JP3557267B2 - 焦点板用原盤の作製方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、カメラ、ビデオなど撮影機器の焦点板の製造方法に用いる焦点板用原盤の作製方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、焦点板の製造方法には、表面に微細凹凸形状をもつ焦点板用原盤を作製した後、電鋳法などにより正確に反転した型をとり、所望の成形用金型を製作した後、射出成形法、射出圧縮成形法または2P法などによりプラスチックに微細凹凸形状を転写する方法がある。このような方法によると、焦点板用原盤上の微細凹凸を忠実にプラスチック上に形成するので、焦点板用原盤の微細凹凸が直接最終的な光学性能に影響を与える。
【0003】
さらに、焦点板上の微細凹凸形状の作製方法としては、これまで、ガラスなどの基板上に砂掛けを行って微細凹凸を形成するという方法があった。しかしながらこの方法では、ボケ味は良いが、反面暗く、ザラツキが目立つという欠点があった。この欠点を解消するために規則的なパターンを形成したマスクや感光樹脂を利用する方法が提案されている。それは、基板に感光樹脂をスピンコート法などにより均一な膜厚に形成した後、密着露光法やプロキシミティ露光法などにより紫外線等の光を照射して、マスクのパターンを基板に感光させて、アルカリ等の現像液によりエッチングを行い、基板上に感光樹脂のパターンを形成するという方法である。これにより、砂掛けのような先鋭形状がなく、明るく、ザラツキのない焦点板用原盤の作製が可能となった。しかし、この焦点板用原盤には、平坦部が多いために、ボケ味が不十分であるという欠点があった。
【0004】
さらにこの欠点を解消するため、特開平1−178943号公報所載の技術が開示されている。この技術を図4〜図7を用いて説明する。図4において、マスク29はガラス板で構成され、クロム(Cr)から成るドット状の微細パターン31を、約15〜25μm程度のピッチp及び約10〜16μmの直径で印刷して作製した。つぎに、図5において、まず露光に先立って、ガラスから成る基板15上に、約2〜3μm程度の膜厚範囲内の所定の厚さで、感光材料33としてのポジ型レジスト材料を均一に塗布し、感光材35を作製する。つぎに、マスク29の微細パターン31側表面と、感光材35の感光材料33側表面とを対向させて位置合わせを行う。この際、マスク29との距離Δtは、約20μmとして行った。しかる後、同図中、一連の矢印aを付して示す光をマスク29の側から感光材35に向かって照射し、微細パターン31を感光材料33の表面に投影することにより露光を行う。
【0005】
上述した工程を経た後、現像処理を行い、露光後の感光材料33を、図6に示すような凹凸部17bとして形成する。露光後の凹凸部17bは、少なくとも平坦部19と、当該部19を画定する縁部37とを形成する条件で形成する。ここでいう条件とは、前述した距離Δtの値のみならず、露光量、感光材料33の膜厚、当該材料33の現像条件、当該材料のγ値またはその他の条件を示し、任意好適に選択して設定する。つぎに、上述した凹凸部17bに対して加熱処理を行うことにより、図7に示すような断面形状が連続した円弧状の凹凸部39とし、母型41(焦点板用原盤)が得られた。
【0006】
このような母型41(焦点板用原盤)を用いて、成形型を得た後、従来と同様な光学材料の成形を行ったところ、拡散性に優れ、粒状性の無い、明るい焦点板を製造することができるというものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、上記従来技術の焦点板用原盤の作製方法には、加熱処理により、パターンが接触する部分の形状が光学性能に悪影響を及ぼすという欠点があった。感光材料は低温では流動性が少なく、高温では流動性が高いという特性がある。それ故、加熱処理によってパターンどうしが接触した場合の接触形状が相違する。即ち、低温で接触した場合には、図8に示すように、接触形状の変形が小さく、接線13が鋭角に近く凹凸形状がはっきりしている。また、高温で接触した場合には、図9に示すように、高い流動性から接線14は滑らかになるが、凹凸が少なく平坦になる。即ちこの従来技術では、低温で加熱処理した場合には、接線13が鋭角になり、散乱光が増えて暗くなり、粒状性も現れてくるという問題点が発生する。また、高温で加熱処理した場合には、接線14は滑らかになるが、平坦な形状になり、ボケ味が悪くなるという問題点が発生する。
【0008】
本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、請求項1、2または3に係る発明の目的は、明るく、ボケ味の良好な焦点板用原盤の作製方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1、2または3に係る発明は、基板に感光樹脂を塗布して、前加熱処理を行い、マスク上のパターンを感光させた後、エッチングして基板上にパターンを形成し、本加熱処理する焦点板用原盤の作製方法において、エッチング後の基板上のパターン間に、未感光部の樹脂層の高さに対して、5〜40%の高さの感光部の樹脂層を残留させることを特徴とする。
【0010】
【作用】
請求項1、2または3に係る発明の作用では、残留した感光部の樹脂層が、本加熱処理によって、パターンどうしが接触する際、橋渡しの働きをして、必要以上に鋭角でなく、かつ必要以上に流動変形せずにパターンを形成する。なお、感光部の樹脂層が、未感光部の樹脂層の高さの40%を超えて残留する場合はボケ味が劣化し、5%未満の場合はパターンどうしが接触しなかったり、接触するようにするとボケ味が劣化するという問題が発生する。
請求項2に係る発明の作用では、光の照射時間を制御することにより、感光部の残留樹脂層の高さを5〜40%の間に調整する。
請求項3に係る発明の作用では、光の強度を制御することにより、感光部の残留樹脂層の高さを5〜40%の間に調整する。
【0011】
【実施例1】
図1〜図3は実施例1を示し、図1はマスクのパターンを示す平面図、図2はエッチング後の焦点板用原盤の縦断面図、図3は加熱処理後の焦点板用原盤の縦断面図である。
【0012】
まず、本実施例に用いるマスクを図1によって説明する。図1において、2は正6角形の遮光部で、ピッチ17μm、間隔2μmの最密6方配置のパターンを形成している。間隔2μmの部分は光の透過部3を形成する。つぎに、基板には、シリコン(Si)ウエハを、感光樹脂には、東京応化製の高解像度ポジ型レジストTSMR8900をそれぞれ用いる。さらに、加熱手段としては、ホットプレートを用いる半導体製造装置を利用する。
【0013】
つぎに、焦点板用原盤の作製方法について説明する。Si基板上に感光樹脂をスピンコート法により2μmの膜厚で塗布した後、ホットプレートにて110℃/90sec の前加熱処理たるプリベークを行う。つぎに、密着露光法により、図1のマスクを用いて、h−line、24mW/cm2 のUV光を2秒照射する。その後、エッチングとして、アルカリ性現像液NMD−Wを用いて感光部のレジストを除去し、これを断面にして走査型電子顕微鏡で調べたところ、図2に示すように、未感光樹脂層5の高さはほぼ2μmで、正6角形のパターンを形成する。また、パターン間の感光部6には、約0.5μmの高さのレジスト7が残留し、レジスト7の周囲のレジストは除去されている。これは、マスクのパターン間隔が極めて小さいため、マスク境界部(稜部)において、光が強め合って感光が進むけれども、中心部において光が強め合わないことによってパターン間に薄い層のレジスト7が残ると思われる。
【0014】
ついで、ホットプレートを用いて、150℃/300sec の本加熱処理たるポストベークを行い、焦点板用原盤を完成する。図3はポストベーク後の断面を示す。未感光部の感光樹脂はポストベークにより流動性をもち球状に変形しているが、接線8は感光部の中央に残留したレジスト7を介して、パターンどうしが接触しているために、はっきりした凹凸球状を維持しながらも、滑らかに繋がっている。
【0015】
このように作製された焦点板用原盤は、導電膜を被覆した後、ニッケルなどの電解メッキにより電鋳反転され、機械加工および電気加工により所望の形状の金型に加工され、射出成形法、射出圧縮成形法または2P法などにより、ポリカーボネイト、ポリメチルメタクリレート、環状ポリオレフィン樹脂、ポリスチレン、CR−35またはTPXなどの樹脂により焦点板が製造される。
【0016】
本実施例によって作製された焦点板用原盤を用いて焦点板を製造したところ、明るさ及びボケ味について、良好な結果が得られた。
【0017】
本実施例では、UV光の露光時間は2秒であったが、これに限ることなく、約1.2秒〜3秒の範囲で変化させることができ、残留レジストは、未感光樹脂層の高さの5〜40%の範囲の高さであった。また、ポストベークにおいては、120℃〜180℃の範囲で良好なパターンどうしの接触が得られた。
【0018】
露光時間や、ポストベークの条件は、最終的に要求される光学性能や焦点板の樹脂の種類により最適化することが重要である。また、マスクのパターンについも、その配置やエレメントの形状は本実施例に示したものの限りではなく、適宜変更することができる。以後の実施例においても同様である。
【0019】
【実施例2】
本実施例の焦点板用原盤の作製方法は、実施例1と基本的には同様であり、異なる部分のみ示し、同様の部分の図と説明を省略する。
【0020】
本実施例と実施例1との相違点は、UV光による密着露光法において、露光強度を10mW/cm2 とし、露光時間を5秒としたことである。その他の点は実施例1と同一である。このように、露光条件を変更しても、焦点板用原盤のパターンは実施例1とほぼ同形状のものを得ることができた。
【0021】
本実施例によれば、実施例1の効果に加え、露光強度を低下させたので、現像時に感光部を完全に除去する場合の露光時間と同程度の露光時間を設定できるため、より綿密に条件を設定することができる。
【0022】
本実施例では、露光時間を5秒としたが、これに限ることなく、約4秒〜6.5秒の範囲で変化させることができ、残留レジストは、未感光樹脂層の高さの5〜40%の範囲の高さであった。また、ポストベークにおいては、120℃〜190℃の範囲で良好なパターンどうしの接触が得られた。
【0023】
【実施例3】
本実施例の焦点板用原盤の作製方法は、実施例1と基本的には同様であり、異なる部分のみ示し、同様の部分の図と説明を省略する。
【0024】
本実施例と実施例1との相違点の第1は、感光樹脂として、東京応化製のメルトフロータイプポジ型レジストTMR−P3を用いたことである。相違点の第2は、UV光による密着露光法において、露光強度を24mW/cm2 とし、露光時間を1.6秒としたことである。この結果、エッチング後には、パターン間に約0.3μm程度のレジストが残留した。相違点の第3は、ポストベークにおいて、ホットプレートを用いて、130℃/200sec としたことである。その他の点は実施例1と同一である。本実施例においても、実施例1と同様の焦点板用原盤を得ることができた。
【0025】
本実施例によれば、実施例1の効果に加え、流動性のよいメトロフロータイプの感光樹脂を用いることにより、低温で加熱処理することができる。
【0026】
本実施例では、露光時間は1.6秒としたが、これに限ることなく、約1秒〜2.5秒の範囲で変化させることができ、残留レジストは、未感光樹脂層の高さの5〜40%の範囲の高さであった。また、ポストベークにおいては、100℃〜170℃の範囲で良好なパターンどうしの接触が得られた。
【0027】
【実施例4】
本実施例の焦点板用原盤の作製方法は、実施例1と基本的には同様であり、異なる部分のみ示し、同様の部分の図と説明を省略する。
【0028】
本実施例と実施例1との相違点の第1は、マスクのパターンは実施例1の図1と同様であるが、ピッチを18μm、パターン間隔を1.5μmとしたことである。相違点の第2は、基板にSiO2 を用い、その上に塗布する感光樹脂を、東京応化製のメルトフロータイプポジ型レジストTMR−P3とした。さらに、相違点の第3は、加熱手段としてオーブンを用いた半導体製造装置を利用したことである。
【0029】
さらに、焦点板用原盤の作製上の条件では、プリベークはオーブンを用いて、90℃/30分であり、UV光の露光時間は2.2秒とし、エッチング後のパターン間には約0.8μm程度のレジストを残留させ、ポストベークは、160℃/30分とした。その他の点は実施例1と同一である。本実施例においても、実施例1と同様の焦点板用原盤を得ることができた。
【0030】
本実施例によれば、実施例1の効果に加え、流動性のよいメトロフロータイプの感光樹脂を用いることにより、低温で加熱処理することができる。また、基板にSiO2 を用いているので、バックスキャッターが少なく、広い面積においても露光時に発生しがちなムラが発生しにくい。
【0031】
本実施例では、露光時間は2.2秒としたが、これに限ることなく、約1.4秒〜3.4秒の範囲で変化させることができ、残留レジストは、未感光樹脂層の高さの5〜40%の範囲の高さであった。また、ポストベークにおいては、100℃〜190℃の範囲で良好なパターンどうしの接触が得られた。
【0032】
【実施例5】
本実施例の焦点板用原盤の作製方法は、実施例1と基本的には同様であり、異なる部分のみ示し、同様の部分の図と説明を省略する。
【0033】
本実施例と実施例1との相違点の第1は、マスクのパターンは図1と同様であるが、ピッチを6μm、パターン間隔を1μmとしたことである。相違点の第2は、UV光の露光時間を1.2秒とし、エッチング後のパターン間には約0.2μm程度のレジストを残留させ、ポストベークは、140℃/300sec とした。その他の点は実施例1と同一である。本実施例においても、実施例1と同様の焦点板用原盤を得ることができた。
【0034】
本実施例によれば、実施例1の効果に加え、本実施例の方法により製造された焦点板は、ビデオカメラに好適であった。
【0035】
本実施例では、露光時間は1.2秒としたが、これに限ることなく、約0.8秒〜1.6秒の範囲で変化させることができ、残留レジストは、未感光樹脂層の高さの5〜40%の範囲の高さであった。また、ポストベークにおいては、120℃〜180℃の範囲で良好なパターンどうしの接触が得られた。
【0036】
【実施例6】
本実施例の焦点板用原盤の作製方法は、実施例1と基本的には同様であるが、作製方法に追加の工程があるので、異なる部分と追加の工程のみ示し、同様の部分の図と説明を省略する。
【0037】
本実施例と実施例1との相違点の第1は、マスクのパターンは実施例1の図1と同様であるが、ピッチを15μm、パターン間隔を2μmとしたことである。相違点の第2は、基板にSiO2 を用い、その上に塗布する感光樹脂を、東京応化製のメルトフロータイプポジ型レジストTMR−P3とした。さらに、相違点の第3は、加熱手段としてオーブンを用いた。第4は半導体製造装置を利用したことである。
【0038】
つぎに、焦点板用原盤の作製方法について説明する。SiO2 基板上に感光樹脂をスピンコート法により0.6μmの膜厚で塗布した後、オーブンを用いて90℃/30分のプリベークを行う。つぎに、密着露光法により、前記のマスクを用いて、h−line、24mW/cm2 のUV光を0.9秒照射する。その後、エッチングとして、アルカリ性現像液NMD−Wを用いて感光部のレジストを除去し、これを断面にして走査型電子顕微鏡で調べたところ、図2と同様に、未感光樹脂層の高さはほぼ0.6μmで、正6角形のパターンを形成していた。また、パターン間の感光部には、約0.1μmの高さのレジストが残留し、レジストの周囲のレジストは除去されていた。
【0039】
ついで、オーブンを用いて、145℃/20分のポストベークを行い、焦点板用原盤を作製する。本実施例では、さらに、この焦点板用原盤に対してエッチングを行う。すなわち、H2 ガスおよびCF2 ガスを用いて、選択比が3程度になる反応性イオンエッチングをレジストが全てなくなるまで行い、SiO2 基板上にパターンを触刻し、焦点板用原盤を完成する。
【0040】
本実施例によれば、作製した焦点板用原盤をそのまま焦点板として使用することもできるし、実施例1と同様に、電鋳反転を行って、前記のポリカーボネイトなどの樹脂に転写することもできる。いづれの場合も、明るさ及びボケ味については、良好であった。また、電鋳時において、原盤の材料がSiO2 のみであるので、基板とレジストパターンの複合構造の原盤を電鋳する場合と比較して、耐久性が向上する。
【0041】
本実施例では、露光時間は0.9秒としたが、これに限ることなく、約0.5秒〜2秒の範囲で変化させることができ、残留レジストは、未感光樹脂層の高さの5〜40%の範囲の高さであった。また、ポストベークにおいては、120℃〜180℃の範囲で良好なパターンどうしの接触が得られた。
【0042】
【発明の効果】
請求項1、2または3に係る発明によれば、明るく、ボケ味の良好な焦点板用原盤を提供することができる。
請求項2に係る発明によれば、上記効果に加え、光の照射時間を制御することにより、感光部の残留樹脂層の高さを5〜40%の間に容易に調整することができる。
請求項3に係る発明によれば、上記効果に加え、光の強度を制御することにより、感光部の残留樹脂層の高さを5〜40%の間に容易に調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1のマスクのパターンを示す平面図である。
【図2】実施例1のエッチング後の焦点板用原盤の縦断面図である。
【図3】実施例1の加熱処理後の焦点板用原盤の縦断面図である。
【図4】従来技術のマスクの平面図である。
【図5】従来技術の露光工程の説明図である。
【図6】従来技術のエッチング後の焦点板用原盤の縦断面図である。
【図7】従来技術の加熱処理後の焦点板用原盤の縦断面図である。
【図8】従来技術の問題点の説明図である。
【図9】従来技術の問題点の説明図である。
【符号の説明】
1 基板
5 未感光樹脂層
6 感光部
7 レジスト
Claims (3)
- 基板に感光性樹脂を塗布して、前加熱処理を行い、マスク上のパターンを感光させた後、エッチングして基板上にパターンを形成し、本加熱処理する焦点板用原盤の作製方法において、
エッチング後の基板上のパターン間に、未感光部の樹脂層の高さに対して、5〜40%の高さの感光部の樹脂層を残留させることを特徴とする焦点板用原盤の作製方法。 - マスク上のパターンを感光させるとき、光の照射時間を制御することを特徴とする請求項1記載の焦点板用原盤の作製方法。
- マスク上のパターンを感光させるとき、光の強度を制御することを特徴とする請求項1記載の焦点板用原盤の作製方法。
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