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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zur Strukturierung dünner Schichten
mittels optischer Lithographie nach dem Oberbegriff des Anspruchs
1. Außerdem
betrifft die Erfindung eine Anordnung zur Durchführung der optischen Lithographie.
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Mikrostrukturen
in dünnen
Schichten spielen in der Halbleitertechnik, Mikrosystemtechnik und Sensortechnik
eine wichtige Rolle. Zur Strukturierung werden häufig photolithographische Verfahren
eingesetzt. Als Photolack bzw. Photoresist haben sich u. a. Polymethylmethacrylate
(PMMA) bewährt.
Im Fall des Positivresists wird die unterschiedliche Löslichkeit
zwischen belichteten und unbelichteten Resists für die Strukturbildung genutzt.
Der belichtete Teil des Resists erfährt durch Umwandlung von unpolaren Gruppen
in polarere Gruppen eine erhöhte
Löslichkeit.
Im Gegensatz dazu wird beim Negativresist eine Reduzierung der Löslichkeit
des belichteten Teils bewirkt. In beiden Fällen werden die Bereiche mit
höherer
Löslichkeit
durch Entwickler herausgelöst.
Die Belichtung des Photoresists mit Licht geschieht üblicherweise über eine
spezielle Maske oder maskenlos mit Elektronenstrahlen im Ultrahochvakuum.
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In
der Literatur werden verschiedene Verfahren und Anordnungen zur
lithographischen Strukturierung beschrieben. In vielen Fällen beziehen
sich die Arbeiten auf die Herstellung geeigneter Masken und auf
eine Verbesserung der chemischen Nachbehandlung zur Herausarbeitung
der Struktur. Die optische Lithographie mittels Maske wird in dem
Journal Vacuum Science Technology B 17 (1999) auf den Seiten 334
bis 344 und im gleichen Journal Bd. 16 (1998) auf den Seiten 3315
bis 3321 beschrieben. Die Herstellung der Maske ist zwar teuer,
jedoch lassen sich damit große
Stückzahlen
strukturierter Schichten schnell und preiswert herstellen. Allerdings
wird die Struktur mit der Maske festgelegt. Eine nachträgliche Variation
der Struktur ist nicht möglich. Zudem
schränken
optische Abbildungsfehler und sehr dicke Schichten die Strukturierung
ein. In dem Journal Micromechanics and Microengineering 13 (2003)
wird auf den Seiten 18 bis 25 ebenfalls ein Verfahren zur maskenlosen
optischen Lithographie mittels eines Arrays sehr kleiner, beweglicher
Spiegel beschrieben. Mit dem Verfahren werden strukturierte Oberfläche hergestellt,
die für
eine nachfolgende Anbindung von Proteinen eingesetzt werden können.
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In
den Schriften
DE 101
20 675 A1 ,
DE
100 54 121 A1 und
DE
101 20 673 A1 werden Verfahren der optischen Lithographie
beschrieben in dem mit speziellen chemischen Modifikationen des
Photolacks eine deutliche Verbesserung der Struktureigenschaften
erzielt werden können.
Die Verfahren nutzen eine Maske zur Belichtung. In der Schrift
DE 100 59 836 A1 wird
ebenfalls ein Verfahren zur Herstellung strukturierter dielektrischer
Schichten beschrieben. Über
eine Maske wird ein Polymer abgeschieden und durch einen nachfolgenden Ätzschritt
wird selektiv das Strukturprofil herausgelöst.
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Die
Strukturierung dünner
Schichten ohne Maske durch einen Elektronenstrahl wird in dem Journal
Microelectronic Engineering 23 (1994) auf den Seiten 287 bis 290
dargestellt. Das Verfahren ist wegen des apparativen Aufwands vergleichsweise teuer
und nur für
kleine Stückzahlen
geeignet. In dem Journal Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
B 161–163
(2000) wird auf den Seiten 83 bis 89 die Herstellung von Strukturen
in dicken Schichten mittels Ionenstrahl lithographie beschrieben.
Ein ähnliches
Verfahren wird in dem Journal Applied Surface Science 55 (1992)
auf den Seiten 105 bis 115 für
die Strukturierung von Polyvinylchlorid und PMMA eingesetzt. Obgleich
die Ionenstrahllithographie ebenfalls ein maskenloses Verfahren
ist, besitzt sie wegen des hohen apparativen Aufwandes und der starken
Wechselwirkungen zwischen dem Ionenstrahl und der zu strukturierenden
Schicht nur begrenzte Anwendbarkeit.
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Aus
der
US 6 569 575 B1 ist
ein Verfahren zur optischen Lithographie bekannt, das zur Verbesserung
der Feinheit der Struktur eine Wellenlänge unterhalb des verwendeten
Lichtes verwendet. Dazu werden spezielle elastomere Masken in denen
die zu erzielende Oberflächenstruktur
aufgeprägt
ist verwendet. Es wird kein Verfahren zur Strukturierung mittels
evaneszenten Feldes bzw. zur Erzielung beliebiger Strukturen beschrieben.
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In
der Schrift
JP 2000-021770
A wird ein Verfahren zur Strukturierung von dünnen Schichten
mittels eines evaneszenten Feldes beschrieben. Für die Einbringung der Struktur
wird ein spezielles optisches Mittel, eine sogenannte Belichtungsmaske
benötigt,
mit der die herzustellende Struktur festlegt wird. Es wird kein
Verfahren und keine Anordnung zur Strukturierung einer beliebigen
Struktur jeweils mit dem gleichen optischen Element beschrieben.
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In
der
US 6 671 034 B1 wird
eine Verfahren zur optischen Lithographie beschrieben, mit dem sich zweidimensionale
Strukturen herstellen lassen. Erforderlich ist ein spezielles optisch
transparentes Mittel (Belichtungsmaske), dass das Licht an die zu strukturierende
Stellen führt.
Wird die zu strukturierende Schicht mit dem optischen Mittel in
Kontakt gebracht oder befinden sie sich in unmittelbarer Nähe dazu,
kann dadurch das sich ausbreitende evaneszente Feld eine Struktur
in die Schicht eingebracht werden. Damit wird eine Verfahren beschrieben,
bei dem die Struktur durch das spezielle optische Mittel festgelegt
ist. In der Schrift werden eine Reihe von Ausführungsbeispielen zur Herstellung
dieses optischen Mittels angegeben.
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Die
US 6 238 826 B1 behandelt
ein Verfahren der optischen Lithographie mittels Belichtung durch
optische Nahfelder. Es wird kein Verfahren zur Strukturierung mittels
evaneszenten Feldes bzw. zur Erzielung beliebiger Strukturen beschrieben.
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In
der
US 2002/0
102 475 A1 wird die Herstellung von photovernetzbaren Filmen
mit einer Schichtdicke behandelt, die im Bereich der Eindringtiefe
des evaneszenten Feldes liegt. Es wird kein Verfahren zur Strukturierung
beschrieben.
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In
der
US 2001/0003042
A1 wird ein Verfahren beschrieben, mit dem sich biochemische
Informationen von Arrays durch das evaneszente Feld von in Lichtwellenleitern
geführtem
Licht lesen lassen. Die Schrift beschreibt kein Verfahren, wie Strukturen
in Arrays hergestellt werden können.
Das evaneszente Feld dient lediglich dem Informationsabgriff und
nicht der Herstellung von Arrays.
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In
der
JP 07-106229 A wird
ebenfalls ein Verfahren zur optischen Lithographie mittels evaneszenter
Felder beschrieben. Das Verfahren nutzt das Nahfeld eines aus einem
sehr feinen Lichtwellenleiter austretenden Lichtes. Strukturen werden
durch ein Führen
des Lichtwellenleiters über
der zu strukturierenden Fläche
erzeugt. Flächenhafte
Strukturen lassen sich nicht durch gleichzeitiges Belichten der
Fläche
erzeugen. Ebenso sind die Dimensionen der Struktur durch die Geometrie
und Durchmesser des Lichtweilenleiters vorgegeben und können nicht
verändert
werden. Die Strukturierung beruht nicht auf dem evaneszenten Feld
von totalreflektiertem Licht.
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Mikrostrukturierte
Schichten, die sich dadurch auszeichnen, dass sehr kleine, meist
nur wenige Mikrometer große
Gräben
oder Poren regelmäßig angeordnet
sind, werden vorzugsweise in der biochemischen Sensorik, der Mikrosystemtechnik
aber auch als Membran zum Trennen von flüssigen oder gasförmigen Gemischen
eingesetzt. Insbesondere für
die Herstellung von Bio-Chips
sind solche regelmäßig strukturierten
Schichten erforderlich. Üblicherweise
werden die biorezeptiven Moleküle
in Form eines Arrays angeordnet. Dadurch erreicht man eine eindeutige
und reproduzierbare Anordnung, die eine exakte Zuordnung der biochemischen
Wechselwirkungen zwischen dem Rezeptor und Analyt gewährleistet.
Für die
arrayhafte Anordnung wurden verschiedene Techniken entwickelt die
zum Teil auch breite Anwendung erfahren haben. Bei dem Spotten werden
viele Moleküle,
z. B. Oligonukleotide und Proteine, auf eine kleine Fläche mit
typischerweise 50–200 μm Durchmesser
auf Substrate aufgedruckt. Für
bestimmte biorezeptive Komponenten ist diese Technik aber nicht
geeignet, da durch den Spotter-Prozess die Funktion oder Aktivität der Biomoleküle beeinträchtigt oder
gänzlich
zerstört
wird. Zu dieser Klasse gehören
z. B. Ionenkanäle.
Ionenkanäle sind
transmembrane Proteine, die ausgelöst durch bestimmte Stoffe oder
Konzentrationen, einen Ionenstrom über die Zellmembran steuern.
Für technische Anwendungen
der Ionenkanäle,
beispielsweise als Sensor, müssen
die Kanäle
von einer Lipiddoppelschicht, ähnlich
wie in ihrer natürlichen
Umgebung der Zellmembran, umgeben sein. Diese Lipiddoppelschicht
wird zweckmäßigerweise
in Poren einer dünnen
Schicht eingespannt. Um die Ausbildung einer stabilen Lipiddoppelschicht
zu gewährleisten,
müssen
die Poren Durchmesser zwischen etwa 1 und 10 μm aufweisen. Für die Herstellung
bieten sich insbesondere sehr dünne
Polymerschichten an, in die sich lithographisch die Strukturen einbringen
lassen. Ein typischer Vertreter ist das PMMA, in das üblicherweise
mittels optischer oder Elektronenstrahllithographie Strukturen eingebracht
werden. Für
die optische Lithographie sind Masken erforderlich die eine Beleuchtung
der nicht abzutragenden Gebiete des Polymers verhindern. Dieses
Verfahren ist in der Durchführung
einfach. Nachteilig sind hingehen die hohen Kosten für die Herstellung
der Maske und die damit verbundene Festlegung auf eine Struktur.
Im Unterschied hierzu bieten maskenlose Verfahren wie die Elektronenstrahllithographie
den Vorteil einer hohen Variabilität. Im Ultrahochvakuum wird
die Polymerschicht mit einem fein fokusierten Elektronenstrahl bestrahlt.
Die Struktur kann durch eine elektromagnetische Ablenkung des Elektronenstrahls
frei gewählt
werden. Nachteilig sind der hohe Aufwand und lange Strukturierungszeiten.
Weiterhin zeigte sich, dass Polymerschichten auf dünnen Metallfilmen
sich mit der Elektronenstrahllithographie nur unzureichend strukturieren
lassen.
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Die
Aufgabe der Erfindung besteht nun darin, ein Verfahren und eine
Anordnung anzugeben, womit die Strukturierung einer Schicht mittels
optischer Lithographie erfolgen kann und sich eine regelmäßige Ausbildung
von Poren und Gräben
in dünnen
Schichten, insbesondere einer dünnen
Polymer- oder Resistschicht, erzeugen lässt.
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Erfindungsgemäß wird die
Aufgabe durch ein Verfahren mit den im Oberbegriff des Anspruchs 1
genannten Merkmalen dadurch gelöst,
dass zur Erhöhung
der Löslichkeit
die dünne
Schicht mit einem optischen Element in Kontakt gebracht wird, in
dem sichtbares oder ultraviolettes Licht mittels periodischer Totalreflexion
oder als einzelne Mode geführt wird,
wobei sich in der dünnen
Schicht strukturgemäß evaneszente
Felder ausbilden, die die dünne
Schicht durchdringen, womit eine auf die Ausdehnung des evaneszenten
Feldes begrenzte erhöhte
Löslichkeit in
der dünnen
Schicht hervorgerufen wird.
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Gemäß dem Verfahren
durchdringt das evaneszente Feld in einem abgegrenzten Bereich das optische
dünnere
Medium. Damit lässt
sich eine maskenlose Strukturierung regelmäßig angeordneter Strukturelemente
wie zum Beispiel Poren und Gräben
in optisch strukturierbaren Schichten erzielen. Voraussetzung ist,
dass die zu strukturierende Schicht sehr dünn ist und unmittelbaren Kontakt
zu dem evaneszenten Feld aufweist. Das evaneszente Feld fällt sehr
stark mit zunehmendem Abstand von der optischen Grenzfläche ab.
Die Eindringtiefe des evaneszenten Feldes ist definiert als der
1/e-Abfall der Feldstärke.
Für kurzwelliges
Licht mit einer Wellenlänge
von 300 nm, nahe dem Grenzwinkel der Totalreflexion beträgt die Eindringtiefe
dein ≈ 260
nm. Damit lassen sich zum Beispiel dünne Polymerfilme strukturieren.
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Die
laterale Ausdehnung (D) des evaneszenten Feldes und damit der Strukturen
lässt sich
je nach Einfallswinkel des Lichtes zwischen 1 und 5 μm wählen.
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Vorteilhaft
wird als optisches Element ein optischer Wellenleiter verwendet,
dessen Orte der Totalreflexion evaneszente Felder in einer Reihe
auf der dünnen
Schicht erzeugen. Bei einer Verwendung von mehreren optischen Wellenleitern
erzeugen die Orte der Totalreflexion evaneszente Felder in einem
Raster auf der dünnen
Schicht.
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Es
kann auch von Vorteil sein, als optisches Element einen optischen
Wellenleiter zu verwenden, der nur eine einzelne Mode führt, so
dass sich um den Wellenleiter kontinuierlich das evaneszente Feld ausbildet
und entlang des Wellenleiters eine durchgehende erhöhte Löslichkeit
erreicht wird. Damit lassen sich Gräben in der dünnen Schicht
erzeugen.
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Als
optisches Element kann auch ein optisches Mittel verwendet werden,
welches nur einen Ort der Totalreflexion aufweist, so dass nur an
einer Stelle die dünne
Schicht von einem evaneszenten Feld durchdrungen wird. Um eine strukturgemäße erhöhte Löslichkeit
in der Schicht zu erzeugen, wird die Schicht mit dem optischen Mittel
abgetastet.
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Die
erhöhte
Löslichkeit
in der Schicht wird durch eine Parameterwahl, bezüglich Wellenlänge und
Intensität
des Lichtes oder durch die Zeit der Beleuchtung beeinflusst.
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Durch
das nachfolgende Herauslösen
der Bereiche mittels chemischer Entwickler wird schließlich die
dreidimensionale Struktur freigelegt.
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Die
Elemente der dreidimensionalen Struktur wie Poren und/oder Gräben weisen
Abmessungen von einigen hundert Nanometern bis wenigen Mikrometern
auf. Der Abstand zwischen den Poren und/oder Gräben liegt zwischen 10 und 500
Mikrometer.
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Vorteilhaft
wird beim in Kontakt bringen der dünnen Schicht mit dem optischen
Wellenleiter die dünne
Schicht durch eine funktionale Schicht und/oder einen Träger gehalten,
so dass die Handhabung der dünnen
Schicht erleichtert wird.
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In
den optischen Wellenleiter wird Licht in Form eines feinen, parallelen
Lichtstrahls eingekoppelt. Vorteilhaft wird von beiden Endflächen des
optischen Wellenleiters gleichzeitig Licht mit dem gleichen oder
einem unterschiedlichen Einkoppelwinkel in den optischen Wellenleiter
eingekoppelt.
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Weiterhin
vorteilhaft wird ein optischer Wellenleiter verwendet, der mit einer
5 bis 20 Nanometer dicken, für
das Licht transparenten Metallschicht überzogen ist.
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Die
Aufgabe der Erfindung wird durch eine Anordnung in Verbindung mit
den im Oberbegriff des Anspruchs 10 genannten Merkmalen dadurch
gelöst, dass
entlang der optisch wirksamen Grenzfläche des optischen Elementes
wenigstens eine Auflagefläche vorgesehen
ist, mit der die dünne
Schicht flächig
kontaktiert wird.
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Als
optisches Element werden optische Wellenleiter in einer Ebene regelmäßig und
fest zu einander angeordnet. In den einzelnen optischen Wellenleitem
kann sichtbares oder ultraviolettes Licht mittels periodischer Totalreflexion
und/oder als einzelne Mode geführt
werden. Damit lassen sich Poren neben Gräben in beliebigen Kombinationen
erzeugen.
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Die
Anordnung der optischen Wellenleiter erfolgt in Abständen von
5 bis 500 μm
unter Ausbildung einer ebenen Oberfläche.
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Von
Vorteil ist die Verwendung des optischen Wellenleiters in Form eines
rechteckigen oder elliptischen Profils, so dass das Licht an den
planen Seiten durch periodische Totalreflexion geführt wird.
Die Wellenleiter bestehen aus hochbrechendem optisch transparentem
Material und sind chemisch und physikalisch beständig.
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Vorteilhaft
ist der Winkel zur Einkopplung des Lichtes in den optischen Wellenleiter
einstellbar, womit die Anzahl der Totalreflexionen und der Abstand zwischen
den Punkten der Totalreflexionen veränderbar ist. Damit lässt sich
beispielsweise der Abstand der Poren in einer Reihe festlegen.
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Bei
einer alternativen Ausgestaltung lassen sich die optischen Wellenleiter
zur Einkopplung des Lichtes einzeln ansteuern. Eine andere Möglichkeit besteht
durch Anordnung von Mitteln zur Einstellung der Abstände zwischen
den Wellenleitern. Auf diese Weise wird beispielsweise der Abstand
zwischen den Reihe festgelegt.
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Für die Herstellung
eines Grabens wird ein optischer Wellenleiter verwendet, der einen
Durchmesser zwischen 10 und 20 μm
aufweist, so dass nur noch eine Mode geführt werden kann und dass sich um
den Wellenleiter ausbreitende evaneszente Feld die dünne Schicht
in der späteren
Form des Grabens durchdringt.
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Von
Vorteil ist es, wenn entlang der Mantelfläche des optischen Wellenleiters
zwei gegenüberliegende
von den Wellenleitem getrennte Auflageflächen zur Kontaktierung mit
jeweils einer dünnen Schicht
vorgesehen sind. Damit lässt
sich die Effektivität
des Verfahrens deutlich steigern.
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Es
ist auf die Verwendung von optischen Elementen möglich, bei denen nur eine Totalreflexion auftritt.
Durch ein Bewegen des optischen Elementes und/oder der Schicht lassen
sich beliebige Strukturen erzielen. Als vorteilhafte Ausführung können optische Objektive
für die
evaneszent Feld Anregung von Fluoreszenzlicht eingesetzt werden.
Der feine Lichtstrahl wird über
eine Linse in den Halbzylinder eingekoppelt. Die Schicht hat unmittelbaren
Kontakt zu der planen Fläche
des Halbzylinders, so dass das evaneszente Feld die Schicht durchdringen
kann.
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Der
Vorteil der Erfindung besteht darin, dass dünne Schichten ohne Maske mittels
optischer Lithographie strukturiert werden können. Ein optisch-abbildendes
System ist nicht erforderlich. Weiterhin ist die Variation der Abstände zwischen
den Strukturelementen einfach und ohne Hilfsmittel wählbar.
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Nachfolgend
wird die Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. In
den Zeichnungen zeigen:
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1 eine
schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Anordnung
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2 einen
Detailausschnitt der Totalreflexion (4) des im Wellenleiter
(1) geführten
Lichtes (3)
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3 eine
schematische Darstellung, wie mit einem unterschiedlichen Einkoppelwinkel
die Abstände
zwischen den Orten der Totalreflexion verändert werden können
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4 eine
erfindungsgemäße Ausführung
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5 eine
erfindungsgemäße Ausführung zur
Herstellung von kanalartigen Strukturen
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6 eine
erfindungsgemäße Ausführung zur
Herstellung beliebiger Strukturen
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In
der 1 ist eine erfindungsgemäße Anordnung schematisch dargestellt,
in der gezeigt wird wie die Wellenleiter 1 zueinander und
zu der Schicht 6 angeordnet sind. Das von der Lichtquelle 8 erzeugte
Licht wird in geeigneter Weise mit Hilfe von Linsen und einer Blende 9 zu
einem feinen, parallelen Lichtstrahl gebündelt und an den Endflächen der
Wellenleiter 1 eingekoppelt. Es ist möglich, gleichzeitig von beiden
Seiten Licht 3 einzukoppeln. Das kann mit dem gleichen
Winkel oder mit unterschiedlichen Winkeln geschehen. Durch den schrägen Anschliff
der Wellenleiter 1 wird der feine Lichtstrahl 3 nahezu senkrecht
eingekoppelt, wodurch nur geringe Verluste durch Reflexion entstehen.
Die Wellenleiter 1 haben eine Dicke von mindestens 0,2
mm, so dass das Licht 3 durch periodische Totalreflexion 4 geführt wird.
Jeder Wellenleiter 1 dient zum Strukturieren einer Zeile
der arrayhaften Mikrostruktur in der Schicht 6.
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2 zeigt
einen Detailausschnitt, der die Totalreflexion des im Wellenleiter 1 geführten Lichtes 3 und
die Ausbildung des evaneszenten Feldes 5 darstellt. Das
Licht 3 trifft unter den Bedingungen der Totalreflexion
mit dem Winkel β auf
die Schicht 6, so dass sich das evaneszente Feld 5 mit
der Strecke D in dieser Schicht ausbreitet. Das evaneszente Feld 5 ist
entlang der Wellenleiteroberfläche
in seiner Ausdehnung begrenzt. Senkrecht zu der optischen Grenzfläche fällt die
Intensität
des Feldes sehr rasch ab. Die zu strukturierende Schicht 6 muss
besser sollte? deshalb so dünn
sein, dass sie vollständig
von dem evaneszenten Feld 5 durchdrungen werden kann.
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3 zeigt
schematisch, wie mit einem unterschiedlichen Einkoppelwinkel die
Anzahl der Totalreflexionen 4 und damit die Abstände der
zur Strukturierung der Schicht 6 erforderlichen evaneszenten Felder 5 verändert werden
können.
Je flacher das geführte
Licht 3 einfällt,
um so weniger Totalreflexionen 5 treten in dem Wellenleiter 1 auf.
Dadurch wird der Abstand zwischen den einzelnen Mikrostrukturen vergrößert. Steilere
Einfallswinkel des geführten Lichtes 3 führen andererseits
zu kürzeren
Abständen zwischen
den Mikrostrukturen. Dies kann auch erreicht werden, indem von beiden
Seiten Licht 3 mit unterschiedlichen Winkeln in die Wellenleiter 1 eingekoppelt
wird.
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4 gibt
eine erfindungsgemäße Ausführung wieder,
wobei optische Fasern als Wellenleiter 1 zusammen mit einer
Matrix 2 zu einer einheitlichen Fläche zusammen gebracht wurden,
mit der sich in der Schicht 6 Arraystrukturen einbringen
lassen. Der Vorteil dieser Anordnung besteht in der einfachen Herstellung.
Dafür können herkömmliche
optische Fasern eingesetzt werden. Die Fasern werden in geeigneter
Weise zusammen gebracht und nachträglich einer Oberflächenbearbeitung
unterzogen. Dadurch entsteht eine einheitliche und ebene Oberfläche, wobei
die Fasern ein elliptisches Querschnittsprofil aufweisen.
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In
der 5 ist eine erfindungsgemäße Ausführung zur Herstellung von kanalartigen
Strukturen dargestellt, wobei die Wellenleiter 1 einen
so kleinen Durchmesser aufweisen, dass nur noch eine Lichtmode geführt. Das
sich um den Wellenleiter ausbreitende evaneszente Feld 5 der
geführten
Mode durchdringt die Schicht 6 in ähnlicher Weise wie bei der
Totalreflexion. Damit lassen sich Kanäle hervorbringen, die der Richtung
der Monomodefaser folgen.
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In
der 6 ist eine erfindungsgemäße Ausführung dargestellt, wobei eine
nur eine Totalreflexion in dem optischen Element auftritt. Das Licht 3 wird als
feiner Strahl über
eine Linse 11 in das den Halbzylinder 10 eingekoppelt.
Der Vorteil dieser Anordnung besteht in der Erzielung einer variablen
Struktur, durch ein Bewegen des optischen Elements über der
Schicht 6. Damit lassen sich sowohl einzelne Poren als
auch Gräben
und Kanäle
hervorbringen.
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- 1
- optischer
Wellenleiter
- 2
- Matrix
- 3
- geführtes Licht
- 4
- Totalreflexion
des Lichtes
- 5
- evaneszentes
Feld
- 6
- dünne Schicht
- 7
- Träger
- 8
- Lichtquelle
- 9
- Blende
- 10
- Halbzylinder
- 11
- Linse