JP2001066783A - 微細パターン形成用材料及びそれを用いた微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成用材料及びそれを用いた微細パターン形成方法Info
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- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 広い面積にわたり迅速に微細なレジストパタ
ーンを形成させることができ、しかも繰り返し使用可能
な微細パターン形成用材料及びこれを用いた微細パター
ン形成方法を提供する。 【解決手段】 感光層に、上下層を誘電性物質、中間層
を非線形光学物質とする３層からなる近接場光発生用複
合膜を積層した微細パターン形成用材料であり、感光層
の上に上下層を誘電性物質、中間層を非線形光学物質と
する３層からなる近接場光発生用複合膜を積層し、その
複合膜を通して活性光により画像形成露光を行って微細
パターンを形成する方法である。
ーンを形成させることができ、しかも繰り返し使用可能
な微細パターン形成用材料及びこれを用いた微細パター
ン形成方法を提供する。 【解決手段】 感光層に、上下層を誘電性物質、中間層
を非線形光学物質とする３層からなる近接場光発生用複
合膜を積層した微細パターン形成用材料であり、感光層
の上に上下層を誘電性物質、中間層を非線形光学物質と
する３層からなる近接場光発生用複合膜を積層し、その
複合膜を通して活性光により画像形成露光を行って微細
パターンを形成する方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、近接場光を利用し
て、光リソグラフィー法により、微細パターンを形成す
るための材料及びそれを用いた微細パターン形成方法に
関するものである。
て、光リソグラフィー法により、微細パターンを形成す
るための材料及びそれを用いた微細パターン形成方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路や光ディスク原盤のよう
な電子、電気部品の製造に際し、光リソグラフィー法を
用いて微細パターンを形成させることは、広く行われて
いる。ところで、これらの電子、電気部品の分野におい
ては、記録の蓄積量、情報の処理量の急激な増加に対応
するために、より微細なパターン形成の技術が求められ
ている。
な電子、電気部品の製造に際し、光リソグラフィー法を
用いて微細パターンを形成させることは、広く行われて
いる。ところで、これらの電子、電気部品の分野におい
ては、記録の蓄積量、情報の処理量の急激な増加に対応
するために、より微細なパターン形成の技術が求められ
ている。
【０００３】ところで、現在、電子、電気部品製造用の
レジストパターンは、所定のマスクパターンを通して感
光性レジスト膜に活性線を照射して画像を形成したの
ち、現像することによって作製されているが、形成され
るレジストパターンの最小寸法は、光の回折により制限
されるため、実用上は使用波長を若干下回る程度の寸法
が限度となっている。ところで、この回折限界は、使用
する光の波長とレンズの開口数に依存し、波長の短かい
光を用いるほど、またレンズの開口度を大きくするほど
限界値を小さくすることができるが、レンズの開口度を
増大させることは、技術上ほぼ限界に達しているため、
現在はもっぱら波長の短かい光を使用することにより、
レジストパターンの微細化をはかる方向に進んでいる。
レジストパターンは、所定のマスクパターンを通して感
光性レジスト膜に活性線を照射して画像を形成したの
ち、現像することによって作製されているが、形成され
るレジストパターンの最小寸法は、光の回折により制限
されるため、実用上は使用波長を若干下回る程度の寸法
が限度となっている。ところで、この回折限界は、使用
する光の波長とレンズの開口数に依存し、波長の短かい
光を用いるほど、またレンズの開口度を大きくするほど
限界値を小さくすることができるが、レンズの開口度を
増大させることは、技術上ほぼ限界に達しているため、
現在はもっぱら波長の短かい光を使用することにより、
レジストパターンの微細化をはかる方向に進んでいる。
【０００４】このため、深紫外光、電子線、レーザ光、
軟Ｘ線などを用いた新らしい露光技術に対する研究が行
われているが、高性能光源の開発、光学材料やレジスト
材料における特性の改善など付随する周辺技術について
の解決しなければならない問題が多く、２０ｎｍ以下の
ラインアンドスペースをもつ微細レジストパターンを得
ることは困難である。
軟Ｘ線などを用いた新らしい露光技術に対する研究が行
われているが、高性能光源の開発、光学材料やレジスト
材料における特性の改善など付随する周辺技術について
の解決しなければならない問題が多く、２０ｎｍ以下の
ラインアンドスペースをもつ微細レジストパターンを得
ることは困難である。
【０００５】他方、回折限界の制限を受けない近接場光
を利用した光リソグラフィー技術を用いて微細レジスト
パターンを形成することも研究されており、例えば光フ
ァイバの先端を鋭くし、その先端に数１０ｎｍの微小開
口をもつ近接場プローブを設け、これを試料表面に接近
させ、光ファイバを通して微小開口部分に滲み出した近
接場光でホトレジスト上にパターンを描く方法が提案さ
れている（特開平７−１０６２２９号公報、特開平８−
２４８６４１号公報、特開平１０−３２６７４２号公
報）。
を利用した光リソグラフィー技術を用いて微細レジスト
パターンを形成することも研究されており、例えば光フ
ァイバの先端を鋭くし、その先端に数１０ｎｍの微小開
口をもつ近接場プローブを設け、これを試料表面に接近
させ、光ファイバを通して微小開口部分に滲み出した近
接場光でホトレジスト上にパターンを描く方法が提案さ
れている（特開平７−１０６２２９号公報、特開平８−
２４８６４１号公報、特開平１０−３２６７４２号公
報）。
【０００６】しかしながら、これらの方法では、近接場
プローブをレジスト表面から数１０ｎｍの距離に制御し
ながら、必要な面積にわたって走査しなければならない
ため、走査時間が長くなるし、この走査には数ｎｍの分
解能をもつピエゾ素子を多数配列したステージを用いて
行われ、１回に描画可能な範囲が数μｍないし数１０μ
ｍと狭いため、広範囲の書き込みは実用上困難である上
に、微小開口での光の利用効率が低いため、特に感度の
大きい感光材料を用いなければならないという欠点があ
る。
プローブをレジスト表面から数１０ｎｍの距離に制御し
ながら、必要な面積にわたって走査しなければならない
ため、走査時間が長くなるし、この走査には数ｎｍの分
解能をもつピエゾ素子を多数配列したステージを用いて
行われ、１回に描画可能な範囲が数μｍないし数１０μ
ｍと狭いため、広範囲の書き込みは実用上困難である上
に、微小開口での光の利用効率が低いため、特に感度の
大きい感光材料を用いなければならないという欠点があ
る。
【０００７】また、微細なパターンをもつマスクを直接
に、あるいはギャップ層を介して感光材料表面に積層
し、近接場光で露光することも提案されている（特開平
８−１７９４９３号公報）。しかしながら、この方法で
広範囲に露光するには、大型のマスクパターンを用いる
必要があるが、電子ビーム描画等により、広い面積にわ
たって微細なマスクパターンを作図することは、非常に
困難であるため、実用性は低い。
に、あるいはギャップ層を介して感光材料表面に積層
し、近接場光で露光することも提案されている（特開平
８−１７９４９３号公報）。しかしながら、この方法で
広範囲に露光するには、大型のマスクパターンを用いる
必要があるが、電子ビーム描画等により、広い面積にわ
たって微細なマスクパターンを作図することは、非常に
困難であるため、実用性は低い。
【０００８】そのほか、入射光の強度に応じて光透過率
が増大する薄膜、すなわち非線形光学物質膜をレジスト
上に密着させ、その薄膜に光スポットを照射して薄膜の
光透過率を局所的に増大させ、光スポットとホトレジス
トとを相対的に走査することにより薄膜に所望のパター
ンを形成し、これを通してホトレジストを露光する方法
も知られている（特開平９−７９３５号公報）。そし
て、この方法によれば、レーザ光で直接回折限界以下の
パターンを描くことが可能であり、かつ広範囲にわた
り、近接場光により高速で描画することができる。
が増大する薄膜、すなわち非線形光学物質膜をレジスト
上に密着させ、その薄膜に光スポットを照射して薄膜の
光透過率を局所的に増大させ、光スポットとホトレジス
トとを相対的に走査することにより薄膜に所望のパター
ンを形成し、これを通してホトレジストを露光する方法
も知られている（特開平９−７９３５号公報）。そし
て、この方法によれば、レーザ光で直接回折限界以下の
パターンを描くことが可能であり、かつ広範囲にわた
り、近接場光により高速で描画することができる。
【０００９】しかしながら、この方法においては、非線
形光学物質膜が直接ホトレジスト上に存在するため、近
接場光による分解能を左右するパラメータとなる開口と
ホトレジスト面からの距離の制御が不可能であるため、
近接場光による最適な露光条件を選ぶことができない上
に、非線形光学物質膜の変化が不可逆なため、単一マス
クパターンを用いて多重露光や繰り返し使用を行うこと
ができないという欠点がある。
形光学物質膜が直接ホトレジスト上に存在するため、近
接場光による分解能を左右するパラメータとなる開口と
ホトレジスト面からの距離の制御が不可能であるため、
近接場光による最適な露光条件を選ぶことができない上
に、非線形光学物質膜の変化が不可逆なため、単一マス
クパターンを用いて多重露光や繰り返し使用を行うこと
ができないという欠点がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の近接
場光を利用した光リソグラフィー法による微細パターン
形成方法における各種欠点を克服し、広い面積にわたり
迅速に微細なレジストパターンを形成させることがで
き、しかも繰り返し使用可能な微細パターン形成用材料
及びこれを用いた微細パターン形成方法を提供すること
を目的としてなされたものである。
場光を利用した光リソグラフィー法による微細パターン
形成方法における各種欠点を克服し、広い面積にわたり
迅速に微細なレジストパターンを形成させることがで
き、しかも繰り返し使用可能な微細パターン形成用材料
及びこれを用いた微細パターン形成方法を提供すること
を目的としてなされたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、近接場光
を利用して光リソグラフィー法により微細パターンを形
成する方法について鋭意研究を重ねた結果、近接場プロ
ーブの代りに、特定構造の複合膜を、感光層に積層して
近接場光を発生させることにより、露光に最適な条件の
調整を容易に行うことができ、かつ広い面積にわたって
迅速に微細なレジストパターンを形成しうること及びこ
の複合膜は、可逆性を有するため繰り返し使用しうるこ
とを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至っ
た。
を利用して光リソグラフィー法により微細パターンを形
成する方法について鋭意研究を重ねた結果、近接場プロ
ーブの代りに、特定構造の複合膜を、感光層に積層して
近接場光を発生させることにより、露光に最適な条件の
調整を容易に行うことができ、かつ広い面積にわたって
迅速に微細なレジストパターンを形成しうること及びこ
の複合膜は、可逆性を有するため繰り返し使用しうるこ
とを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至っ
た。
【００１２】すなわち、本発明は、感光層に、上下層を
誘電性物質、中間層を非線形光学物質とする３層からな
る近接場光発生用複合膜を積層したことを特徴とする微
細パターン形成用材料、及び感光層の上に上下層を誘電
性物質、中間層を非線形光学物質とする３層からなる近
接場光発生用複合膜を積層し、その複合膜を通して活性
光により画像形成露光を行うことを特徴とする微細パタ
ーン形成方法を提供するものである。
誘電性物質、中間層を非線形光学物質とする３層からな
る近接場光発生用複合膜を積層したことを特徴とする微
細パターン形成用材料、及び感光層の上に上下層を誘電
性物質、中間層を非線形光学物質とする３層からなる近
接場光発生用複合膜を積層し、その複合膜を通して活性
光により画像形成露光を行うことを特徴とする微細パタ
ーン形成方法を提供するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に添付図面に従って本発明につ
いて詳細に説明する。図１（Ａ）は、本発明の微細パタ
ーン形成用材料の構造を示す断面図であり、図１（Ｂ）
はそれに活性光を照射したときの近接場光発生用複合膜
の作用を示す拡大断面図である。これらの図から明らか
なように、本発明の微細パターン形成用材料は、基板５
上に設けられた感光層４と、その上に積層されている誘
電性物質を上下層１及び３とし、非線形光学物質を中間
層２とする近接場光発生用複合膜ａとで構成されてい
る。
いて詳細に説明する。図１（Ａ）は、本発明の微細パタ
ーン形成用材料の構造を示す断面図であり、図１（Ｂ）
はそれに活性光を照射したときの近接場光発生用複合膜
の作用を示す拡大断面図である。これらの図から明らか
なように、本発明の微細パターン形成用材料は、基板５
上に設けられた感光層４と、その上に積層されている誘
電性物質を上下層１及び３とし、非線形光学物質を中間
層２とする近接場光発生用複合膜ａとで構成されてい
る。
【００１４】このような構造をもつ微細パターン形成用
材料に、図１（Ｂ）に示すように集光レンズ６を通して
活性光７を照射すると、活性光の強度分布はガウス分布
であることから、強度分布の中心部分から複合膜ａの温
度が上昇し、しきい値を超える温度の部分の複素屈折率
が変化し、非線形光学物質層２に光学的な窓が開くか、
あるいは微小な散乱点８が形成されて誘電性物質下層３
に光が滲み出し、その部分に微小な近接場光スポット９
を発生する。この微小な近接場光スポットは、誘電性物
質下層３を介して感光層４に作用し、露光効果を生じさ
せる。この際の近接場光スポット９の径は、入射活性光
の強度、誘電性物質層１，３の厚さによって制御される
ので、レンズの回折限界による制限なしに微細パターン
を形成することができる。そして、この際の非線形光学
物質層２の熱による変化は可逆的であるため、多重露光
や繰り返し利用が可能である。本発明の微細パターン形
成用材料においては、上記のように基板５上に感光層４
を設け、その上に近接場光発生用複合膜を積層してもよ
いし、また透明性基板５上に先ず近接場光発生用複合膜
を設け、その上に感光層４を設けてもよい。
材料に、図１（Ｂ）に示すように集光レンズ６を通して
活性光７を照射すると、活性光の強度分布はガウス分布
であることから、強度分布の中心部分から複合膜ａの温
度が上昇し、しきい値を超える温度の部分の複素屈折率
が変化し、非線形光学物質層２に光学的な窓が開くか、
あるいは微小な散乱点８が形成されて誘電性物質下層３
に光が滲み出し、その部分に微小な近接場光スポット９
を発生する。この微小な近接場光スポットは、誘電性物
質下層３を介して感光層４に作用し、露光効果を生じさ
せる。この際の近接場光スポット９の径は、入射活性光
の強度、誘電性物質層１，３の厚さによって制御される
ので、レンズの回折限界による制限なしに微細パターン
を形成することができる。そして、この際の非線形光学
物質層２の熱による変化は可逆的であるため、多重露光
や繰り返し利用が可能である。本発明の微細パターン形
成用材料においては、上記のように基板５上に感光層４
を設け、その上に近接場光発生用複合膜を積層してもよ
いし、また透明性基板５上に先ず近接場光発生用複合膜
を設け、その上に感光層４を設けてもよい。
【００１５】本発明の微細パターン形成用材料における
基板５は、一般にリソグラフィー法により電子、電気部
品を製造する際に、基板として通常用いられているもの
の中から任意に選んで用いることができる。このような
ものとしては、例えば、ケイ素、タンタル、アルミニウ
ム、ガリウム−ヒ素、ガラス板のような無機質基板やポ
リプロピレン、アクリル樹脂、ポリカーボネート、スチ
レン系樹脂、塩化ビニル系樹脂などのプラスチック基板
などがある。そのほかアルミニウム、タンタル、酸化ケ
イ素などの無機質基板やガラス板上にアルミニウムやタ
ンタルを蒸着したものや光硬化性樹脂層で被覆したもの
も用いることができる。
基板５は、一般にリソグラフィー法により電子、電気部
品を製造する際に、基板として通常用いられているもの
の中から任意に選んで用いることができる。このような
ものとしては、例えば、ケイ素、タンタル、アルミニウ
ム、ガリウム−ヒ素、ガラス板のような無機質基板やポ
リプロピレン、アクリル樹脂、ポリカーボネート、スチ
レン系樹脂、塩化ビニル系樹脂などのプラスチック基板
などがある。そのほかアルミニウム、タンタル、酸化ケ
イ素などの無機質基板やガラス板上にアルミニウムやタ
ンタルを蒸着したものや光硬化性樹脂層で被覆したもの
も用いることができる。
【００１６】次に、感光層４としては、これまでリソグ
ラフィー法により電子、電気部品を製造する際に用いら
れていたポジ型及びネガ型のホトレジストを用いること
ができるが、特に最近、微細パターン形成用として開発
された化学増幅型ホトレジストを用いるのが好ましい。
この化学増幅型ホトレジストは、一般に酸の作用により
アルカリ可溶性になる樹脂成分と、放射線の照射により
酸を発生する酸発生成分とからなるホトレジストであ
り、これまで感度、解像性、焦点深度幅特性及び引き置
き経時安定性を向上させ、かつ断面形状の良好なパター
ンを与えるように種々の組成物が提案されているが（例
えば特開平５−３４６６６８号公報、特開平７−１８１
６７７号公報、特開平１０−９７０７４号公報、特開平
１０−１７１１０９号公報、特開平１０−２０７０６９
号公報、特開平１１−１５１６２号公報、特開平１１−
１５１５８号公報参照）、本発明においては、これらの
いずれを用いてもよい。
ラフィー法により電子、電気部品を製造する際に用いら
れていたポジ型及びネガ型のホトレジストを用いること
ができるが、特に最近、微細パターン形成用として開発
された化学増幅型ホトレジストを用いるのが好ましい。
この化学増幅型ホトレジストは、一般に酸の作用により
アルカリ可溶性になる樹脂成分と、放射線の照射により
酸を発生する酸発生成分とからなるホトレジストであ
り、これまで感度、解像性、焦点深度幅特性及び引き置
き経時安定性を向上させ、かつ断面形状の良好なパター
ンを与えるように種々の組成物が提案されているが（例
えば特開平５−３４６６６８号公報、特開平７−１８１
６７７号公報、特開平１０−９７０７４号公報、特開平
１０−１７１１０９号公報、特開平１０−２０７０６９
号公報、特開平１１−１５１６２号公報、特開平１１−
１５１５８号公報参照）、本発明においては、これらの
いずれを用いてもよい。
【００１７】そのほか、アルカリ可溶性ノボラック型樹
脂とキノンジアジド基含有化合物とを主成分とする非化
学増幅型ホトレジスト（例えば米国特許第４３７７６３
１号明細書、特開昭６２−３５４４９号公報、特開平１
−１４２５４８号公報、特開平１−１７９１４７号公報
参照）、含窒素複素環ポリマーとキノンジアジド基含有
化合物とを主成分とする非化学増幅型ホトレジスト（例
えば特公平１−４６８６２号公報、特開平４−４６３４
５号公報参照）なども用いることができる。
脂とキノンジアジド基含有化合物とを主成分とする非化
学増幅型ホトレジスト（例えば米国特許第４３７７６３
１号明細書、特開昭６２−３５４４９号公報、特開平１
−１４２５４８号公報、特開平１−１７９１４７号公報
参照）、含窒素複素環ポリマーとキノンジアジド基含有
化合物とを主成分とする非化学増幅型ホトレジスト（例
えば特公平１−４６８６２号公報、特開平４−４６３４
５号公報参照）なども用いることができる。
【００１８】次に、本発明において近接場光発生用複合
膜の上下層を構成するのに用いられる誘電性物質は、活
性光照射に際し、光を吸収して複素屈折率を変化する物
質を意味し、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、チタ
ン酸バリウム、チタン酸バリウムとチタン酸鉛、チタン
酸ストロンチウム、ジルコン酸バリウム又はスズ酸バリ
ウムとの固溶体のようなセラミックスや、ロッシェル
塩、リン酸二水素カリウム、チオ尿素、硝酸ナトリウム
のような化合物などがある。
膜の上下層を構成するのに用いられる誘電性物質は、活
性光照射に際し、光を吸収して複素屈折率を変化する物
質を意味し、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、チタ
ン酸バリウム、チタン酸バリウムとチタン酸鉛、チタン
酸ストロンチウム、ジルコン酸バリウム又はスズ酸バリ
ウムとの固溶体のようなセラミックスや、ロッシェル
塩、リン酸二水素カリウム、チオ尿素、硝酸ナトリウム
のような化合物などがある。
【００１９】また、中間層を構成するのに用いられる非
線形性光学物質は、活性光を照射すると、その光の強度
の２乗又は３乗に比例して分極を生じ、物質の屈折率変
化、高調波発生、ポッチルス効果、カー効果などの現象
を示すもので、例えばアンチモンのような金属、Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｖ合金のような合金、ニオブ酸リチ
ウム、メチルニトロアニリンのような化合物がある。
線形性光学物質は、活性光を照射すると、その光の強度
の２乗又は３乗に比例して分極を生じ、物質の屈折率変
化、高調波発生、ポッチルス効果、カー効果などの現象
を示すもので、例えばアンチモンのような金属、Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｖ合金のような合金、ニオブ酸リチ
ウム、メチルニトロアニリンのような化合物がある。
【００２０】この近接場光発生用複合膜の各層厚として
は、通常、誘電性物質の下層すなわち感光層と非線形光
学物質層との間の誘電性物質の層については１５０ｎｍ
未満、好ましくは１０〜１００ｎｍの範囲、中間層すな
わち非線形光学物質層については５ｎｍを超え２００ｎ
ｍ未満、好ましくは１０〜３０ｎｍの範囲、上層につい
ては１００〜２５０ｎｍの範囲内で選ばれる。下層の厚
さがあまり厚くなると画像形成の際に感光層に至る活性
光の強度が指数関数的に減退し、発生する近接場光の強
度が低下して感度不足をもたらし、露光が不完全にな
る。また上層すなわち活性光の入射側の層は、単に保護
膜的な役割を果すものなので、透明性がそこなわれない
程度の厚さであれば特に問題はない。一方、中間層の厚
さが２００ｎｍ以上になると感光性樹脂の溶解性変化を
生じる反応又は相変化が十分に進行せず、感光層の露光
ができないし、また５ｎｍ未満では近接場光の発生に必
要な開口が十分に形成されず、安定な近接場を発生させ
ることができない。
は、通常、誘電性物質の下層すなわち感光層と非線形光
学物質層との間の誘電性物質の層については１５０ｎｍ
未満、好ましくは１０〜１００ｎｍの範囲、中間層すな
わち非線形光学物質層については５ｎｍを超え２００ｎ
ｍ未満、好ましくは１０〜３０ｎｍの範囲、上層につい
ては１００〜２５０ｎｍの範囲内で選ばれる。下層の厚
さがあまり厚くなると画像形成の際に感光層に至る活性
光の強度が指数関数的に減退し、発生する近接場光の強
度が低下して感度不足をもたらし、露光が不完全にな
る。また上層すなわち活性光の入射側の層は、単に保護
膜的な役割を果すものなので、透明性がそこなわれない
程度の厚さであれば特に問題はない。一方、中間層の厚
さが２００ｎｍ以上になると感光性樹脂の溶解性変化を
生じる反応又は相変化が十分に進行せず、感光層の露光
ができないし、また５ｎｍ未満では近接場光の発生に必
要な開口が十分に形成されず、安定な近接場を発生させ
ることができない。
【００２１】この近接場光発生用複合膜は、感光層上に
直接形成させてもよいし、適当な基板上に別途形成させ
たものを感光層に密着させてもよい。この複合膜の形成
は、公知の方法、例えば真空蒸着やスパッタリングなど
の物理的蒸着法、あるいは化学的蒸着法により、感光層
上あるいは基板上に形成することができる。合金の場合
は、合金そのものをターゲットとして蒸着してもよい
し、合金の各成分をターゲットとして蒸着し、基板上で
合金化してもよい。また、本発明の微細パターン形成用
材料には、近接場光発生用複合膜の上にさらに適当な保
護層、例えば透明プラスチック層や透明ガラス層を設け
ることもできる。
直接形成させてもよいし、適当な基板上に別途形成させ
たものを感光層に密着させてもよい。この複合膜の形成
は、公知の方法、例えば真空蒸着やスパッタリングなど
の物理的蒸着法、あるいは化学的蒸着法により、感光層
上あるいは基板上に形成することができる。合金の場合
は、合金そのものをターゲットとして蒸着してもよい
し、合金の各成分をターゲットとして蒸着し、基板上で
合金化してもよい。また、本発明の微細パターン形成用
材料には、近接場光発生用複合膜の上にさらに適当な保
護層、例えば透明プラスチック層や透明ガラス層を設け
ることもできる。
【００２２】次に、本発明の微細パターン形成方法を添
付図面に従って説明する。図２は、前記した微細パター
ン形成用材料を用いて微細パターンを形成させる方法の
１例を示す説明図であって、所定の材料ｂを回転ステー
ジ１０の上に配置し、光源１１から第一集光レンズ６−
１を通して送られる活性光を半透鏡１３により２方向に
分光し、一方は第二集光レンズ６−２を介して第一検出
器１２−１に送り、もう一方は、第三集光レンズ６−３
を通って図１（Ａ）の構造を有する材料ｂに照射され
る。この活性光は材料ｂに作用させたのち、第四集光レ
ンズ６−４及び第五集光レンズ６−５を通って第二検出
器１２−２に達する。パターンの描画は、回転ステージ
１０を高速回転させながら活性光スポットを中心から外
方へ一次元的に移動させることにより行うことができ
る。このパターンの描画は、また活性光を高速で縦方向
及び横方向に二次元的に走査して行うこともできる。こ
の際の走査スピードは、従来の近接場プローブを用いる
方法やピエゾ素子を用いたステージ走査を行う方法に比
べ、１０００倍以上も速くすることができる。
付図面に従って説明する。図２は、前記した微細パター
ン形成用材料を用いて微細パターンを形成させる方法の
１例を示す説明図であって、所定の材料ｂを回転ステー
ジ１０の上に配置し、光源１１から第一集光レンズ６−
１を通して送られる活性光を半透鏡１３により２方向に
分光し、一方は第二集光レンズ６−２を介して第一検出
器１２−１に送り、もう一方は、第三集光レンズ６−３
を通って図１（Ａ）の構造を有する材料ｂに照射され
る。この活性光は材料ｂに作用させたのち、第四集光レ
ンズ６−４及び第五集光レンズ６−５を通って第二検出
器１２−２に達する。パターンの描画は、回転ステージ
１０を高速回転させながら活性光スポットを中心から外
方へ一次元的に移動させることにより行うことができ
る。このパターンの描画は、また活性光を高速で縦方向
及び横方向に二次元的に走査して行うこともできる。こ
の際の走査スピードは、従来の近接場プローブを用いる
方法やピエゾ素子を用いたステージ走査を行う方法に比
べ、１０００倍以上も速くすることができる。
【００２３】本発明方法においては、近接場光発生用複
合膜中に最適な近接場光スポット９が形成しうるよう
に、入射活性光強度と反射光強度や透過光強度を、第一
検出器１２−１及び第二検出器１２−２で測定しながら
フォーカス制御することが必要である。本発明方法にお
ける光源としては、微細パターン形成の際に使用されて
いる各種活性光の中から必要に応じ適宜選んで用いるこ
とができる。このような活性光としては、可視光、深紫
外光、電子線、ｉ線、ｇ線、ＫｒＦエキシマレーザー、
ＡｒＦエキシマレーザーなどがある。また、本発明方法
においては、近接場光発生用複合膜側から短波長の活性
光を照射すると同時に、その反対側から長波長の活性光
を照射することもできる。このようにすると、長波長の
活性光により非線形光学物質層が熱せられ、この熱が感
光層に伝播し、短波長の活性光との相乗効果により感光
性樹脂の化学変化が促進される。本発明においては、１
種の活性光を用いて非線形光学物質層の開口又は微小散
乱点の形成と、近接場光の発生を同時に行わせてもよい
し、また第一の活性光で非線形光学物質層の開口又は微
小散乱点の形成を行い、第二の活性光で近接場光の発生
を行わせてもよい。
合膜中に最適な近接場光スポット９が形成しうるよう
に、入射活性光強度と反射光強度や透過光強度を、第一
検出器１２−１及び第二検出器１２−２で測定しながら
フォーカス制御することが必要である。本発明方法にお
ける光源としては、微細パターン形成の際に使用されて
いる各種活性光の中から必要に応じ適宜選んで用いるこ
とができる。このような活性光としては、可視光、深紫
外光、電子線、ｉ線、ｇ線、ＫｒＦエキシマレーザー、
ＡｒＦエキシマレーザーなどがある。また、本発明方法
においては、近接場光発生用複合膜側から短波長の活性
光を照射すると同時に、その反対側から長波長の活性光
を照射することもできる。このようにすると、長波長の
活性光により非線形光学物質層が熱せられ、この熱が感
光層に伝播し、短波長の活性光との相乗効果により感光
性樹脂の化学変化が促進される。本発明においては、１
種の活性光を用いて非線形光学物質層の開口又は微小散
乱点の形成と、近接場光の発生を同時に行わせてもよい
し、また第一の活性光で非線形光学物質層の開口又は微
小散乱点の形成を行い、第二の活性光で近接場光の発生
を行わせてもよい。
【００２４】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。
明する。
【００２５】実施例１ 市販のガラス板上に、ｒｆマグネトロンスパッタリング
法によりＳｉＮ層（１７０ｎｍ）、Ｓｂ層（１５ｎｍ）
及びＳｉＮ（２０ｎｍ）をその順序で蒸着して、近接場
光発生用複合膜を製造した。次にその表面にホトレジス
ト［東京応化工業（株）製、商品名ＯＦＰＲ−８００］
を１２０ｎｍの厚さにスピンコートしたのち、厚さ１０
０μｍのケイ素板を重ね、１１０℃で１分間プリベーク
して基板とホトレジスト層と近接場光発生用複合膜とを
強固に接着させることにより、表面がガラス板で保護さ
れた微細パターン形成用材料を製造した。このようにし
て得た材料を図２に示す装置（パルステック社製、商品
名ＤＤＵ−１０００）に載置し、半導体レーザーを照射
した。この際のλに基づいて求められたＳｂ層上のレー
ザービーム（λ＝４００ｎｍ）のスポット寸法は、約
０．６μｍであった。回転ステージを６ｍ／ｓのＣＬＶ
で回転し、半導体レーザーの強度を測定したところ３ｍ
Ｗであった。約１０秒間露光させたのち、常法に従って
現像した。このようにして、波長４００ｎｍの活性光を
用いて線幅２００ｎｍすなわち波長の１／２のパターン
を形成することができた。なお、この例において、Ｓｂ
層とホトレジスト層との間のＳｉＮ層の厚さを２０ｎｍ
から１５０ｎｍに変えた材料を製造し、同様にしてパタ
ーン形成を行ったところパターンは形成されなかった。
法によりＳｉＮ層（１７０ｎｍ）、Ｓｂ層（１５ｎｍ）
及びＳｉＮ（２０ｎｍ）をその順序で蒸着して、近接場
光発生用複合膜を製造した。次にその表面にホトレジス
ト［東京応化工業（株）製、商品名ＯＦＰＲ−８００］
を１２０ｎｍの厚さにスピンコートしたのち、厚さ１０
０μｍのケイ素板を重ね、１１０℃で１分間プリベーク
して基板とホトレジスト層と近接場光発生用複合膜とを
強固に接着させることにより、表面がガラス板で保護さ
れた微細パターン形成用材料を製造した。このようにし
て得た材料を図２に示す装置（パルステック社製、商品
名ＤＤＵ−１０００）に載置し、半導体レーザーを照射
した。この際のλに基づいて求められたＳｂ層上のレー
ザービーム（λ＝４００ｎｍ）のスポット寸法は、約
０．６μｍであった。回転ステージを６ｍ／ｓのＣＬＶ
で回転し、半導体レーザーの強度を測定したところ３ｍ
Ｗであった。約１０秒間露光させたのち、常法に従って
現像した。このようにして、波長４００ｎｍの活性光を
用いて線幅２００ｎｍすなわち波長の１／２のパターン
を形成することができた。なお、この例において、Ｓｂ
層とホトレジスト層との間のＳｉＮ層の厚さを２０ｎｍ
から１５０ｎｍに変えた材料を製造し、同様にしてパタ
ーン形成を行ったところパターンは形成されなかった。
【００２６】実施例２ 市販のガラス板上に、実施例１と同様にしてＳｉＮ（１
７０ｎｍ）／Ｓｂ（１５ｎｍ）／ＳｉＮ（２０ｎｍ）の
３層からなる近接場光発生用複合膜を形成させた。次に
実施例１と同じホトレジストをこの上にスピンコーティ
ングして、厚さ１２０ｎｍの感光性樹脂層を形成させた
のち、１１０℃のホットプレート上で１分間プリベーク
し、ガラス板上に感光性樹脂層を強固に密着させること
により、微細パターン形成用材料を得た。次に、このよ
うにして得た微細パターン形成用材料を図４に示す装置
を用いて、その感光性樹脂層側から半導体レーザー（λ
＝６３５ｎｍ）を照射し、Ｓｂ層に焦点を結ばせると同
時に、反対側から水銀灯のｉ線を照射して対物レンズに
より基板の裏側焦点を結ばせ、感光性樹脂層の露光を行
ったこの際の半導体レーザーとｉ線の強度はそれぞれ３
ｍＷ及び数μＷであった。１０秒間露光したのち、常法
に従って感光性樹脂の現像を行った。図３は、この例に
おける微細パターン形成用材料の構造及び活性光の作用
を示す断面図であり、図４はそのパターン形成に用いた
装置の側方説明図である。このようにして得た微細パタ
ーンの原子間力顕微鏡写真の平面及び断面の説明図をそ
れぞれ図５（ａ）及び（ｂ）に示す。これらの図から明
らかなように、線幅１８０ｎｍ、深さ３５ｎｍの溝が形
成されている。
７０ｎｍ）／Ｓｂ（１５ｎｍ）／ＳｉＮ（２０ｎｍ）の
３層からなる近接場光発生用複合膜を形成させた。次に
実施例１と同じホトレジストをこの上にスピンコーティ
ングして、厚さ１２０ｎｍの感光性樹脂層を形成させた
のち、１１０℃のホットプレート上で１分間プリベーク
し、ガラス板上に感光性樹脂層を強固に密着させること
により、微細パターン形成用材料を得た。次に、このよ
うにして得た微細パターン形成用材料を図４に示す装置
を用いて、その感光性樹脂層側から半導体レーザー（λ
＝６３５ｎｍ）を照射し、Ｓｂ層に焦点を結ばせると同
時に、反対側から水銀灯のｉ線を照射して対物レンズに
より基板の裏側焦点を結ばせ、感光性樹脂層の露光を行
ったこの際の半導体レーザーとｉ線の強度はそれぞれ３
ｍＷ及び数μＷであった。１０秒間露光したのち、常法
に従って感光性樹脂の現像を行った。図３は、この例に
おける微細パターン形成用材料の構造及び活性光の作用
を示す断面図であり、図４はそのパターン形成に用いた
装置の側方説明図である。このようにして得た微細パタ
ーンの原子間力顕微鏡写真の平面及び断面の説明図をそ
れぞれ図５（ａ）及び（ｂ）に示す。これらの図から明
らかなように、線幅１８０ｎｍ、深さ３５ｎｍの溝が形
成されている。
【００２７】
【発明の効果】本発明によると、近接場プローブを用い
ることなく、微細パターン形成用材料中に組み込んだ複
合膜により発生させた近接場光を利用して、従来方法で
得られるよりもさらに微細なパターンを迅速に、すなわ
ち１０４〜１０５倍の速度で得ることができる。また、
この複合膜は繰り返し使用しうるという利点がある。
ることなく、微細パターン形成用材料中に組み込んだ複
合膜により発生させた近接場光を利用して、従来方法で
得られるよりもさらに微細なパターンを迅速に、すなわ
ち１０４〜１０５倍の速度で得ることができる。また、
この複合膜は繰り返し使用しうるという利点がある。
【図１】 本発明の微細パターン形成用材料の構造及び
その作用を説明するための拡大断面図。
その作用を説明するための拡大断面図。
【図２】 本発明方法の１例についての説明図。
【図３】 実施例２で用いた微細パターン形成用材料の
構造及び活性光の作用を示す断面図。
構造及び活性光の作用を示す断面図。
【図４】 実施例２のパターン形成に用いた装置の側方
説明図。
説明図。
【図５】 実施例２で得た微細パターンの平面及び断面
の原子間力顕微鏡写真説明図。
の原子間力顕微鏡写真説明図。
１，３ 誘電性物質層 ２ 非線形光学物質層 ４ 感光層 ５ 基板 ６，６−１，６−２，６−３，６−４，６−５ 集光レ
ンズ ７ 活性光 ８ 複素屈折率変化部 ９ 近接場光スポット １０ 回転ステージ １１ 活性光光源 １２−１、１２−２ 検出器 １３ 半透鏡
ンズ ７ 活性光 ８ 複素屈折率変化部 ９ 近接場光スポット １０ 回転ステージ １１ 活性光光源 １２−１、１２−２ 検出器 １３ 半透鏡
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 597136238 富永 淳二 茨城県つくば市東１丁目１番４ 工業技術 院産業技術融合領域研究所内 (71)出願人 598036090 阿刀田 伸史 茨城県つくば市千現１丁目22番地12 (72)発明者 中野 隆志 茨城県つくば市東１丁目１番４ 工業技術 院産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 桑原 正史 茨城県つくば市東１丁目１番４ 工業技術 院産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 富永 淳二 茨城県つくば市東１丁目１番４ 工業技術 院産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 阿刀田 伸史 茨城県つくば市東１丁目１番４ 工業技術 院産業技術融合領域研究所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AB15 AB16 DA03 FA03 5E343 EE32 ER18 GG11
Claims (6)
- 【請求項１】 感光層に、上下層を誘電性物質、中間層
を非線形光学物質とする３層からなる近接場光発生用複
合膜を積層したことを特徴とする微細パターン形成用材
料。 - 【請求項２】 感光層と非線形光学物質層との間の誘電
性物質層の厚さが１５０ｎｍ未満である請求項１記載の
微細パターン形成用材料。 - 【請求項３】 非線形光学物質層の厚さが５ｎｍを超え
２００ｎｍ未満の範囲である請求項１又は２記載の微細
パターン形成用材料。 - 【請求項４】 感光層の上に上下層を誘電性物質、中間
層を非線形光学物質とする３層からなる近接場光発生用
複合膜を積層し、その複合膜を通して活性光により画像
形成露光を行うことを特徴とする微細パターン形成方
法。 - 【請求項５】 活性光を集光して非線形光学物質層に開
口又は微小散乱点を形成すると同時に、この開口又は微
小散乱点に近接場光を発生させ、この近接場光で感光層
の画像形成露光を行う請求項４記載の微細パターン形成
方法。 - 【請求項６】 第一の活性光を集光して非線形光学物質
層に開口又は微小散乱点を形成させ、かつ第二の活性光
を用いてこの開口又は微小散乱点に近接場光を発生さ
せ、この近接場光で感光層の画像形成露光を行う請求項
４記載の微細パターン形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24277899A JP3743782B2 (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 微細パターン形成用材料及びそれを用いた微細パターン形成方法 |
| US09/651,730 US6692894B1 (en) | 1999-08-30 | 2000-08-30 | Photolithographic pattern-forming material and method for formation of fine pattern therwith |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24277899A JP3743782B2 (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 微細パターン形成用材料及びそれを用いた微細パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001066783A true JP2001066783A (ja) | 2001-03-16 |
| JP3743782B2 JP3743782B2 (ja) | 2006-02-08 |
Family
ID=17094154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24277899A Expired - Lifetime JP3743782B2 (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 微細パターン形成用材料及びそれを用いた微細パターン形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6692894B1 (ja) |
| JP (1) | JP3743782B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005038340A3 (de) * | 2003-09-29 | 2005-06-23 | Kleo Halbleitertechnik Gmbh | Lithografiebelichtungseinrichtung |
| JP2007095859A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Japan Science & Technology Agency | リソグラフィ方法 |
| JP2008539570A (ja) * | 2005-04-27 | 2008-11-13 | オブデュキャット、アクチボラグ | パターンを被転写体に転写する手段 |
| KR101526363B1 (ko) * | 2014-07-29 | 2015-06-05 | 연세대학교 산학협력단 | 롤투롤 플렉서블 근접장 광 이미징 장치 |
| KR101566263B1 (ko) | 2014-02-28 | 2015-11-05 | 연세대학교 산학협력단 | 초해상막 및 이를 이용한 리소그래피 방법 |
| KR20150135012A (ko) | 2014-05-23 | 2015-12-02 | 연세대학교 산학협력단 | 플렉서블 나노박막 광구조를 이용하는 가변 대면적 나노이미징 광학헤드 및 이미징 장치 |
| US9291642B2 (en) | 2014-07-29 | 2016-03-22 | Industry-Academic Cooperation Foundation Yonsei University | Flexible near field optical imaging device including flexible optical head with thin film layer for formation of dynamic optical nano apertures |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841308B1 (en) * | 2001-11-09 | 2005-01-11 | Lsi Logic Corporation | Adjustable transmission phase shift mask |
| DE102004052146A1 (de) * | 2004-10-22 | 2006-06-22 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Verfahren und Anordnung zur Fokussierung elektromagnetischer Strahlung unterhalb der Beugungsgrenze |
| DE102006059818B4 (de) * | 2006-12-11 | 2017-09-14 | Kleo Ag | Belichtungsanlage |
| JP2008304816A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Canon Inc | 近接場露光用マスクおよび近接場露光方法 |
| DE102009032210B4 (de) | 2009-07-03 | 2011-06-09 | Kleo Ag | Bearbeitungsanlage |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07106229A (ja) | 1993-10-05 | 1995-04-21 | Hitachi Ltd | 光リソグラフィ方法及び装置 |
| JPH08179493A (ja) | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Hitachi Ltd | 光露光または転写方法および装置またはそのためのマスク |
| JPH08248641A (ja) | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Olympus Optical Co Ltd | レーザ描画装置 |
| JPH097935A (ja) | 1995-06-23 | 1997-01-10 | Nikon Corp | レジストの露光方法 |
| JPH10326742A (ja) | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JP4145446B2 (ja) * | 1998-12-09 | 2008-09-03 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録媒体の使用方法 |
| TW471684U (en) * | 1999-03-01 | 2002-01-01 | Ritek Corp | Write-once compact disk structure of surface plasma ultra-resolution inorganic material type |
-
1999
- 1999-08-30 JP JP24277899A patent/JP3743782B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-08-30 US US09/651,730 patent/US6692894B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005038340A3 (de) * | 2003-09-29 | 2005-06-23 | Kleo Halbleitertechnik Gmbh | Lithografiebelichtungseinrichtung |
| JP2008539570A (ja) * | 2005-04-27 | 2008-11-13 | オブデュキャット、アクチボラグ | パターンを被転写体に転写する手段 |
| JP2007095859A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Japan Science & Technology Agency | リソグラフィ方法 |
| KR101566263B1 (ko) | 2014-02-28 | 2015-11-05 | 연세대학교 산학협력단 | 초해상막 및 이를 이용한 리소그래피 방법 |
| US9519222B2 (en) | 2014-02-28 | 2016-12-13 | Industry-Academic Cooperation Foundation Yonsei University | Dynamic optical head layer and lithography method using the same |
| KR20150135012A (ko) | 2014-05-23 | 2015-12-02 | 연세대학교 산학협력단 | 플렉서블 나노박막 광구조를 이용하는 가변 대면적 나노이미징 광학헤드 및 이미징 장치 |
| US9706928B2 (en) | 2014-05-23 | 2017-07-18 | Industry-Academic Cooperation Foundation Yonsei University | Dynamic optical head and imaging device using flexible nano film optical structure |
| KR101526363B1 (ko) * | 2014-07-29 | 2015-06-05 | 연세대학교 산학협력단 | 롤투롤 플렉서블 근접장 광 이미징 장치 |
| US9291642B2 (en) | 2014-07-29 | 2016-03-22 | Industry-Academic Cooperation Foundation Yonsei University | Flexible near field optical imaging device including flexible optical head with thin film layer for formation of dynamic optical nano apertures |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6692894B1 (en) | 2004-02-17 |
| JP3743782B2 (ja) | 2006-02-08 |
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