JPH01313974A - 珪素基体上の珪素の多結晶半導体抵抗層の製造方法及びこれにより製造する珪素圧力センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は珪素基体上に珪素の多結晶半導体抵抗層を製造
する方法に関するものである。この製造方法では、最初
に絶縁層を珪素基体の上に形成し、次いで多結晶珪素層
を堆積し、更にドーピングする。更に、本発明はこのよ
うな抵抗層を有する珪素圧力センサに関するものである
。

（従来技術） このような方法は、会報センサー８５、トランスデュサ
ー・テクニイク（Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ−Ｔｅｃｈｎｉ
ｋ）　＝”開発と応用′°（”Ｅｎｔｖｉｃｋｌｕｎｇ
　ｕｎｄ　Ａｎｗｅｎｄｕｎｇ”）。

カールスルーエ（にａｒｌｓｒｕｈｅ）、　１９８５、
ｐｐ、４゜３．１からｐｐ４．３．１２にある著者イー
・オペルマイヤ（Ｅ、０ｂｅｒｎ＋ｅｉｅｒ）　、とエ
フ・フォノ・キーンリン（Ｆ、ｖｏｎ　Ｋｉｅｎｌｉｎ
）の論文”高い運転温度用珪素圧力センサ（Ｓｉｌｉｃ
ｉｕｍ−Ｄｒｕｃｋｓｅｎｓｏｒ　ｆｕｒ　ｈｏｈｅＢ
ｅｔｒｉｅｂｓｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｎ）”から既知
である。この場合、多結晶半導体珪素の抵抗層は圧力セ
ンサに被着している。圧力センサは担体に配設された珪
素基体からなっている。珪素基体は行き止まり孔の形の
空洞部を有していて、それによりダイアフラムを形成し
ている。構造化された抵抗層はダイアフラムの外面に被
着している。

抵抗層の製造中、酸化物層（二酸化珪素）をダイアフラ
ムの上に絶縁層として熱酸化により形成する。続いて、
低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）による多結晶珪素層の蒸着
を従来式拡散窯の中で反応ガスとしてのシランの存在下
で行う。次いで層をイオンインプランテーションにより
ドーピングし、得られた抵抗層を熱回復処理の後ホトエ
ツチング処理により構造化する。抵抗層はアルミニウム
層の蒸気蒸着と構造化により接触する。多結晶層におけ
る熱回復によって得られた微結晶は８０ｎｍから２００
ｎｍの平均粒径を有する。

抵抗器Ｒの膨張の感度の基準はそのにファクターである
。ｋファクターは膨張ｅ当たりの相対抵抗変化ｄＲ／Ｒ
を示し、 ｄＲ／Ｒ−ｋｅである。

上述の方法により製造された抵抗層は２７と３５との間
のに７アクターを有する。

前記論文で提示された多結晶層の蒸着後の回復処理の代
わりに、同じく蒸着後、拡大した微結晶（粒子）を形成
するために、レーザ再結晶化を使用することもできる。

これは、センサとアクチュエータ（Ｓｅｎｓｏｒｓ　ａ
ｎｄ　Ａｃｔｕａｔｏｒｓ）、４．１９８３年、ＰＰ、
５２７からＰＰ５３６にある著者ジエイ・ビンデル（Ｊ
。

Ｂｉｎｄｅｒ）、ダブリユウ・ヘニング（Ｗ、Ｈｅｎｎ
ｉｎｇ）、イー・オペルマイヤ（Ｅ、Ｏｂｅｒｍｅｉｅ
ｒ）、エイチ・シャベルＣＨ。

５ｃｈａｂｅｒ）、及びデー・クツター（ｐ、Ｃ１ＬＬ
ｅｒ）の論文”検出及び集積回路応用のためのレーザ再
結晶化されたポリ珪素抵抗器（Ｌａｓｅｒ−Ｒｅｃｒｙ
ｓ１８ｌ　１ｉｚｅｄＰｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ　Ｒｅ５
ｉｓｔｏｒｓ）から既知である。この場合、蒸着した多
結晶珪素層をレーザの焦点で短時間に熔融する。熔融し
た珪素の凝固中、拡大した微結晶をＩｏｏｏｎｍと１０
，０００ｎｍとの間の平均粒径を有するように形成する
。レーザ再結晶化により製造した多結晶層のにファクタ
ーは４５と５５との間にある。

従って、抵抗層の膨張に対する感度は微結晶の大きさに
依存することが判る。しかし、多結晶珪素層の全表面を
点毎に熔融しなければならないので、レーザ再結晶化は
非常に複雑である。レーザの光エネルギーを珪素層に結
び付けることができるためには、多結晶珪素を更に付加
的な透明窒化物層により被覆しなければならない。窒化
物は液体多結晶層の機械的安定化のためにレーザ走査中
かつ反射防止被覆とし機能する。それにより光は珪素層
により反射しない。

（発明が解決しようとする課題） 本発明の目的は珪素基体上に珪素の、ｋファクターが３
５以上の多結晶半導体抵抗層を製造する簡易な方法を提
供することである。

（課題を解決するための手段） 本発明より、冒頭で定義した種類の方法において次の構
成によりこの目的を達成する。即ち、堆積した多結晶珪
素層（第１多結晶珪素層）に、ドーピングする別の多結
晶珪素層を被着し、この別の多結晶珪素層が前記第１多
結晶珪素層の結晶構造に比べてより粗結晶構造を有する
、方法である。

本方法において、絶縁層の上に蒸着した多結晶層は別の
多結晶層のための核形成層として機能する。絶縁層に被
着した層は微細な結晶であってかつ部分的に非晶質であ
る。別の多結晶層の蒸着中、例えばエピタキシャル処理
過程で、絶縁層の上の多結晶層は熱的に回復し、かつ別
の多結晶層により大きい微結晶を形成するための出発手
段として機能する。′エピタキシィ（ｅｐｉ１８ｘｙ）
”の術語は一般的な意味で一定方位の結晶成長（レムプ
スケミシエスベルテルブッホ（Ｒ６ｙｎｐｐｓ　Ｃｈｅ
ｍｉｓｈｅｓＷ６ｒｔｅｒｂｕｃｈ）、ドイチュセルタ
シェ°ンプツホへルラーク（Ｄｅｕｔｓｃｈｃｅｒ　Ｔ
ａｓｃｈｅｎｂｕｃｈｖｅｒｌａｇ）、ムニツヒ（Ｍｕ
ｎｊｃｈ）　１９７４を参照）、かつ特に単結晶基体に
層の単結晶成長　（著者デー・ビドマン　（Ｄ。

Ｗｉｄｍａｎｎ）、エイチ・マーデル（Ｈ，Ｍａｄｅｒ
）、エイチ・７リードリヒ（Ｈ，Ｆｒ１ｅｄｒｉｃｈ）
、高集積回路の技術（Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅ　ｈｏｃ
ｈｉｎｔｅｒｉｅｒｔｅｒ　Ｓｃｈａｌｔｕｎｇｅｎ）
、シプリンゲルヘルラーク（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ　Ｖｅｒ
ｌａｇ）　１９８８を参照）を意味する。本件の場合、
”エピタキシィ”の術語は一般的な意味で使用されてい
る。

エピタキシャル成長処理中、絶縁層のような、結晶珪素
に適合しない層では、相互に結合していないか又は不十
分にしか結合していない個々の微結晶の粗結晶成長が起
こる。インコヒーレント微結晶のこの形成は適当な成長
条件の欠如による。

絶縁層の上に多結晶層を蒸着する処理工程により、適当
な結晶を大きい微結晶のコヒーレント成長のｔ；めに形
成する。この蒸着した層は連続珪素層を形成する。この
連続珪素層は非常に非晶質又は非常に微細な微結晶で構
成されている。この層は、別の多結晶層のエピタキシャ
ル成長中、熱的に回復する。従って、核形成層の微細−
結晶再結晶化を達成する。エピタキシィによる珪素蒸着
中、珪素原子は十分な数のエネルギー位置を発見して核
形成層の結晶領域に位置する。必ずしも総ての結晶方位
がこの方法で均一な速度で成長するわけではないので、
優先的に成長する方位のみが現出し、かつ粗結晶構造が
生じる。微結晶の横方向平均粒径は１１０００ｎと５０
００ｎｍとの間にある。ｋ７アクター、即ちこの抵抗層
の膨張の感度の尺度は４３と５２との間にある。

本発明に係るこの方法をレーザ再結晶化の既知の方法よ
り可なり簡易に実施することができる。

この方法により製造した抵抗層は同じく高いにファクタ
ーを有する。更に、判っているように、本発明に係る抵
抗層は単結晶珪素として同じように高い移動度を有して
いる。

多結晶珪素層は好適には化学又は物理蒸着により絶縁層
に蒸着する。低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）の場合、被覆
する面は従来式拡散窯の中でガス流に触れる。ガス流は
、例えば四塩化珪素（ＳｉＣ１ｓ）又はシラン（ＳｉＨ
υを含有する。ガスに含有されている珪素が被覆する面
の上に蒸着する。蒸着は５５０Ｃ０と７００Ｃ’　との
間の温度で起きる。蒸着を０．１　ミリバールと０．３
ミリバールの間の圧力、好適には０．１９ミリバールの
圧力で実施する。早くとも、薄いコヒーレント層が形成
するときに蒸着を終了するべきである。事実、そのとき
のみ、別の多結晶層の大きい微結晶のための所要の成長
条件が与えられる。多結晶層は陰極スパッターにより絶
縁層に蒸着する。この場合、高エネルギーの稀ガスイオ
ンは真空中で陰極に衝突し、非架電の原子又は分子を解
離する。解離した原子又は分子は基体（珪素基体）に蒸
着する。尚、陰極はスパッターにより被着する材料で構
成されている。

別の多結晶層を気相から好適には蒸着により被着する。

１００ＯＣ’以上の温度の窯で、絶縁層（核形成層）を
被覆する多結晶層は珪素原子を含むガス流に触れる。珪
素原子を蒸着により核形成層に被着する。同時に、核形
成層を更に熱的に回復する。

絶縁層は二酸化珪素又は窒化珪素のいずれかで構成され
ている。二酸化珪素を熱酸化により珪素基体に形成する
ことができる。酸素と水素を含むガス流は約１０００Ｃ
’の温度に加熱した窯に流入する。この窯で、二酸化珪
素の絶縁層は珪素基体の上に成長する。窒化珪素の絶縁
層を気相から低圧（ＬＰＣＶＤ）で蒸着により形成する
ことができる。

別の多結晶珪素層を被着した後、多結晶珪素の抵抗層の
ドーピングを、イオンインプランテーションにより実施
することができる。この処理工程で、ドーパントのイオ
ン化した原子を電界で加速し、次いで珪素の結晶格子に
打ち込む（インブラントする）。続いて、再結晶化が８
００Ｃ’と１２００Ｇ’との間にある温度で起きる。ド
ーパントとして、燐、硼素、及びひ素を使用することが
できる。

多結晶珪素層の被着中ドーパントを添加することにより
、ドーピングを実行することができる。

本発明に係る方法の別の実施例で、次のことが確実にさ
れる。別の多結晶珪素層を被着した後、抵抗層をエツチ
ングにより構造化し、次いでパッシベーション層を被着
し、パッシベーション層には写真平版により電気接点の
ための窓を設け、更に最終的に導電性金属層を接触目的
のために被着する。

本発明に係る方法により製造されかつ接触される抵抗層
は珪素圧力センサでの使用に特に適当する。それは、抵
抗層が珪素基体に簡易に被着することができ、かつ膨張
にたいして高感度を有するからである。

本発明に係る方法で特に製造した珪素圧力センサは、担
体に設けた珪素基体を備え、この珪素基体はこの担体か
ら遠い珪素基体の主要面に絶縁層を有し、並びに空洞を
有している。この空洞は担体の側に開放され、行き止ま
り孔の形状をなしていて、更にダイアフラムを形成して
いる。行き止まり孔の形状をなす空洞から遠いダイアフ
ラムの面には４個の抵抗素子を設けている。これら４個
の抵抗素子は珪素の半導電性の付加的にドーピングした
多結晶抵抗層からなっている。パッシベーション層を多
結晶抵抗層に設け、構造化した金属層全パッシベーショ
ン層に設けている。金属層は多結晶抵抗層と電気的に接
触している。この珪素圧力センサにおいて、多結晶抵抗
層は第１の多結晶の付加的にドーピングした珪素層と別
の多結晶の付加的にドーピングした珪素層とからなり、
別の多結晶付加的ドーピング処理珪素層を第１多結晶付
加的ドーピング処理珪素層のとに後続の処理工程で設け
、かつ別の多結晶付加的ドーピング地理珪素層は第１多
結晶付加的ドーピング処理璋素層の結晶構造に比べてよ
り粗結晶構造である、ことを珪素圧力センサは特徴とし
ている。

本発明に係る珪素圧力センサの利点のある別の実施例は
従属請求項に記載されている。

（実施例） 本発明の実施を容易にするために、添付図面を参照して
、例を挙げてより本発明を詳しく以下に説明する。

第１図は絶縁層２と珪素の多結晶半導体抵抗層３とを備
える珪素基体１の図解的断面図である。

このような多結晶層３の製造において、まず絶縁層を熱
酸化で珪素基体ｌの上に形成する。珪素基体ｌを約１０
００Ｃ″の温度に加熱されている酸化窓に配置する。酸
素と水素の混合体が約半時間窯に流入する。１針当たり
、３リツトルの酸素ガスと３リツトルの水素ガスが窯に
流入する。熱酸化の終了の後、二酸化珪素の１１００ｎ
　（ｎａｎｏｍｅｔｅｒ、ナノメータ）厚の層２が熱的
に成長している。窒化珪素の絶縁層を以下に述べる低圧
化学蒸着法（Ｌｏｗ−Ｐｒｅｓｓｕｒｅ　Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　（ＬＰＣＶ
Ｄ））により形成することもできる。

次の処理工程で、絶縁層２で被覆した珪素基体ｌを市販
の拡散窓に導入し、抵抗層３の第１多結晶層４を低圧化
学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）により絶縁層２に被着する。窯
の温度は６００Ｃ’から７００Ｇ’　、例えば６１０ｃ
’である。被覆される表面はキャリアーガスを含むガス
流れに触れる。キャリアーガスは窒素と水素と別の珪素
含有ガス、例えば四塩化珪素（ＳｉＣ１ｍ）又はシラン
（ＳｉＨ，）を含有する。ガスに含有された珪素は被覆
すべき表面に蒸着する。

この処理において、圧力は０．１ミリバールと０．３ミ
リバールの間にあり、好適には０．１９　ミリバールで
ある。多結晶層４が薄いコヒーレント層として絶縁層２
を被覆するまで、蒸着を終了しない。層４の層厚は、例
えば１１００ｎである。絶縁層２に被着した層４は微細
な結晶でかつ部分的に非晶質である。

より大きい微結晶を備える、次の処理工程で被着する別
の多結晶珪素層５のための核形成層として、Ｒ４は機能
する。多結晶珪素層４を陰極スパッター法により形成す
ることもできる。陰極スパッター法は、薄い層（この場
合、多結晶珪素層）を備える基体（この場合、絶縁層２
を備える珪素基体１）を被覆するための真空中で行う被
覆方法である。この場合、高エネルギーの稀ガスイオン
は真空中で陰極に衝突して、非架電の原子又は分子を解
離する。解離した原子又は分子は絶縁層２を備える珪素
基体１の上に蒸着する。尚、陰極はスパッターにより被
着すべき材料で構成されている。陰極スパッター法の従
来法はイオンビームスパッター法とプラズマスパッター
法である。

多結晶珪素層４を被着したのち、珪素基体ｌをエピタキ
シ反応器に導入する。珪素基体ｌを石英チューブに挿入
する。石英チューブは１００ＯＣ”　と１３００ｃ’の
間にある温度に、例えば１２００Ｃ’に加熱され、かつ
ガス流に触れる。ガス流はキャリヤーガスとして水素を
含み、珪素源として、例えば四塩化珪素（Ｓ　ｉ　Ｃｌ
　４　）又はシラン（Ｓｉｎ、）からなる別のガスを含
存する。ガスに含有されている珪素は多結晶珪素層４に
蒸着し、かつ別の多結晶珪素層５を形成する。エピタキ
シ処理は、層厚が３００から１１０００ｎになったとき
、終了する。好適実施例では、７００ｎｍの層厚を選択
した。

別の多結晶珪素層５のエピタキシャル成長が起きるこの
段階の間に、大部分が非晶質であるかもしれない多結晶
珪素層４は熱的に回復する。核形成層として作用する多
結晶珪素層４の微細−結晶の再結晶化が達成される。エ
ピタキシィによる珪素蒸着中、珪素原子はエネルギーの
面で十分に有利な位置を発見し、それにより原子は多結
晶珪素層４の微結晶に位置することができる。優先的な
成長方位のみが達成され、粗結晶構造を有する多結晶珪
素層５が形成する。横方向の平均粒径は１０００ｎｍと
５０００ｎｍとの間にある。

抵抗層３のドーピングを異なる方法で実施することがで
きる。ドーパントを多結晶珪素層４と５の被着直後に添
加することができる。ガス流はこれらのドーパントを含
有する。

別のドーピングの種類はイオンインプランテーションで
ある。この処理方法では、ドーパントのイオン化した原
子を電界で加速し、次いで珪素の結晶格子に打ち込む（
インブラントする）。イオン打ち込みにより結晶格子を
部分的に破壊するので、再結晶化を５００Ｃ’　と１０
０Ｏｃ’　との間の温度で行わなければならない。ドー
パントとして、好適には燐、硼素、及びひ素を使用する
。実施例では、ドーパントとして、硼素を８．１０”ｃ
ｍ−”の濃度で使用し、かつ窒素中で１ｏｏＯｃ’で熱
処理した。

抵抗ＷＲの膨張に対する感度の基準はそのにファクター
である。それは、膨張ｅ当たりの相対抵抗変化ｄＲ／Ｒ
を示す： ｄＲ／Ｒ＝ｋｅ。

本発明に係る方法により製造した抵抗層は４３と５２の
間のにファクターを有する。本実施例で製造した抵抗層
３は５２のにファクター、２４ｍΩ／ｃｍの抵抗、−０
，０１％／にの抵抗の温度係数を有する。ｋファクター
の温度係数は−０，１５％／にである。

抵抗層３と接触するために、まず、例えば窒化珪素又は
二酸化珪素のパッシベーション層６を熱酸化により被着
する。従来の写真平版処理工程では、続いて窓をパッシ
ベーション層６に設け、次いで、例えばアルミニウムの
導電性金属層７を蒸着により被着する。この金属層７は
抵抗層３と接触する。それを同じく写真平版で構造化す
ることができる。

本発明に係る方法で製造された抵抗層３は珪素圧力セン
サーで使用するのに特に適当する。このような珪素圧力
センサーは第３図と第４図とに示しである。この圧力セ
ンサーは珪素立方体基体ＩＯを備えていて、珪素立方体
基体ｌＯは、例えば陽極接着により担体１１と接触して
いる。担体１１は、例えばガラス板でもよい。珪素基体
ｌＯには行き止まり孔の形で空洞１３が設けてあり、行
き止まり孔は円形の断面を有し、担体１１の側に開放さ
れている。

この空洞１３により、円形ダイアフラム１４を形成し、
その上に４ｍの抵抗素子１５から１８を配設している。

抵抗素子１５と１６をダイアフラムの中央に平行な長手
方向帯状片として配設している。抵抗素子１７と１８を
Ｕ字状帯状片として形成し、かつＵ字状帯状片の開口部
が珪素基体１０の外縁の方を向いているようにして、Ｕ
字状帯状片を相互に全く対向してダイアフラム１４の外
縁に配設している。抵抗素子１７と１８のＵ字状開口部
がダイアフラム１４の方を向いているようにすることも
できる。抵抗層３を形成する珪素層４と５から４個の抵
抗素子１５から１８を構成し、かつ面述の方法により珪
素基体ｌＯに被着している。

本発明に係る方法により製造した多結晶層の順序を半導
体素子の製作に使用することもできる。

レーザビームにより再結晶された層を使用する、又は考
慮の対象になっている総ての場合において、本方法によ
り製造した多結晶層を、例えば石英基体の上の薄膜トラ
ンジスタの製造に使用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は珪素基体の珪素の多結晶半導体抵抗層を示す： 第２図は接触抵抗層を示す； 第３図は抵抗層を有する珪素圧力センサーの平面図： 第４図は第３図の平面ｌｌ−１１での圧力センサーの長
手方向断面図である。 ｌ・・・珪素基体　　　　２・・・絶縁層３・・・抵抗
層　　　　　４・・・第１多結晶珪素層５・・・別の多
結晶珪素層６・・・パッシベーション層７・・・導電性
金属層　　１０・・・珪素基体１１・・・担体　　　　
　　　１３・・・空洞１４・・・円形ダイアフラム １５、１６．１７．１８・・・抵抗素子Ｃつ　　　　　
　　　　ぐ Ｃフ　　　　　　　　Ｃフ ｕ−ｕ−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、最初に絶縁層を珪素基体の上に形成し、次いで多結
   晶珪素層を堆積し、更にドーピングする、珪素基体上に
   珪素の多結晶半導体抵抗層を製造する方法において、堆
   積した多結晶珪素層（第１多結晶珪素層）に、別の多結
   晶珪素層を被着してドーピングし、この別の多結晶珪素
   層は前記第１多結晶珪素層の結晶構造に比べてより粗結
   晶構造を有する、ことを特徴とする珪素基体上の珪素の
   多結晶半導体抵抗層の製造方法。 ２、前記第１多結晶珪素層を化学又は物理蒸着により前
   記絶縁層に蒸着することを特徴とする請求項１に記載の
   製造方法。 ３、前記第１多結晶珪素層を低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ
   ）により前記絶縁層に蒸着することを特徴とする請求項
   ２に記載の製造方法。 ４、前記蒸着を０．１ミリバールと０．３ミリバールの
   間にある圧力で行うことを特徴とする請求項３に記載の
   製造方法。 ５、前記第１多結晶珪素層を陰極スパッターにより前記
   絶縁層に蒸着することを特徴とする請求項２に記載の製
   造方法。 ６、早くとも薄いコヒーレント層が形成されたときに、
   前記第１多結晶珪素層の前記蒸着を終了することを特徴
   とする請求項１から５のうちいずれか１項に記載の製造
   方法。 ７、前記別の多結晶珪素層（５）を気相から蒸着により
   被着することを特徴とする請求項１から６のうちいずれ
   か１項に記載の製造方法。 ８、二酸化珪素層を絶縁層として前記珪素基体に熱酸化
   により形成することを特徴とする請求項１から７のうち
   いずれか１項に記載の製造方法。 ９、窒化珪素層を低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）により絶
   縁層として前記珪素基体に蒸着することを特徴とする請
   求項１から７のうちいずれか１項に記載の製造方法。 １０、ドーピングをイオンインプランテーションにより
   行うことを特徴とする請求項１から９のうちいずれか１
   項に記載の製造方法。 １１、前記ドーピングを、前記多結晶珪素層の被着中に
   ドーパントの添加により行うことを特徴とする請求項１
   から９のうちいずれかｌ項に記載の製造方法。 １２、前記別の多結晶珪素層の被着の後、前記抵抗層を
   エッチングにより構造化し、その上にパッシベーション
   層を被着し、次いで電気接点のための窓を前記パッシベ
   ーション層に写真平版により設け、かつ最終的に導電性
   金属層を接触目的のために被着する、ことを特徴とする
   請求項１から１１のうちいずれか１項に記載の製造方法
   。 １３、珪素圧力センサに使用することを特徴とする、請
   求項１から１２のうちいずれか１項に記載の方法で製造
   する抵抗層。 １４、請求項１から１２うちいずれか１項に記載の方法
   により製造する珪素圧力センサであって、担体に設けた
   珪素基体を備え、この珪素基体はこの担体から遠い珪素
   基体の主要面に絶縁層を有し、並びに空洞を有し、この
   空洞は前記担体の側に開放されていて、行き止まり孔の
   形状を有し、更にダイアフラムを形成し、行き止まり孔
   の形状をなす前記空洞から遠いダイアフラムの面には４
   個の抵抗素子を設け、これら４個の抵抗素子は珪素の半
   導電性の付加的にドーピングした多結晶抵抗層からなり
   、パッシベーション層を前記多結晶抵抗層に設け、構造
   化した金属層を前記バッシペーション層に設け、かつこ
   の金属層は前記多結晶抵抗層と電気的に接触している、
   珪素圧力センサにおいて、前記多結晶抵抗層（３）は第
   １の多結晶の付加的にドーピングした珪素層（４）と別
   の多結晶の付加的にドーピングした珪素層（５）からな
   り、前記別の多結晶付加的ドーピング処理珪素層（５）
   を前記第１多結晶付加的ドーピング処理珪素層（４）の
   上に後続の処理工程で設け、かつ前記第１多結晶付加的
   ドーピング処理珪素層（４）の結晶構造に比べてより粗
   結晶構造にする、ことを特徴とする珪素圧力センサ。 １５、前記珪素基体（１０）は立方体形状を有すること
   を特徴とする請求項１４に記載の珪素圧力センサ。 １６、行き止まり孔の形の前記空洞（１３）により前記
   珪素基体（１０）に形成した前記ダイアフラム（１４）
   は円形であることを特徴とする請求項１５に記載の珪素
   圧力センサ。 １７、前記抵抗素子（１５、１６、１７、１８）は対の
   組別に異なる幾何学図形形状を有し、相互に（（１５と
   １６）又は（１７と１８））全く対向して位置している
   それぞれ２個の抵抗素子はその幾何学図形形状に関して
   相互に対応する、ことを特徴とする請求項１４から１６
   のうちいずれか１項に記載の珪素圧力センサ。 １８、１対の抵抗素子（１５と１６）を前記ダイアフラ
   ム（１４）の中央に平行な長手方向帯状片として配設す
   ることを特徴とする請求項１７に記載の珪素圧力センサ
   。 １９、他方の対の抵抗素子（１７と１８）をＵ字状帯状
   片として形成し、かつ前記ダイアフラム（１４）の外縁
   部に配設し、前記Ｕ字状帯状片の脚部が前記珪素基体（
   １０）の外縁部又は前記ダイアフラム（１４）の中央の
   いずれかを指向しているようにする、ことを特徴とする
   請求項１７に記載の珪素圧力センサ。 ２０、前記第１多結晶珪素層（４）は特に低圧化学蒸着
   （ＬＰＣＶＤ）により蒸着した層であることを特徴とす
   る請求項１４から１９のうちいずれか１項に記載の珪素
   圧力センサ。 ２１、前記第１多結晶珪素層（４）は陰極スパッターに
   より蒸着した層であることを特徴とする請求項１４から
   １９のうちいずれか１項に記載の珪素圧力センサ。 ２２、前記別の多結晶珪素層（５）は気相から蒸着し、
   かつ１０００ｎｍから５０００ｎｍの範囲の平均横方向
   粒径の微結晶を有する層であることを特徴とする請求項
   １４から２１のうちいずれか１項に記載の珪素圧力セン
   サ。 ２３、前記第１多結晶珪素層（４）はコヒーレント層を
   形成するような層厚を少なくとも有し、並びに前記第１
   多結晶珪素層（４）は好適には約１００ｎｍの層厚を有
   する、ことを特徴とする請求項１４から２２のうちいず
   れか１項に記載の珪素圧力センサ。 ２４、前記別の多結晶珪素層（５）は３００ｎｍから１
   ０００ｎｍの範囲の厚みを有することを特徴とする請求
   項１４から２３のうちいずれか１項に記載の珪素圧力セ
   ンサ。 ２５、前記珪素基体（１０）は陽極接着により担体（１
   １）に強固に結合していることを特徴とする請求項１４
   から２４のうちいずれか１項に記載の珪素圧力センサ。 ２６、前記担体（１１）はガラス板であることを特徴と
   する請求項２５に記載の珪素圧力センサ。 ２７、前記抵抗層（３）に電気接触している前記金属層
   （７）はアルミニウムからなることを特徴とする請求項
   １４から２６のうちいずれか１項に記載の珪素圧力セン
   サ。 ２８、前記絶縁層（２）と前記パッシペーション層（６
   ）は前記珪素基体（１０）の熱酸化により形成した酸化
   物層であることを特徴とする請求項１４から２７のうち
   いずれか１項に記載の珪素圧力センサ。 ２９、前記絶縁層（２）と前記パッシベーション層（６
   ）は窒化珪素層であることを特徴とする請求項１４から
   ２７のうちいずれか１項に記載の珪素圧力センサ。