JPH0895231A - 球面フォトマスクおよびパターン作製方法 - Google Patents
球面フォトマスクおよびパターン作製方法Info
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- JPH0895231A JPH0895231A JP25890194A JP25890194A JPH0895231A JP H0895231 A JPH0895231 A JP H0895231A JP 25890194 A JP25890194 A JP 25890194A JP 25890194 A JP25890194 A JP 25890194A JP H0895231 A JPH0895231 A JP H0895231A
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- Japan
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- spherical
- photomask
- photoresist
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- spherical surface
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- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単かつ量産性のある方法で球面上に凹凸パ
ターンを形成する。 【構成】 球面フォトマスク１１の凸面上にはクロムの
同心円状回折格子パターンが施されている。ガラス基板
１２のフォトレジスト１３を塗布した球面に球面フォト
マスク１１を隙間無く密着させ、露光装置１５にて紫外
線１６を当てて露光する。この後、フォトレジスト１３
を現像して凹凸パターンを得、これを硬化する。
ターンを形成する。 【構成】 球面フォトマスク１１の凸面上にはクロムの
同心円状回折格子パターンが施されている。ガラス基板
１２のフォトレジスト１３を塗布した球面に球面フォト
マスク１１を隙間無く密着させ、露光装置１５にて紫外
線１６を当てて露光する。この後、フォトレジスト１３
を現像して凹凸パターンを得、これを硬化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトソングラフィー
に用いるフォトマスクおよびフォトマスクを使ったパタ
ーンの作製方法に関する。
に用いるフォトマスクおよびフォトマスクを使ったパタ
ーンの作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、球面上にグレーティングを施す技
術として、例えば特開昭６２−３０２０１号公報記載の
発明がある。上記発明は、干渉露光波面に非球面波を用
いる非球面干渉露光法により、フォトレジストを塗布し
た球面基板の球面上へ干渉縞を露光し、現像する事によ
ってフォトレジストパターンを得る方法である。そし
て、公知の手段（株式会社島津製作所：製品カタログ記
載）により、斜め方向から基板をイオンビームエッチン
グすることにより球面上に鋸歯状のグレーティングを加
工していた。
術として、例えば特開昭６２−３０２０１号公報記載の
発明がある。上記発明は、干渉露光波面に非球面波を用
いる非球面干渉露光法により、フォトレジストを塗布し
た球面基板の球面上へ干渉縞を露光し、現像する事によ
ってフォトレジストパターンを得る方法である。そし
て、公知の手段（株式会社島津製作所：製品カタログ記
載）により、斜め方向から基板をイオンビームエッチン
グすることにより球面上に鋸歯状のグレーティングを加
工していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来技術においては、干渉露光機という複雑で大がかりな
装置を必要とし、干渉縞を露光するため空気の流れや温
度および除振などの極めて精密な環境管理が必要とな
る。
来技術においては、干渉露光機という複雑で大がかりな
装置を必要とし、干渉縞を露光するため空気の流れや温
度および除振などの極めて精密な環境管理が必要とな
る。
【０００４】請求項１および２に係わる発明の目的は、
厳密な環境管理を必要とせず、簡単な装置を使って量産
性が図れ、球面上に凹凸パターンを形成することのでき
る方法を提供することにある。
厳密な環境管理を必要とせず、簡単な装置を使って量産
性が図れ、球面上に凹凸パターンを形成することのでき
る方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に係わる発明
は、少なくとも片面が球面であるガラス基板の球面側に
遮光材料にてパターンを形成したことを特徴とする球面
フォトマスクである。請求項２に係わる発明は、基板の
球面にフォトレジストを塗布する工程と、該基板と凹凸
が逆で曲率が等しい球面フォトマスクのパターン面を前
記フォトレジストに密着させる工程と、球面フォトマス
クのパターン面の反対側からフォトレジストを露光する
工程と、露光されたフォトレジストを現像する工程とを
有することを特徴とするパターンの作製方法である。
は、少なくとも片面が球面であるガラス基板の球面側に
遮光材料にてパターンを形成したことを特徴とする球面
フォトマスクである。請求項２に係わる発明は、基板の
球面にフォトレジストを塗布する工程と、該基板と凹凸
が逆で曲率が等しい球面フォトマスクのパターン面を前
記フォトレジストに密着させる工程と、球面フォトマス
クのパターン面の反対側からフォトレジストを露光する
工程と、露光されたフォトレジストを現像する工程とを
有することを特徴とするパターンの作製方法である。
【０００６】
【作用】請求項１の作用は、ガラス基板の球面側に形成
されたパターンが、露光時の光を遮光する。請求項２の
作用は、まず基板の球面上にフォトレジストを均一な膜
厚で成膜する。次に、基板の球面と同じ曲率で凹凸が逆
のフォトマスクを用い、隙間なくぴったりと基板とフォ
トマスクとを密着する。フォトマスクの球面上のパター
ンは遮光材料で形成されており、フォトマスクのパター
ンとは反対の側から光を当てるので、フォトレジスト上
では遮光材料のある部分は露光されず、遮光材料の無い
部分のみ露光されるのでパターン状に露光される。露光
後、フォトレジストを現像することにより、露光された
部分のみ（或いは露光していない部分のみ）除去するこ
とができ、パターンに対応した凹凸が球面上にフォトレ
ジストによって形成される。
されたパターンが、露光時の光を遮光する。請求項２の
作用は、まず基板の球面上にフォトレジストを均一な膜
厚で成膜する。次に、基板の球面と同じ曲率で凹凸が逆
のフォトマスクを用い、隙間なくぴったりと基板とフォ
トマスクとを密着する。フォトマスクの球面上のパター
ンは遮光材料で形成されており、フォトマスクのパター
ンとは反対の側から光を当てるので、フォトレジスト上
では遮光材料のある部分は露光されず、遮光材料の無い
部分のみ露光されるのでパターン状に露光される。露光
後、フォトレジストを現像することにより、露光された
部分のみ（或いは露光していない部分のみ）除去するこ
とができ、パターンに対応した凹凸が球面上にフォトレ
ジストによって形成される。
【０００７】以下、図１〜図３の概念図を用いてフォト
マスクの作製方法を説明する。片面が平面で他の片面が
球面に形成された石英ガラス基板１の球面にクロム層２
および酸化クロム層３を順次施してマスクブランクス４
を得る（図１参照）。このマスクブランスク４上面に電
子線レジスト５を塗布する。これを電子線描画装置６の
ｘｙｚステージ７に載置し、電子線８で所望のパターン
を露光する（図２参照）。露光後、マスクブランクス４
の電子線レジスト５を現像し、不要な電子線レジスト５
を除去する（図３参照）。残った電子線レジスト５をエ
ッチングマスクとして酸化クロム層３およびクロム層２
をエッチングする。次に、電子線レジスト５を除去し、
球面フォトマスクを得る（図４参照）。
マスクの作製方法を説明する。片面が平面で他の片面が
球面に形成された石英ガラス基板１の球面にクロム層２
および酸化クロム層３を順次施してマスクブランクス４
を得る（図１参照）。このマスクブランスク４上面に電
子線レジスト５を塗布する。これを電子線描画装置６の
ｘｙｚステージ７に載置し、電子線８で所望のパターン
を露光する（図２参照）。露光後、マスクブランクス４
の電子線レジスト５を現像し、不要な電子線レジスト５
を除去する（図３参照）。残った電子線レジスト５をエ
ッチングマスクとして酸化クロム層３およびクロム層２
をエッチングする。次に、電子線レジスト５を除去し、
球面フォトマスクを得る（図４参照）。
【０００８】
【実施例１】図４および図５は本実施例を示し、図４は
側面図、図５は平面図である。１は石英ガラスで形成さ
れた球面フォトマスクで、この球面フォトマスク１１は
片面が平面１１ａ、他の片面が曲率８０ｍｍの凸面１１
ｂで中心肉圧が１５ｍｍである。凸面１１ｂ上にはクロ
ムの同心円状回折格子パターン１１ｃが施されている。
クロムの厚さは９００Åである。回折格子パターン１１
ｃの表面には反射防止のための酸化クロム１１ｄが５０
Å程されている。回折格子パターン１１ｃのピッチは外
周ほど小さいが最小ピッチは５μｍである。
側面図、図５は平面図である。１は石英ガラスで形成さ
れた球面フォトマスクで、この球面フォトマスク１１は
片面が平面１１ａ、他の片面が曲率８０ｍｍの凸面１１
ｂで中心肉圧が１５ｍｍである。凸面１１ｂ上にはクロ
ムの同心円状回折格子パターン１１ｃが施されている。
クロムの厚さは９００Åである。回折格子パターン１１
ｃの表面には反射防止のための酸化クロム１１ｄが５０
Å程されている。回折格子パターン１１ｃのピッチは外
周ほど小さいが最小ピッチは５μｍである。
【０００９】本実施例によれば、凸面上にパターンを有
するフォトマスクにより、凹球面基板に対しても密着露
光できるマスクが得られる。
するフォトマスクにより、凹球面基板に対しても密着露
光できるマスクが得られる。
【００１０】
【実施例２】図６〜図９は本実施例の作製方法を示す工
程図であるる 片面が平面１２ａで他の片面が曲率８０
ｍｍの凹球面１２ｂに形成されたガラス基板１２を加熱
して十分に水分を除去した後（図６参照）、凸球面１２
ｂにポジ型のフォトレジスト１３を１．２μｍの厚さに
スピンコートし、所定の温度でプレベークして溶剤を飛
ばす（図７参照）。
程図であるる 片面が平面１２ａで他の片面が曲率８０
ｍｍの凹球面１２ｂに形成されたガラス基板１２を加熱
して十分に水分を除去した後（図６参照）、凸球面１２
ｂにポジ型のフォトレジスト１３を１．２μｍの厚さに
スピンコートし、所定の温度でプレベークして溶剤を飛
ばす（図７参照）。
【００１１】次に、ガラス基板１２をステージ１４に載
置し、前記実施例１記載の同心円回折格子パターンの球
面フォトマスク１１を該ガラス基板１２のフォトレジス
ト１３を塗布した球面に隙間なく密着させ、露光装置１
５にてフォトマスク１１側から紫外線１６を当てて露光
する（図８参照）。フォトレジスト１３はフォトマスク
１１のパターン通りに露光される。露光されたフォトレ
ジスト１３を現像し、同心円回折格子の凹凸パターン１
７を得る。この後、凹凸パターン１７を所定の温度でポ
ストベークして硬化させる。以上の工程により凹球面に
同心円回折格子パターンを有する凹面回折格子を得る
（図９参照）。
置し、前記実施例１記載の同心円回折格子パターンの球
面フォトマスク１１を該ガラス基板１２のフォトレジス
ト１３を塗布した球面に隙間なく密着させ、露光装置１
５にてフォトマスク１１側から紫外線１６を当てて露光
する（図８参照）。フォトレジスト１３はフォトマスク
１１のパターン通りに露光される。露光されたフォトレ
ジスト１３を現像し、同心円回折格子の凹凸パターン１
７を得る。この後、凹凸パターン１７を所定の温度でポ
ストベークして硬化させる。以上の工程により凹球面に
同心円回折格子パターンを有する凹面回折格子を得る
（図９参照）。
【００１２】本実施例によれば、凹面基板にも密着露光
により容易に凹凸パターンを得ることができる。
により容易に凹凸パターンを得ることができる。
【００１３】尚、本実施例によって作製できた回折格子
はそのまま製品として用いてもよいが、これを回折格子
原盤とし、電鋳反転してスタンパーを作製することもで
きる。
はそのまま製品として用いてもよいが、これを回折格子
原盤とし、電鋳反転してスタンパーを作製することもで
きる。
【００１４】
【実施例３】図１０および図１１は本実施例を示し、図
１０は側面図、図１１は平面図である。２１は石英ガラ
スで形成された球面フォトマスクで、この球面フォトマ
スク２１は片面が平面２１ａ、他の片面が曲率１００ｍ
ｍの凹面６ｂで中心肉厚が２ｍｍである。凹面２１ｂ上
にはクロムの等間隔回折格子パターン２１ｃが施されて
いる。回折格子パターン２１ｃのピッチは２μｍであ
る。
１０は側面図、図１１は平面図である。２１は石英ガラ
スで形成された球面フォトマスクで、この球面フォトマ
スク２１は片面が平面２１ａ、他の片面が曲率１００ｍ
ｍの凹面６ｂで中心肉厚が２ｍｍである。凹面２１ｂ上
にはクロムの等間隔回折格子パターン２１ｃが施されて
いる。回折格子パターン２１ｃのピッチは２μｍであ
る。
【００１５】本実施例によれば、凹面上にパターンを有
するフォトマスクにより、凸球面基板に対しても密着露
光できるマスクが得られる。
するフォトマスクにより、凸球面基板に対しても密着露
光できるマスクが得られる。
【００１６】
【実施例４】図１２〜図１６は本実施例の作製方法を示
す工程図である。片面が平面２２ａで他の片面が曲率１
００ｍｍの凸球面２２ｂに形成されたステンレス基板２
２を加熱して十分に水分を除去した後、凸球面２２ｂ側
にポジ型のフォトレジスト２３を１．２μｍの厚さにス
ピンコートし、所定の温度でプレベークして溶剤を飛ば
す（図１２参照）。
す工程図である。片面が平面２２ａで他の片面が曲率１
００ｍｍの凸球面２２ｂに形成されたステンレス基板２
２を加熱して十分に水分を除去した後、凸球面２２ｂ側
にポジ型のフォトレジスト２３を１．２μｍの厚さにス
ピンコートし、所定の温度でプレベークして溶剤を飛ば
す（図１２参照）。
【００１７】次に、ステンレス基板２３をステージ１４
に載置し、前記実施例３記載の等間隔回折格子パターン
の球面フォトマスク２１を該ステンレス基板２２のフォ
トレジスト２３を塗布した球面に隙間無く密着させ、露
光装置１５にてフォトマスク２１側から紫外線１６を当
てて露光する（図１３参照）。フォトレジスト２３はフ
ォトマスク２１のパターン通りに露光される。露光され
たフォトレジスト２３を現像し、等間隔回折格子の凹凸
パターン２４を得る（図１４参照）。この後、凹凸パタ
ーン２４を所定の温度でポストベークして硬化させる。
に載置し、前記実施例３記載の等間隔回折格子パターン
の球面フォトマスク２１を該ステンレス基板２２のフォ
トレジスト２３を塗布した球面に隙間無く密着させ、露
光装置１５にてフォトマスク２１側から紫外線１６を当
てて露光する（図１３参照）。フォトレジスト２３はフ
ォトマスク２１のパターン通りに露光される。露光され
たフォトレジスト２３を現像し、等間隔回折格子の凹凸
パターン２４を得る（図１４参照）。この後、凹凸パタ
ーン２４を所定の温度でポストベークして硬化させる。
【００１８】次に、フォトレジスト２３の凹凸パターン
２４をエッチングマスクとしてイオンビームエッチング
装置によりステンレス基板２２をアルゴンイオンビーム
２５でエッチングする（図１５参照）。残ったフォトレ
ジスト２３を酸素プラズマアッシングにより除去する。
以上の工程により凸球面に等間隔回折格子パターンを有
するステンレス製凸面回折格子２６を得る（図１６参
照）。
２４をエッチングマスクとしてイオンビームエッチング
装置によりステンレス基板２２をアルゴンイオンビーム
２５でエッチングする（図１５参照）。残ったフォトレ
ジスト２３を酸素プラズマアッシングにより除去する。
以上の工程により凸球面に等間隔回折格子パターンを有
するステンレス製凸面回折格子２６を得る（図１６参
照）。
【００１９】本実施例によれば、凸面基板にも密着露光
により容易に凹凸パターンを得ることができる。
により容易に凹凸パターンを得ることができる。
【００２０】
【発明の効果】請求項１および２に係わる発明の効果
は、簡単かつ量産性のある方法で球面上に凹凸パターン
を形成することができるようになった。
は、簡単かつ量産性のある方法で球面上に凹凸パターン
を形成することができるようになった。
【図１】本発明を示す概念図である。
【図２】本発明を示す概念図である。
【図３】本発明を示す概念図である。
【図４】実施例１を示す側面図である。
【図５】実施例１を示す平面図である。
【図６】実施例２を示す工程図である。
【図７】実施例２を示す工程図である。
【図８】実施例２を示す工程図である。
【図９】実施例２を示す工程図である。
【図１０】実施例３を示す側面図である。
【図１１】実施例３を示す平面図である。
【図１２】実施例４を示す工程図である。
【図１３】実施例４を示す工程図である。
【図１４】実施例４を示す工程図である。
【図１５】実施例４を示す工程図である。
【図１６】実施例４を示す工程図である。
１ 石英ガラス基板 ２ クロム層 ３ 酸化クロム層 ４ マスクブランクス ５ 電子線レジスト ６ 電子線描画装置 ７ ｘｙｚステージ ８ 電子線 １１ 球面フォトマスク １２ ガラス基板 １３ フォトレジスト １４ ステージ １５ 露光装置 １６ 紫外線 １７ 凹凸パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも片面が球面であるガラス基板
の球面側に遮光材料にてパターンを形成したことを特徴
とする球面フォトマスク。 - 【請求項２】 基板の球面にフォトレジストを塗布する
工程と、該基板と凹凸が逆で曲率が等しい球面フォトマ
スクのパターン面を前記フォトレジストに密着させる工
程と、球面フォトマスクのパターン面の反対側からフォ
トレジストを露光する工程と、露光されたフォトレジス
トを現像する工程とを有することを特徴とするパターン
の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25890194A JPH0895231A (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 球面フォトマスクおよびパターン作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25890194A JPH0895231A (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 球面フォトマスクおよびパターン作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0895231A true JPH0895231A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=17326614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25890194A Pending JPH0895231A (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 球面フォトマスクおよびパターン作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0895231A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7001709B2 (en) * | 2002-03-28 | 2006-02-21 | Konica Corporation | Method of drawing a pattern on a base material by scanning a beam |
| JP2014524053A (ja) * | 2011-07-21 | 2014-09-18 | エルジー・ケム・リミテッド | マスク及びこれを含む光学フィルタの製造装置 |
| JP2015507213A (ja) * | 2011-12-01 | 2015-03-05 | エルジー・ケム・リミテッド | マスク |
| JP2016081503A (ja) * | 2014-10-14 | 2016-05-16 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 曲面タッチ装置及びその製造方法 |
| JP2017016165A (ja) * | 2012-01-06 | 2017-01-19 | ジョンソン・アンド・ジョンソン・ビジョン・ケア・インコーポレイテッドＪｏｈｎｓｏｎ ＆ Ｊｏｈｎｓｏｎ Ｖｉｓｉｏｎ Ｃａｒｅ， Ｉｎｃ． | 眼科デバイス上に電気的相互接続を形成する方法及び装置 |
-
1994
- 1994-09-28 JP JP25890194A patent/JPH0895231A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7001709B2 (en) * | 2002-03-28 | 2006-02-21 | Konica Corporation | Method of drawing a pattern on a base material by scanning a beam |
| JP2014524053A (ja) * | 2011-07-21 | 2014-09-18 | エルジー・ケム・リミテッド | マスク及びこれを含む光学フィルタの製造装置 |
| JP2015507213A (ja) * | 2011-12-01 | 2015-03-05 | エルジー・ケム・リミテッド | マスク |
| JP2017016165A (ja) * | 2012-01-06 | 2017-01-19 | ジョンソン・アンド・ジョンソン・ビジョン・ケア・インコーポレイテッドＪｏｈｎｓｏｎ ＆ Ｊｏｈｎｓｏｎ Ｖｉｓｉｏｎ Ｃａｒｅ， Ｉｎｃ． | 眼科デバイス上に電気的相互接続を形成する方法及び装置 |
| JP2016081503A (ja) * | 2014-10-14 | 2016-05-16 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 曲面タッチ装置及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031028 |