化チタンなどが使用できるが、
シリコンを用いて以下説明する。また、ドライエッチン
グの方法としては、酸素プラズマを用いた反応性イオン
エッチング法(以下RIEと略す)を用いて説明する。
【0009】図1(a)に示すように、基板11の上に
メタン、エチレン、ベンゼンなどの炭化水素ガスを原料
として、周波数13.56MHzの高周波電圧を300
W程度基板11に印加してプラズマを発生させ、基板1
1上に硬質カーボン膜15を膜厚5〜7μm形成する。
【0010】その後、硬質カーボン膜15上に、スパッ
タリング法を用いてシリコン膜からなるマスク膜17を
膜厚1μm形成する。さらにそのマスク膜17上にレジ
スト19を回転塗布法により膜厚2.5μm形成する。
【0011】つぎに、図1(b)に示すように、最終的
に希望するパターン形状を有するフォトマスクを用いて
露光、および現像処理を行い、レジスト19をパターニ
ングする。
【0012】そして、図1(c)に示すように、このパ
ターニングしたレジスト19をエッチングマスクと用い
て、マスク膜17のシリコン膜をフッ化水素酸と硝酸と
の混合液をエッチャントとしたウェットエッチング法
や、あるいは四フッ化炭素や六フッ化イオウなどのエッ
チングガスを用いたドライエッチング法によりエッチン
グする。
【0013】その後、図1(d)に示すように、高周波
出力を300Wとし、陰極降下電圧を600Vの条件で
酸素を用いたRIEにより、マスク膜17をマスクとし
て硬質カーボン膜15をエッチングする。この硬質カー
ボン膜15のエッチングと同時に、レジスト19は酸素
プラズマにより除去される。また、このときのエッチン
グレートは、シリコン膜からなるマスク膜17が10n
m/分で、硬質カーボン膜15が150nm/分であ
る。すなわち、酸素プラズマを用いたRIEにおいて
は、マスク膜17と硬質カーボン膜15とのエッチング
選択比は1:15である。なお硬質カーボン膜15のエ
ッチングは、酸素にアルゴンなどの不活性ガスを少量添
加した酸素を主体とするエッチングガスを用いたドライ
エッチングでも可能である。
【0014】最終的に、図1(e)に示すようにマスク
膜17のシリコン膜をフッ化水素酸と硝酸との混合液を
エッチャントとしたウェットエッチング法により剥離す
ることで、硬質カーボン膜15を基板11上にパターニ
ングすることができる。
【0015】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
パターニング方法を用いることで、硬質カーボン膜の微
細パターンを得ることができる。これにより硬質カーボ
ン膜を噴射加工やケミカルエッチングなどのマスク材と
して利用することや、基板上に部分的に形成することが
可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例における硬質カーボン膜のパタ
ーニング方法を工程順に示す断面図である。
【符号の説明】
11 基板 15 硬質カーボン膜 17 マスク膜 19 レジスト

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板に硬質カーボン膜を形成し、さらに
    マスク膜を形成し、露光現像処理を行いレジストをパタ
    ーニングする工程と、レジストをエッチングマスクにし
    てマスク膜をエッチングする工程と、マスク膜をエッチ
    ングマスクとして酸素、または酸素を主体とするガスを
    エッチングガスとするドライエッチングにより硬質カー
    ボン膜をエッチングする工程と、マスク膜を除去する工
    程とを有することを特徴とする硬質カーボン膜のパター
    ニング方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のマスク膜は、金属、半導
    体、酸化物、窒化物から選択される1つあるいは複数を
    用いることを特徴とする硬質カーボン膜のパターニング
    方法。
JP7277293A 1993-03-09 1993-03-09 硬質カーボン膜のパターニング方法 Pending JPH06264270A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998021745A1 (fr) * 1996-11-14 1998-05-22 Tokyo Electron Limited Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
JP2006080359A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Toppan Printing Co Ltd 窒化シリコン膜の製造方法及び窒化シリコン膜を用いたパターン形成方法
JP2009302143A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998021745A1 (fr) * 1996-11-14 1998-05-22 Tokyo Electron Limited Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
EP0933802A4 (en) * 1996-11-14 1999-10-27 Tokyo Electron Ltd METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
US6727182B2 (en) 1996-11-14 2004-04-27 Tokyo Electron Limited Process for the production of semiconductor device
JP2006080359A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Toppan Printing Co Ltd 窒化シリコン膜の製造方法及び窒化シリコン膜を用いたパターン形成方法
JP4517791B2 (ja) * 2004-09-10 2010-08-04 凸版印刷株式会社 窒化シリコン膜を用いたパターン形成方法
JP2009302143A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

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