JP2007095859A - リソグラフィ方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フォトマスク13に描かれた回路パターン15を転写するリソグラフィ方法において、フォトマスク13における回路パターン15が予め形成されたパターニング面に、電子線レジスト膜を表面に形成させた基板21を近接配置し、電子線レジスト膜に感光しない波長の光をフォトマスク13へ照射し、照射された光に基づきパターニング面に形成された回路パターン15に応じた局所領域に近接場光を発生させ、その発生させた近接場光により当該パターニング面に近接されたレジスト膜22を感光させる。
【選択図】図1
Description
11 光源
12 照明光学系
13 フォトマスク
15 回路パターン
17 基板配置部
21 基板
22 レジスト膜
Claims (2)
- フォトマスクに描かれた微細パターンを転写するリソグラフィ方法において、
上記フォトマスクにおける上記微細パターンが予め形成されたパターニング面に、電子線レジスト膜を表面に形成させた基板を近接配置し、
上記電子線レジスト膜に感光しない波長の光を上記フォトマスクへ照射し、
上記照射された光に基づき上記パターニング面に形成された微細パターンに応じた局所領域に近接場光を発生させ、
その発生させた近接場光により当該パターニング面に近接された上記レジスト膜を感光させること
を特徴とするリソグラフィ方法。 - 上記電子線レジストの代替として、X線レジスト、真空紫外線用レジストを用いること
を特徴とする請求項1記載のリソグラフィ方法。
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