JP2011175692A

JP2011175692A - 光ディスク原盤の製造方法、及び、光ディスク製造用スタンパの製造方法

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Publication number: JP2011175692A
Application number: JP2010037494A
Authority: JP
Inventors: Hiromi Hiraiwa; 浩巳平岩
Original assignee: Sony Corp; Sony DADC Corp
Current assignee: Sony Music Solutions Inc; Sony Corp
Priority date: 2010-02-23
Filing date: 2010-02-23
Publication date: 2011-09-08

Abstract

【課題】熱化学反応を利用して無機レジスト層に形成された凹凸パターンを、電鋳処理により、表面に微小な陥没状の欠陥を生じさせることなく、スタンパに転写可能な光ディスク原盤の製造方法を提供する。
【解決手段】スタンパに凹凸パターンを転写可能な光ディスク原盤の製造方法において、第１のレジスト層１０１を、基板１００上に成膜する第１の成膜工程と、成膜された第１のレジスト層１０１を、光ディスクの記録用信号の凹凸パターンに対応させて選択的に露光する露光工程と、露光された基板を現像して、第１のレジスト層１０１が成膜された基板１００上に、凹凸パターン１０２を形成する現像工程と、凹凸パターン１０２が形成された基板の第１のレジスト層１０１に、第１のレジスト層１０１よりも酸素含有量が少ない遷移金属の酸化物を含む第２のレジスト層１０３を成膜する第２の成膜工程とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、光ディスク製造用スタンパに凹凸パターンを転写する光ディスク原盤の製造方法、及び、この光ディスク製造用スタンパの製造方法に関するものである。

各種情報を記録保存する光ディスクは、ポリカーボネート等の光学的に透明な基板の一主面上に情報信号を示すピットやグルーブ等の微細な凹凸パターンが形成され、その上にアルミニウム等の金属薄膜からなる反射膜が形成され、さらにその反射膜上に保護膜が形成された構造を有している。

このような構造の記録媒体では、近年の情報通信及び画像処理技術の急速な発展に伴い、凹凸パターンをより微細化させることによって記録密度を増大させ、ひいては記録容量の増大を図ることが望まれている。ここで、この光ディスクの凹凸パターンの微細化に関与する光ディスクの製造工程として、特許文献１に記載された製造方法がある。

特許文献１に記載された製造方法では、まず、光ディスク原盤用の基板の上に、無機レジスト層を均一に形成する。続いて、この製造方法は、基板上に形成された無機レジスト層に信号パターンに対応した選択的な露光を施し、レジスト層を現像することによって所定の凹凸パターンが形成された光ディスク原盤を得る。

そして、この製造方法では、上述のようにして得られた光ディスク原盤の凹凸パターン面上に、電鋳法によって金属ニッケル膜を析出させ、これを光ディスク原盤から剥離させた後に所定の加工を施し、凹凸パターンが転写された成型用スタンパを得る。

この製造方法では、成型用スタンパを用いて射出成型法によって熱可塑性樹脂であるポリカーボネートからなる樹脂製ディスク基板を成形する。続いて、スタンパを剥離し、その樹脂製ディスク基板の凹凸面にＡｌ合金などの反射膜と保護膜とを成膜することにより光ディスクを得る。

以上のような製造方法により製造される光ディスクの微細凹凸パターンは、微細凹凸パターンが高精度に形成されたスタンパを用いて、基板上に忠実に且つ即座に当該パターンを複製するプロセスを経ることにより作製される。

特開２００４−１５２４６５号公報

上述した特許文献１に記載の製造方法では、光ディスク原盤の無機レジスト層の酸素含有量が多いほど、露光による熱化学反応が良く、未露光部と露光部との境界が明瞭になる。しかしながら、酸素含有量が多い無機レジスト層を有する光ディスク原盤を用いて作成されたスタンパーは、その表面に微小な陥没状の欠陥を生じ易く、このようなスタンパーから作成された光ディスクはエラーレートが高くなってしまうという問題があった。

本発明は、この実情に鑑みて提案されたもので、熱化学反応を利用して無機レジスト層に形成された凹凸パターンを、電鋳処理により、表面に微小な陥没状の欠陥を生じさせることなく、スタンパに転写可能な光ディスク原盤の製造方法を提供することを目的とする。また、この光ディスク原盤の無機レジスト層に形成された凹凸パターンが転写される光ディスク製造用スタンパの製造方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決するための手段として、本発明に係る光ディスク原盤の製造方法は、遷移金属の不完全酸化物を含み、不完全酸化物の酸素含有量が、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より少ない第１のレジスト層を、基板上に成膜する第１の成膜工程と、第１の成膜工程により基板上に成膜された第１のレジスト層を、光ディスクの記録用信号の凹凸パターンに対応させて選択的に露光する露光工程と、露光工程により露光された基板を現像して、第１のレジスト層が成膜された基板上に、凹凸パターンを形成する現像工程と、現像工程により凹凸パターンが形成された基板の第１のレジスト層に、第１のレジスト層に含まれる遷移金属の不完全酸化物よりも、酸素含有量が少ない遷移金属の酸化物を含む第２のレジスト層を成膜する第２の成膜工程とを有し、光ディスク製造用スタンパに上記凹凸パターンを転写する。

また、本発明に係る光ディスク製造用スタンパの製造方法は、遷移金属の不完全酸化物を含み、不完全酸化物の酸素含有量が、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より少ない第１のレジスト層を、基板上に成膜する第１の成膜工程と、第１の成膜工程により基板上に成膜された第１のレジスト層を、光ディスクの記録用信号の凹凸パターンに対応させて選択的に露光する露光工程と、露光工程により露光された基板を現像して、第１のレジスト層が成膜された基板上に、凹凸パターンを形成する現像工程と、現像工程により凹凸パターンが形成された基板の第１のレジスト層に、第１のレジスト層に含まれる遷移金属の不完全酸化物よりも、酸素含有量が少ない遷移金属の酸化物を含む第２のレジスト層を成膜する第２の成膜工程と、第２の成膜工程により第２のレジスト層が成膜された基板上の凹凸パターンに対して、電鋳処理を施してスタンパを形成する電鋳工程と、電鋳工程により形成されたスタンパを基板から離型する離型工程とを有する。

本発明は、露光及び現像処理において、第１のレジスト層の酸素含有量を調整して熱化学反応を利用した良好な加工特性を維持する。そして、本発明は、現像後において、第１のレジスト層に含まれる遷移金属の酸化物に比べて、酸素含有量が少なく化学反応しにくい遷移金属の酸化物を含む第２のレジスト層で凹凸パターンを被覆する。

このようにして、本発明は、第１のレジスト層に比べて化学反応しにくい第２のレジスト層で凹凸パターンを被覆することで、凹凸パターンをスタンパに転写する際に無機レジスト材がスタンパに付着しても、スタンパの表面に微小な陥没状の欠陥の発生を軽減することができる。

本発明は、熱化学反応を利用して無機レジスト層に形成された凹凸パターンを、電鋳処理により、表面に微小な陥没状の欠陥の発生を軽減して光ディスク原盤からスタンパに転写することができ、エラーレートの低い光ディスクを製造することができる。

本発明が適用された光ディスク原盤及びスタンパの製造工程を示す図である。第２のレジスト層に含まれる遷移金属の酸化物に占める酸素の含有比が０．７５であるときの、光ディスク原盤を用いて製造されたスタンパの表面状態について説明するための図である。第２のレジスト層に含まれる遷移金属の酸化物に占める酸素の含有比が０．７０であるときの、光ディスク原盤を用いて製造されたスタンパの表面状態について説明するための図である。第２のレジスト層に含まれる遷移金属の酸化物に占める酸素の含有比が０．６５であるときの、光ディスク原盤を用いて製造されたスタンパの表面状態について説明するための図である。第２のレジスト層に含まれる遷移金属の酸化物に占める酸素の含有比が０．５７であるときの、光ディスク原盤を用いて製造されたスタンパの表面状態について説明するための図である。第２のレジスト層に含まれる遷移金属の酸化物に占める酸素の含有比が０．５０であるときの、光ディスク原盤を用いて製造されたスタンパの表面状態について説明するための図である。第２のレジスト層に含まれる遷移金属の酸化物に占める酸素の含有比が０．４０であるときの、光ディスク原盤を用いて製造されたスタンパの表面状態について説明するための図である。

以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。

本発明が適用された光ディスク原盤の製造方法は、図１に示すような、第１の成膜工程と、露光工程と、現像工程と、第２の成膜工程とから構成される。また、本発明が適用された光ディスク製造用スタンパの製造方法は、第１の成膜工程と、露光工程と、現像工程と、第２の成膜工程と、電鋳工程と、離型工程とから構成される。

＜第１の成膜工程＞
第１の成膜工程では、遷移金属の不完全酸化物を含み、不完全酸化物の酸素含有量が、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より少ない第１のレジスト層１０１を、基板１００上に成膜する。

具体的に、第１の成膜工程では、図１（Ａ）に示すように、ガラス又はシリコンウエハなどの絶縁材料からなる基板１００の上に、スパッタリング法により、無機系のレジスト材料からなる第１のレジスト層１０１を均一に成膜する。

なお、第１のレジスト層１０１の露光感度の改善のために基板１００とレジスト層１０１との間に所定の中間層を形成してもよい。また、第１のレジスト層１０１の膜厚は、所望のピット高さが得られる厚さであればよいが、例えば、１０ｎｍ〜８０ｎｍが用いられる。

ここで、第１のレジスト層１０１に適用されるレジスト材料は、上述したように、遷移金属の不完全酸化物であって、例えば、タングステン(Ｗ)やモリブデン(Ｍｏ)などの酸化物を使用し、酸化比率は所望の露光感度やピット形状、未露光部の現像液耐性が得られる条件を選択する。

具体的に、遷移金属の不完全酸化物は、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より酸素含有量が少ない方向にずれた化合物のこと、すなわち遷移金属の不完全酸化物における酸素含有量が、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より少ない化合物である。

例えば、遷移金属の酸化物として、化学式ＭｏＯ_３を例に挙げて説明する。化学式ＭｏＯ_３の酸化状態を組成割合Ｍｏ_１−ｘＯ_ｘに換算すると、ｘ＝０．７５の場合が完全酸化物であるのに対して、０＜ｘ＜０．７５で表される場合に化学量論組成より酸素含有量が不足した不完全酸化物であるといえる。

また、遷移金属では、１つの元素が価数の異なる酸化物を形成可能なものがあるが、この場合には、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より実際の酸素含有量が不足していればよい。例えばＭｏは、先に述べた３価の酸化物（ＭｏＯ_３）が最も安定であるが、その他に１価の酸化物（ＭｏＯ）も存在する。この場合には組成割合Ｍｏ_１−ｘＯ_ｘに換算すると、０＜ｘ＜０．５の範囲内であるとき化学量論組成より酸素含有量が不足した不完全酸化物であるといえる。なお、遷移金属酸化物の価数は、市販の分析装置で分析可能である。

このような遷移金属の不完全酸化物は、紫外線又は可視光に対して吸収を示し、紫外線又は可視光を照射されることでその化学的性質が変化する。また、遷移金属の不完全酸化物からなるレジスト材料は、膜材料の微粒子サイズが小さいために未露光部と露光部との境界部のパターンが明瞭なものとなり、分解能を高めることができる。

また、遷移金属の不完全酸化物は、酸化の度合いによってそのレジスト材料としての特性が変化する。例えば、遷移金属の完全酸化物の化学量論組成より大幅に酸素含有量が少ない不完全酸化物では、露光工程で大きな照射パワーを要したり、現像処理に長時間を有したりする等の不都合を伴う。よって、第１のレジスト層の材料は、露光及び現像処理において良好な加工特性を実現する観点から、遷移金属の完全酸化物の化学量論組成より僅かに酸素含有量が少ない不完全酸化物であることが好ましい。

また、レジスト材料を構成する具体的な遷移金属としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ａｇ等が挙げられる。この中でも、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｂを用いることが好ましく、紫外線又は可視光により大きな化学的変化を得られるといった観点から特にＭｏ、Ｗを用いることが好ましい。

なお、遷移金属の不完全酸化物としては、１種の遷移金属の不完全酸化物の他に、第２の遷移金属を添加したもの、さらに複数種類の遷移金属を添加したもの、遷移金属以外の他の元素が添加されたもの等のいずれも用いてよい。

＜露光工程＞
露光工程では、第１の成膜工程により基板１００上に成膜された第１のレジスト層１０１を、光ディスクの記録用信号の凹凸パターンに対応させて選択的に露光する。

具体的には、露光工程では、図１（Ｂ）に示すように、レーザ装置を備えた露光装置２００を用いて、第１のレジスト層１０１に光ディスクに記録する信号パターンに対応した選択的な露光を施して感熱させる。

ここで、露光工程では、後述する第２の成膜工程により凹凸パターンの開口形状が小さくなるのを考慮するため、露光範囲の調整を行う。具体的には、露光工程では、第２の成膜工程によりレジスト材料が被覆されたときに所望の信号パターンを示す開口形状となるように、本工程において露光範囲を大きくして開口形状を大きくする調整を行う。

また、露光装置２００は、レジスト層が露光される例えばレーザ光を発生するビーム発生源が設けられ、これよりのレーザ光が、コリメータレンズ、ビームスプリッタ及び対物レンズを通じて、第１のレジスト層１０１にフォーカシングされて照射する構成を有する。露光用のレーザとしては、ピット形状に応じた波長の光が用いられるが、例えば、波長４０５ｎｍのレーザを出射する発光ダイオードのレーザ光が用いられる。

＜現像工程＞
現像工程では、露光工程により露光された基板１００を現像して、第１のレジスト層１０１が成膜された基板１００上に、凹凸パターンを形成する処理である。

具体的に、現像工程では、図１（Ｃ）に示すように、第１のレジスト層１０１を現像することによって、基板１００上に、所定の凹凸パターン１０２を形成する。

現像処理としては、酸又はアルカリ等の液体によるウェットプロセスによって選択比を得ることが可能であり、使用目的、用途、装置設備等によって適宜使い分けることが可能である。ウェットプロセスに用いられるアルカリ現像液としては水酸化テトラメチルアンモニウム溶液、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｎａ_２ＣＯ_３等の無機アルカリ水溶液等を用いることができ、酸現像液としては、塩酸、硝酸、硫酸、燐酸等を用いることができる。

また、ウェットプロセスの他、プラズマ又は反応性イオンエッチング（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）と呼ばれるドライプロセスによっても、ガス種及び複数のガスの混合比を調整することにより現像が可能である。

＜第２の成膜工程＞
第２の成膜工程では、現像工程により凹凸パターン１０２が形成された基板１００の第１のレジスト層１０１に、第１のレジスト層１０１に含まれる遷移金属の不完全酸化物よりも、酸素含有量が少ない遷移金属の酸化物を含む第２のレジスト層１０３を成膜する。

例えば、Ｍｏ及び／又はＷの３価の不完全酸化物を無機レジスト材料とした場合、第２のレジスト層１０３の酸化比率は、後述する実施例から明らかなように、不完全酸化物の組成割合Ａ_１−ｘＯ_xで表したｘが下記の（１）式を満たすものを用いることが好ましい。

０≦ｘ≦０．６５・・・（１）
ここで、ＡをＭｏ及び／又はＷとし、Ａの酸化物に占めるＯの含有比をｘとする。

このような第２の成膜工程により第２のレジスト層１０３が成膜されることで、本発明が適用された製造方法によって光ディスク原盤１１０が製造される。

本発明が適用された光ディスク原盤の製造方法では、第１のレジスト層１０１を用いて露光及び現像処理を行うことで、熱化学反応を利用した良好な加工特性を維持する。そして、本発明が適用された光ディスク原盤の製造方法では、現像後において、第１のレジスト層１０１に含まれる遷移金属の酸化物に比べて酸素含有量が少なく化学反応しにくい遷移金属の酸化物を含む第２のレジスト層１０３で凹凸パターン１０２を被覆する。

本発明が適用された製造方法では、第１のレジスト層１０１に比べて化学反応しにくい第２のレジスト層１０３で凹凸パターン１０２を被覆することで、後述する電鋳処理と離型処理により、凹凸パターンをスタンパに転写する際に無機レジスト材がスタンパに付着しても、スタンパの表面に微小な陥没状の欠陥の発生を軽減することができる。

また、本発明が適用された製造方法により製造された光ディスク原盤は、第１のレジスト層１０１に比べて化学反応しにくい第２のレジスト層１０３で凹凸パターン１０２が被覆されているので、熱や光などが曝されることによる経時劣化を抑えることができる。すなわち、この光ディスク原盤は、長期間保管する場合でも表面の劣化を少なくすることができる。

＜電鋳工程＞
電鋳工程では、第２の成膜工程により第２のレジスト層１０３が成膜された基板１００上の凹凸パターンに対して、電鋳処理を施してスタンパを形成する。具体的には、電鋳工程では、図１（Ｅ）に示すように、光ディスク原盤１１０の凹凸パターン１０２上にスタンパ１２０として、例えば金属ニッケル膜を析出させる。

＜離型工程＞
離型工程では、電鋳工程により形成されたスタンパ１２０を光ディスク原盤１１０から離型する。すなわち、電鋳工程では、図１（Ｆ）に示すように、光ディスク原盤１１０から金属ニッケル膜からなるスタンパ１２０を剥離する。この離型工程により剥離されたスタンパ１２０には、光ディスク原盤１１０の凹凸パターン１０２の形状を反転した凹凸パターン１２１が転写されることとなる。また、上述したように、この離型工程で光ディスク原盤１１０からスタンパ１２０が剥離する際に、基板１００の凹凸パターン１０２上のレジスト材も剥がれて、スタンパ１２０の凹凸パターン１２１上に付着することとなる。

また、この離型工程によりスタンパ１２０が製造されるが、スタンパ１２０は、例えば温純水を用いた洗浄処理などが施される。例えばこの洗浄処理によって、従来の製造工程では、スタンパの凹凸パターンに付着している酸素含有量が多く熱化学反応が良好なレジスト材の反応により、陥没や欠陥が生じてしまうこととなる。これに対して、本発明が適用された製造方法では、酸素含有量が少なく熱化学反応しにくい遷移金属の酸化物を含むレジスト材がスタンパ１２０の凹凸パターン１２１上に付着することとなるので、上記のような洗浄処理によってレジスト材が熱反応することなく、上述したような陥没や欠陥を防ぐことができる。

次に、光ディスク製造用として製造されたスタンパ１２０を用いた光ディスクの製造工程について説明する。具体的に、光ディスクは、スタンパ１２０の凹凸パターン１２１上に、射出成型法によって熱可塑性樹脂であるポリカーボネートからなる樹脂製ディスク基板として成形されて、成型された樹脂製ディスク基板が剥離され、所定の加工処理が施されることで得られることとなる。

本発明が適用された光ディスク製造用スタンパの製造方法では、熱化学反応を利用して無機レジスト層に形成された凹凸パターンを、電鋳処理により、表面に微小な陥没状の欠陥を生じさせることなく、光ディスク原盤からスタンパに転写することができ、エラーレートの低い光ディスクを製造することができる。

本発明が適用された製造方法では、スタンパ１２０の表面に微小な陥没状の欠陥の発生を軽減できるが、特に、第２のレジスト層１０３に含まれる遷移金属の酸化物の酸素含有量を次の条件とすることが好ましい。すなわち、この条件を満たすことで、スタンパ１２０の表面に微小な陥没状の欠陥を生じさせないようにすることができる。

具体的に、上述した第２の成膜工程では、第２のレジスト層１０３として、不完全酸化物の組成割合Ａ_１−ｘＯ_xで表したｘが下記の（１）式を満たすものを用いることで、スタンパ１２０の表面に微小な陥没状の欠陥を生じさせないようにすることができる。

０≦ｘ≦０．６５・・・（１）
ここで、遷移金属ＡをＭｏ及び／又はＷとし、遷移金属Ａの酸化物に占めるＯの含有比をｘとする。

このような第２のレジスト層１０３の具体的な構成は、本願の発明者が次のような実施例によって見出した。

以下では、異なる酸素含有量の遷移金属の酸化物を含む第２のレジストを用いて製造した複数種類の光ディスク原盤により製造されるスタンパの凹凸パターン面を評価した。

この実施例では、第２のレジストの材料を、Ｍｏ及び／又はＷの３価の不完全酸化物として、不完全酸化物の組成割合Ａ_１−ｘＯ_xで表したときの、遷移金属の酸化物に占める酸素の含有比ｘが合計６つの条件のものを用いて、凹凸パターン面を評価した。この凹凸パターン面は、倍率を３００００倍として撮像した写真により評価した。また、この評価に合わせて、第２の成膜工程により膜厚７０ｎｍで成膜されたときのシート抵抗値を、エヌピイエス社製測定機Σ−５により測定した。

遷移金属の酸化物に占める酸素の含有比ｘが０．７５の場合、第２のレジストは、第２の成膜工程により膜厚７０ｎｍで成膜されると、そのシート抵抗値が、１０００〔Ω／ｓｑ〕程度となる。このような条件の第２のレジストが成膜された光ディスク原盤により製造されたスタンパの凹凸パターン面は、図２（Ａ）に示すように、ピット２よりも形状が小さい欠陥３が全体に亘って発生しまった。

遷移金属の酸化物に占める酸素の含有比ｘが０．７０の場合、第２のレジストは、第２の成膜工程により膜厚７０ｎｍで成膜されると、そのシート抵抗値が、６００〔Ω／ｓｑ〕程度となる。このような条件の第２のレジストが成膜された光ディスク原盤により製造されたスタンパの凹凸パターン面は、図２（Ｂ）に示すように、ピット２よりも形状が小さい欠陥３が全体に亘って発生しまった。

遷移金属の酸化物に占める酸素の含有比ｘが０．６５の場合、第２のレジストは、第２の成膜工程により膜厚７０ｎｍで成膜されると、そのシート抵抗値が、３５０〔Ω／ｓｑ〕程度となる。このような条件の第２のレジストが成膜された光ディスク原盤により製造されたスタンパの凹凸パターン面は、図２（Ｃ）に示すように、上述した図２（Ａ）及び図２（Ｂ）で見られる欠陥３が生じることはなかった。

遷移金属の酸化物に占める酸素の含有比ｘが０．５７の場合、第２のレジストは、第２の成膜工程により膜厚７０ｎｍで成膜されると、そのシート抵抗値が、１４０〔Ω／ｓｑ〕程度となる。このような条件の第２のレジストが成膜された光ディスク原盤により製造されたスタンパの凹凸パターン面は、図２（Ｄ）に示すように、上述した図２（Ａ）及び図２（Ｂ）で見られる欠陥３が生じることはなかった。

遷移金属の酸化物に占める酸素の含有比ｘが０．５０の場合、第２のレジストは、第２の成膜工程により膜厚７０ｎｍで成膜されると、そのシート抵抗値が、６０〔Ω／ｓｑ〕程度となる。このような条件の第２のレジストが成膜された光ディスク原盤により製造されたスタンパの凹凸パターン面は、図２（Ｅ）に示すように、上述した図２（Ａ）及び図２（Ｂ）で見られる欠陥３が生じることはなかった。

遷移金属の酸化物に占める酸素の含有比ｘが０．４０の場合、第２のレジストは、第２の成膜工程により膜厚７０ｎｍで成膜されると、そのシート抵抗値が、３０〔Ω／ｓｑ〕程度となる。このような条件の第２のレジストが成膜された光ディスク原盤により製造されたスタンパの凹凸パターン面は、図２（Ｆ）に示すように、上述した図２（Ａ）及び図２（Ｂ）で見られる欠陥３が生じることはなかった。

以上に示すように、遷移金属の酸化物に占める酸素の含有比ｘが０．４５から０．６５の範囲内の第２のレジストを用いて成膜工程を施すことで、スタンパの表面に微小な陥没状の欠陥を生じさせないようにすることができた。

２ピット、３欠陥、１００基板、１０１レジスト層、１０２凹凸パターン、１０３第２のレジスト層、１１０光ディスク原盤、１２０スタンパ、１２１凹凸パターン、２００露光装置

Claims

遷移金属の不完全酸化物を含み、該不完全酸化物の酸素含有量が、該遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より少ない第１のレジスト層を、基板上に成膜する第１の成膜工程と、
上記第１の成膜工程により基板上に成膜された第１のレジスト層を、光ディスクの記録用信号の凹凸パターンに対応させて選択的に露光する露光工程と、
上記露光工程により露光された基板を現像して、上記第１のレジスト層が成膜された基板上に、上記凹凸パターンを形成する現像工程と、
上記現像工程により凹凸パターンが形成された基板の上記第１のレジスト層に、該第１のレジスト層に含まれる遷移金属の不完全酸化物よりも、酸素含有量が少ない上記遷移金属の酸化物を含む第２のレジスト層を成膜する第２の成膜工程とを有し、上記光ディスク製造用スタンパに上記凹凸パターンを転写する光ディスク原盤の製造方法。
上記第２のレジスト層は、上記遷移金属がＭｏ及び／又はＷの３価の不完全酸化物であって、ＡをＭｏ及び／又はＷとし、Ｏの含有比をｘとして該不完全酸化物の組成割合Ａ_１−ｘＯ_xで表したとき、０≦ｘ≦０．６５である請求項１記載の光ディスク原盤の製造方法。
遷移金属の不完全酸化物を含み、該不完全酸化物の酸素含有量が、該遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より少ない第１のレジスト層を、基板上に成膜する第１の成膜工程と、
上記第１の成膜工程により基板上に成膜された第１のレジスト層を、光ディスクの記録用信号の凹凸パターンに対応させて選択的に露光する露光工程と、
上記露光工程により露光された基板を現像して、上記第１のレジスト層が成膜された基板上に、上記凹凸パターンを形成する現像工程と、
上記現像工程により凹凸パターンが形成された基板の上記第１のレジスト層に、該第１のレジスト層に含まれる遷移金属の不完全酸化物よりも、酸素含有量が少ない上記遷移金属の酸化物を含む第２のレジスト層を成膜する第２の成膜工程と、
上記第２の成膜工程により第２のレジスト層が成膜された基板上の凹凸パターンに対して、電鋳処理を施してスタンパを形成する電鋳工程と、
上記電鋳工程により形成されたスタンパを上記基板から離型する離型工程とを有する光ディスク製造用スタンパの製造方法。