CN114488687A - 转印滚轮制造方法和转印膜片制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种转印滚轮制造方法和转印膜片制造方法，所述转印滚轮制造方法包括：于金属滚筒的外表面涂布一光阻层；通过曝光步骤和显影步骤使得光阻层形成多个遮蔽图形；通过非等向蚀刻手段蚀刻金属滚筒的外表面和多个遮蔽图形，而使得金属滚筒的外表面形成多个压印微结构，且部分移除多个遮蔽图形的顶端部分；及移除光阻层的多个遮蔽图形，而使得金属滚筒构成一转印滚轮。

Description

转印滚轮制造方法和转印膜片制造方法

技术领域

本发明涉及一种滚轮及光学膜片的制造方法，尤其涉及一种转印滚轮制造方法和转印膜片制造方法。

背景技术

现有的转印滚轮的制造方法主要通过在一滚筒的外表面涂布一光阻层，并且通过曝光及显影手段将所述光阻层图案化，再以图案化后的所述光阻层为屏蔽对所述滚筒的所述外表面蚀刻，而在所述滚筒的所述外表面形成微结构，而使得所述滚筒形成具有特定微结构的转印式滚轮。

然而现有的转印滚轮制造方法容易因为所述光阻层不规则的表面缺陷(Muradefect)，而导致蚀刻后的所述转印滚轮的所述外表面也产生缺陷的情形。

故，如何通过转印滚轮制造方法的设计与改良克服上述的缺陷，已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。

发明内容

本发明实施例在于提供一种转印滚轮制造方法及转印膜片制造方法，其能有效地改良现有转印滚轮及转印膜片制造方法。

本发明实施例公开一种转印滚轮制造方法，其包括：一前置步骤：提供一金属滚筒，所述金属滚筒具有一圆柱状的外表面；一涂布步骤：于所述金属滚筒的所述外表面涂布围绕360度的一光阻层；一曝光步骤：将一图案化光源照射于所述光阻层的外表面，而使得所述光阻层形成多个曝光区域和多个未曝光区域；一图案化步骤：移除所述光阻层上多个所述曝光区域的材料，使得所述光阻层形成对应多个所述曝光区域的多个镂空部分，以及对应多个所述未曝光区域的多个遮蔽图形；其中，任一个所述遮蔽图形远离所述金属滚筒的所述外表面的一端定义为顶端部分；一蚀刻步骤：通过非等向蚀刻手段并以多个所述遮蔽图形为屏蔽对所述金属滚筒的所述外表面和所述光阻层蚀刻，而使得所述金属滚筒的所述外表面形成多个压印微结构，且使得所述光阻层的多个所述遮蔽图形的所述顶端部分被部分地移除；其中，任一个所述遮蔽图形的蚀刻深度小于任一个所述遮蔽图形的高度；以及一光阻移除步骤：将所述金属滚筒的所述外表面上残留的所述光阻层移除，而使得所述金属滚筒形成一转印滚轮。

本发明一优选实施例，其中，所述蚀刻步骤中，所述金属滚筒的蚀刻深度大于任一个所述遮蔽图形的所述蚀刻深度。

本发明一优选实施例，其中，所述蚀刻步骤中，所述金属滚筒的所述蚀刻深度为任一个所述遮蔽图形的所述蚀刻深度的2倍以上；任一个所述遮蔽图形的所述蚀刻深度介于任一个所述遮蔽图形的所述高度的1/3至3/4之间。

本发明一优选实施例，其中，所述曝光步骤中，所述光阻层的任一个所述曝光区域的曝光深度等于所述光阻层的厚度；所述图案化步骤中，使用对应于所述光阻层的显影液溶解所述光阻层的多个所述曝光区域的材料，而形成多个所述镂空部分。

本发明一优选实施例，其中，在所述曝光步骤中，任一个所述曝光区域的曝光深度小于所述光阻层的厚度；在所述图案化步骤中，进一步限定一显影子步骤和一光阻蚀刻子步骤；其中在所述显影子步骤中，使用对应于所述光阻层的显影液溶解所述光阻层的多个所述曝光区域的材料，而使得所述光阻层形成对应多个所述曝光区域的多个凹陷部分和对应多个所述未曝光区域的多个凸出部分；其中，在所述光阻蚀刻子步骤中，通过非等向蚀刻手段蚀刻所述光阻层，所述光阻层被蚀刻的深度大于任一个所述凹陷部分的厚度且小于任一个所述凸出部分的厚度，而使得多个所述凹陷部分被完全移除而形成多个所述镂空部分，且多个所述凸出部分的所述光阻层未被完全移除，从而形成多个所述遮蔽图形。

本发明一优选实施例，其中，任一个所述压印微结构的深度介于0.2微米至0.6微米之间，任一个所述压印微结构的宽度介于0.3微米至0.8微米之间；相邻的任两个所述压印微结构的间距介于0.6微米至1.6微米之间。

本发明一优选实施例，其中，所述蚀刻步骤为采用高密度电浆源并以反应式离子蚀刻手段进行。

本发明实施例也公开一种转印膜片制造方法，其包括：转印滚轮制造步骤，包括：一前置步骤：提供一金属滚筒，所述金属滚筒具有一圆柱状的外表面；一涂布步骤：于所述金属滚筒的所述外表面涂布围绕360度的一光阻层；一曝光步骤：将一图案化光源照射于所述光阻层的外表面，而使得所述光阻层形成多个曝光区域和多个未曝光区域；一图案化步骤：移除所述光阻层上多个所述曝光区域的材料，使得所述光阻层形成对应多个所述曝光区域的多个镂空部分，以及对应多个所述未曝光区域的多个遮蔽图形；其中，将任一个所述遮蔽图形远离所述金属滚筒的所述外表面的一端定义为顶端部分；一蚀刻步骤：通过非等向蚀刻手段并以多个所述遮蔽图形为屏蔽对所述金属滚筒的所述外表面和所述光阻层蚀刻，而使得所述金属滚筒的所述外表面形成多个压印微结构，且使得所述光阻层的多个所述遮蔽图形的所述顶端部分被部分地移除；其中，任一个所述遮蔽图形的蚀刻深度小于任一个所述遮蔽图形的高度；及一光阻移除步骤：将所述金属滚筒的所述外表面上残留的所述光阻层移除，而使得所述金属滚筒形成一转印滚轮；以及一膜片制造步骤，其包括：一基材准备步骤：提供片状的一膜片基材及位于所述膜片基材上的一底漆层；一滚轮压印步骤：通过所述转印滚轮滚压于所述底漆层上，以使得所述底漆层形成有与多个所述压印微结构形状互补的多个转印微结构；及一固化步骤：通过一固化手段使得所述底漆层固化，进而使得所述底漆层和所述膜片基材构成一转印膜片。

综上所述，本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的转印滚轮制造方法能够通过“在所述蚀刻步骤中同时对所述金属滚筒的所述外表面和所述光阻层的多个所述遮蔽图形进行蚀刻，并且控制任一个所述遮蔽图形的蚀刻深度小于任一个所述遮蔽图形的高度”的技术方案，能够确保在所述蚀刻步骤中，多个所述遮蔽图形不会被完全蚀刻，而避免所述光阻层的表面缺陷影响到所述转印滚轮的所述外表面。

为能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本发明，而非对本发明的保护范围作任何的限制。

附图说明

图1为本发明实施例一转印滚轮制造步骤和转印膜片制造步骤的流程示意图。

图2为本发明实施例一转印滚轮制造步骤的涂布步骤的示意图。

图3为本发明实施例一涂布光阻层的金属滚筒的立体示意图。

图4为本发明实施例一涂布光阻层的金属滚筒的局部放大剖面示意图。

图5为本发明实施例一曝光步骤的动作示意图。

图6为本发明实施例一实施完成图案化步骤后的光阻层和金属滚筒的局部剖面示意图。

图7及图8为本发明实施例一蚀刻步骤的动作示意图。

图9为本发明实施例一实施完成光阻移除步骤后的金属滚筒的局部剖面示意图。

图10为本发明实施例一的膜片制造步骤的动作示意图。

图11为从图10的XI部分所取的局部放大示意图。

图12为本发明实施例二的曝光步骤的动作示意图。

图13为本发明实施例二的显影子步骤的动作示意图。

图14为本发明实施例二的光阻蚀刻子步骤的动作示意图。

具体实施方式

以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“转印滚轮制造方法和转印膜片制造方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。

应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。

[实施例一]

如图1至图11所示，本发明实施例一公开一种转印滚轮100的制造方法，以及使用所述转印滚轮100以制作一转印膜片600的制造方法。其中所述转印滚轮100的制造方法包括一转印滚轮制造步骤S1，所述转印膜片制造方法包括所述转印滚轮制造步骤S1和一膜片制造步骤S2。

其中，所述转印滚轮制造方法(即为所述转印滚轮制造步骤S1)包括：前置步骤S11、涂布步骤S12、曝光步骤S13、图案化步骤S14、蚀刻步骤S15、和光阻移除步骤S16。如图2所示，所述前置步骤S11为提供一金属滚筒110，所述金属滚筒110能够定义有一中心轴线111，所述金属滚筒110具有一外表面112，所述外表面112呈圆柱形，并且所述金属滚筒110至少于所述外表面112的部分是由镍金属、铬金属、铜金属、铝金属等类型的金属材料或合金材料所制成。

如图2所示，所述涂布步骤S12为通过一涂布设备200在所述金属滚筒110的所述外表面112涂布围绕360度的一光阻层300。本实施例中使用的所述涂布设备200，其包括一涂布机构210、相对设置于所述涂布机构210下方的一旋转模块220、一直线驱动模块230、以及相对设置于所述旋转模块220下方的一承载台240。其中，所述金属滚筒110设置于所述旋转模块220上，通过所述旋转模块220带动所述金属滚筒110绕着其中心轴线111旋转，所述涂布机构210设置于所述直线驱动模块230上，通过所述直线驱动模块230能够带动所述涂布机构210沿着和所述中心轴线111平行的方向往复位移。当所述金属滚筒110受到所述旋转模块220驱动旋转时，所述涂布机构210同时受到所述直线驱动模块230驱动而沿着所述中心轴线111方向直线位移，而将光阻材料涂布于所述金属滚筒110的所述外表面112，进而构成所述光阻层300。

如图2、图3及图4所示，所述光阻材料涂布于所述金属滚筒110表面后，形成360度围绕所述金属滚筒110的所述外表面112的所述光阻层300。本实施例中，所述光阻层300的厚度介于1微米～20微米的范围之间。特别说明，本发明的所述涂布步骤S12是以保持光阻层300厚度的均匀性方式来实施，所以所述光阻层300无须被限制在较薄的厚度。并且如图4所示，由于本发明的所述光阻层300具有较厚的厚度，因此得以减少所述光阻层300的外表面的表面缺陷(Mura defect)所产生的不良影响。

如图5所示，所述曝光步骤S13为将一图案化光源410照射于所述光阻层300，并使得所述图案化光源410相对于所述光阻层300的表面位移，而使得所述光阻层300受到所述图案化光源410照射的部位形成多个曝光区域301，而未被所述图案化光源410照射的部位形成多个未曝光区域302。本实施例中，在所述曝光步骤S13中，所述光阻层300的任一个所述曝光区域301的曝光深度等于或大于所述光阻层300的厚度。

如图5所示，本实施例中，将一光源装置400产生的光线穿透过一个光罩500而形成所述图案化光源410。其中所述光源装置400可以是包含有能够发出能够使得所述光阻层300感光的光线的至少一个发光二极管芯片。所述光罩500具有一透光基板510，以及设置于所述透光基板510上的多个光罩图案520。其中，所述透光基板510可以为石英基板或玻璃基板，多个所述光罩图案520可以由图形化的铬金属膜所形成，所述透光基板510未被多个所述光罩图案520所遮蔽的位置形成了多个透光部分511，因而使得所述光源装置400所产生的光线穿透过至少一个所述光罩500后能够形成所述图案化光源410。但本发明并不以此为限，举例来说，所述图案化光源410也能够是由雷射光源或紫外光LED通过微菱镜聚焦所形成的图案化光源。

如图6所示，所述图案化步骤S14为移除所述光阻层300上多个所述曝光区域301的材料，而使得所述光阻层300形成对应多个所述曝光区域301的多个镂空部分310，以及位于多个所述镂空部分310以外的多个遮蔽图形320。更详细地说，本实施例中，所述图案化步骤S14可以使用对应于所述光阻层300材料的显影剂进行，当进行所述图案化步骤S14时，所述光阻层300上的多个所述曝光区域301的材料能够被所述显影剂溶解移除，而形成对应于多个所述曝光区域301的多个所述镂空部分310。多个所述遮蔽图形320远离所述金属滚筒110的所述外表面112的一端定义为顶端部分321。

特别说明，本实施例中，由于在所述曝光步骤S13中，任一个所述曝光区域301的曝光深度等于所述光阻层300的厚度，因而使得所述图案化步骤中，所述光阻层300在多个所述曝光区域301的材料能够被所述显影剂完全移除，因而使得多个所述镂空部分310能够完全地贯穿所述光阻层300，而使得所述金属滚筒110的所述外表面112能够从多个所述镂空部分310暴露出来。

如图7、图8所示，所述蚀刻步骤S15为通过非等向蚀刻手段并以多个所述遮蔽图形320为屏蔽对所述金属滚筒110的所述外表面112和所述光阻层300蚀刻，而使得所述金属滚筒110的所述外表面112形成多个压印微结构113，并且使得所述光阻层300的多个所述遮蔽图形320的所述顶端部分321被部分地移除。

并且，在所述蚀刻步骤S15中，任一个所述遮蔽图形320的蚀刻深度d2小于任一个所述遮蔽图形320的高度h。优选地，任一个所述遮蔽图形320的所述蚀刻深度d2介于任一个所述遮蔽图形320的所述高度h的1/3至3/4之间。本实施例中，所述金属滚筒110的蚀刻深度d1大于所述光阻层300的多个所述遮蔽图形320的所述蚀刻深度d2。优选地，所述蚀刻步骤S15中，所述金属滚筒110的所述蚀刻深度d1为任一个所述遮蔽图形320的所述蚀刻深度d2的2倍以上，以确保在所述蚀刻步骤S15中，所述光阻层300的任一个所述遮蔽图形320不会被完全地蚀刻，因而使得所述光阻层300的所述外表面的表面缺陷不会影响所述金属滚筒110的所述外表面112。

特别说明，本实施例中，所述蚀刻步骤S15为使用电浆蚀刻手段进行，更详细地说，所述蚀刻步骤S15可以使用高密度电浆源(High density plasma，HDP)并以反应式离子蚀刻手段(Reactive Ion Etch，RIE)进行。

如图9及图10所示，所述光阻移除步骤S16为将所述金属滚筒110的所述外表面112上残留的所述光阻层300的多个所述遮蔽图形320移除，而使得所述金属滚筒110形成一转印滚轮100。本实施例中，所述金属滚筒110的所述外表面112的任一个所述压印微结构113的深度d介于0.2微米至0.6微米之间，任一个所述压印微结构113的宽度w介于0.3微米至0.8微米之间，并且相邻的任两个所述压印微结构113的间距p介于0.6微米至1.6微米之间。

特别说明，本发明由于在所述蚀刻步骤S15中已经移除了所述光阻层300的多个所述遮蔽图形320的一部分材料，使得所述光阻层300的厚度小于所述光阻层300的原始厚度，因而能够减少所述光阻移除步骤S16中所需移除的所述光阻层300的材料厚度。

如图1及图10、图11所示，本发明所述膜片制造步骤S2为使用所述转印滚轮制造步骤S1所制成的所述转印滚轮100制造出一转印膜片600，本实施例中，所述转印膜片600能够为一光学膜片，或者为一用以制造光学膜片的转印母模。

所述膜片制造步骤S2包括：基材准备步骤S21、滚轮压印步骤S22、及固化步骤S23。其中，所述基材准备步骤S21为提供片状的一膜片基材610，以及位于所述膜片基材610一表面上的一底漆层620。本实施例中，所述膜片基材610可以为聚对苯二甲酸乙二酯(PET)，或定向拉伸聚丙烯薄膜(Oriented Polypropylene，OPP)材料所制成的薄膜，而所述底漆层620能够为设置于所述膜片基材610表面的树脂材料层或胶层。

所述滚轮压印步骤S22为通过所述转印滚轮100滚压于所述底漆层620上，以使得所述底漆层620形成有与多个所述压印微结构113形状互补的多个转印微结构630。所述固化步骤S23为通过一固化手段使得所述底漆层620和多个所述转印微结构630固化，进而使得所述底漆层620和所述膜片基材610构成一转印膜片600。

更详细地说，本实施例中，所述底漆层620可以采用紫外光固化的树脂材料制成，并且所述固化步骤S23所采用的所述固化手段为通过一紫外线光源700照射于所述底漆层620和所述底漆层620表面的多个所述转印微结构630，而使得所述底漆层620和多个所述转印微结构630受到紫外光照射后而固化。但本发明实施例不限于此，举例来说，所述底漆层620也能够采用热固化树脂材料(例如：环氧树脂材料，Epoxy)制成，并且所述固化步骤S23的所述固化手段为加热手段而使得所述底漆层620固化。

[实施例二]

参阅图12至图14所示，其为本发明的实施例二，需先说明的是，本实施例类似于上述实施例一，所以两个实施例的相同处则不再加以赘述。

如图12所示，本实施例中，所述曝光步骤S13中，所述光阻层300的任一个所述曝光区域301的曝光深度小于所述光阻层300的厚度。换句话说，在所述曝光步骤S13中，所述图案化光源410照射于所述光阻层300所形成的任一个所述曝光区域301并未贯穿所述光阻层300，而使得所述光阻层300在多个所述曝光区域301以外的部分形成了所述未曝光区域302。

如图13及图14所示，本实施例中，所述图案化步骤S14进一步限定为一显影子步骤S141，和一光阻蚀刻子步骤S142。如图13所示，所述显影子步骤为使用对应于所述光阻层300的显影液溶解所述光阻层300的多个所述曝光区域301的材料，而使得所述光阻层300形成对应多个所述曝光区域301的多个凹陷部分301a，和对应多个所述未曝光区域302的多个凸出部分302a。值得注意的是，由于所述曝光步骤S13中，任一个所述曝光区域301的深度小于所述光阻层300的厚度，因而使得所述显影子步骤中，任一个所述凹陷部分301a也未贯穿所述光阻层300，因而使得多个所述凹陷部分301a形成了盲孔的型态。

如图14所示，所述光阻蚀刻子步骤S142为通过非等向蚀刻手段蚀刻所述光阻层300，所述光阻蚀刻子步骤S142的蚀刻深度大于所述光阻层300在任一个所述凹陷部分301a的厚度，且小于任一个所述凸出部分302a的厚度，因而使得多个所述凹陷部分301a的所述光阻层300材料被完全移除而形成多个所述镂空部分310，而多个所述凸出部分302a的所述光阻层300材料未被完全移除而形成多个所述遮蔽图形320。

本实施例中，所述图案化步骤S14是通过所述显影子步骤和所述光阻蚀刻子步骤两个步骤来移除所述光阻层300的材料，而使得所述光阻层300对应多个所述凹陷部分301a的位置形成多个所述镂空部分310，因而使得所述光阻层300的厚度能够大于多个所述曝光区域301的曝光深度，而使得所述光阻层300的厚度不需受限于多个所述曝光区域301的曝光深度的限制。

[本发明实施例的技术效果]

综上所述，本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的转印滚轮制造方法能够通过“在所述蚀刻步骤中同时对所述金属滚筒的所述外表面和所述光阻层的多个所述遮蔽图形进行蚀刻，并且控制任一个所述遮蔽图形的蚀刻深度小于任一个所述遮蔽图形的高度”的技术方案，能够确保在所述蚀刻步骤中，多个所述遮蔽图形不会被完全蚀刻，而避免所述光阻层的表面缺陷影响到所述转印滚轮的所述外表面。

更进一步地说，本发明通过“在所述蚀刻步骤中，控制所述金属滚筒的蚀刻深度大于任一个所述遮蔽图形的蚀刻深度，以及控制所述金属滚筒的所述蚀刻深度为任一个所述遮蔽图形的所述蚀刻深度的2倍以上，且任一个所述遮蔽图形的所述蚀刻深度介于任一个所述遮蔽图形的所述高度的1/3至3/4之间”的技术方案，能够控制所述光阻层的蚀刻速度低于所述金属滚筒的蚀刻速度，而能够确保所述蚀刻步骤中所述光阻层的多个所述遮蔽图形不会被完全蚀刻的目的。

以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及图式内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种转印滚轮制造方法，其特征在于，所述转印滚轮制造方法包括：

一前置步骤：提供一金属滚筒，所述金属滚筒具有一圆柱状的外表面；

一涂布步骤：于所述金属滚筒的所述外表面涂布围绕360度的一光阻层；

一曝光步骤：将一图案化光源照射于所述光阻层的外表面，而使得所述光阻层形成多个曝光区域和多个未曝光区域；

一图案化步骤：移除所述光阻层上多个所述曝光区域的材料，使得所述光阻层形成对应多个所述曝光区域的多个镂空部分，以及对应多个所述未曝光区域的多个遮蔽图形；其中，任一个所述遮蔽图形远离所述金属滚筒的所述外表面的一端定义为顶端部分；

一蚀刻步骤：通过非等向蚀刻手段并以多个所述遮蔽图形为屏蔽对所述金属滚筒的所述外表面和所述光阻层蚀刻，而使得所述金属滚筒的所述外表面形成多个压印微结构，且使得所述光阻层的多个所述遮蔽图形的所述顶端部分被部分地移除；其中，任一个所述遮蔽图形的蚀刻深度小于任一个所述遮蔽图形的高度；以及

一光阻移除步骤：将所述金属滚筒的所述外表面上残留的所述光阻层移除，而使得所述金属滚筒形成一转印滚轮。

2.如权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，所述蚀刻步骤中，所述金属滚筒的蚀刻深度大于任一个所述遮蔽图形的所述蚀刻深度。

3.如权利要求2所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，所述蚀刻步骤中，所述金属滚筒的所述蚀刻深度为任一个所述遮蔽图形的所述蚀刻深度的2倍以上；任一个所述遮蔽图形的所述蚀刻深度介于任一个所述遮蔽图形的所述高度的1/3至3/4之间。

4.如权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，所述曝光步骤中，所述光阻层的任一个所述曝光区域的曝光深度等于所述光阻层的厚度；所述图案化步骤中，使用对应于所述光阻层的显影液溶解所述光阻层的多个所述曝光区域的材料，而形成多个所述镂空部分。

5.如权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，在所述曝光步骤中，任一个所述曝光区域的曝光深度小于所述光阻层的厚度；在所述图案化步骤中，进一步限定一显影子步骤和一光阻蚀刻子步骤；其中在所述显影子步骤中，使用对应于所述光阻层的显影液溶解所述光阻层的多个所述曝光区域的材料，而使得所述光阻层形成对应多个所述曝光区域的多个凹陷部分和对应多个所述未曝光区域的多个凸出部分；其中，在所述光阻蚀刻子步骤中，通过非等向蚀刻手段蚀刻所述光阻层，所述光阻层被蚀刻的深度大于任一个所述凹陷部分的厚度且小于任一个所述凸出部分的厚度，而使得多个所述凹陷部分被完全移除而形成多个所述镂空部分，且多个所述凸出部分的所述光阻层未被完全移除，从而形成多个所述遮蔽图形。

6.如权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，任一个所述压印微结构的深度介于0.2微米至0.6微米之间，任一个所述压印微结构的宽度介于0.3微米至0.8微米之间；相邻的任两个所述压印微结构的间距介于0.6微米至1.6微米之间。

7.如权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其特征在于，所述蚀刻步骤采用高密度电浆源并以反应式离子蚀刻手段进行。

8.一种转印膜片制造方法，其特征在于，所述转印膜片制造方法包括：

一压印滚轮制造步骤，所述压印滚轮制造步骤包括：

一前置步骤：提供一金属滚筒，所述金属滚筒具有一圆柱状的外表面；

一涂布步骤：于所述金属滚筒的所述外表面涂布围绕360度的一光阻层；

一曝光步骤：将一图案化光源照射于所述光阻层的外表面，而使得所述光阻层形成多个曝光区域和多个未曝光区域；

一图案化步骤：移除所述光阻层上多个所述曝光区域的材料，使得所述光阻层形成对应多个所述曝光区域的多个镂空部分，以及对应多个所述未曝光区域的多个遮蔽图形；其中，将任一个所述遮蔽图形远离所述金属滚筒的所述外表面的一端定义为顶端部分；

一蚀刻步骤：通过非等向蚀刻手段并以多个所述遮蔽图形为屏蔽对所述金属滚筒的所述外表面和所述光阻层蚀刻，而使得所述金属滚筒的所述外表面形成多个压印微结构，且使得所述光阻层的多个所述遮蔽图形的所述顶端部分被部分地移除；其中，任一个所述遮蔽图形的蚀刻深度小于任一个所述遮蔽图形的高度；及

一光阻移除步骤：将所述金属滚筒的所述外表面上残留的所述光阻层移除，而使得所述金属滚筒形成一转印滚轮；以及

一膜片制造步骤，所述膜片制造步骤包括：

一基材准备步骤：提供片状的一膜片基材及位于所述膜片基材上的一底漆层；

一滚轮压印步骤：通过所述转印滚轮滚压于所述底漆层上，以使得所述底漆层形成有与多个所述压印微结构形状互补的多个转印微结构；及

一固化步骤：通过一固化手段使得所述底漆层固化，进而使得所述底漆层和所述膜片基材构成一转印膜片。

9.如权利要求8所述的转印膜片制造方法，其特征在于，所述底漆层使用紫外光固化树脂材料制成；在所述固化步骤中，所述固化手段为通过一紫外线光源照射于所述底漆层，而使得所述底漆层固化。

10.如权利要求8所述的转印膜片制造方法，其特征在于，所述底漆层使用热固化树脂材料制成；在所述固化步骤中，所述固化手段为通过加热所述底漆层，而使得所述底漆层固化。

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