JPH07106229A

JPH07106229A - 光リソグラフィ方法及び装置

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Publication number: JPH07106229A
Application number: JP5249138A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Yoshimura; 俊之吉村; Tsuneo Terasawa; 恒男寺澤; Shinji Okazaki; 信次岡崎
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-10-05
Filing date: 1993-10-05
Publication date: 1995-04-21

Abstract

(57)【要約】【目的】用いる光の波長と比較して、極めて微細なパタ
ーンを形成可能な光リソグラフィを実現する。【構成】コア１及びクラッド２からなる光ファイバーに
おいて、コア１の先端を細く形成し先端から発生するエ
バネッセント波４を用いて、レジスト５内に微細なパタ
ーンの潜像７を形成する。【効果】潜像７の大きさはコア１の先端とレジスト５の
表面との距離程度となるため、先端曲率半径を微細化し
てコア１の先端とレジスト５の表面を接近させることに
より、入射光３の波長と比較して極めて微細なパターン
を形成することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光リソグラフィ方法、更
に詳しく言えば、半導体集積回路のような微細パターン
を形成するために使用する光の波長よりも小さいパター
ンを形成する光リソグラフィ方法及びそれに使用する光
リソグラフィ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体基板上にパターンを形成す
る際には以下の方法を用いいる。先ず半導体基板上に主
に有機材料から成るレジストを回転塗布法等により形成
する。そしてレジストに所望のパターン形状に制御され
たエネルギー線を照射して、レジスト内で化学変化を誘
起し、パターンの潜像を形成する。この化学変化はエネ
ルギー線照射に引き続く現像処理において、現像液に対
する溶解性の差を発生させることになる。エネルギー線
が照射された部分が溶解しやすくなる場合には「ポジ
型」であり、エネルギー線が照射された部分が溶解しに
くくなる場合には「ネガ型」である。レジストパターン
が形成されると、これをマスクとしてドライエッチング
により基板を加工する、あるいはイオンの打ち込み等が
行なわれて半導体素子が形成される。

【０００３】ここで照射するエネルギー線としては、紫
外線やＸ線等の電磁波、あるいは電子線やイオン線等の
粒子線があげられる。工業上の手段としては生産性の観
点から、主に水銀ランプを光源とする波長４３６ｎｍの
ｇ線や波長３６５ｎｍのｉ線が用いられている。光源か
ら放出した紫外線は、所望のパターン形状が予め形成さ
れたレチクル（マスク）を透過して回折する。回折光は
レンズを介して収束され、半導体基板上のレジスト内に
パターン像を形成する。これによりレジストに潜像が形
成される。一般にレチクル上のパターンが所定の比率で
縮小された像が半導体基板上のレジストに結像すること
になる。このような縮小光学系に基づく縮小投影露光法
によって、レチクル上のパターンを半導体基板上のレジ
ストに転写する。

【０００４】一般に、このような縮小投影露光法による
レジスト加工寸法の下限値である解像限界は用いる光の
波長と縮小光学系の開口数（ＮＡ）に依存する。半導体
素子の集積化を進めるためには、加工寸法の微細化を進
めることが望ましい。ところで通常の方法では、解像限
界は概ね波長程度の大きさであることが知られている。
これに対して、解像限界を更に向上するために様々な方
法が提案されてきた。大きく分けて以下の二つの公知の
方法があげられる。第一の方法はレチクル面に透過光の
位相を変化させる領域を付加することにより基板上での
光学像コントラストを向上させる、例えば特公昭６２−
０５０８１１号公報に開示の「位相シフト法」である。
第二の方法は光源や投影光学系の瞳面を含む光軸面の形
状、あるいは光の透過率を空間的に制御することにより
基板上での結像特性を向上させる、例えば特開平０４−
１０１１４８号公報開示の「変形照明法」である。これ
らの方法によって解像限界を波長の半分程度とすること
が可能となった。

【０００５】一方、後述するエバネッセント波を用いて
顕微鏡の解像性を向上させる試みがなされており、例え
ばジャパニーズジャーナルオブアプライドフィ
ズィックス第３０巻２１０７頁から２１１１頁
（１９９１年）（Jpn. J. Appl. Phys. 30、 2107-2111
（１９９１）．）に記載されている方法がある。ここ
では光ファイバーの先端を細く加工して、試料表面に発
生したエバネッセント波をこの光ファイバーの先端で検
知し、試料表面の微細表面構造を観測している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】光リソグラフィにおい
て上記「位相シフト法」及び「変形照明法」の解像限界
を向上させる方法を用いても、実用上の解像限界は用い
る光の波長の半分程度に制限されており、微細化を進め
る上で問題となってきた。例えば、ｉ線で０．１μｍの
レジスト加工を行なうことは困難である。そこで波長を
短くすることが対策として考えられる。しかし次の二点
が問題となるため、現状では有効な方法の実現は困難で
ある。第一に光を収束するための適当な投影レンズ材料
がないために光学系を形成することが困難であること、
第二に短波長ではレジスト内の光の吸収が増大するため
にレジスト膜内全体の感光が困難となることである。こ
のように光リソグラフィにおいて、用いる光の波長と比
較して微細な加工を行なうことは困難な課題であった。
従って、本発明の目的は、使用光の波長に制限されない
レジスト加工を行なうことができる光リソグラフィ方法
及び装置を実現することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光リソグラフィ方法では、基板上にエネル
ギー線を照射して、エネルギー線のエネルギーにより基
板上にパターンの潜像を形成するリソグラフィ方法にお
いて、光ファイバーの出力先端から発生したエバネッセ
ント波を用いる。また、上記光リソグラフィ方法を実施
する光リソグラフィ装置として、形成すべきパターン情
報を持つエネルギー線を発生する発生手段と、上記エネ
ルギー線を伝播し先端部に上記エネルギー線のエバネッ
セント波を発生する光ファイバーと、上記光ファイバー
の先端近傍に上記パターン情報に対応するパターンの潜
像を形成する基板を載置する手段と、上記光ファイバー
の先端と上記基板の相対位置を制御する手段を設けて構
成する。上記光ファイバーは単一又は複数のいずれでも
よい。パターン情報を持つエネルギー線を発生する発生
手段は該複数個の光ファイバーのそれぞれに独立にレー
ザ等の発光素子を設けパターン情報に対応した発光素子
駆動信号をを加えるように構成するか、エネルギー線の
透過、非複透過部で形成されたパターンのマスクと、上
記マスクにエネルギー線を照射する光源とで構成する。
上記光リソグラフィ装置の少なくとも光ファイバーの出
力先端と基板の近傍のエバネッセント波の生じる部分
は、大気中、真空中、ガス雰囲気中のいずれでもよい。
なお、本発明によってパターンの潜像が形成されるレジ
ストの厚さは特に限定されず、エバネッセント波の発生
領域より厚い場合にも適用される。

【０００８】

【作用】透明で屈折率の異なる物質が接し、屈折率が大
きい物質から小さい物質へ光が入射している場合、光が
ある入射角度より大きな角度で両物質の界面に入射する
と、一般に全反射が生じて光は再び屈折率の大きな物質
内を伝播する。この際、光は屈折率の小さい物質内にも
わずかに浸透することが知られている。これは伝播した
入射光によって誘起される分極による。この光は「エバ
ネッセント波」と呼ばれ、その振幅は伝播してきた光の
波長に比べて短い距離で急激に減衰する。このエネルギ
ー損失分は屈折率の小さい領域内に蓄積されることにな
る。そこでエバネッセント波の発生領域を微小化するこ
とにより、エネルギーの蓄積領域を微細化することが可
能となる。

【０００９】図１により本発明の原理について説明す
る。コア１及びクラッド２からなる光ファイバーがあ
り、コア１の先端が細く絞られた形状を用いる。先端は
空気中に露出している。ここでコア１の屈折率がクラッ
ド２の屈折率の大きさと比較して大きくコア１内を入射
光３は全反射しながら伝播する。上述のように、コア１
とクラッド２の界面領域にはエバネッセント波４が発生
する。コア１の屈折率は空気の屈折率よりも大きく、先
端部においても図に示すようにエバネッセント波４が発
生している。ここで表面にレジスト５が形成された基板
６をコア１の先端に接近させる。先端との距離を入射光
３の波長に比べて短い距離にまで接近させると、エバネ
ッセント波４がレジスト５内に浸入しエネルギーがレジ
スト５内に蓄積されてパターンの潜像７が形成される。
コア１の先端曲率半径が微細な場合には、エネルギーの
蓄積領域、即ち潜像７の二次元的な大きさはコア１の先
端曲率半径の大きさ程度となる。そこで先端曲率半径を
微細化し、コア１の先端とレジスト５の表面を接近さ
せ、レジスト５の膜厚を極めて薄くすることによって、
潜像７の広がりを入射光３の波長と比較して極めて微細
化することが可能となる。光リソグラフィで０．１μｍ
以下の加工が実現できる。

【００１０】また、光ファイバーと基板６の相対位置を
移動させることにより、レジスト５内において潜像７を
二次元的に展開することが可能となる。これにより従来
の光リソグラフィと同様に、レジスト５に所望のパター
ンを形成することができる。更に光ファイバーを複数個
備えることで、加工速度が向上して生産性を高めること
が可能となる。

【００１１】

【実施例】以下本発明の実施例について説明する。＜実施例１＞図２は本発明による光リソグラフィ方法の
一実施例を説明する図で、（ａ）は光リソグラフィ装置
の要部構成図、（ｂ）はレジスト層の平面図である。光
ファイバー１１はコア１２とクラッド１３の二重構造と
なっている。コア１２は二酸化ケイ素と二酸化ゲルマニ
ウムの混合体、クラッド１３はフッ素添加の二酸化ケイ
素からなっている。光ファイバー１１の一方の先端は、
フッ化アンモニウムとフッ酸の混合溶液を用いて、ウェ
ットエッチングによって加工され、コア１２とクラッド
１３のそれぞれに含まれる二酸化ゲルマニウムの量の差
によりエッチング速度が異なり、クラッド１３部分が速
やかに除去されるため、コア１２部分の先端が細くなっ
た形状が得られる。混合溶液の濃度比やエッチング時間
の制御により、先端部分の曲率半径の大きさが制御でき
る。例えば曲率半径１０ｎｍのものを用いる。

【００１２】光ファイバー１１はピエゾ素子１４に接続
されており、ピエゾ素子１４に印加する電圧の制御によ
り光ファイバー１１の位置が高精度に制御される機構と
なっている。ピエゾ素子１４は水平及び垂直の三方向の
制御可能となっており、光ファイバー１１の高さ及び二
次元的な位置の制御が行なえる。光ファイバー１１の他
端には、例えば、波長７８０ｎｍの半導体レーザ１５か
らなる発光素子が接続されている。半導体レーザ１５に
は電流源１６が接続されており、電流源１６からの電流
印加によって半導体レーザ１５から光ファイバー１１に
入射光１７が供給される。入射光１７はコア１２内を全
反射しながら、細くなった先端部へと伝播する。ここ
で、コア１２表面にはエバネッセント波１８が誘起され
る。図では大気中に露出した部分に発生したエバネッセ
ント波１８のみを示している。

【００１３】一方、ステージ１９上には加工すべき基板
２０が載置されており、これには公知のレジスト２１が
例えば１０ｎｍの厚さで形成されている。ここで、基板
２０は、シリコンやゲルマニウム等のIV族半導体やヒ化
ガリウム等の化合物半導体、アルミニウム等の金属、二
酸化シリコン等の絶縁体及びそれらの積層体を用いるこ
とができる。本実施例ではシリコンを用いる。レジスト
２１としてはネガ型あるいはポジ型のいずれを用いても
よいが、ここではネガ型レジストを用いた。

【００１４】予めコア１２の先端とレジスト２１の表面
との間隔は３μｍとなるように、機械的な調整がなされ
ている。そして、ピエゾ素子１４に電圧を印加すること
によってコア１２の先端がレジスト２１の表面に接近す
る。エバネッセント波１８の強度はコア１２の先端から
の距離に大きく依存する。ここでは、先端曲率半径と同
等の１０ｎｍにまで接近させる。

【００１５】電流源１６から半導体レーザ１５にパター
ン情報に対応する電流を印加して、光ファイバー１１に
入射光１７を供給する。これによりコア１２の先端にエ
バネッセント波１８が発生する。エバネッセント波１８
はレジスト２１に吸収され、これによって潜像２２が形
成される。この潜像２２の二次元的な広がりはコア１２
の先端の曲率半径と同等で、ここでは約１０ｎｍであ
る。そして、ピエゾ素子１４による光ファイバー１１の
位置を制御することにより、図２（ｂ）に示すようにピ
エゾ素子１４の走査範囲内で、レジスト２１に所望のパ
ターンの潜像２２を形成することができる。潜像２２を
形成した後に現像液を用いて現像を行なうことにより、
潜像２２部分のみを残した幅約１０ｎｍのパターンを得
ることができる。このように、用いる光の波長と比較し
て極めて微細なパターンを形成することが可能となる。
また、潜像２２の太さはコア１２の先端とレジスト２１
の表面との距離を調整することにより制御が可能であ
る。

【００１６】上記の実施例では、入射光１７として半導
体レーザ１５からの光を用いていたが、これに限られな
いことは言うまでもなく、光ファイバー１１を伝播する
波長の光であればよい。また、基板２０を乗せたステー
ジ１９を移動可能とすることにより、潜像形成領域を制
御することもできる。また、上記実施例では、基板２０
は平坦であることを前提として説明したが、基板２０に
段差が含まれる場合には段差を検出する機構を設置する
ことにより、各ピエゾ素子１４を駆動して光ファイバー
１１の高さを制御すればよい。さらに、上記実施例は、
レジスト膜厚が１０ｎｍの場合を述べたが、これに限定
されないことはいうまでもない。膜厚が厚い場合、レジ
スト表面のみの潜像が形成される。これを用いて従来知
られている「シリル化」等の「表面反応」を用いたパタ
ーン形成を行なうことができる。＜実施例２＞図３は本発明による光リソグラフィ方法の
第２の実施例を説明する図である。本実施例は複数の光
ファイバーを使用して加工速度を向上したものである。
（ａ）は光ファイバー３１とピエゾ素子３２とからなる
加工具を複数個並べた部分の斜視図を示す。ここで各々
の光ファイバー３１の間隔を２ｍｍとする。そして各ピ
エゾ素子３２を独立に制御する。各々の光ファイバー３
１への入射光の注入も独立に制御する。そして形成すべ
きパターンをマトリックスに分割し、各々のマトリック
スの情報を各光源に伝達する手段を備えておく。

【００１７】ここでは簡単のために、一組みの光ファイ
バー３１とピエゾ素子３２について述べる。図３（ｂ）
に示すように、制御計算機３３には光ファイバー３４に
入射光を供給する半導体レーザ３５を駆動する電流源３
６と、光ファイバー３４の位置制御を行なうピエゾ素子
３７が接続されている。制御計算機３３は電流源３６と
ピエゾ素子３７を独立に制御する。制御計算機３３には
パターンに対応するデータが格納されており、例えば１
０ｎｍを単位としてパターンデータがマトリックスに分
割されている。ここでその内のあるマトリックス上にパ
ターンデータが存在する場合、制御計算機３３によりピ
エゾ素子３７が作動しウェハ上で対応する点にまで光フ
ァイバー３４の位置が変位する。そして、制御計算機３
３により電流源３６が作動し、半導体レーザ３５から入
射光が光ファイバー３４に供給されて他端からエバネッ
セント波が発生する。これにより、レジストに潜像が形
成される。

【００１８】その結果図３（ｃ）に示すように、レジス
ト３８の広い領域に潜像３９を形成する。ここで破線の
矩形に区切られた各領域は、各々のピエゾ素子３２によ
り制御された各々の光ファイバー３１の稼働範囲を示し
たものである。潜像３９の形成に引き続き現像を行なう
ことにより、基板上にレジストパターンが形成される。
そして、前記の実施例と同様に基板を乗せるステージ
を稼働とすることによって、基板上において潜像を形成
する領域を更に広範囲にすることができる。また、ピエ
ゾ素子３２の稼働範囲が光ファイバー３１の配置間隔よ
りも小さい場合にも、ステージ移動によって光ファイバ
ー３１の間隔で囲まれる領域全体の走査が行われる。こ
の際には、制御計算機３３はステージの制御も行なうこ
とになる。

【００１９】＜実施例３＞図４は、本発明による光リソ
グラフィ方法の第３の一実施例を説明する図で、（ａ）
は光リソグラフィ装置の要部構成図、（ｂ）はレジスト
層の平面図である。前記の第２の実施例では複数の光フ
ァイバーのそれぞれの光源及び位置を独立に制御する例
について述べた。本実施例は、複数の光ファイバー間の
相対位置は変化させずにパターンを形成する方法であ
る。即ち、形成すべきパターンの原図を含むマスクに一
括して光を照射して、透過した光を光ファイバーに導き
エバネッセント波を発生させる方法である。

【００２０】図４（ａ）のマスク４１は透明石英ガラス
からなっており、この表面にクロムからなる遮光部分４
２が形成されている。遮光部分４２が形成すべきパター
ンあるいはその陰画の原図となる。マスク４１の下部に
は複数の光ファイバー４３が設置されており、その他端
では前記の実施例で述べたように先端曲率が微細化され
たコア４４が露出している。各々の光ファイバー４３は
上部固定台４５及び下部固定台４６により固定されてい
る。固定時の光ファイバー４３の配置は後述するよう
に、升目状に設定されるのが望ましい。各々の光ファイ
バー４３の先端の高さは上部固定台４５及び下部固定台
４６により揃えられている。コア４４の下部にはレジス
ト４７が形成された基板４８が設置されている。基板４
８はステージ４９上に固定されている。マスク４１の前
面にに入射光５０が照射されると、遮光部分４２を除く
部分を入射光が透過する。ここでの入射光５０はｉ線と
する。そしてその透過光が下部にある光ファイバー４３
の入力端に到達し、他端でエバネッセント波を発生す
る。一方、遮光部分４２の下部にある光ファイバーには
透過光が到達しないために、他端でエバネッセント波は
発生しない。ここで、透過光の回折光が近接する光ファ
イバーに到達しないために、マスク４１と光ファイバー
４３の距離は短いのが望ましい。

【００２１】ウェハ上でのパターン露光は、これに近接
した光ファイバー４３により分割して行なわれる。即
ち、マスク４１上のパターンが領域に分割され、その各
領域に一つの光ファイバーが対応してマスク４１上の領
域内のパターンを転写することになる。ここでの分割は
同一形状の升目状であることが操作の点から望ましい。
このため、それに対応して光ファイバーの配置も升目状
であることが望ましい。図４（ｂ）に、例としてマスク
４１上の４個の分割領域５１を上面から見た図を示す。
分割領域５１には図のような遮光部分５２が含まれてお
り、下部には４本の光ファイバー５３が設置されてい
る。このように分割領域５１の大きさは、光ファイバー
５３の間隔と等しくすることが望ましい。ここで上面か
ら入射光が供給された場合、右上の光ファイバー上部に
は遮光部分５２があるため透過光が到達しない。一方、
その他の３本の光ファイバーには透過光が到達し、それ
らの他端ではエバネッセント波が発生し、レジストに潜
像が形成される。そして、図の矢印付きの実線で示すよ
うにマスクを走査する、あるいは図４（ｂ）の上部固定
台４５を移動させて光ファイバー５３を走査することで
分割領域５１内のパターンの情報が転送される。この際
に、下部固定台４６を移動させてウェハ上の光ファイバ
ーを同期して移動させる、あるいはステージ４９を同期
して移動させることにより、マスク上のパターンが転写
されてレジスト内に潜像が形成される。

【００２２】ここでパターン転写の際の縮小率は、マス
ク下に設置された光ファイバーの間隔とウェハ上に設置
された光ファイバーの間隔の比によって決められる。こ
のために、間隔を調整することにより縮小率を任意に設
定することが可能となる。上述のマスク４１あるいは上
部固定台４５の移動速度と、下部固定台４６あるいはス
テージ４９の移動速度の比は縮小率に対応することにな
る。そして、ステージ４９の移動範囲を大きく取ること
により、同一パターンを複数個ウェハ上に形成すること
が可能となる。

【００２３】以上の実施例では入射光５０としてｉ線を
用いていたが、これに限られないことは言うまでもな
く。光ファイバー４３を伝播する波長の光であればよ
い。また、上記では基板４８は平坦であることを前提と
して議論した。ここで基板４８に段差が含まれる場合に
は段差を検出する機構を設置すること、下部固定台４６
内の各光ファイバーにピエゾ素子を付設して光ファイバ
ーの高さを制御とすることにより、対処することができ
る。

【００２４】＜実施例４＞上記の実施例では大気中にお
いてレジストに潜像を形成する方法について記述した。
エバネッセント波の発生は大気中に限られず、真空中や
ガス雰囲気中であってもよい。そこで、上記の実施例で
述べた装置全体、あるいは光ファイバーの先端部と基板
を真空容器内に入れて容器内を真空にして反応ガスを導
入することを行ってもよい。これにより、エバネッセン
ト波のエネルギーを吸収して基板表面に物質を堆積させ
ること、あるいは基板をエッチングして加工することが
可能となり、レジストを用いずに基板を直接加工するこ
とが実現できる。

【００２５】ここでは入射光に、波長１９３ｎｍのアル
ゴンガスとフッ素ガスから発生するエキシマレーザを用
いる。真空容器内にシリコン含有ガスであるシランガス
を例えば１Ｐａとなるまで導入し、酸化膜が成長したシ
リコン基板にエバネッセント波を照射すると、幅約５０
ｎｍのシリコンパターンを形成することができる。また
導入ガスを塩素ガスとすると、基板をエッチングするこ
とが可能となる。以上本発明の実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではない。

【００２６】

【発明の効果】以上のように、本発明では光ファイバー
先端に発生するエバネッセント波を用いてレジストに潜
像を形成する。潜像の大きさは光ファイバー先端の曲率
半径程度の大きさとすることができる。このために、用
いる光の波長に比較して極めて微細なパターンを形成す
る光リソグラフィ方法を実現する効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を説明する図

【図２】本発明による光リソグラフィ装置の一実施例の
構成を示す図

【図３】本発明による光リソグラフィ装置の他の実施例
の構成を示す図

【図４】本発明による光リソグラフィ装置の更に他の実
施例の構成を示す図

【符号の説明】

１、１２、４４・・・コア、２、１３・・・クラッド、３、１７・・・入射光、４、１８・・・エバネッセント波、５、２１、３８、４７・・・レジスト、６、２０、４８・・・基板、７、２２、３９・・・潜像、１１、３１、３４、４３、５３・・・光ファイバー、１４、３２、３７・・・ピエゾ素子、１５、３５・・・半導体レーザ、１６、３６・・・電流源、１９、４９・・・ステージ、３３・・・制御計算機、４１・・・マスク、４２、５２・・・遮光部分、４５・・・上部固定台、４６・・・下部固定台、５０・・・入射光、５１・・・分割領域。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にエネルギー線を照射して、該エネ
ルギー線によりパターンを形成するリソグラフィ方法に
おいて、該エネルギー線として光ファイバーの一端から
入射し伝播した光によって該光ファイバーの他端におい
て発生したエバネッセント波を該基板に照射し、該光フ
ァイバーと該基板との相対位置を制御することによって
該パターンを形成することを特徴とする光リソグラフィ
方法。
【請求項２】該エネルギー線が基板上に形成された薄膜
内に付与されて、該薄膜内ので現像液に対する溶解性を
変化させ、該エネルギー線照射に引き続く現像により該
薄膜から成るパターンを形成することを特徴とする請求
項１記載の光リソグラフィ方法。
【請求項３】該光ファイバーを複数個を並べて、それぞ
れの光ファイバーに入射する光を独立に制御することに
より、該光ファイバーからのエバネッセント波の発生を
独立に制御することを特徴とする請求項１又は２記載の
光リソグラフィ方法。
【請求項４】形成すべきパターン又はその陰画を含むマ
スクに光を照射して、透過した光を上記光ファイバーに
導き、該光ファイバーの他端にエバネッセント波を発生
させることを特徴とする請求項１又は２記載の光リソグ
ラフィ方法。
【請求項５】該マスク又は該光ファイバーを移動させる
ことにより、上記マスク上のパターンを該光ファイバー
によって走査することを特徴とする請求項４記載の光リ
ソグラフィ方法。
【請求項６】形成すべきパターン情報を持つエネルギー
線を発生する発生手段と、該エネルギー線を伝播し先端
部に該エネルギー線のエバネッセント波を発生する光フ
ァイバーと、該光ファイバーの先端近傍に該パターン情
報に対応するパターンの潜像を形成する基板を載置する
ステージと、該光ファイバーの先端と該基板との相対位
置を制御する手段とをもつことを特徴とする光リソグラ
フィ装置。
【請求項７】請求項６記載の光リソグラフィ装置におい
て、該光ファイバーは複数個で、複数個の光ファイバー
の各先端部が２次元的に配置されたことを特徴とする光
リソグラフィ装置。
【請求項８】請求項７記載の光リソグラフィ装置におい
て、該エネルギー線を発生する発生手段は該複数個の光
ファイバーのそれぞれに設けた発光素子と該発光素子に
該パターン情報に対応した駆動信号を加える駆動手段を
設けて構成されたことを特徴とする光リソグラフィ装
置。
【請求項９】請求項７記載の光リソグラフィ装置におい
て、該発生手段は該エネルギー線の透過、非複透過部で
形成されたマスクと、該マスクにエネルギー線を照射す
る光源とからなり、該複数個の光ファイバーの入力端は
該マスクの面に対応して分布して配置され、該複数個の
光ファイバーの先端は該マスクの面の縮小した位置に対
応しかつて分布して配置され、かつ該複数個の光ファイ
バーの相対位置を保持しながら、該マスク及び該基板と
の位置を変える手段を持つことを特徴とする光リソグラ
フィ装置。
【請求項１０】請求項１ないし９記載のいずれかの光リ
ソグラフィ装置において、少なくとも該光ファイバーの
先端部と該基板とを真空又はガス雰囲気中とする手段を
設けたことを特徴とする光リソグラフィ装置。