TWI742901B - 轉印滾輪製造方法和轉印膜片製造方法 - Google Patents

轉印滾輪製造方法和轉印膜片製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明公開一種轉印滾輪製造方法和轉印膜片製造方法，所述轉印滾輪製造方法包括：於金屬滾筒的外表面塗佈一光阻層；透過曝光步驟和顯影步驟使得光阻層形成多個遮蔽圖形；透過非等向蝕刻手段蝕刻金屬滾筒的外表面和多個遮蔽圖形，而使得金屬滾筒的外表面形成多個壓印微結構，且部分移除多個遮蔽圖形的頂端部分；及移除光阻層的多個遮蔽圖形，而使得金屬滾筒構成一轉印滾輪。

Description

轉印滾輪製造方法和轉印膜片製造方法
本發明涉及一種滾輪及光學膜片的製造方法，尤其涉及一種轉印滾輪製造方法和轉印膜片製造方法。
現有的轉印滾輪的製造方法主要透過在一滾筒的外表面塗佈一光阻層，並且透過曝光及顯影手段將所述光阻層圖案化，再以圖案化後的所述光阻層為遮罩對所述滾筒的所述外表面蝕刻，而在所述滾筒的所述外表面形成微結構，而使得所述滾筒形成具有特定微結構的轉印式滾輪。
然而現有的轉印滾輪製造方法容易因為所述光阻層不規則的表面缺陷（Mura defect），而導致蝕刻後的所述轉印滾輪的所述外表面也產生缺陷的情形。
故，如何通過轉印滾輪製造方法的設計與改良，以克服上述的缺陷，已成為該項事業所欲解決的重要課題之一。
本發明實施例在於提供一種轉印滾輪製造方法及轉印膜片製造方法，其能有效地改良現有轉印滾輪及轉印膜片製造方法。
本發明實施例公開一種轉印滾輪製造方法，其包括：一前置步驟：提供一金屬滾筒，所述金屬滾筒具有一圓柱狀的外表面；一塗佈步驟：於所述金屬滾筒的所述外表面塗佈圍繞360度的一光阻層；一曝光步驟：將一圖案化光源照射於所述光阻層的外表面，而使得所述光阻層形成多個曝光區域和多個未曝光區域；一圖案化步驟：移除所述光阻層上多個所述曝光區域的材料，使得所述光阻層形成對應多個所述曝光區域的多個鏤空部分，以及對應多個所述未曝光區域的多個遮蔽圖形；其中，任一個所述遮蔽圖形相對於所述金屬滾筒的所述外表面的一端定義為頂端部分；一蝕刻步驟：透過非等向蝕刻手段並以多個所述遮蔽圖形為遮罩對所述金屬滾筒的所述外表面和所述光阻層蝕刻，而使得所述金屬滾筒的所述外表面形成多個壓印微結構，且使得所述光阻層的多個所述遮蔽圖形的所述頂端部分被部分地移除；其中，任一個所述遮蔽圖形的蝕刻深度小於任一個所述遮蔽圖形的高度；以及一光阻移除步驟：將所述金屬滾筒的所述外表面上殘留的所述光阻層移除，而使得所述金屬滾筒形成一轉印滾輪。
本發明實施例也公開一種轉印膜片製造方法，其包括：轉印滾輪製造步驟，包括：一前置步驟：提供一金屬滾筒，所述金屬滾筒具有一圓柱狀的外表面；一塗佈步驟：於所述金屬滾筒的所述外表面塗佈圍繞360度的一光阻層；一曝光步驟：將一圖案化光源照射於所述光阻層的外表面，而使得所述光阻層形成多個曝光區域和多個未曝光區域；一圖案化步驟：移除所述光阻層上多個所述曝光區域的材料，使得所述光阻層形成對應多個所述曝光區域的多個鏤空部分，以及對應多個所述未曝光區域的多個遮蔽圖形；其中，任一個所述遮蔽圖形相對於所述金屬滾筒的所述外表面的一端定義為頂端部分；一蝕刻步驟：透過非等向蝕刻手段並以多個所述遮蔽圖形為遮罩對所述金屬滾筒的所述外表面和所述光阻層蝕刻，而使得所述金屬滾筒的所述外表面形成多個壓印微結構，且使得所述光阻層的多個所述遮蔽圖形的所述頂端部分被部分地移除；其中，任一個所述遮蔽圖形的蝕刻深度小於任一個所述遮蔽圖形的高度；及一光阻移除步驟：將所述金屬滾筒的所述外表面上殘留的所述光阻層移除，而使得所述金屬滾筒形成一轉印滾輪；以及一膜片製造步驟，其包括：一基材準備步驟：提供片狀的一膜片基材及位於所述膜片基材上的一底漆層；一滾輪壓印步驟：透過所述轉印滾輪滾壓於所述底漆層上，以使得所述底漆層形成有形狀互補於多個所述壓印微結構的多個轉印微結構；及一固化步驟：透過一固化手段使得所述底漆層固化，進而使得所述底漆層和所述膜片基材構成一轉印膜片。
綜上所述，本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的轉印滾輪製造方法，其能夠透過“在所述蝕刻步驟中同時對所述金屬滾筒的所述外表面和所述光阻層的多個所述遮蔽圖形進行蝕刻，並且控制任一個所述遮蔽圖形蝕刻的深度小於任一個所述遮蔽圖形高度”的技術方案，能夠確保在所述蝕刻步驟中，多個所述遮蔽圖形不會被完全蝕刻，而避免所述光阻層的表面缺陷影響到所述轉印滾輪的所述外表面。
為能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本發明，而非對本發明的保護範圍作任何的限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“轉印滾輪製造方法和轉印膜片製造方法”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[實施例一]
如圖1至圖12所示，本發明實施例一公開一種轉印滾輪100的製造方法，以及使用所述轉印滾輪100以製作一轉印膜片600的製造方法。其中所述轉印滾輪100的製造方法包括一轉印滾輪製造步驟S1，所述轉印膜片製造方法包括所述轉印滾輪製造步驟S1和一膜片製造步驟S2。
其中，所述轉印滾輪製造方法（即為所述轉印滾輪製造步驟S1）包括：前置步驟S11、塗佈步驟S12、曝光步驟S13、圖案化步驟S14、蝕刻步驟S15、和光阻移除步驟S16。如圖2所示，所述前置步驟S11為提供一金屬滾筒110，所述金屬滾筒110能夠定義有一中心軸線111，所述金屬滾筒110具有一外表面112，所述外表面112呈圓柱形，並且所述金屬滾筒110至少於所述外表面112的部分是由鎳金屬、鉻金屬、銅金屬、鋁金屬等類型的金屬材料或合金材料所製成。
如圖2所示，所述塗佈步驟S12為透過一塗佈設備200在所述金屬滾筒110的所述外表面112塗佈圍繞360度的一光阻層300。本實施例中使用的所述塗佈設備200，其包括一塗佈機構210、相對設置於所述塗佈機構210下方的一旋轉模組220、一直線驅動模組230、以及相對設置於所述旋轉模組220下方的一承載台240。其中，所述金屬滾筒110設置於所述旋轉模組220上，透過所述旋轉模組220帶動所述金屬滾筒110繞著其中心軸線111旋轉，所述塗佈機構210設置於所述直線驅動模組230上，透過所述直線驅動模組230能夠帶動所述塗佈機構210沿著和所述中心軸線111平行的方向往復位移。當所述金屬滾筒110受到所述旋轉模組220驅動旋轉時，所述塗佈機構210同時受到所述直線驅動模組230驅動而沿著所述中心軸線111方向直線位移，而將光阻材料塗佈於所述金屬滾筒110的所述外表面112，進而構成所述光阻層300。
如圖2、圖3、及圖4所示，所述光阻材料塗佈於所述金屬滾筒110表面後，形成360度圍繞所述金屬滾筒110的所述外表面112的所述光阻層300。本實施例中，所述光阻層300的厚度介於1微米（μm）～20微米的範圍之間。特別說明，本發明的所述塗佈步驟S12是以保持光阻層300厚度的均勻性方式來實施，所以所述光阻層300無須被限制在較薄的厚度。並且如圖4所示，由於本發明的所述光阻層300具有較厚的厚度，因此得以減少所述光阻層300的外表面的表面缺陷（Mura defect）所產生的不良影響。
如圖5所示，所述曝光步驟S13為將一圖案化光源410照射於所述光阻層300，並使得所述圖案化光源410相對於所述光阻層300的表面位移，而使得所述光阻層300受到所述圖案化光源410照射的部位形成多個曝光區域301，而未被所述圖案化光源410照射的部位形成多個未曝光區域302。本實施例中，在所述曝光步驟S13中，所述光阻層300的任一個所述曝光區域301的曝光深度等於或大於所述光阻層300的厚度。
如圖5所示，本實施例中，為將一光源裝置400產生的光線穿透過一個光罩500而形成所述圖案化光源410。其中所述光源裝置400可以是包含有能夠發出能夠使得所述光阻層300感光的光線的至少一個發光二極體晶片。所述光罩500具有一透光基板510，以及設置於所述透光基板510上的多個光罩圖案520。其中，所述透光基板510可以為石英基板或玻璃基板，多個所述光罩圖案520可以是由圖形化的鉻金屬膜所形成，所述透光基板510未被多個所述光罩圖案520所遮蔽的位置形成了多個透光部分511，因而使得所述光源裝置400所產生的光線穿透過至少一個所述光罩500後能夠形成所述圖案化光源410。但本發明並不以此為限，舉例來說，所述圖案化光源410也能夠是由雷射光源或紫外光LED通過微菱鏡聚焦所形成的圖案化光源。
如圖6所示，所述圖案化步驟S14為移除所述光阻層300上多個所述曝光區域301的材料，而使得所述光阻層300形成對應多個所述曝光區域301的多個鏤空部分310，以及位於多個所述鏤空部分310以外的多個遮蔽圖形320。更詳細地說，本實施例中，所述圖案化步驟S14可以使用對應於所述光阻層300材料的顯影劑進行，當進行所述圖案化步驟S14時，所述光阻層300上的多個所述曝光區域301的材料能夠被所述顯影劑溶解移除，而形成對應於多個所述曝光區域301的多個所述鏤空部分310。多個所述遮蔽圖形320相對於所述金屬滾筒110的所述外表面112的一端定義為頂端部分321。
特別說明，本實施例中，由於在所述曝光步驟S13中，任一個所述曝光區域301的曝光深度等於所述光阻層300的厚度，因而使得所述圖案化步驟中，所述光阻層300在多個所述曝光區域301的材料能夠被所述顯影劑完全移除，因而使得多個所述鏤空部分310能夠完全地貫穿所述光阻層300，而使得所述金屬滾筒110的所述外表面112能夠從多個所述鏤空部分310暴露出來。
如圖7、圖8所示，所述蝕刻步驟S15為透過非等向蝕刻手段並以多個所述遮蔽圖形320為遮罩對所述金屬滾筒110的所述外表面112和所述光阻層300蝕刻，而使得所述金屬滾筒110的所述外表面112形成多個壓印微結構113，並且使得所述光阻層300的多個所述遮蔽圖形320的所述頂端部分321被部分地移除。
並且，在所述蝕刻步驟S15中，任一個所述遮蔽圖形320的蝕刻深度d2小於任一個所述遮蔽圖形320的高度h。優選地，任一個所述遮蔽圖形320的所述蝕刻深度d2介於任一個所述遮蔽圖形320的所述高度h的1/3至3/4之間。本實施例中，所述金屬滾筒110的蝕刻深度d1大於所述光阻層300的多個所述遮蔽圖形320的所述蝕刻深度d2。優選地，所述蝕刻步驟S15中，所述金屬滾筒110的所述蝕刻深度d1為任一個所述遮蔽圖形320的所述蝕刻深度d2的2倍以上，以確保在所述蝕刻步驟S15中，所述光阻層300的任一個所述遮蔽圖形320不會被完全地蝕刻，因而使得所述光阻層300的所述外表面的表面缺陷不會影響所述金屬滾筒110的所述外表面112。
特別說明，本實施例中，所述蝕刻步驟S15為使用電漿蝕刻手段進行，更詳細地說，所述蝕刻步驟S15可以使用高密度電漿源（High density plasma，HDP）並以反應式離子蝕刻手段（Reactive Ion Etch，RIE）進行。
本如圖9及圖10所示，所述光阻移除步驟S16，為將所述金屬滾筒110的所述外表面112上殘留的所述光阻層300的多個所述遮蔽圖形320移除，而使得所述金屬滾筒110形成一轉印滾輪100。本實施例中，所述金屬滾筒110的所述外表面112的任一個所述壓印微結構113的深度d介於0.2微米至0.6微米之間，任一個所述壓印微結構113的寬度w介於0.3微米至0.8微米之間，並且相鄰的任兩個所述壓印微結構113的間距p介於0.6微米至1.6微米之間。
特別說明，本發明由於在所述蝕刻步驟S15中已經移除了所述光阻層300的多個所述遮蔽圖形320的一部分材料，使得所述光阻層300的厚度小於所述光阻層300的原始厚度，因而能夠減少所述光阻移除步驟S16中所需移除的所述光阻層300的材料厚度。
如圖1及圖10、圖11所示，本發明所述膜片製造步驟S2為使用所述轉印滾輪製造步驟S1所製成的所述轉印滾輪100製造出一轉印膜片600，本實施例中，所述轉印膜片600能夠為一光學膜片，或者為一用以製造光學膜片的轉印母模。
所述膜片製造步驟S2包括：基材準備步驟S21、滾輪壓印步驟S22、及固化步驟S23。其中，所述基材準備步驟S21為提供片狀的一膜片基材610，以及位於所述膜片基材610一表面上的一底漆層620。本實施例中，所述膜片基材610可以為聚對苯二甲酸乙二酯（PET），或定向拉伸聚丙烯薄膜（Oriented Polypropylene，OPP）材料所製成的薄膜，而所述底漆層620能夠為設置於所述膜片基材610表面的樹脂材料層或膠層。
所述滾輪壓印步驟S22為透過所述轉印滾輪100滾壓於所述底漆層620上，以使得所述底漆層620形成有形狀互補於多個所述壓印微結構113的多個轉印微結構630。所述固化步驟S23為透過一固化手段使得所述底漆層620和多個所述轉印微結構630固化，進而使得所述底漆層620和所述膜片基材610構成一轉印膜片600。
更詳細地說，本實施例中，所述底漆層620可以採用紫外光固化的樹脂材料製成，並且所述固化步驟S23所採用的所述固化手段為透過一紫外線光源700照射於所述底漆層620和所述底漆層620表面的多個所述轉印微結構630，而使得所述底漆層620和多個所述轉印微結構630受到紫外光照射後而固化。但本發明實施例不限於此，舉例來說，所述底漆層620也能夠採用熱固化樹脂材料（例如：環氧樹脂材料，Epoxy）所製成，並且所述固化步驟S23的所述固化手段為加熱手段而使得所述底漆層620固化。
[實施例二]
參閱圖12至圖14所示，其為本發明的實施例二，需先說明的是，本實施例類似於上述實施例一，所以兩個實施例的相同處則不再加以贅述。
如圖12所示，本實施例中，所述曝光步驟S13中，所述光阻層300的任一個所述曝光區域301的曝光深度小於所述光阻層300的厚度。換句話說，在所述曝光步驟S13中，所述圖案化光源410照射於所述光阻層300所形成的任一個所述曝光區域301並未貫穿所述光阻層300，而使得所述光阻層300在多個所述曝光區域301以外的部分形成了所述未曝光區域302。
如圖13及圖14所示，本實施例中，所述圖案化步驟S14進一步限定為一顯影子步驟S141，和一光阻蝕刻子步驟S142。如圖13所示，所述顯影子步驟為使用對應於所述光阻層300的顯影液溶解所述光阻層300的多個所述曝光區域301的材料，而使得所述光阻層300形成對應多個所述曝光區域301的多個凹陷部分301a，和對應多個所述未曝光區域302的多個凸出部分302a。值得注意的是，由於所述曝光步驟S13中，任一個所述曝光區域301的深度小於所述光阻層300的厚度，因而使得所述顯影子步驟中，任一個所述凹陷部分301a也未貫穿所述光阻層300，因而使得多個所述凹陷部分301a形成了盲孔的型態。
如圖14所示，所述光阻蝕刻子步驟S142，為透過非等向蝕刻手段蝕刻所述光阻層300，所述光阻蝕刻子步驟S142的蝕刻深度大於所述光阻層300在任一個所述凹陷部分301a的厚度，且小於任一個所述凸出部分302a的厚度，因而使得多個所述凹陷部分301a的所述光阻層300材料被完全移除而形成多個所述鏤空部分310，而多個所述凸出部分302a的所述光阻層300材料未被完全移除而形成多個所述遮蔽圖形320。
本實施例中，所述圖案化步驟S14是透過所述顯影子步驟和所述光阻蝕刻子步驟兩個步驟來移除所述光阻層300的材料，而使得所述光阻層300對應多個所述凹陷部分301a的位置形成多個所述鏤空部分310，因而能夠將所述光阻層300的厚度能夠大於多個所述曝光區域301的曝光深度，而使得所述光阻層300的厚度不需受限於多個所述曝光區域301的曝光深度的限制。
[本發明實施例的技術效果]
綜上所述，本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的轉印滾輪製造方法，其能夠透過“在所述蝕刻步驟中同時對所述金屬滾筒的所述外表面和所述光阻層的多個所述遮蔽圖形進行蝕刻，並且控制任一個所述遮蔽圖形蝕刻的深度小於任一個所述遮蔽圖形高度”的技術方案，能夠確保在所述蝕刻步驟中，多個所述遮蔽圖形不會被完全蝕刻，而避免所述光阻層的表面缺陷影響到所述轉印滾輪的所述外表面。
更進一步地說，本發明透過“在所述蝕刻步驟中，控制所述金屬滾筒的蝕刻深度大於任一個所述遮蔽圖形的蝕刻深度，以及控制所述金屬滾筒的所述蝕刻深度為任一個所述遮蔽圖形的所述蝕刻深度的2倍以上，和任一個所述遮蔽圖形的所述蝕刻深度介於任一個所述遮蔽圖形的所述高度的1/3至3/4之間”的技術方案，能夠控制所述光阻層的蝕刻速度低於所述金屬滾筒的蝕刻速度，而能夠確保所述蝕刻步驟中所述光阻層的多個所述遮蔽圖形不會被完全蝕刻的目的。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的專利範圍內。
100:轉印滾輪 110:金屬滾筒 111:中心軸線 112:外表面 113:壓印微結構 200:塗佈設備 210:塗佈機構 220:旋轉模組 230:直線驅動模組 240:承載台 300:光阻層 301:曝光區域 301a:凹陷部分 302:未曝光區域 302a:凸出部分 310:鏤空部分 320:遮蔽圖形 321:頂端部分 400:光源裝置 410:圖案化光源 500:光罩 510:透光基板 511:透光部分 520:光罩圖形 600:轉印膜片 610:膜片基材 620:底漆層 630:轉印微結構 700:紫外光源 S1:轉印滾輪製造步驟 S11:前置步驟 S12:塗佈步驟 S13:曝光步驟 S14:圖案化步驟 S141:顯影子步驟 S142:光阻蝕刻子步驟 S15:蝕刻步驟 S16:光阻移除步驟 S2:膜片製造步驟 S21:基材準備步驟 S22:滾輪壓印步驟 S23:固化步驟 d:壓印微結構深度 p:壓印微結構間距 w:壓印微結構寬度 d1:蝕刻深度 d2:蝕刻深度 h:遮蔽圖形高度
圖1為本發明實施例一轉印滾輪製造步驟和轉印膜片製造步驟的流程示意圖。
圖2為本發明實施例一轉印滾輪製造步驟的塗佈步驟的示意圖。
圖3為本發明實施例一塗佈光阻層的金屬滾筒的立體示意圖。
圖4為本發明實施例一塗佈光阻層的金屬滾筒的局部放大剖面示意圖。
圖5為本發明實施例一曝光步驟的動作示意圖。
圖6為本發明實施例一實施完成圖案化步驟後的光阻層和金屬滾筒的局部剖面示意圖。
圖7及圖8為本發明實施例一蝕刻步驟的動作示意圖。
圖9為本發明實施例一實施完成光阻移除步驟後的金屬滾筒的局部剖面示意圖。
圖10為本發明實施例一的膜片製造步驟的動作示意圖。
圖11為從圖10的XI部分所取的局部放大示意圖。
圖12為本發明實施例二的曝光步驟的動作示意圖。
圖13為本發明實施例二的顯影子步驟的動作示意圖。
圖14為本發明實施例二的光阻蝕刻子步驟的動作示意圖。
S1:轉印滾輪製造步驟
S11:前置步驟
S12:塗佈步驟
S13:曝光步驟
S14:圖案化步驟
S15:蝕刻步驟
S16:光阻移除步驟
S2:膜片製造步驟
S21:基材準備步驟
S22:滾輪壓印步驟
S23:固化步驟

Claims (8)

  1. 一種轉印滾輪製造方法，其包括：一前置步驟：提供一金屬滾筒，所述金屬滾筒具有一圓柱狀的外表面；一塗佈步驟：於所述金屬滾筒的所述外表面塗佈圍繞360度的一光阻層；一曝光步驟：將一圖案化光源照射於所述光阻層的外表面，而使得所述光阻層形成多個曝光區域和多個未曝光區域；所述曝光步驟中，任一個所述曝光區域的曝光深度小於所述光阻層的厚度；一圖案化步驟：移除所述光阻層上多個所述曝光區域的材料，使得所述光阻層形成對應多個所述曝光區域的多個鏤空部分，以及對應多個所述未曝光區域的多個遮蔽圖形；其中，任一個所述遮蔽圖形相對於所述金屬滾筒的所述外表面的一端定義為頂端部分；所述圖案化步驟中，進一步限定為一顯影子步驟和一光阻蝕刻子步驟；其中所述顯影子步驟為使用對應於所述光阻層的顯影液溶解所述光阻層的多個所述曝光區域的材料，而使得所述光阻層形成對應多個所述曝光區域的多個凹陷部分，和對應多個所述未曝光區域的多個凸出部分；所述光阻蝕刻子步驟中，為透過非等向蝕刻手段蝕刻所述光阻層，所述光阻層被蝕刻的深度大於任一個所述凹陷部分的厚度且小於任一個所述凸起部分的厚度，而使得多個所述凹陷部分被完全移除而形成多個所述鏤空部分，且多個所述凸起部分的所述光阻層未被完全移除而形成多個所述遮蔽圖形；一蝕刻步驟：透過非等向蝕刻手段並以多個所述遮蔽圖形為遮罩對所述金屬滾筒的所述外表面和所述光阻層蝕刻，而 使得所述金屬滾筒的所述外表面形成多個壓印微結構，且使得所述光阻層的多個所述遮蔽圖形的所述頂端部分被部分地移除；其中，任一個所述遮蔽圖形的蝕刻深度小於任一個所述遮蔽圖形的高度；以及一光阻移除步驟：將所述金屬滾筒的所述外表面上殘留的所述光阻層移除，而使得所述金屬滾筒形成一轉印滾輪。
  2. 如請求項1所述的轉印滾輪製造方法，其中，所述蝕刻步驟中，所述金屬滾筒的蝕刻深度大於任一個所述遮蔽圖形的所述蝕刻深度。
  3. 如請求項2所述的轉印滾輪製造方法，其中，所述蝕刻步驟中，所述金屬滾筒的所述蝕刻深度為任一個所述遮蔽圖形的所述蝕刻深度的2倍以上；任一個所述遮蔽圖形的所述蝕刻深度介於任一個所述遮蔽圖形的所述高度的1/3至3/4之間。
  4. 如請求項1所述的轉印滾輪製造方法，其中，任一個所述壓印微結構的深度介於0.2微米至0.6微米之間，任一個所述壓印微結構的寬度介於0.3微米至0.8微米之間；相鄰的任兩個所述壓印微結構的間距介於0.6微米至1.6微米之間。
  5. 如請求項1所述的轉印滾輪製造方法，其中，所述蝕刻步驟為採用高密度電漿源並以反應式離子蝕刻手段進行。
  6. 一種轉印膜片製造方法，其包括：一壓印滾輪製造步驟，其包括： 一前置步驟：提供一金屬滾筒，所述金屬滾筒具有一圓柱狀的外表面；一塗佈步驟：於所述金屬滾筒的所述外表面塗佈圍繞360度的一光阻層；一曝光步驟：將一圖案化光源照射於所述光阻層的外表面，而使得所述光阻層形成多個曝光區域和多個未曝光區域；所述曝光步驟中，任一個所述曝光區域的曝光深度小於所述光阻層的厚度；一圖案化步驟：移除所述光阻層上多個所述曝光區域的材料，使得所述光阻層形成對應多個所述曝光區域的多個鏤空部分，以及對應多個所述未曝光區域的多個遮蔽圖形；其中，任一個所述遮蔽圖形相對於所述金屬滾筒的所述外表面的一端定義為頂端部分；所述圖案化步驟中，進一步限定為一顯影子步驟和一光阻蝕刻子步驟；其中所述顯影子步驟為使用對應於所述光阻層的顯影液溶解所述光阻層的多個所述曝光區域的材料，而使得所述光阻層形成對應多個所述曝光區域的多個凹陷部分，和對應多個所述未曝光區域的多個凸出部分；所述光阻蝕刻子步驟中，為透過非等向蝕刻手段蝕刻所述光阻層，所述光阻層被蝕刻的深度大於任一個所述凹陷部分的厚度且小於任一個所述凸起部分的厚度，而使得多個所述凹陷部分被完全移除而形成多個所述鏤空部分，且多個所述凸起部分的所述光阻層未被完全移除而形成多個所述遮蔽圖形；一蝕刻步驟：透過非等向蝕刻手段並以多個所述遮蔽圖形為遮罩對所述金屬滾筒的所述外表面和所述光阻層蝕刻，而使得所述金屬滾筒的所述外表面形成多個壓印微 結構，且使得所述光阻層的多個所述遮蔽圖形的所述頂端部分被部分地移除；其中，任一個所述遮蔽圖形的蝕刻深度小於任一個所述遮蔽圖形的高度；及一光阻移除步驟：將所述金屬滾筒的所述外表面上殘留的所述光阻層移除，而使得所述金屬滾筒形成一轉印滾輪；以及一膜片製造步驟，其包括：一基材準備步驟：提供片狀的一膜片基材及位於所述膜片基材上的一底漆層；一滾輪壓印步驟：透過所述轉印滾輪滾壓於所述底漆層上，以使得所述底漆層形成有形狀互補於多個所述壓印微結構的多個轉印微結構；及一固化步驟：透過一固化手段使得所述底漆層固化，進而使得所述底漆層和所述膜片基材構成一轉印膜片。
  7. 如請求項6所述的轉印膜片製造方法，其中，所述底漆層為使用紫外光固化樹脂材料製成；在所述固化步驟中，所述固化手段為透過一紫外線光源照射於所述底漆層，而使得所述底漆層固化。
  8. 如請求項6所述的轉印膜片製造方法，其中，所述底漆層為使用熱固化樹脂材料製成；在所述固化步驟中，所述固化手段為透過加熱所述底漆層，而使得所述底漆層固化。
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