DE10054121A1 - Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht - Google Patents
Verfahren zur Strukturierung einer PhotolackschichtInfo
- Publication number
- DE10054121A1 DE10054121A1 DE10054121A DE10054121A DE10054121A1 DE 10054121 A1 DE10054121 A1 DE 10054121A1 DE 10054121 A DE10054121 A DE 10054121A DE 10054121 A DE10054121 A DE 10054121A DE 10054121 A1 DE10054121 A1 DE 10054121A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- photoresist layer
- base
- groups
- acid
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0395—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zum Strukturieren einer chemisch verstärkten Photolackschicht, in dem eine Photolackschicht vom Typ chemisch verstärkt vor oder nach der Strukturbelichtung mit einer Base in Kontakt gebracht wird, die in die Photolackschicht eindiffundieren kann. Durch diese Basenbehandlung wird in dem anschließenden Entwicklungsschritt eine größere Steilheit und geringere Rauhigkeit der Resistprofile erreicht.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Strukturierung
einer Photolackschicht.
In der Halbleitertechnologie spielen
photolithographische Verfahren zur Erzeugung integrierter
Schaltungen auf einem Halbleitersubstrat eine zentrale Rolle.
Dabei wird eine strahlungsempfindliche Resistschicht auf der
Oberfläche der zu strukturierenden Schicht eines Substrats
aufgebracht und in ausgesuchten Bereichen mit Licht
geeigneter Wellenlängen bestrahlt. Anschließend wird nur der
bestrahlte Bereich der Photoresistschicht durch einen
geeigneten Entwickler von dem Substrat entfernt. Dabei
entspricht das so in der Photoresistschicht erzeugte Muster
dem Muster, das in einem weiteren Prozessschritt, z. B. einer
Ätzung oder einer Ionenimplantation, in die unter der
Photoresistschicht liegende, zu strukturierende
Substratschicht übertragen werden soll. In diesem
anschließenden Prozessschritt dient die entwickelte
Photoresistschicht somit als Maske, die eine
Materialveränderung, z. B. einen Materialabtrag, in den durch
sie abgedeckten Bereichen der Substratschicht verhindert.
Nach dem strukturierenden Prozessschritt wird die
Photoresistmaske wieder entfernt, die somit nicht Bestandteil
der integrierten Schaltung wird.
Als Photolacke bzw. Photoresists hat sich dabei die
Klasse der chemisch verstärkten Resists (chemical
amplification resist; CAR) besonders bewährt. Chemisch
verstärkte Resists sind dadurch charakterisiert, dass sie
einen Photosäuregenerator, d. h. eine photosensitive
Verbindung, beinhalten, der bei Bestrahlung mit Licht eine
Protonensäure generiert. Diese Protonensäure löst dann,
gegebenenfalls unter thermischer Behandlung des Resists,
säure-katalysierte Reaktionen in dem Basispolymer des Resists
aus. Durch die Präsenz des Photosäuregenerators wird die
Sensitivität des Photoresists, verglichen mit konventionellem
Photoresist, wesentlich erhöht. Eine Übersicht zu diesem Thema
gibt H. Ito in "Solid State Technology", Juli 1996, S. 164 ff.
Das Prinzip der chemischen Verstärkung hat sowohl bei
den naß entwickelbaren Einlagenresists als auch bei den ganz
oder teilweise trocken entwickelbaren Zweilagenresistsystemen
breite Anwendung gefunden. Im Falle der Positivresists wird
die unterschiedliche Löslichkeit des belichteten und des
unbelichteten Photoresists mittels des Prinzips der
säurekatalysierten Spaltung bewerkstelligt. Dabei wird aus
einer unpolaren, chemischen Gruppe des schichtbildenden
Polymers, z. B. einer Carbonsäure-tert.-butylestergruppe, in
Gegenwart einer photolytisch erzeugten Säure, gegebenenfalls
in einem Heizschritt, eine polare Carbonsäuregruppe gebildet.
Weitere Beispiele für unpolare, "blockierte" Gruppen, die
durch säurekatalysierte Reaktion in korrespondierende, polare
Gruppen umgewandelt werden können, sind die tert.-
Butoxycarbonyloxy(tBOC)- oder Acetalgruppen. Durch die
Umwandlung der unpolaren Gruppe in die korrespondierende,
polare Gruppe erfährt der Resist in den zuvor bestrahlten
Bereichen eine Änderung in der Polarität, wodurch diese in
dem polaren, wässrig-alkalischen Entwickler löslich werden.
Dadurch können die belichteten Bereiche des Photoresists
selektiv durch den Entwickler entfernt werden. Die Lackreste
in den unbelichteten, unpolaren Bereichen definieren somit
geometrisch ein Resistprofil bzw. eine Resiststruktur auf dem
Substrat, das in folgenden Prozessschritten als Maske zur
Oberflächenstrukturierung dient.
Aufgrund der immer höher werdenden Integrationsdichte in
der Halbleitertechnologie ist die Genauigkeit, mit der das
Resistprofil nach der Entwicklung auf einer zu
strukturierenden Oberfläche erzeugt werden kann, von
entscheidender Bedeutung. Das Resistprofil wird zum einen
während der Belichtung durch die Lichtverteilung physikalisch
eindeutig vordefiniert. Zum anderen wird es durch die
Verteilung der durch die Belichtung photochemisch erzeugten
Komponenten chemisch in die Resistschicht übertragen.
Aufgrund der physikalisch chemischen Eigenschaften der
Resistmaterialien ist eine völlig unverfälschte Übertragung
des durch die Lithographiemaske vorgegebenen Musters zum
Resistprofil jedoch nicht eindeutig möglich. Hier spielen
insbesondere Interferenzeffekte und Lichtstreuung in dem
Photoresist eine große Rolle. Aber auch die der Belichtung
folgenden Schritte, wie z. B. die Entwicklung, haben
zusätzlich einen großen Einfluß auf die Qualität der
Resistprofile. Die Qualität der Resistprofile wird wesentlich
durch die Profilflanken bestimmt. Um in den nachfolgenden
Prozeßschritten eine möglichst präzise
Oberflächenstrukturierung zu erzielen, wäre es ideal, wenn
nach der Entwicklung des Photoresists nahezu senkrechte,
glatte Profilflanken im Resistprofil erhalten werden könnten.
Negativ auf die zu erreichende Steilheit der
Profilflanken wirkt sich das bei der Belichtung im Photolack
einstellende Lichtintensitätsprofil aus. Dieses
charakteristische Intensitätsprofil, das auch "areal image"
genannt wird, ist auf die im Lack bei der Belichtung
auftretende Lichtstreuung und Lichtabsorption zurückzuführen.
Da der Photolack einen gewissen Anteil der einfallenden
Strahlung absorbiert, nimmt die beobachtete
Strahlungsintesität mit zunehmender Schichtdicke im Photolack
ab. Folglich sind die oberflächennahen Bereiche der
Photoresistschicht stärker belichtet. Im Falle eines
Positivresists sind somit die oberflächennahen Bereiche
stärker löslich als die oberflächenfernen Bereiche. Die
unterschiedliche Löslichkeit innerhalb eines belichteten
Bereichs des Resists führt bei Positivresists oft zu einer
Abflachung und nur unscharfen Definition der Profilflanken.
Das Lichtintensitätsprofil im Photolack beschreibt die
Verteilung einer photochemisch verändeten Spezies, z. B. bei
einem Positivresist die Verteilung der photolytisch erzeugten
Säure im Photolack.
Für den Strukturtransfer von der Photomaske in die
darunterliegende, zu strukturierende Schicht ist die Qualität
und die Steilheit der Resistprofile von entscheidender
Bedeutung. Ein bekannter Lösungsansatz, um die Qualität von
Resistprofilen in Positivresists zu verbessern, ist in der
europäischen Patentanmeldung EP-0,962,825 beschrieben. Dort
wird eine verbesserte Steilheit der Resistflanken dadurch
erreicht, dass dem Photoresist zwei photochemisch aktive
Additive zugesetzt werden, die durch Strahlung in jeweils
unterschiedlichen Wellenlängenbereichen aktiviert werden.
Zum einen enthält der Photoresist einen
Photosäuregenerator, der, wie oben bereits beschrieben, bei
Bestrahlung mit Licht eines definierten Wellenlängenbereichs
eine Säure freisetzt, die dann die Reaktion der umwandelbaren,
unpolaren Gruppen des schichtbildenenden Polymers des
Photoresists zu Carbonsäuregruppen katalysiert und somit die
Löslichkeit des Photoresists in dem polaren Entwickler
bewirkt.
Zum anderen enthält der Photoreist als zweites,
photochemisches Additiv ein Quervernetzungsreagenz, das eine
Erniedrigung der Löslichkeit des Photoresist bewirkt. Dieses
Quervernetzungsreagenz wird ebenfalls durch Strahlung
aktiviert, wobei die dazu verwendete Strahlung von der zur
Aktivierung des Photosäuregenerators verwendeten Strahlung
verschieden ist.
In einem ersten Strukturierungsbelichtungschritt wird in
diesem Verfahren der Photosäuregenerator in den durch das
Maskenlayout festgelegten Bereichen aktiviert. In einem
anschließenden, zweiten Flutbelichtungsschritt wird die
gesamte Photoresistschicht ohne Verwendung einer Photomaske
belichtet und somit das Quervernetzungsreagenz über die
gesamte Fläche der Photoresistschicht photochemisch
aktiviert. Durch die damit ausgelöste, chemische
Quervernetzung des Photoresists wird dessen Löslichkeit
reduziert. Da die oberflächennahen Bereiche des Photoresists
stärker belichtet werden, sind diese stärker quervenetzt und
damit unlöslicher als die oberflächenfernen Bereiche. Durch
diese selektive Löslichkeitsmodifikation in dem Photoreist
wird eine erhöhte Entwicklerselektivität im wäßrigen
Entwickler erreicht, wodurch steilere Resistprofilflanken
erreicht werden.
Allerdings weist dieser Lösungsansatz einen
entscheidenden Nachteil auf, da die Quervernetzungsreaktion
zur Bildung eines dreidimensionalen Netzpolymers insbesondere
in den oberflächennahen Bereichen des Photoresists führt.
Dieses Netzpolymer weist ein gegenüber dem ursprünglichen,
linearen, schichtbildenden Polymer ein verändertes
Entwicklungsverhalten auf, was zu "rauhen", d. h. ungenau
definierten, z. B. ausgefransten Profilflanken führt. Diese
Rauhigkeit erschwert die nachfolgenden Prozessschritte, wie
z. B. die Substratätzung. Darüber hinaus erfordert dieses
Verfahren den Einsatz zweier unterschiedlicher, photochemisch
aktiver Verbindungen, die sowohl aufeinander als auch auf das
Basispolymer abgestimmt werden müssen.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe
zugrunde, ein Verfahren zur Strukturierung einer
Photolackschicht bereitzustellen, welches die oben
beschriebenen Nachteile verringert bzw. ganz vermeidet.
Insbesondere ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
ein Verfahren bereitzustellen, mit dem eine hohe
Übertragungsgenauigkeit der durch die Lithographiemaske
vorgegeben Struktur in eine Photolackschicht erreicht wird.
Diese Aufgabe wird von dem Verfahren zur Strukturierun
einer Photolackschicht gemäß dem Patentanspruch 1 gelöst.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen, Ausgestaltungen und
Aspekte der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den
abhängigen Patentansprüchen und der Beschreibung.
Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zum Strukturieren
einer Photolackschicht bereitgestellt, das die folgenden
Schritte umfaßt: Ein Substrat wird bereitgestellt, auf dem
zumindest in Teilbereichen eine Photolackschicht aufgebracht
ist. Die Photolackschicht umfaßt ein filmbildendes Polymer,
das Molekülgruppen aufweist, die durch sauer katalysierte
Abspaltungsreaktionen in alkalilösliche Gruppen überführt
werden können. Weiterhin umfaßt das Polymer einen
Photosäuregenerator, der bei Bestrahlung mit Licht aus einem
definierten Wellenlängenbereich eine Säure freisetzt. Die
Photolackschicht wird in Teilbereichen mit Licht aus dem
definierten Wellenbereich bestrahlt und über einen bestimmten
Zeitraum mit einer in der Photolackschicht löslichen Base in
Kontakt gebracht. Dabei ist es unerheblich, ob die
Photolackschicht nach der Bestrahlung mit der Base in Kontakt
gebracht wird, oder ob dies vor der Bestrahlung erfolgt.
Anschließend wird die Photolackschicht auf eine Temperatur
erhitzt, bei der die durch die photolytisch erzeugte Säure
katalysierte Abspaltungsreaktion erfolgt. Anschließend wird
die Photolackschicht entwickelt.
Der Begriff "alkalilösliche Gruppen" umfaßt im Rahmen
dieser Erfindung alle Gruppen, welche die Löslichkeit des
filmbildenden Polymers in alkalischen Lösungen erhöht. Unter
diesen Begriff fallen somit insbesondere polare, funktionelle
Gruppen, wie z. B. Carboxyl-, Hydroxyl- und Carboxamidgruppen
oder Gruppen, die diese funktionellen Gruppen aufweisen.
Weiterhin sind unter diesem Begriff solche Gruppen zu
verstehen, die nicht nur zu einer erhöhten Alkalilöslichkeit
des Polymers beitragen, sondern auch solche, die zusätzlich
noch die Transparenz des Polymers - und damit der
Photolackschicht - für Licht mit sehr kurzen Wellenlängen
erhöhen. Dies kann dadurch erreicht werden, das diese Gruppen
teilweise oder ganz fluoriert sind. Eine geeignete Gruppe ist
z. B. die 1,1,1,3,3,3,-Hexafluoro-2-hydroxyisopropylgruppe,
durch die die Transparenz des Polymers bei einer Wellenlänge
von 157 nm erhöht wird.
Unter Molekülgruppen, die durch sauer katalysierte
Abspaltungsreaktionen in alkalilöslichen Gruppen überführt
werden können, sind säurelabile Gruppen zu verstehen, die
eine nur geringe Alkalilöslichkeit besitzen und durch die
katalytische Einwirkung von Säuren, gegebenenfalls bei
gleichzeitiger Temperaturbehandlung, ein Molekülfragment
abspalten, wobei die alkalilöslichen Gruppen am oder in dem
Polymer freigesetzt werden. Unter diesen Begriff fallen somit
säurelabile Schutzgruppen, wie sie regelmäßig bei
Posistivresists zum Einsatz kommen. Dabei können alle
gängigen, säurelabilen Schutzgruppen zum Einsatz kommen, wie
z. B. Estergruppen, Ethergruppen, cyclische oder acyclische
Acetalgruppen, cyclische oder acyclische Ketalgruppen,
Silylether oder auch Cyanhydrine. Beispiele geeigneter
Schutzgruppen sind z. B. in den US-Patentschriften 5,932,391
oder 6,114,086 aufgeführt.
Besonders bevorzugte Molekülgruppen in der vorliegenden
Erfindung sind Ethergruppen, ausgewählt aus der Gruppe,
bestehend aus tert.-Alkylethern, insbesondere tert.-
Butylether, Tetrahydrofuranylether und/oder
Tetrahydropyranylether. Weiterhin bevorzugt ist die
Verwendung von Carboxylsäureestern, ausgewählt aus der Gruppe,
bestehend aus tert.-Alkylcarbonsäureestern, insbesondere
tert.-Butylcarbonsäureester,
Tetrahydrofuranylcarbonsäureester und/oder
Tetrahydropyranylcarbonsäureester.
Ebenfalls bevorzugt ist die Verwendung von Polymeren,
umfassend Molekülgruppen gemäß Formel II:
wobei R1 ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus
tert.-Alkyl-, insbesondere tert.-Butyl-, Tetrahydrofuranyl-,
Tetrahydropyranyl-, tert.-Butoxycarbonyloxy- oder
Acetalgruppen.
In einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform des
erfindungsgemäßen Verfahrens sind sind die Molekülgruppen in
dem Polymer, welche die sauer katalysierten
Abspaltungsreaktionen eingehen können, Gruppen mit der
Struktur gemäß Formel III, IV oder V:
wobei R1, R2 und R3 unabhängig voneinander ausgewählt
sind aus der Gruppe, umfassend Methyl, Ethyl, Propyl und
Butyl, und vorzugsweise R1, R2 und R3 Methyl sind.
Neben den säurelabilen Gruppen können weitere Gruppen im
Polymer vorhanden sein, die die lithographischen
Eigenschaften oder die Ätzresistenz des Photolacks
verbessern. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung weist das Polymer zusätzlich noch
weitere, reaktive Gruppen, wie z. B. Anhydrid- oder
Succinanhydridgruppen auf. Diese reaktiven Gruppen
ermöglichen eine nachträgliche, chemische Behandlung der
Resiststrukturen.
Für die vorliegende Erfindung ist die Natur der
Hauptkette des filmbildenden Polymers von geringer Bedeutung.
In Frage kommen somit alle regelmäßig in Photoresists zum
Einsatz kommenden Polymertypen. Geeignet sind z. B. Polymere
mit reinen Kohlenstoffhauptketten, die z. B. durch
Polymerisation von ungesättigten Monomeren, wie Styrolen,
Acrylaten oder Methacrylaten, erhalten werden können.
Ebenfalls geeignet sind Polymere mit Heteroatomen in den
Hauptketten, wie z. B. Polysiloxane, Polyether oder Polyester.
Die Hauptkette kann dabei zur Verbesserung der Transparenz
des Polymers bei niedrigen Wellenlängen teilweise oder ganz
aus fluorierten Bausteinen aufgebaut sein.
In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung
wird die Photolackschicht dadurch auf dem Substrat
aufgebracht, das eine Lösung, umfassend ein Lösungsmittel, das
filmbildende Polymer und den Photosäuregenerator auf das
Substrat aufgetragen wird und anschließend das Lösungsmittel
zumindest teilweise verdampft wird. In einer besonders
bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens
wird die Photolackschicht auf das Substrat aufgeschleudert.
Als Lösemittel können alle gängigen Photolacklösemittel oder
deren Gemische verwendet werden, die in der Lage sind, die
Resistkomponenten in einer klaren, partikelfreien und
lagerstabilen Lösung aufzunehmen und bei der Beschichtung des
Substrats eine gute Schichtqualität zu gewährleisten.
Besonders bevorzugt für das erfindungsgemäße Verfahren sind
Lösemittel, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus 1-Methoxy-
2-propylacetat, Cyclopentanon, Cyclohexanon, Butyrolacton,
Ethylacetat oder Mischungen aus mindestens zwei der
vorgenannten Lösemittel. Besonders bevorzugt ist 1-Methoxy-2-
propylacetat als Lösemittel.
Das Lösemittel wird vorzugsweise bei Temperaturen
zwischen 60 bis 160°C verdampft. In diesem sogenannten
"Prebake"-Heizschritt wird das Lösemittel vorzugsweise
vollständig aus dem Photolack getrieben.
Zum Aufbringen der Photolackschicht auf das Substrat
werden in vorteilhaften Varianten der vorliegenden Erfindung
Lösungen verwendet, die 1 bis 50 Gew.-%, vorzugsweise 3 bis
20 Gew.-% filmbildendes Polymer, 0,01 bis 10 Gew.-%,
vorzugsweise 0,1 bis 1% Photosäuregenerator und 50 bis 99 Gew.-%,
vorzugsweise 88 bis 96 Gew.-% Lösemittel umfassen.
Als weitere Komponenten kann die Lösung weitere Additive
enthalten, mit denen regelmäßig in Photolackschichten, bzw.
deren Lösungen, eine Verbesserung der Lagerstabilität, des
Standzeitverhaltens, der Filmbildung, der Auflösung, der
Strahlungsempfindlichkeit oder anderer produkt- oder
prozessverbessernder Eigenschaften erreicht werden kann.
Entscheidend für das erfindungsgemäße Verfahren ist,
dass die Photolackschicht vor dem Entwickeln und
gegebenenfalls vor einem zusätzlichen Heizschritt, in dem die
photolytisch erzeugte Säure die Abspaltungsreaktion auslöst,
mit einer Base über einen bestimmten Zeitraum in Kontakt
gebracht wird. Prinzipiell kann jede Methode des in Kontakt
Bringens verwendet werden, bei der das Eindiffundieren der
Base in die Photolackschicht ermöglicht wird. Beispielsweise
kann die Photolackschicht einem basenhaltigen Gas ausgesetzt
werden. Dabei kann das Gas nur aus der Base selbst bestehen
oder zusammen mit einem inerten Trägergas verwendet werden.
Zum Beispiel kann als Trägergas ein Edelgas, z. B. Helium oder
Argon, oder Stickstoff verwendet werden. In einer bevorzugten
Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die
Photolackschicht mit einer Flüssigkeit benetzt, die die Base
umfaßt. Dabei kann die Flüssigkeit die Base selbst oder eine
Lösung der Base in einem oder mehreren Lösemitteln sein.
Dabei kommen als Base all jene Verbindungen in Betracht, die
in die jeweils verwendete Photolackschicht eindiffundieren
können, d. h. in dieser löslich sind, und die photolytisch
erzeugte Säure neutralisieren können. Vorzugsweise sind das
solche Basen, die in dem Resistlösemittel löslich sind.
Besonders bevorzugt ist die Verwendung von flüssigen Basen
ohne zusätzliche Lösemittel. Hierbei sind als Basen
insbesondere primäre, sekundäre oder tertiäre Amine
bevorzugt, wobei sowohl Mono-, Di-, Tri- oder Polyamine
eingesetzt werden können. Die Amine können dabei
substituierte oder unsubstituierte, aliphatische oder cyclische
Alkyl- oder Aralkylgruppen, Aryl- oder Silylgruppen als
Substituenten tragen. Ebenso können substituierte oder
unsubstituierte, cyclische oder heterocyclische Amine zum
Einsatz kommen. Besonders bevorzugt für das erfindungsgemäße
Verfahren ist die Verwendung einer oder mehrerer Basen,
ausgewählt aus der Gruppe, umfassend Hexylamin, Tripentylamin,
1,5-Diaminopentan, N-Methyl-2-pyrrolidon und/oder
1,1,1,3,3,3-Hexamethyldisilazan.
Wenn die Base flüssigkeitsgetragen mit der
Photolackschicht in Kontakt gebracht wird, dann kann in einer
weiteren, bevorzugten Variante des erfindungsgemäßen
Verfahrens als Base ein Salz mit der allgemeinen Struktur
gemäß Formel I verwendet werden:
wobei R1, R2, R3 und R4 unabhängig voneinander aus der Gruppe,
umfassend Wasserstoff, Methyl, Ethyl, Propyl und Butyl
ausgewählt sind. Besonders bevorzugt ist hier die Verwendung
von Tetramethylammoniumhydroxid als Base. Die Ammoniumbasen
Basen werden vorzugsweise zusammen mit einem ausreichend
polaren Lösemittel, insbesondere Wasser, eingesetzt.
Durch die Diffusion der Base in die Photolackschicht
reichert sich die Base in den oberflächennahen Bereichen der
Photolackschicht an. Die Photolackschicht weist somit über
ihre Dicke hinweg einen Konzentrationsgradient an Base auf,
wobei die Konzentration der Base mit zunehmender Schichttiefe
abnimmt. Der Zeitraum, über den hinweg die Photolackschicht
mit der Base in Kontakt gehalten wird, ist dabei so zu
wählen, dass die photolytisch erzeugte oder erst noch zu
erzeugende Säure durch die Base zumindest teilweise, aber
nicht vollständig neutralisiert wird. Eine Restlöslichkeit
der belichteteten, oberflächennahen Bereiche des Photoresists
gegenüber dem Entwickler muß noch gegeben sein. Die Base
wirkt somit dem durch das Absorptionsvermögen des Photolacks
verursachten Säuregradienten in der Photolackschicht
entgegen. In den oberflächennahen Bereichen der
Photolackschicht wird der Überschuß an Säure durch die Base
neutralisiert.
Durch diese selektive Neutralisationsreaktion wird für
Positivresists das latente Bild in der noch nicht
entwickelten Photolackschicht verbessert, d. h. die Verteilung
der photochemisch erzeugten Säure entlang der
Belichtungskanten wird aufgesteilt. Dadurch wird nach dem
Entwickeln zum einen eine deutliche Aufsteilung der
Resistprofile erreicht; zum anderen wird die "Rauhigkeit" der
Reisitflanken, wie sie bei der zusätzlichen Quervernetzung
der oberflächennahen Bereiche von Negativresists nach dem
Entwickeln beobachtet wird, vermieden.
In einer bevorzugten Ausführungsform des
erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Photolackschicht nach
der Belichtung und Basenbehandlung einem Heizschritt
unterzogen, bei dem die Photolackschicht auf eine Temperatur
erhitzt wird, bei der die durch die photolytisch erzeugte
Säure katalysierte Abspaltungsreaktion erfolgt. Vorzugsweise
wird die Photolackschicht auf eine Temperatur von 80 bis 250°C
erhitzt. Bei diesem Heizschritt kann die freigesetzte
Säure mit den säurelabilen Molekülgruppen in dem
filmbildenden Polymer reagieren und dadurch die
alkalilöslichen Gruppen an dem Polymer freisetzen. Dadurch
nimmt die Löslichkeit des Polmers gegenüber alkalischen
Lösungen zu.
Zum Aktivieren des Photosäuregenerators wird die
Photolackschicht in dem erfindungsgemäßen Verfahren
vorzugsweise mit Licht mit einer Wellenlänge zwischen 150 bis
300 nm bestrahlt. Mit dieser DUV- bzw. VUV-Strahlung (deep-
ultra-violet bzw. vacuum-ultra-violet) können besonders feine
Strukturen in der Photolackschicht erzeugt werden. Alternativ
kann aber auch längerwelliges Licht eingesetzt werden, z. B.
mit einer Wellenlänge von 300 bis 450 nm, vorzugsweise 350
bis 450 nm (near-ultra-violet). In beiden Fällen ist es
besonders bevorzugt, daß das Polymer eine der Bestrahlung
zwischen 150 und 450 nm angepaßte Absorption aufweist, so daß
der Photosäuregenerator photochemisch aktiviert werden kann.
Als Photosäuregeneratoren können prinzipiell alle
Verbindungen eingesetzt werden, die bei Bestrahlung eine
Säure freisetzten können. Dabei ist in vorteilhaften
Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens die
Verwendung von Photosäuregeneratoren, ausgewählt aus der
Gruppe, umfassend Oniumverbindungen, insbesondere
Diphenyliodoniumtriflat und Trisulfoniumnonasulfat,
Nitrobenzylester, insbesondere 4-Nitrobenzyl-9,10-
dimethoxyantracen-2-sulfonat, Sulfone, insbesondere
Phenylacylphenylsulfon, Phosphate, insbesondere
Triarylphosphate, N-Hydroxyimidsulfonate, insbesondere N-
Hydroxyphthalimidmethansulfonat und/oder Diazonaphthochinone,
insbesondere 1-Oxo-2-Diazonaphthochinon-5-Arylsulfonat,
bevorzugt. Weitere, geeignete Photosäuregeneratoren sind in
der deutschen Patentanmeldung mit der Anmeldenummer
198 20 477.9 veröffentlicht.
Zum Entwickeln der belichteten Photolackschicht werden
vorzugsweise alkalische Lösungen verwendet. Als Lösemittel
kommt hier vorzugsweise Wasser zum Einsatz. In einer
besonders vorteilhaften Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens wird als Entwicklerlösung eine Lösung von 2,38 Gew.-%
Tetramethylammoniumhydroxid in Wasser verwendet.
Im folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand
eines schematischen Ausführungsbeispieles verdeutlicht.
Die Photolackschicht vom Typ chemisch verstärkt wird auf
das zu strukturierende Substrat aufgeschleudert und in einem
nachfolgenden Heizschritt (zwischen 60 und 160°C), bei dem
das Lösemittel verdampfen kann, getrocknet. In der so
erhaltenen, festen Photolackschicht wird anschließend durch
Bestrahlung der Photolackschicht mit Licht einer definierten
Wellenlänge ein latentes Bild erzeugt. Die Strukturbelichtung
erfolgt bei einer Wellenlänge von 248 nm durch eine
Lithographiemaske.
Durch diese Belichtung wird die Säure aus dem
Photosäuregenerator freigesetzt. Aufgrund der
absorptionsbedingten Abschwächung der Lichtintensität
innerhalb der Photolackschicht entsteht die unerwünschte
Säureverteilung innerhalb der Lackschicht. D. h. die
Konzentration der Säure nimmt mit zunehmendem Abstand zur
Oberfläche der Photolackschicht kontinuierlich ab.
Um dem entgegenzuwirken, wird die Photolackschicht
anschließend mit einer basischen Flüssigkeit benetzt, wobei
die Base in die Photolackschicht einzudiffundieren beginnt.
Dadurch stellt sich innerhalb der Photolackschicht ein
Basengradient ein, bei dem die Konzentration der Base zur
Oberfläche der Photolackschicht hin zunimmt. Als Folge dessen
wird die photolytisch freigesetzte Säure in oberflächennahen
Bereichen der Photolackschicht zu einem größeren Anteil
neutralisiert, als in den tieferliegenden Bereichen dieser
Schicht.
Im folgenden Heizschritt, dem sogenannten "Post-
Exposure-Bake, PEB" dessen Temperatur über der des ersten
Heizschrittes liegt (80 bis 250°C), werden einerseits durch
die bei der Strukturbelichtung erzeugte Säure die
funktionellen Schutzgruppen in dem filmbildenden Polymer
gespalten; andererseits wird die Säure durch die Base
neutralisiert. Zusätzlich wird durch den Heizschritt die
Diffusion der Base in die Polymerschicht erleichtert.
In den belichteten Bereichen wird der Resist somit gegenüber
dem alkalischen Entwickler löslich. Anschließend wird die
Photolackschicht z. B. mit einer 2,38 Gew.-%-igen, wässrigen
Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung behandelt, wodurch die
belichteten Bereiche der Photolackschicht gelöst und entfernt
werden. Dadurch wird ein positives Reliefmuster in der
Photolackschicht erzeugt. D. h., die belichteten Bereiche der
Photolackmaske werden entfernt, während die unbelichteten
Bereiche zurückbleiben und in einem folgenden
Strukturierungschritt als schützende Maske dienen können.
Claims (22)
1. Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht,
umfassend die Schritte:
- a) ein Substrat wird bereitgestellt, auf dem zumindest in
Teilbereichen eine Photolackschicht aufgebracht ist, wobei
die Photolackschicht
- a) ein filmbildendes Polymer, das Molekülgruppen umfaßt, die durch sauer katalysierte Abspaltungsreaktionen in alkalilösliche Gruppen überführt werden können, und
- b) einen Photosäuregenerator, der bei Bestrahlung mit Licht aus einem definierten Wellenlängenbereich eine Säure freisetzt, umfaßt,
- b) die Photolackschicht wird in Teilbereichen mit Licht aus dem definierten Wellenbereich bestrahlt,
- c) die Photolackschicht wird über einen bestimmten Zeitraum mit einer Base in Kontakt gebracht, wobei die Base in die Photolacklackschicht diffundiert,
- d) die Photolackschicht wird auf eine Temperatur erhitzt, bei der die durch die photolytisch erzeugte Säure katalysierte Abspaltungsreaktion erfolgt,
- e) die Photolackschicht wird entwickelt.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß das
die Photolackschicht zum in Kontakt Bringen mit der Base
mit einer Flüssigkeit überschichtet wird, die die Base
umfaßt.
3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Photolackschicht zum in Kontakt Bringen einem Gas
ausgesetzt wird, das die Base umfaßt.
4. Verfahren gemäß Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß das
Gas ein inertes Trägergas, ausgewählt aus der Gruppe,
bestehend aus Edelgasen, insbesondere Helium oder Argon,
und Stickstoff, umfaßt.
5. Verfahren gemäß Anspruch 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Base ausgewählt ist aus der Gruppe der Amine, vorzugsweise
aus der Gruppe umfassend Hexylamin, Tripentylamin, 1,5-
Diaminopentan, N-Methyl-2-pyrrolidon und/oder 1,1,1,3,3,3-
Hexamethyldisilazan.
6. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß als
Base ein Salz mit der allgemeinen Struktur gemäß Formel I
verwendet wird:
wobei R1, R2, R3 und R4 unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe, umfassend Wasserstoff, Methyl, Ethyl, Propyl und Butyl.
wobei R1, R2, R3 und R4 unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe, umfassend Wasserstoff, Methyl, Ethyl, Propyl und Butyl.
7. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß als
Base Tetramethylammoniumhydroxid verwendet wird.
8. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Photolackschicht in Schritt d) auf eine Temperatur
zwischen 80 bis 250°C erhitzt wird.
9. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Säure aus dem Photosäuregenerator durch Bestrahlung der
Photolackschicht mit UV-Licht einer Wellelänge zwischen
150 bis 300 nm freigesetzt wird.
10. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Säure aus dem Photosäuregenerator durch Bestrahlung der
Photolackschicht mit UV-Licht einer Wellelänge zwischen
300 bis 450 nm, vorzugsweise 350 bis 450 nm, freigesetzt
wird.
11. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das
Polymer im Wellenlängenbereich zwischen 150 bis 450 nm
eine angepaßte Absorption aufweist, so daß der
Photosäuregenerator photochemisch aktiviert werden kann.
12. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der
Photosäuregenerator ausgewählt ist aus der Gruppe,
umfassend Oniumverbindungen, insbesondere
Diphenyliodoniumtriflat und Trisulfoniumnonasulfat,
Nitrobenzylester, insbesondere 4-Nitrobenzyl-9,10-
dimethoxyantracen-2-sulfonat, Sulfone, insbesondere
Phenylacylphenylsulfon, Phosphate, insbesondere
Triarylphosphate, N-Hydroxyimidsulfonate, insbesondere N-
Hydroxyphthalimidmethansulfonat und/oder
Diazonaphthochinone, insbesondere 1-Oxo-2-
Diazonaphthochinon-5-Arylsulfonat.
13. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Molekülgruppen in dem Polymer, welche die sauer
katalysierten Abspaltungsreaktionen eingehen können,
Carboxylsäureester sind, ausgewählt aus der Gruppe,
bestehend aus tert.-Alkylcarbonsäureestern,
Tetrahydrofuranylcarbonsäureester und/oder
Tetrahydropyranylcarbonsäureester.
14. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche 1 bis 12,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Molekülgruppen in dem Polymer, welche die sauer
katalysierten Abspaltungsreaktionen eingehen können,
Ethergruppen sind, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus
tert.-Alkylether, insbesondere tert.-Butylether,
Tetrahydrofuranylether und/oder Tetrahydropyranylether.
15. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche 1 bis 12,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Molekülgruppen in dem Polymer, welche die sauer
katalysierten Abspaltungsreaktionen eingehen können,
cyclische oder acyclische Ketale oder cyclische oder
acyclische Acetale sind.
16. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche 1 bis 12,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Molekülgruppen in dem Polymer, welche die sauer
katalysierten Abspaltungsreaktionen eingehen können,
Gruppen mit der Struktur gemäß Formel II sind:
wobei R1 ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus tert.-Alkyl-, insbesondere tert.-Butyl-, Tetrahydrofuranyl-, Tetrahydropyranyl-, tert.- Butoxycarbonyloxy- oder Acetalgruppen oder
Gruppen mit der Struktur gemäß Formel III, IV oder V sind:
wobei R1, R2 und R3 unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe, umfassend Methyl, Ethyl, Propyl und Butyl, und vorzugsweise R1, R2 und R3 Methyl sind.
wobei R1 ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus tert.-Alkyl-, insbesondere tert.-Butyl-, Tetrahydrofuranyl-, Tetrahydropyranyl-, tert.- Butoxycarbonyloxy- oder Acetalgruppen oder
Gruppen mit der Struktur gemäß Formel III, IV oder V sind:
wobei R1, R2 und R3 unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe, umfassend Methyl, Ethyl, Propyl und Butyl, und vorzugsweise R1, R2 und R3 Methyl sind.
17. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das
filmbildende Polymer Anhydrid- oder
Succinanhydridstrukturen enthält.
18. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das
Aufbringen der Photolackschicht auf dem Substrat dadurch
erfolgt, daß eine Lösung, umfassend ein Lösemittel, das
filmbildende Polymer und den Photosäuregenerator auf das
Substrat aufgebracht wird und anschließend das Lösemittel
zumindest teilweise verdampft wird.
19. Verfahren gemäß Anspruch 18,
dadurch gekennzeichnet, daß das
Lösemittel ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus 1-
Methoxy-2-propylacetat, Cyclopentanon, Cyclohexanon,
Butyrolacton, Ethylacetat oder aus Mischungen aus
mindestens zwei der vorgenannten Lösungsmittel.
20. Verfahren gemäß Anspruch 18 oder 19,
dadurch gekennzeichnet, daß das
Lösungsmittel bei Temperaturen zwischen 60 bis 160°C
verdampft wird.
21. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 18 bis 20,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Lösung 1 bis 50 Gew.-%, vorzugsweise 3 bis 20 Gew.-%
filmbildendes Polymer, 0,01 bis 10 Gew.-%, vorzugsweise
0,1 bis 1% Photosäuregenerator und 50 bis 99 Gew.-%,
vorzugsweise 88 bis 96 Gew.-% Lösemittel umfaßt.
22. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß zum
Entwickeln eine Lösung von 2,38 Gew.-%
Tetramethylammoniumhydroxid in Wasser verwendet wird.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10054121A DE10054121B4 (de) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
US09/999,323 US6746821B2 (en) | 2000-10-31 | 2001-10-31 | Method of structuring a photoresist layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10054121A DE10054121B4 (de) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10054121A1 true DE10054121A1 (de) | 2002-05-16 |
DE10054121B4 DE10054121B4 (de) | 2006-06-14 |
Family
ID=7661773
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10054121A Expired - Fee Related DE10054121B4 (de) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10054121B4 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6887653B2 (en) | 2001-04-27 | 2005-05-03 | Infineon Technologies Ag | Method for structuring a photoresist layer |
DE10120676B4 (de) * | 2001-04-27 | 2005-06-16 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
DE10120675B4 (de) * | 2001-04-27 | 2005-07-21 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
DE10120673B4 (de) * | 2001-04-27 | 2007-01-25 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
DE10120659B4 (de) * | 2001-04-27 | 2007-04-19 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
CN110501875A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-26 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 光刻胶组合物、制作方法、基板及显示装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2090217T3 (es) * | 1990-12-20 | 1996-10-16 | Siemens Ag | Laca fotosensible. |
US5223083A (en) * | 1992-01-23 | 1993-06-29 | Micron Technology, Inc. | Process for etching a semiconductor device using an improved protective etching mask |
DE4207263A1 (de) * | 1992-03-07 | 1993-09-09 | Hoechst Ag | Niedermolekulare saeurespaltbare verbindungen mit 2,2-bis-trifluormethyl-oxaethano-brueckengliedern und deren verwendung |
JP3290234B2 (ja) * | 1993-03-26 | 2002-06-10 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
GB9520950D0 (en) * | 1995-10-13 | 1995-12-13 | Martinex R & D Inc | Water-processable chemically amplified resist |
US6057084A (en) * | 1997-10-03 | 2000-05-02 | Fusion Systems Corporation | Controlled amine poisoning for reduced shrinkage of features formed in photoresist |
-
2000
- 2000-10-31 DE DE10054121A patent/DE10054121B4/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6887653B2 (en) | 2001-04-27 | 2005-05-03 | Infineon Technologies Ag | Method for structuring a photoresist layer |
DE10120676B4 (de) * | 2001-04-27 | 2005-06-16 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
DE10120674B4 (de) * | 2001-04-27 | 2005-06-16 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
DE10120675B4 (de) * | 2001-04-27 | 2005-07-21 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
DE10120673B4 (de) * | 2001-04-27 | 2007-01-25 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
DE10120659B4 (de) * | 2001-04-27 | 2007-04-19 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
CN110501875A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-26 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 光刻胶组合物、制作方法、基板及显示装置 |
CN110501875B (zh) * | 2019-08-29 | 2023-05-16 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 光刻胶组合物、制作方法、基板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10054121B4 (de) | 2006-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10120676B4 (de) | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht | |
DE4111060B4 (de) | Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung | |
DE10203838B4 (de) | Fluorhaltiger Fotoresist mit Reaktionsankern für eine chemische Nachverstärkung und verbesserten Copolymerisationseigenschaften | |
DE602006000961T2 (de) | Positive lichtempfindliche Zusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit | |
DE19912047B4 (de) | Resistzusammensetzung des Negativtyps | |
EP0342496B1 (de) | Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefmustern | |
DE112004000021T5 (de) | Positiv-Photoresist-Zusammensetzung vom chemisch verstärkten Typ und Methode zur Bildung eines Resistmusters | |
EP0919867B1 (de) | Chemisch verstärkter Resist für die Elektronenstrahllithographie | |
WO2001042860A1 (de) | Erzeugung von resiststrukturen | |
EP0292821A2 (de) | Verfahren zur Bildumkehr von normalerweise positiv arbeitenden Photoresistmaterialien | |
DE4214363A1 (de) | Resist zur ausbildung von mustern | |
DE10120673B4 (de) | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht | |
DE10120660B4 (de) | Verfahren zur Strukurierung einer Photolackschicht | |
DE10134162A1 (de) | Neuartiges Copolymeres, Photoresistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung eines Photoresistmusters mit hohem Seitenverhältnis | |
DE19533608A1 (de) | Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen | |
EP0955562A1 (de) | Chemisch verstärkter Resist | |
DE10054121B4 (de) | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht | |
DE10120661A1 (de) | Photolackzusammensetzung und Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht | |
EP0540965B1 (de) | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefmustern | |
EP0525625A1 (de) | Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial | |
DE10120674B4 (de) | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht | |
DE10134163A1 (de) | Neuartiges Copolymeres, Photoresistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung eines Photoresistmusters mit hohem Seitenverhältnis | |
DE10120675B4 (de) | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht | |
DE10120659B4 (de) | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht | |
DE10131144B4 (de) | Verstärkung von Resiststrukturen aus fluorierten Resistpolymeren durch strukturelles Aufwachsen der Strukturen mittels gezieltem chemischem Anbinden von fluorierten Oligomeren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: G03F 738 |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |