JP2003007589A - ステンシルマスク、その製造方法及び露光方法 - Google Patents
ステンシルマスク、その製造方法及び露光方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜化が容易で、応力制御を行うことが可能
であるとともに、電子線照射特性の優れたステンシルマ
スクを提供すること。 【解決手段】 基体と、この基体により支持されたマス
ク母体とを具備し、前記マスク母体は、荷電粒子線が透
過する透過孔パターンを有するシリコン化合物薄膜から
なることを特徴とする。
であるとともに、電子線照射特性の優れたステンシルマ
スクを提供すること。 【解決手段】 基体と、この基体により支持されたマス
ク母体とを具備し、前記マスク母体は、荷電粒子線が透
過する透過孔パターンを有するシリコン化合物薄膜から
なることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線やイオンビ
ームなどの荷電粒子線露光に用いられるステンシルマス
ク、その製造方法、及び露光方法に関する。
ームなどの荷電粒子線露光に用いられるステンシルマス
ク、その製造方法、及び露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の微細化が急速に進ん
でいる。そのような微細パターンを有する素子の製造技
術として、様々な露光技術が開発されてきた。例えば、
電子線部分一括露光や電子線ステッパー露光のような電
子線を用いる露光法、イオンを用いる露光法、真空紫外
域の光を用いる露光法、極紫外域の光を用いる露光法等
がある。
でいる。そのような微細パターンを有する素子の製造技
術として、様々な露光技術が開発されてきた。例えば、
電子線部分一括露光や電子線ステッパー露光のような電
子線を用いる露光法、イオンを用いる露光法、真空紫外
域の光を用いる露光法、極紫外域の光を用いる露光法等
がある。
【０００３】これらのうち、電子線を用いる露光法とし
て、電子線を用いて等倍露光を行う方法が、特許第２９
５１９４７号公報において提案されている。この方法
は、従来の電子線を用いる露光法に比べて、電子ビーム
の加速電圧が２０分の１であるという特徴を有する。
て、電子線を用いて等倍露光を行う方法が、特許第２９
５１９４７号公報において提案されている。この方法
は、従来の電子線を用いる露光法に比べて、電子ビーム
の加速電圧が２０分の１であるという特徴を有する。
【０００４】等倍露光用に用いられるステンシルマスク
では、マスクパターンの加工精度が重要である。特に、
マスクの膜厚とマスクパターンの線幅（電子ビームの透
過孔の径）との比であるアスペクト比が問題となる。マ
スクパターンは、ドライエッチングにより加工される
が、アスペクト比は、通常、１０程度である。従って、
例えば、線幅１００ｎｍのパターンを形成するには、マ
スクの膜厚は、１μｍ程度が限界となる。
では、マスクパターンの加工精度が重要である。特に、
マスクの膜厚とマスクパターンの線幅（電子ビームの透
過孔の径）との比であるアスペクト比が問題となる。マ
スクパターンは、ドライエッチングにより加工される
が、アスペクト比は、通常、１０程度である。従って、
例えば、線幅１００ｎｍのパターンを形成するには、マ
スクの膜厚は、１μｍ程度が限界となる。
【０００５】そこで、上述の特許第２９５１９４７号公
報では、単結晶シリコンからなるステンシルマスクにお
いて、厚さ０．２μｍ乃至１．０μｍとすることが開示
されている。しかし、この特許公報には、このような単
結晶シリコンからなるステンシルマスクの製造方法につ
いては、何ら記載されていない。
報では、単結晶シリコンからなるステンシルマスクにお
いて、厚さ０．２μｍ乃至１．０μｍとすることが開示
されている。しかし、この特許公報には、このような単
結晶シリコンからなるステンシルマスクの製造方法につ
いては、何ら記載されていない。
【０００６】通常、ステンシルマスクを構成する薄膜の
材質として単結晶シリコンを用いる場合、薄膜を支えて
マスクの平面性を維持するために、基板が必要である。
この基板としては、加工性や入手容易性の点から、単結
晶シリコンが用いられている。そして、エッチングによ
り薄膜の微細加工を行うため、２枚の単結晶シリコン基
板によりシリコン酸化膜を挟んだ構造のＳＯＩ（Silico
n On Insulator）基板を用い、マスクパターンは、一
方の単結晶シリコン基板を研磨して所定の膜厚にし、次
いでパターニングすることにより作製されている。この
時、ＳＯＩ基板の中間層であるシリコン酸化膜は、マス
クパターンを加工する際のエッチングストッパーとして
機能する。
材質として単結晶シリコンを用いる場合、薄膜を支えて
マスクの平面性を維持するために、基板が必要である。
この基板としては、加工性や入手容易性の点から、単結
晶シリコンが用いられている。そして、エッチングによ
り薄膜の微細加工を行うため、２枚の単結晶シリコン基
板によりシリコン酸化膜を挟んだ構造のＳＯＩ（Silico
n On Insulator）基板を用い、マスクパターンは、一
方の単結晶シリコン基板を研磨して所定の膜厚にし、次
いでパターニングすることにより作製されている。この
時、ＳＯＩ基板の中間層であるシリコン酸化膜は、マス
クパターンを加工する際のエッチングストッパーとして
機能する。
【０００７】しかし、このような方法では、単結晶シリ
コン基板を上述の０．２μｍ〜１．０μｍの薄膜まで研
磨することは極めて困難である。また、このような膜厚
では、ステンシルマスクの製造工程において、シリコン
酸化膜の応力により、薄膜化された単結晶シリコン基板
に亀裂が入るという問題がある。
コン基板を上述の０．２μｍ〜１．０μｍの薄膜まで研
磨することは極めて困難である。また、このような膜厚
では、ステンシルマスクの製造工程において、シリコン
酸化膜の応力により、薄膜化された単結晶シリコン基板
に亀裂が入るという問題がある。
【０００８】このため、シリコン酸化膜上に形成された
単結晶シリコン薄膜に対し、応力調整の工程が必要とな
るが、そうした場合、製造工程が増えるため、タクトタ
イムが長くなるという問題が生ずる。
単結晶シリコン薄膜に対し、応力調整の工程が必要とな
るが、そうした場合、製造工程が増えるため、タクトタ
イムが長くなるという問題が生ずる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情の下になされ、薄膜化が容易で、応力制御を行うこ
とが可能であるとともに、電子線照射特性の優れたステ
ンシルマスクを提供することを目的とする。
事情の下になされ、薄膜化が容易で、応力制御を行うこ
とが可能であるとともに、電子線照射特性の優れたステ
ンシルマスクを提供することを目的とする。
【００１０】本発明の他の目的は、そのようなステンシ
ルマスクを製造する方法を提供することにある。
ルマスクを製造する方法を提供することにある。
【００１１】本発明の更に他の目的は、そのようなステ
ンシルマスクを用いた荷電粒子線の露光方法を提供する
ことにある。
ンシルマスクを用いた荷電粒子線の露光方法を提供する
ことにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、基体と、この基体により支持されたマス
ク母体とを具備し、前記マスク母体は、荷電粒子線が透
過する透過孔パターンを有するシリコン化合物薄膜から
なることを特徴とするステンシルマスクを提供する。
め、本発明は、基体と、この基体により支持されたマス
ク母体とを具備し、前記マスク母体は、荷電粒子線が透
過する透過孔パターンを有するシリコン化合物薄膜から
なることを特徴とするステンシルマスクを提供する。
【００１３】このような本発明のステンシルマスクによ
ると、マスク母体をシリコン化合物薄膜により構成して
いるため、シリコンと化合物を形成している他の元素と
の化学量論比を制御することにより、シリコン化合物薄
膜に加わる応力の設計・制御が可能となり、また低抵抗
化を図ることができる。
ると、マスク母体をシリコン化合物薄膜により構成して
いるため、シリコンと化合物を形成している他の元素と
の化学量論比を制御することにより、シリコン化合物薄
膜に加わる応力の設計・制御が可能となり、また低抵抗
化を図ることができる。
【００１４】また、酸素および／または窒素を含むシリ
コン化合物薄膜は、反応性蒸着法やＣＶＤ等により容易
に成膜することができ、加工性に優れ、所望のアスペク
ト比のパターンを高精度で形成することができるので、
プロセスの設計、制御が容易であり、荷電粒子線照射特
性に優れたステンシルマスクを得ることを可能とする。
コン化合物薄膜は、反応性蒸着法やＣＶＤ等により容易
に成膜することができ、加工性に優れ、所望のアスペク
ト比のパターンを高精度で形成することができるので、
プロセスの設計、制御が容易であり、荷電粒子線照射特
性に優れたステンシルマスクを得ることを可能とする。
【００１５】本発明のステンシルマスクにおいて、シリ
コン化合物薄膜は、０．１μｍ以上、５μｍ以下の厚み
を有することが望ましい。この範囲の膜厚は、単結晶シ
リコンでは成膜が困難であったが、反応性蒸着法やＣＶ
Ｄ法等により、制御性よく、容易に得ることが可能であ
る。
コン化合物薄膜は、０．１μｍ以上、５μｍ以下の厚み
を有することが望ましい。この範囲の膜厚は、単結晶シ
リコンでは成膜が困難であったが、反応性蒸着法やＣＶ
Ｄ法等により、制御性よく、容易に得ることが可能であ
る。
【００１６】また、シリコン化合物薄膜は、酸化シリコ
ン薄膜であって、シリコンと酸素の原子比が２：１以
上、１：２以下であるもの、または窒化シリコン薄膜で
あって、シリコンと窒素の原子比が３：１以上、２：３
以下であるものとすることが出来る。このような酸化シ
リコン薄膜または窒化シリコン薄膜は、応力制御が可能
な原子比範囲の膜であって、導電性を有するため、チャ
ージアップを防止することが出来る。
ン薄膜であって、シリコンと酸素の原子比が２：１以
上、１：２以下であるもの、または窒化シリコン薄膜で
あって、シリコンと窒素の原子比が３：１以上、２：３
以下であるものとすることが出来る。このような酸化シ
リコン薄膜または窒化シリコン薄膜は、応力制御が可能
な原子比範囲の膜であって、導電性を有するため、チャ
ージアップを防止することが出来る。
【００１７】また、本発明は、基体上に、反応性蒸着法
により酸素を含むシリコン化合物薄膜を成膜する工程、
および前記シリコン化合物薄膜をパターニングする工程
を具備するステンシルマスクの製造方法を提供する。
により酸素を含むシリコン化合物薄膜を成膜する工程、
および前記シリコン化合物薄膜をパターニングする工程
を具備するステンシルマスクの製造方法を提供する。
【００１８】更に、本発明は、基体上に、有機原料ガス
を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリコン化合物薄膜を
成膜する工程、および前記シリコン化合物薄膜をパター
ニングする工程を具備するステンシルマスクの製造方法
を提供する。
を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリコン化合物薄膜を
成膜する工程、および前記シリコン化合物薄膜をパター
ニングする工程を具備するステンシルマスクの製造方法
を提供する。
【００１９】更にまた、本発明は、基体上に、プラズマ
ＣＶＤ法またはＬＰＣＶＤ法により窒素を含むシリコン
化合物薄膜を成膜する工程、および前記シリコン化合物
薄膜をパターニングする工程を具備するステンシルマス
クの製造方法を提供する。
ＣＶＤ法またはＬＰＣＶＤ法により窒素を含むシリコン
化合物薄膜を成膜する工程、および前記シリコン化合物
薄膜をパターニングする工程を具備するステンシルマス
クの製造方法を提供する。
【００２０】これらの製造方法によると、荷電粒子線照
射特性に優れたステンシルマスクを、加工性よく、高精
度で、応力による亀裂、剥離を生ずることなく、容易に
得ることが可能である。
射特性に優れたステンシルマスクを、加工性よく、高精
度で、応力による亀裂、剥離を生ずることなく、容易に
得ることが可能である。
【００２１】更に、本発明は、上述のステンシルマスク
に荷電粒子線を照射し、転写パターンの形状に荷電粒子
線を整形する工程を具備する荷電粒子線の露光方法を提
供する。かかる露光方法によると、試料基板上に形成さ
れたレジストに対し、精度よいパターン露光が可能とな
り、その結果、半導体等のパターンの製造を、高い歩留
まりで行うことが出来る。
に荷電粒子線を照射し、転写パターンの形状に荷電粒子
線を整形する工程を具備する荷電粒子線の露光方法を提
供する。かかる露光方法によると、試料基板上に形成さ
れたレジストに対し、精度よいパターン露光が可能とな
り、その結果、半導体等のパターンの製造を、高い歩留
まりで行うことが出来る。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
一態様に係るステンシルマスクについて説明する。
一態様に係るステンシルマスクについて説明する。
【００２３】図１は、本発明の一態様に係るステンシル
マスクを示す断面図である。図１において、ステンシル
マスク１は、開口部が形成された単結晶シリコンウェハ
２上に、所定の透過孔パターンを有し、酸素および／ま
たは窒素を含むシリコン化合物薄膜からなるマスク母体
３を形成することにより構成されている。
マスクを示す断面図である。図１において、ステンシル
マスク１は、開口部が形成された単結晶シリコンウェハ
２上に、所定の透過孔パターンを有し、酸素および／ま
たは窒素を含むシリコン化合物薄膜からなるマスク母体
３を形成することにより構成されている。
【００２４】支持基板は、単結晶シリコンの他に、ガリ
ウム−砒素、またはインジウム−燐などの半導体材料を
用いることもできる。
ウム−砒素、またはインジウム−燐などの半導体材料を
用いることもできる。
【００２５】マスク母体３を構成するシリコン化合物薄
膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、および
酸窒化シリコン膜がある。
膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、および
酸窒化シリコン膜がある。
【００２６】シリコン化合物薄膜の膜厚は、０．１μｍ
以上、５μｍ以下であることが望ましい。膜厚が薄すぎ
ると、スループットを上げるために電流値を上昇させた
場合、シリコン化合物薄膜が溶解する可能性があり、厚
すぎると、マスクパターンの加工精度を高くすることが
出来ない。
以上、５μｍ以下であることが望ましい。膜厚が薄すぎ
ると、スループットを上げるために電流値を上昇させた
場合、シリコン化合物薄膜が溶解する可能性があり、厚
すぎると、マスクパターンの加工精度を高くすることが
出来ない。
【００２７】以上のように構成される本実施形態に係る
ステンシルマスクでは、マスク母体として、従来用いら
れていた単結晶シリコン薄膜に代わり、酸素および／ま
たは窒素を含むシリコン化合物薄膜を用いているため、
電子線照射耐性および導電性等の電子線照射に優れ、か
つ薄い膜厚の薄膜の形成が可能であるため、所望のアス
ペクト比のパターンを高精度で形成することが可能であ
る。
ステンシルマスクでは、マスク母体として、従来用いら
れていた単結晶シリコン薄膜に代わり、酸素および／ま
たは窒素を含むシリコン化合物薄膜を用いているため、
電子線照射耐性および導電性等の電子線照射に優れ、か
つ薄い膜厚の薄膜の形成が可能であるため、所望のアス
ペクト比のパターンを高精度で形成することが可能であ
る。
【００２８】次に、以上説明したステンシルマスクの製
造プロセスについて、図２〜図４を参照して説明する。
造プロセスについて、図２〜図４を参照して説明する。
【００２９】まず、図２に示すように、単結晶シリコン
基板１１上に、反応性蒸着法またはプラズマＣＶＤ法に
より、酸素および／または窒素を含むシリコン化合物薄
膜１２を形成する。
基板１１上に、反応性蒸着法またはプラズマＣＶＤ法に
より、酸素および／または窒素を含むシリコン化合物薄
膜１２を形成する。
【００３０】次に、図３に示すように、シリコン化合物
薄膜１２をパターニングして、所定の透過孔パターンを
有するマスク母体１３を形成する。この透過孔パターン
形成プロセスは、シリコン化合物薄膜１２上へのレジス
トパターンの形成工程、このレジストパターンをマスク
として用いてシリコン化合物薄膜１２をドライエッチン
グする工程、レジストパターンの剥離工程という工程を
順に経て行われる。
薄膜１２をパターニングして、所定の透過孔パターンを
有するマスク母体１３を形成する。この透過孔パターン
形成プロセスは、シリコン化合物薄膜１２上へのレジス
トパターンの形成工程、このレジストパターンをマスク
として用いてシリコン化合物薄膜１２をドライエッチン
グする工程、レジストパターンの剥離工程という工程を
順に経て行われる。
【００３１】レジストパターンを形成するための露光
は、電子線レジストを用いた電子線直描、フォトレジス
トを用いたステッパー露光等を好適に用いることができ
る。
は、電子線レジストを用いた電子線直描、フォトレジス
トを用いたステッパー露光等を好適に用いることができ
る。
【００３２】また、シリコン化合物薄膜１２をドライエ
ッチングする際、レジストのエッチング耐性が不足して
いる場合は、クロム、タングステン、タンタル、チタ
ン、ニッケル、アルミニウム等の金属、これらの金属を
含む合金、あるいはこれらの金属または合金と酸素、窒
素、炭素等との金属化合物等をエッチングマスクとして
用いることが出来る。これらのエッチングマスクは、各
種薄膜形成法によって形成することができる。例えば、
スパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法等の形成方法がある。
ッチングする際、レジストのエッチング耐性が不足して
いる場合は、クロム、タングステン、タンタル、チタ
ン、ニッケル、アルミニウム等の金属、これらの金属を
含む合金、あるいはこれらの金属または合金と酸素、窒
素、炭素等との金属化合物等をエッチングマスクとして
用いることが出来る。これらのエッチングマスクは、各
種薄膜形成法によって形成することができる。例えば、
スパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法等の形成方法がある。
【００３３】ドライエッチングについては、ドライエッ
チング方法やエッチング条件等は特に制限されない。エ
ッチングに使用するガスとしては、例えば、ＳＦ6ガ
ス、ＣＦ4ガスといったフッ素系ガスを主体とした混合
ガス、Ｃｌ2ガス、ＳｉＣｌ4ガスといった塩素系ガスを
主体とした混合ガス、ＨＢｒガスといった臭素系ガスを
主体とした混合ガス等が挙げられる。また、ドライエッ
チング装置としては、ＲＩＥ、マグネトロンＲＩＥ、Ｅ
ＣＲ、ＩＣＰ、マイクロ波、ヘリコン波、ＮＬＤ等の放
電方式を用いたドライエッチング装置が挙げられる。
チング方法やエッチング条件等は特に制限されない。エ
ッチングに使用するガスとしては、例えば、ＳＦ6ガ
ス、ＣＦ4ガスといったフッ素系ガスを主体とした混合
ガス、Ｃｌ2ガス、ＳｉＣｌ4ガスといった塩素系ガスを
主体とした混合ガス、ＨＢｒガスといった臭素系ガスを
主体とした混合ガス等が挙げられる。また、ドライエッ
チング装置としては、ＲＩＥ、マグネトロンＲＩＥ、Ｅ
ＣＲ、ＩＣＰ、マイクロ波、ヘリコン波、ＮＬＤ等の放
電方式を用いたドライエッチング装置が挙げられる。
【００３４】その後、図４に示すように、単結晶シリコ
ン基板１１に開口部１４を形成することにより、ステン
シルマスクが完成する。
ン基板１１に開口部１４を形成することにより、ステン
シルマスクが完成する。
【００３５】この工程には、ドライエッチング、ウェッ
トエッチング、超音波加工、サンドブラスト等を好適に
用いることができる。尚、シリコン化合物薄膜１２のパ
ターニング工程、単結晶シリコン基板１１への開口部の
形成工程は、どちらを先に行っても良い。
トエッチング、超音波加工、サンドブラスト等を好適に
用いることができる。尚、シリコン化合物薄膜１２のパ
ターニング工程、単結晶シリコン基板１１への開口部の
形成工程は、どちらを先に行っても良い。
【００３６】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について、図
面を参照して詳細に説明する。
面を参照して詳細に説明する。
【００３７】実施例１
図２〜図４を参照して、本発明の一実施例に係るステン
シルマスクの製造工程について説明する。厚み５２５μ
ｍの単結晶シリコン基板１１上に、真空蒸着装置を用い
た反応性蒸着により、酸化シリコン膜１２を形成した。
シルマスクの製造工程について説明する。厚み５２５μ
ｍの単結晶シリコン基板１１上に、真空蒸着装置を用い
た反応性蒸着により、酸化シリコン膜１２を形成した。
【００３８】反応性蒸着の条件は次の通りである。
原料：ＳｉＯ
反応ガス：Ｏ２（＋５％オゾン）
反応圧力：１０−８〜１０−４Ｔｏｒｒ
成膜速度：１〜２オングストローム／秒
膜厚：５００ｎｍ。
【００３９】以上のように形成した酸化シリコン膜１２
上に、電子線レジスト（図示せず）を０．５μｍの厚さ
に塗布し、これに加速電圧２０ｋＶの電子線描画機を用
いて描画し、その後専用のアルカリ現像液を用いて現像
をおこない、レジストパターン（図示せず）を形成し
た。
上に、電子線レジスト（図示せず）を０．５μｍの厚さ
に塗布し、これに加速電圧２０ｋＶの電子線描画機を用
いて描画し、その後専用のアルカリ現像液を用いて現像
をおこない、レジストパターン（図示せず）を形成し
た。
【００４０】次に、レジストパターンをマスクとして用
いて、プラズマエッチング装置を用い、エッチャントと
してＳＦ６を用いて、酸化シリコン膜１２をドライエッ
チングして、図３に示すように、パターン１３を形成し
た。
いて、プラズマエッチング装置を用い、エッチャントと
してＳＦ６を用いて、酸化シリコン膜１２をドライエッ
チングして、図３に示すように、パターン１３を形成し
た。
【００４１】次に、レジストパターンを剥離し、プラズ
マＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）装置を用いて、全面にシリコン窒化膜から
なる保護膜（図示せず）を形成した後、ドライエッチン
グにより単結晶シリコン基板１１の開口部形成領域上の
保護膜を除去した。
マＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）装置を用いて、全面にシリコン窒化膜から
なる保護膜（図示せず）を形成した後、ドライエッチン
グにより単結晶シリコン基板１１の開口部形成領域上の
保護膜を除去した。
【００４２】次いで、約９０℃に加熱したＫＯＨ水溶液
のエッチング液に収容し、保護膜をマスクとして用い
て、単結晶シリコン基板１１を面方位に沿った異方性エ
ッチングを行い、開口部を形成した。次に、保護膜を約
１７０℃の熱リン酸でエッチング除去して、図４に示す
ように、ステンシルマスクを完成した。
のエッチング液に収容し、保護膜をマスクとして用い
て、単結晶シリコン基板１１を面方位に沿った異方性エ
ッチングを行い、開口部を形成した。次に、保護膜を約
１７０℃の熱リン酸でエッチング除去して、図４に示す
ように、ステンシルマスクを完成した。
【００４３】以上のように製造されたステンシルマスク
では、酸化シリコン膜１２は膜厚が５００ｎｍと非常に
薄く、かつ応力が低いため、剥離や亀裂が生ずることが
なく、また抵抗が低いため、別途金属膜を設ける必要が
ない。また、酸化シリコン膜１２は加工性が良好である
ため、得られたステンシルマスクは、パターン精度が高
く、荷電粒子線照射特性に優れたものであった。
では、酸化シリコン膜１２は膜厚が５００ｎｍと非常に
薄く、かつ応力が低いため、剥離や亀裂が生ずることが
なく、また抵抗が低いため、別途金属膜を設ける必要が
ない。また、酸化シリコン膜１２は加工性が良好である
ため、得られたステンシルマスクは、パターン精度が高
く、荷電粒子線照射特性に優れたものであった。
【００４４】実施例２
平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて、以下の条件の
プラズマＣＶＤにより、酸化シリコン膜１２を形成した
ことを除いて、実施例１と同様にして、ステンシルマス
クを製造した。
プラズマＣＶＤにより、酸化シリコン膜１２を形成した
ことを除いて、実施例１と同様にして、ステンシルマス
クを製造した。
【００４５】原料ガス：ＴＥＯＳ＋Ｏ２ （０−２０％
反応圧力：５Ｐａ
高周波電力：１００Ｗ
膜厚：５００ｎｍ。
【００４６】本実施例においても、実施例１と同様の効
果が得られた。
果が得られた。
【００４７】実施例３
ＬＰＣＶＤ装置を用いて、以下の条件のＬＰＣＶＤによ
り、窒化シリコン膜を形成したことを除いて、実施例１
と同様にして、ステンシルマスクを製造した。
り、窒化シリコン膜を形成したことを除いて、実施例１
と同様にして、ステンシルマスクを製造した。
【００４８】原料ガス：ＳｉＨ２ＣＩ２ ＋ ＮＨ
３（１０〜５０％） 反応圧力：３０〜６０Ｐａ 膜厚：５００ｎｍ 本実施例においても、実施例１と同様の効果が得られ
た。
３（１０〜５０％） 反応圧力：３０〜６０Ｐａ 膜厚：５００ｎｍ 本実施例においても、実施例１と同様の効果が得られ
た。
【００４９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よると、マスク母体をシリコン化合物薄膜により構成し
ているため、反応性蒸着やＣＶＤ等により容易に成膜す
ることができ、加工プロセスの設計、制御が容易であ
り、加工性に優れ、所望のアスペクト比のパターンを高
精度で形成することができ、その結果、荷電粒子線照射
特性に優れたステンシルマスクを得ることが出来る。
よると、マスク母体をシリコン化合物薄膜により構成し
ているため、反応性蒸着やＣＶＤ等により容易に成膜す
ることができ、加工プロセスの設計、制御が容易であ
り、加工性に優れ、所望のアスペクト比のパターンを高
精度で形成することができ、その結果、荷電粒子線照射
特性に優れたステンシルマスクを得ることが出来る。
【００５０】また、本発明の製造方法によると、荷電粒
子線照射特性に優れたステンシルマスクを、高精度で、
応力による亀裂、剥離を生ずることなく、容易に得るこ
とが可能である。
子線照射特性に優れたステンシルマスクを、高精度で、
応力による亀裂、剥離を生ずることなく、容易に得るこ
とが可能である。
【００５１】更に、本発明の露光方法によると、試料基
板上に形成されたレジストに対し、精度よいパターン露
光が可能となり、その結果、半導体等のパターンの製造
を、高い歩留まりで行うことが出来る。
板上に形成されたレジストに対し、精度よいパターン露
光が可能となり、その結果、半導体等のパターンの製造
を、高い歩留まりで行うことが出来る。
【図１】本発明の一態様に係るステンシルマスクを示す
断面図。
断面図。
【図２】本発明の一態様に係るステンシルマスクの製造
プロセスを示す断面図。
プロセスを示す断面図。
【図３】本発明の一態様に係るステンシルマスクの製造
プロセスを示す断面図。
プロセスを示す断面図。
【図４】本発明の一態様に係るステンシルマスクの製造
プロセスを示す断面図。
プロセスを示す断面図。
１…ステンシルマスク
２，１１…単結晶シリコン基板
３，１３…マスク母体
１２…シリコン化合物薄膜
１４…開口部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 田村 章
東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印
刷株式会社内
Ｆターム(参考） 2H095 BA08 BB25 BB37 BC05 BC08
4K029 AA06 BA46 BA58 EA01 HA02
4K030 AA06 AA14 BA40 BA44 CA04
DA05 LA11
5F056 AA22 FA05
Claims (9)
- 【請求項１】基体と、この基体により支持されたマスク
母体とを具備し、前記マスク母体は、荷電粒子線が透過
する透過孔パターンを有するシリコン化合物薄膜からな
ることを特徴とするステンシルマスク。 - 【請求項２】前記シリコン化合物薄膜は、酸素および／
または窒素を含むシリコン化合物薄膜からなることを特
徴とする請求項１に記載のステンシルマスク。 - 【請求項３】前記シリコン化合物薄膜は、０．１μｍ以
上、５μｍ以下の厚みを有することを特徴とする請求項
１に記載のステンシルマスク。 - 【請求項４】前記シリコン化合物薄膜は、酸化シリコン
であり、シリコンと酸素の原子比が２：１以上、１：２
以下であることを特徴とする請求項１に記載のステンシ
ルマスク。 - 【請求項５】前記シリコン化合物薄膜は、窒化シリコン
であり、シリコンと窒素の原子比が３：１以上、２：３
以下であることを特徴とする請求項１に記載のステンシ
ルマスク。 - 【請求項６】基体上に、反応性蒸着法によりシリコン化
合物薄膜を成膜する工程、および前記シリコン化合物薄
膜をパターニングする工程を具備するステンシルマスク
の製造方法。 - 【請求項７】基体上に、有機原料ガスを用いたプラズマ
ＣＶＤ法によりシリコン化合物薄膜を成膜する工程、お
よび前記シリコン化合物薄膜をパターニングする工程を
具備するステンシルマスクの製造方法。 - 【請求項８】基体上に、プラズマＣＶＤ法またはＬＰＣ
ＶＤ法により窒素を含むシリコン化合物薄膜を成膜する
工程、および前記シリコン化合物薄膜をパターニングす
る工程を具備するステンシルマスクの製造方法。 - 【請求項９】請求項１〜５のいずれかの項に記載のステ
ンシルマスクに荷電粒子線を照射し、転写パターンの形
状に荷電粒子線を整形する工程を具備する荷電粒子線の
露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001186840A JP4792666B2 (ja) | 2001-06-20 | 2001-06-20 | ステンシルマスク、その製造方法及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001186840A JP4792666B2 (ja) | 2001-06-20 | 2001-06-20 | ステンシルマスク、その製造方法及び露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003007589A true JP2003007589A (ja) | 2003-01-10 |
| JP4792666B2 JP4792666B2 (ja) | 2011-10-12 |
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ID=19026225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001186840A Expired - Fee Related JP4792666B2 (ja) | 2001-06-20 | 2001-06-20 | ステンシルマスク、その製造方法及び露光方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4792666B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018086355A1 (zh) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及其制作方法、有机发光二极管显示器的制作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62106625A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-18 | Fujitsu Ltd | 露光マスク |
| JPH04196209A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ステンシルマスク形成方法 |
| JPH06244091A (ja) * | 1993-02-18 | 1994-09-02 | Fujitsu Ltd | 透過マスク及びその製造方法 |
| JPH10275773A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-10-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 短波長放射によるリソグラフィのための膜マスク |
| JPH11121329A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Nikon Corp | マスク用基板の製造方法及びマスクの製造方法 |
-
2001
- 2001-06-20 JP JP2001186840A patent/JP4792666B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62106625A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-18 | Fujitsu Ltd | 露光マスク |
| JPH04196209A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ステンシルマスク形成方法 |
| JPH06244091A (ja) * | 1993-02-18 | 1994-09-02 | Fujitsu Ltd | 透過マスク及びその製造方法 |
| JPH10275773A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-10-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 短波長放射によるリソグラフィのための膜マスク |
| JPH11121329A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Nikon Corp | マスク用基板の製造方法及びマスクの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018086355A1 (zh) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及其制作方法、有机发光二极管显示器的制作方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP4792666B2 (ja) | 2011-10-12 |
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