DE4214363A1 - Resist zur ausbildung von mustern - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen zur Ausbildung von Mustern bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen, insbe­ sondere von großdimensionierten integrierten Schaltkrei­ sen (LSI) verwendbaren Resist.

Im Rahmen der Herstellung einer Halbleitervorrichtung, z. B. eines LSI-Schaltkreises, bedient man sich in einigen Stufen der Fotolithografie. Diese Technologie besteht darin, eine Unterlage, beispielsweise ein Siliziumein­ kristallplättchen, unter Bildung feiner Linien und kleiner Fenster zu ätzen. Insbesondere wird hierbei auf der Unterlage durch Spinnbeschichten ein Fotoresistfilm ausgebildet und dieser durch eine Mustermaske belichtet. Nach Entwickeln und Spülen des Films erhält man ein Resistmuster. Schließlich wird die Unterlage unter Benutzung des Resistmusters geätzt, wobei auf der Oberfläche des Substrats feine Linien und kleine Fenster entstehen.

LSI-Schaltkreise sollen eine immer höhere Integrations­ dichte erhalten. Daraus entsteht ein Bedürfnis nach einer Technologie, nach der man in einer Unterlage feinere Linien und kleinere Fenster als mit Hilfe von gegenwärtig durchgeführten fotolithografischen Verfahren erzeugen kann. Um diesem Bedürfnis zu genügen, bedient man sich zur Belichtung eines Fotoresistfilms einer Lichtquelle, die möglichst kurzwelliges Licht auszusenden vermag. Genauer gesagt, bedient man sich im Rahmen der Fotolithografie einer Lichtquelle für tiefes UV, z. B. eines KrF-Excimerlasers oder eines ArF-Excimerlasers.

Ein üblicher Resist absorbiert Licht kurzer Wellenlänge so weit, daß nicht genügend Licht die der Belichtungsseite abgewandte Oberfläche des Resistfilms erreichen kann. Nachdem der Resistfilm entwickelt und gespült ist, weist er Öffnungen auf, die unvermeidlich einen Querschnitt entsprechend einem umgekehrten Dreieck besitzen. Wenn folglich die Unterlage bzw. das Substrat, auf der bzw. dem Resistfilm gebildet worden war, unter Verwendung des Resistfilms als Ätzmaske geätzt wird, wird ein Original-LSI-Schaltkreis nicht mit ausreichender Genauigkeit auf das Substrat übertragen.

Zur Lösung des Problems mit dem bekannten Resist wurde vorgeschlagen, sich eines sogenannten chemisch verstärkten Resists zu bedienen. Ein chemisch verstärkter Resist enthält eine Verbindung, die bei Belichtung eine starke Säure liefert (im folgenden auch als "Säurelieferant" bezeichnet), sowie eine Verbindung, bei der hydrophobe Gruppen bei Säureeinwirkung zersetzt werden und die dabei in eine hydrophile Substanz übergeht. Es sind die verschiedensten Resists dieses Typs bekannt. Insbesondere ist aus der US-A-44 91 628 ein positiver Resist mit einem Polymerisat, bei welchem die Hydroxylgruppe von Poly(p-hydroxystyrol) durch eine Butoxycarbonylgruppe blockiert ist, und einem Oniumsalz, das bei Belichtung eine Säure liefert, bekannt. M.J. O′Brien und J.V. Crivello beschreiben in "SPIE", Band 920, Advances in Resist Technology and Processing, Seite 42 (1988) einen positiven Resist mit einem m-Kresolnovolacharz, Naphthalin-2- carbonsäure-tert.-butylester und einem Triphenylsul­ foniumsalz. H. Ito beschreibt in "SPIE", Band 920, Advances in Resist Technology and Processing, Seite 33 (1988) einen positiven Resist mit einem Oniumsalz und 2,2-Bis(4-tert.-butoxycarbonyloxyphenyl)propan oder Poly­ phthaladehyd.

Der Säurelieferant wirkt als Katalysator, wobei er in höchst wirksamer Weise mit anderen Substanzen reagiert. Wenn folglich der Resistfilm belichtet wird, erfolgt durchgehend eine chemische Reaktion, und zwar auch in der der lichtaufnehmenden Oberfläche abgewandten Filmober­ fläche, zu der kaum Licht vordringen kann. Dies führt dazu, daß der Resistfilm nach dem Entwickeln und Spülen zu einem Resistmuster mit steilen Flanken verarbeitet werden kann.

Jeder der genannten Resists enthält ein als Säurelieferant dienendes Oniumsalz. Oniumsalze enthalten Arsen oder Antimon, die für die menschliche Gesundheit schädlich sind. Im Hinblick darauf dürfte eine industrielle Verwendung von Oniumsalzen bedenklich sein. Im Falle, daß Arsen oder Antimon nach Entfernen des Resistmusters auf der Unterlage bzw. dem Substrat, beispielsweise einem Plättchen, zurückbleibt, dürfte es wahrscheinlich die Eigenschaften der auf der Unterlage bzw. dem Substrat auszubildenden elektronischen Schaltung beeinträchtigen. Resists mit Oniumsalz besitzen darüber hinaus auch noch weitere Nachteile. In der Oberfläche eines Films aus diesem Resist bildet sich wahrscheinlich eine Schicht, die kaum in Lösung geht. Dies führt unvermeidlich dazu, daß die Oberseite des erhaltenen Resistmusters narbig wird. Solche Narben beeinträchtigen das anschließende Ätzen des Substrats.

Der Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, einen gegenüber UV-Strahlung und ionisierender Strahlung hochempfindlichen Resist hohen Auflösungsvermögens, der sich folglich zur Ausbildung von Mustern im Laufe der Herstellung von Halbleitervorrichtungen eignet, anzugeben.

Gemäß einer ersten Ausführungsform betrifft die Erfindung einen Resist zur Ausbildung von Mustern, der gekenn­ zeichnet ist durch:

• a) eine säureerzeugende Verbindung, die bei Einwirkung einer chemischen Strahlung eine Säure liefert, und
• b) eine einen säurezersetzbaren Substituenten aufweisende Verbindung der folgenden Formel worin R¹ für eine einwertige organische Gruppe steht, m = 0, 1 oder eine positive Zahl über 1 und n eine positive Zahl bedeutet.

Gemäß einer zweiten Ausführungsform betrifft die Erfindung einen Resist zur Ausbildung von Mustern, der

• a) eine Verbindung mit einem säurezersetzbaren Substituen­ ten,
• b) eine säureerzeugende Verbindung, die bei Bestrahlung mit chemischer Strahlung eine Säure liefert, und
• c) eine Carbonsäure

enthält.

Gemäß einer dritten Ausführungsform betrifft die Erfindung einen Resist zur Ausbildung von Mustern, der

• a) eine Verbindung mit einem säurezersetzbaren Substituen­ ten,
• b1) eine erste säureerzeugende Verbindung, die bei Belichtung mit chemischer Strahlung eine starke Säure liefert, und
• b2) eine zweite säureerzeugende Verbindung, die bei Belichtung mit chemischer Strahlung eine im Vergleich zu der starken Säure schwächere Säure liefert,

enthält.

Gemäß einer vierten Ausführungsform betrifft die Erfindung einen Resist zur Ausbildung von Mustern, der

• a) eine Verbindung mit einem säurezersetzbaren Substituen­ ten und
• b) eine o-Chinondiazidverbindung

enthält.

Der Ausdruck "chemische Strahlung" stellt eine allgemeine Bezeichnung für Energiestrahlung und Teilchenstrahlung, die eine chemische Änderung eines Resists herbeiführt und Röntgenstrahlen, UV-Strahlen kurzer Wellenlängen und ionisierende Strahlung, z. B. Elektronenstrahlung, umfaßt, dar.

Im folgenden werden sämtliche erfindungsgemäßen Resists (1) bis (4) zur Ausbildung von Mustern in allen Einzel­ heiten beschrieben.

Der Resist (1) enthält eine säureerzeugende Verbindung und eine einen säurezersetzbaren Substituenten enthaltende Verbindung der folgenden Formel (I):

worin R¹ für eine einwertige organische Gruppe steht, m = 0, 1 oder eine positive Zahl über 1 und n eine positive Zahl bedeutet.

R¹ kann aus einer beliebigen einwertigen organischen Gruppe bestehen. Bevorzugte Beispiele hierfür sind Methyl-, Ethyl-, n-Propyl-, Isopropyl-, n-Butyl-, tert.- Butyl-, Isobutyl-, sek.-Butyl- und Benzylreste. Von diesen Gruppen wird die tert.-Butylgruppe am meisten bevorzugt.

Der Wert n/(m+n) in Formel (I) reicht von 0,03 bis 1, vorzugsweise von 0,05 bis 0,70. Wenn n/(m+n) unter 0,03 liegt, wird der Unterschied in der Ätzgeschwindigkeit zwischen den mit chemischer Strahlung belichteten Bereichen und den unbelichteten Bereichen zu gering.

Bei der im folgenden als "säurezersetzbare Verbindung" bezeichneten Verbindung der Formel (I) handelt es sich vorzugsweise um eine solche eines Molekulargewichts von 1000 oder mehr. Wenn die säurezersetzbare Verbindung ein Molekulargewicht unter 1000 aufweist, ist der Resist weniger wärmebeständig als erwünscht.

Der Säurelieferant, der bei Einwirkung einer chemischen Strahlung eine Säure liefert, kann aus den verschiedensten bekannten Verbindungen oder den verschiedensten bekannten Gemischen bestehen. Beispiele für den Säurelieferanten sind Salze, z. B. Diazoniumsalz, Phosphoniumsalz, Sulfoniumsalz und Jodoniumsalz, beispielsweise Diphenyl­ jodoniumsalztrifluormethansulfonat, organische Halogenver­ bindungen, o-Chinondiazidsulfonylchlorid und Ester­ sulfonat. Bei den organischen Halogenverbindungen handelt es sich um Verbindungen, die Halogenwasserstoffsäuren liefern. Diese Verbindungen sind aus den US-A-35 15 552, 35 36 489 und 37 79 778 sowie der DE-A-22 43 621 bekannt. Andere Verbindungen, die bei Einwirkung einer chemischen Strahlung eine Säure liefern, sind aus den JP-A-54-74 728, 55-24 113, 55-77 742, 60-3626, 60-1 38 539, 56-17 345 und 50-36 209 bekannt.

Spezielle Beispiele für die zuvor beschriebenen Ver­ bindungen sind:

Di(p-tert.-butylphenyl(jodoniumtri­ fluormethansulfonat, Diphenyljodoniumtrifluormethan­ sulfonat, Benzointosylat, o-Nitrobenzyl-p-toluolsulfonat, Triphenylsulfoniumtrifluormethansulfonat, Tri(tert.- butylphenyl)sulfoniumtrifluormethansulfonat, Benzol­ diazonium-p-toluolsulfonat, 4-(Di-n-propylamino)- benzoniumtetrafluorborat, 4-p-Tolyl-mercapto-2,5-diethoxy­ benzoldiazoniumhexafluorphosphat, Tetrafluorborat, Di- phenylamin-4-diazoniumsulfat, 4-Methyl-6-trichlormethyl-2- pyron, 4-(3,4,5-Trimethoxystyryl)-6-trichlormethylpyron, 4-(4-Methoxy-styryl)-6-(3,3,3-trichlorpropenyl)-2-pyron, 2-Trichlormethylbenzimidazol, 2-Tribrommethylchinolin, 2,4-Dimethyl-1-tribromacetylbenzol, 4-Dibromacetylbenzoe­ säure, 1,4-Bis-dibrommethylbenzol, Tris-dibrommethyl-S- triazin, 2-(6-Methoxynaphth-2-yl)-4,5-bis-trichlormethyl-S- triazin, 2-(Naphth-1-yl)-4,6-bis-trichlormethyl-S-triazin, 2-(Naphth-2-yl)-4,6-bis-trichlormethyl-S-triazin, 2-(4-Ethoxyethylnaphth-1-yl)-4,6-bis-trichlormethyl-S- triazin, 2-(Benzopyran-3-yl)-4,6-bis-trichlormethyl-S- triazin, 2-(4-Methoxyanthrac-1-yl)-4,6-bis-trichlor­ methyl-S-triazin, 2-(Phenant-9-yl)-4,6-bis-trichlor­ methyl-S-triazin, o-Naphthochinondiazid-4-sulfonsäure­ chlorid und dgl.

Spezielle Beispiele für Estersulfonate sind

Naphtho­ chinonazid-4-estersulfonat, Naphthochinondiazid-5- estersulfonat, p-Toluolsulfonsäure-o-nitrobenzylester, p- Toluolsulfonsäure-2,6-dinitrobenzylester und dgl.

Zweckmäßigerweise sollte der Säurelieferant aus einer o- Chinondiazidverbindung bestehen. Ein bevorzugtes Beispiel für die o-Chinondiazidverbindung ist ein aus o-Chinon­ diazidsulfonsäure und einer Phenolverbindung hergestellter Ester. Diesen erhält man durch Umsetzen von o-Chinondi­ azidsulfonsäurechlorid mit einer Phenolverbindung in üblicher bekannter Weise. Das o-Chinondiazidsulfon­ säurechlorid kann aus 1-Benzophenon-2-diazo-4-sul­ fonsäurechlorid, 1-Naphthochinon-2-diazo-5-sulfonsäure­ chlorid, 1-Naphthochinon-2-diazo-4-sulfonsäurechlorid und dgl. bestehen. Beispiele für die Phenolverbindung sind Phenol, Kresol, Xylenol, Bisphenol A, Bisphenol S, Hydroxybenzophenon, 3,3,3′,3′-Tetramethyl-1,1′-spiroindan- 5,6,7,5′,6′,7′-hexanol, Phenolphthalein, p- Hydroxybenzylidenmaleinsäuredimethyl, p-Hydroxy­ benzylidenmaleinsäurediethyl, Cyanophenol, Nitrophenol, Nitrosophenol, Hydroxyacetophenon, Trihydroxy­ methylbenzoat, Polyvinylphenol, Novolac-Harze und dgl.

o-Chinondiazidverbindungen der zuvor beschriebenen Art sind in den später folgenden Tabellen I bis V angegeben.

Von diesen o-Chinondiazidverbindungen eignet sich am besten das 1-Naphthochinon-2-diazo-4-estersulfonat. Dieser Ester liefert bei Belichtung mit chemischer Strahlung eine Carbonsäure und eine im Vergleich zur Carbonsäure stärkere Sulfonsäure (vgl. J.J. Grunwald, C. Gal und S. Eidelman in "SPIE", Band 1262, Advances in Resist Technology and Processing VII, Seite 444 (1990)). Der Ester besitzt eine herausragende katalytische Wirkung und eignet sich folglich besonders gut.

Der Resist (1) gemäß der Erfindung enthält 0,1 bis 30, vorzugsweise 0,5 bis 20 Gew.-% Säurelieferant. Wenn die verwendete Menge an Säurelieferant unter 0,1 Gew.-% liegt, ist der Resist nicht ausreichend lichtempfindlich. Wenn andererseits die Menge an Säuregenerator 30 Gew.-% übersteigt, vermag entweder der Resist (1) keinen homogenen Resistfilm zu bilden oder es bleibt nach der Entwicklung des Resistfilms oder nach dem Ätzen ein Rückstand zurück.

Der Resist (1) kann neben der säurezersetzbaren Verbindung und dem Säurelieferanten als dritte Komponente eine Carbonsäure enthalten. Die Carbonsäure erhöht die Geschwindigkeit, mit der der Resist (1) in alkalischer wäßriger Lösung in Lösung geht, so daß in der Oberfläche des aus dem Resist (1) zu bildenden Resistmusters weniger Narben entstehen als sonst. Die Carbonsäure kann aus einer beliebigen Carbonsäure, die gleichmäßig mit den sonstigen Komponenten des Resists (1) mischbar ist, bestehen. Spezielle Beispiele für verwendbare Carbonsäuren sind

Ameisensäure, Essigsäure, Propionsäure, Buttersäure, 2- Methylpropionsäure, Valeriansäure, Isovaleriansäure, alpha-Methylbuttersäure, Trimethylessigsäure, Hexansäure, 4-Methylpentansäure, 2-Methylbutansäure, 2,2-Dimethyl­ butansäure, Heptansäure, Octansäure, Nonansäure, Decansäure, Undecansäure, Dodecansäure, Tetradecansäure, Hexadecansäure, Heptadecansäure, Octadecansäure, Eicosansäure, Docosansäure, Hexacontansäure, Triacontan­ säure, Oxalsäure, Malonsäure, Bernsteinsäure, Glutarsäure, Adipinsäure, Pimelinsäure, Korksäure, Azelainsäure, Sebacinsäure, Ascorbinsäure, Tridecandionsäure, Methyl­ malonsäure, Dimethylmalonsäure, Methylbernsteinsäure, 2,2- Dimethylbernsteinsäure, 2,3-Dimethylbernsteinsäure, Tetra­ methylbernsteinsäure, 1,2,3-Propantricarbonsäure, 2,3- Dimethylbutan-1,2,3-tricarbonsäure, Fluoressigsäure, Trifluoressigsäure, Chloressigsäure, Dichloressigsäure, Trichloressigsäure, Bromessigsäure, Jodessigsäure, 2- Chlorpropionsäure, 3-Chlorpropionsäure, 2-Brompropion­ säure, 3-Brompropionsäure, 2-Jodpropionsäure, 2,3- Dichlorpropionsäure, Chlorbernsteinsäure, Brombern­ steinsäure, 2,3-Dibrombernsteinsäure, Hydroxyessigsäure, Milchsäure, 2-Hydroxybuttersäure, 2-Hydroxy-2-methyl­ propansäure, 2-Hydroxy-4-methylpentansäure, 3-Hydroxy-3- pentancarbonsäure, 3-Hydroxypropionsäure, 10-Hydroxy­ octandecansäure, 3,3,3-Trichlor-2-hydroxypropionsäure, 2- (Lactoyloxy)propionsäure, Glycerinsäure, 8,9-Dihydroxy­ octadecansäure, Weinsäure, Äpfelsäure, Acetoxybernstein­ säure, 2-Hydroxy-2-methylbutandionsäure, 3-Hydroxypentan­ dionsäure, Weinsäure, d-Ethylhydrogentartrat, Tetra­ hydroxybernsteinsäure, Zitronensäure, 1,2-Dihydroxy-1,1,2- ethantricarbonsäure, Ethoxyessigsäure, 2,2′-Oxydiessig­ säure, 2,3-Epoxypropionsäure, Benztraubensäure, 2-Oxy­ isobuttersäure, Acetoessigsäure, 4-Oxovaleriansäure, 9,10- Dioxyoctandecansäure, Mesoxalsäure, Oxalylessigsäure, 3-Oxoglutarsäure, 4-Oxoheptandionsäure, Benzoesäure, Toluolsäure, Ethylbenzoesäure, p-Isopropylbenzoesäure, 2,3-Dimethylbenzoesäure, 2,4-Dimethylbenzoesäure, 2,5- Dimethylbenzoesäure, 3,5-Dimethylbenzoesäure, 2,4,5- Trimethylbenzoesäure, Phthalsäure, Isophthalsäure, Terephthalsäure, 5-Methylisophthalsäure, 1,2,3-Benzol­ tricarbonsäure, 1,2,4-Benzoltricarbonsäure, 1,3,5- Benzoltricarbonsäure, 1,2,3,4-Benzoltetracarbonsäure, 1,2,3,5-Benzoltetracarbonsäure, 1,2,4,5-Benzoltetra­ carbonsäure, Benzolpentacarbonsäure, Benzolhexacarbon­ säure, Fluorbenzoesäure, Chlorbenzoesäure, Dichlor­ benzoesäure, Trichlorbenzoesäure, Brombenzoesäure, Dibrombenzoesäure, Jodbenzoesäure, Chlorphthalsäure, Dichlorphthalsäure, Tetrachlorphthalsäure, Nitrosobenzoe­ säure, o-Nitrobenzoesäure, p-Nitrobenzoesäure, 2,4-Di­ nitrobenzoesäure 2,4,6-Trinitrobenzoesäure, 3-Nitro­ benzoesäure, 5-Nitroisophthalsäure, 2-Nitrotetraphthal­ säure, p-Hydroxybenzoesäure, Salicylsäure, 5-Chlor­ salicylsäure, 3,5-Dichlorsalicylsäure, 3-Nitrosalicyl­ säure, 3,5-Dinitrosalicylsäure, 2,4-Dihydroxybenzoesäure, 3,5-Dihydroxybenzoesäure, 2,6-Dihydroxybenzoesäure, 3,4- Dihydroxybenzoesäure, 3,4,5-Trihydroxybenzoesäure, 2,3,4- Trihydroxybenzoesäure, 6-Hydroxy-2-toluylsäure, 2-Hydroxy- 3-toluylsäure, 5-Hydroxy-3-toluylsäure, 2-Hydroxy-4- toluylsäure, 2-Hydroxy-3-isopropyl-6-methylbenzoesäure, 4- Hydroxy-5-isopropyl-2-methylbenzoesäure, 2,4-Dihydroxy-6- methylbenzoesäure, 2-Hydroxyphthalsäure, 4-Hydroxyiso­ phthalsäure, 2-Hydroxytherephthalsäure, 3,4-Dihydroxy­ phthalsäure, 2,5-Dihydroxyphthalsäure, 2-Hydroxy-1,3,5- benzoltricarbonsäure, (Hydroxymethyl)benzoesäure, (1- Hydroxy-1-methylethyl)benzoesäure, Anisinsäure, Vanillinsäure, 3-Hydroxy-4-methoxybenzoesäure, 3,4-Di­ methoxybenzoesäure, 3,4-Methylendioxybenzoesäure, 3,4,5- Trimethoxybenzoesäure, 3,4-Dimethoxyphthalsäure, o- Phenoxybenzoesäure, o-Acetoxybenzoesäure, 3-o- Galloylgallussäure, p-Acetylbenzoesäure, p-Benzoylbenzoe­ säure, 4,4′-Carbonyldibenzoesäure, p-Acetamidbenzoesäure, o-Benzamidbenzoesäure, Phthalanilinsäure, Phenylessig­ säure, 2-Phenylpropionsäure, 3-Phenylpropionsäure, 4- Phenylbuttersäure, p-Hydroxyphenylessigsäure, 2,5- Dihydroxyphenylessigsäure, 3-(o-Hydroxyphenyl)propion­ säure, 2,3-Dibromphenylpropionsäure, alpha-Hydroxyphenyl­ essigsäure, 2-Hydroxy-2-phenylpropionsäure, 2-Hydroxy-3- phenylpropionsäure, 3-Hydroxy-2-phenylpropionsäure, 3- Hydroxy-3-phenylpropionsäure, 2,3-Epoxy-3-phenylpropion­ säure, Phenylbernsteinsäure, o-Carboxyphenylessigsäure, 1,2-Benzoldiessigsäure, Phenylglyoxylsäure, o-Carboxy­ glyoxylsäure, Phenylbrenztraubensäure, Benzoylessigsäure, 3-Benzoylpropionsäure, Phenoxyessigsäure, Benzoyloxy­ essigsäure, 2-Benzoyloxypropionsäure, Succinanilinsäure, Carbanylsäure, Oxanilsäure, o-Carboxyoxanilsäure, 4- Biphenylcarbonsäure, 2,2′-Biphenyldicarbonsäure, Benzylbenzoesäure, Diphenylessigsäure, alpha-Hydroxydi­ phenylessigsäure, o-Benzhydrylbenzoesäure, Phenol­ phthalein, Triphenylessigsäure, Uvinsäure, 5-Methyl-2- furancarbonsäure, 2-Furancarbonsäure, Furylsäure, Paraconsäure, Terebinsäure, Terpenylsäure, Aconsäure, Cumarsäure, Komansäure, Komensäure, Chelidonsäure, Meconsäure und dergleichen.

Der Resist (1) gemäß der Erfindung enthält, bezogen auf das Gesamtgewicht der Feststoffe des Resists (1), 0,5 bis 20, vorzugsweise 1 bis 10 Gew.-% Carbonsäure. Wenn die Menge an verwendeter Carbonsäure 0,5 Gew.-% unter­ schreitet, läßt sich der Resist durch chemische Bestrahlung und Entwickeln kaum zu einem mustergetreuen Resistfilm verarbeiten. Wenn andererseits die Carbonsäure­ menge 20 Gew.-% übersteigt, wird der Unterschied in der Ätzgeschwindigkeit zwischen den mittels chemischer Strahlung belichteten Bereichen und den unbelichteten Bereichen zu gering.

Der Resist (1) kann neben der säurezersetzbaren Verbindung und dem Säurelieferanten sowie der Carbonsäure als vierte Komponente ein alkalilösliches Polymerisat enthalten.

Zweckmäßigerweise sollte es sich bei dem alkalilöslichen Polymerisat um ein Harz mit einer Arylgruppe oder Carboxy­ gruppe mit eingeführter Hydroxygruppe handeln. Spezielle Beispiele für solche Harze sind Phenolnovolac-Harze, Cresolnovolac-Harze, Xylenolnovolac-Harze, Phenylphenol- Harze, Isopropylphenyl-Harze, Mischpolymerisate aus Phenylphenol und mindestens einer weiteren Verbindung aus der Gruppe Acrylsäure, Methacrylsäurederivat, Acrylnitril, Styrolderivat und dgl., Mischpolymerisate aus Isopropyl­ phenol und mindestens einer weiteren Komponente aus der Gruppe Acrylsäure, Methylacrylsäurederivat, Acrylnitril und Styrolderivat, Mischpolymerisate von Styrolderivaten und mindestens einer weiteren Komponente aus der Gruppe Acrylharz, Methacrylharz, Acrylsäure, Methacrylsäure, Maleinsäure, Maleinsäureanhydrid und Acrylnitril, sowie siliziumhaltige Verbindungen irgendeines der aufgeführten Polymerisate.

Von den genannten Polymerisaten werden Harze mit aromatischen Ringen bevorzugt, da sie den Resist (1) ausreichend trockenätzbeständig machen. Bevorzugt werden beispielsweise Phenolnovolac-Harze und Cresolnovolac-Harze. Spezielle Beispiele alkalilöslicher Polymerisate sind in den später folgenden Tabellen VI, VII und VIII angegeben. Ferner können auch Phenolharze verwendet werden, die durch Oxidation unter Chinonbildung hin­ sichtlich ihrer Durchsichtigkeit verbessert und deren Chinonanteile dann reduziert wurden.

Wenn die Gesamtmenge an säurezersetzbarer Verbindung und alkalilöslichem Polymerisat mit 100 Gewichtsteilen angesetzt wird, sollte die verwendete Menge an alkalilös­ lichem Polymerisat 90 Gewichtsteile oder weniger, vorzugsweise 80 Gewichtsteile oder weniger betragen. Wenn das Polymerisat in einer 90 Gewichtsteile übersteigenden Menge eingesetzt wird, wird der Unterschied in der Ätzgeschwindigkeit zwischen den mit chemischer Strahlung belichteten Bereichen und den unbelichteten Bereichen extrem klein, wodurch unvermeidlich die Auflösung des Resists (1) schlechter wird.

Erforderlichenfalls kann der Resist (1) neben der säure­ zersetzbaren Verbindung, dem Säurelieferanten, der Carbonsäure und dem alkalilöslichen Polymerisat einen Sensibilisator, einen Farbstoff, ein Netzmittel und einen Lösungsinhibitor enthalten.

Den Resist (1) erhält man durch Auflösen der säure­ zersetzbaren Verbindung, des Säurelieferanten, der Carbonsäure und des alkalilöslichen Polymerisats in einem organischen Lösungsmittel und Filtrieren der erhaltenen Lösung. Beispiele für verwendbare organische Lösungsmittel sind Lösungsmittel auf Ketonbasis, wie Cyclohexanon, Aceton, Methylethylketon und Methylisobutylketon, Lösungsmittel auf Cellosolve-Basis, wie Methylcellosolve, Methylcellosolveacetat, Ethylcellosolve, Ethylcellosolve­ acetat, Butylcellosolve und Butylcellosolveacetat, sowie Lösungsmittel auf Esterbasis, wie Ethylacetat, Butyl­ acetat, Isoamylacetat, Ethyllactat und Methyllactat. Weitere Beispiele für organische Lösungsmittel sind N-Methyl-2-pyrrolidon, Dimethylformamid, Dimethylacetamid, Dimethylsulfoxid und dergl. Die angegebenen Lösungsmittel können alleine oder in Kombination zum Einsatz gelangen. Jedes kann eine geeignete Menge Xylol, Toluol oder eines aliphatischen Alkohols, z. B. Isopropanol, enthalten.

Der erfindungsgemäße Resist (2) zur Ausbildung von Mustern enthält eine Verbindung mit einem säurezersetzbaren Substituenten (im folgenden als "säurezersetzbare Verbindung" bezeichnet), eine Verbindung, die bei Belichtung mit chemischer Strahlung eine Säure liefert (im folgenden als "Säurelieferant" bezeichnet), und eine Carbonsäure.

Die säurezersetzbare Verbindung kann aus irgendeiner Verbindung bestehen, die durch eine Säure derart zersetzt wird, daß sich ihre Löslichkeit in Entwicklerflüssigkeiten ändert. Spezielle Beispiele für solche Verbindungen sind Phenol, Cresol, Xylenol, Bisphenol A, Bisphenol S, Hydroxybenzophenon, 3,3,3′3′-Tetramethyl-1,1′-spiroindan- 5,6,7,5′,6′,7′-hexanol, Phenolphthalein, Polyvinylphenol, Novolac-Harze und dgl. Die Hydroxylgruppe dieser säure­ zersetzbaren Verbindungen ist mit einem geeigneten Ver­ esterungsmittel verestert oder mit einem geeigneten Veretherungsmittel verethert. Beispiele für in die Verbindungen einführbare Ester oder Ether sind Methyl­ ester, Ethylester, n-Propylester, Isopropylester, tert.- Butylester, n-Butylester, Isobutylester, Benzylester, Tetrahydropyranylether, Benzylether, Methylether, Ethylether, n-Propylether, Isopropylether, tert.- Butylether, Arylether, Methoxymethylether, p-Brom­ phenacylether, Trimethylsilylether, Benzyloxy­ carbonylether, tert.-Butoxycarbonylether, tert.-Butyl­ acetat, 4-tert.-Butylbenzylether und dgl. Zweckmäßiger­ weise sollte es sich bei der säurezersetzbaren Verbindung um eine solche der im Zusammenhang mit Resist (1) angege­ benen allgemeinen Formel (1) handeln.

Der im Resist (2) enthaltene Säurelieferant entspricht dem auch im Resist (1) verwendeten. Der zusammen mit der Carbonsäure verwendete Säurelieferant kann aus den ver­ schiedensten bekannten Verbindungen oder einer Mischung derselben bestehen. Bevorzugt werden, wie im Resist (1), o-Chinondiazidverbindungen, insbesondere 1-Naphthochinon- 2-diazo-4-estersulfonat. Der Säurelieferant sollte aus den im Zusammenhang mit Resist (1) beschriebenen Gründen in einer Menge, bezogen auf das Gesamtgewicht der Feststoffe im Resist (2), von 0,1 bis 30, vorzugsweise 0,5 bis 20 Gew.-%, verwendet werden.

Die im Resist (2) enthaltene Carbonsäure entspricht der dritten Komponente des Resists (1). Die Carbonsäure sollte zweckmäßig aus denselben Gründen wie im Resist (1) in einer Menge, bezogen auf das Gesamtgewicht der Feststoffe im Resist (2), von 0,5 bis 20, vorzugsweise 1 bis 10 Gew.-%, eingesetzt werden.

Der Resist (2) kann ähnlich wie der Resist (1) neben der säurezersetzbaren Verbindung, dem Säurelieferanten und der Carbonsäure ein alkalilösliches Polymerisat enthalten. Wie auch im Falle des Resists (1) sollte das Polymerisat in einer Menge von 90 Gewichtsteilen oder weniger, vorzugsweise 80 Gewichtsteilen oder weniger, verwendet werden, wenn die Gesamtmenge an säurezersetzbarer Verbindung und alkalilöslichem Polymerisat mit 100 Gewichtsteilen angesetzt wird. Wenn weder die säurezersetzbare Verbindung noch der Säurelieferant aus einem Polymeren besteht, ist es zweckmäßig, daß das beschriebene alkalilösliche Polymerisat als vierte Komponente des Resists (2) mitverwendet wird.

Erforderlichenfalls kann der Resist (2) neben der säurezersetzbaren Verbindung, dem Säurelieferanten und der Carbonsäure einen Sensibilisator, einen Farbstoff, ein Netzmittel und einen Lösungsinhibitor enthalten.

Den Resist (2) erhält man durch Auflösen der säurezersetz­ baren Verbindung, des Säurelieferanten, der Carbonsäure und erforderlichenfalls des alkalilöslichen Polymerisats und sonstiger Komponenten in einem auch bei der Herstel­ lung des Resists (1) verwendbaren organischen Lösungsmit­ tel und Filtrieren der erhaltenen Lösung.

Der erfindungsgemäße Resist (3) zur Ausbildung von Mustern enthält eine Verbindung mit einem säurezersetzbaren Sub­ stituenten (im folgenden als "säurezersetzbare Verbindung" bezeichnet), eine Verbindung, die bei Belichtung mit chemischer Strahlung eine starke Säure liefert (im folgenden als "erster Säurelieferant" bezeichnet), sowie eine Verbindung, die bei Belichtung mit chemischer Strahlung eine im Vergleich zu der starken Säure schwächere Säure liefert (im folgenden als "zweiter Säurelieferant" bezeichnet).

Als säurezersetzbare Verbindung für den Resist (3) eignen sich sämtliche auch im Resist (2) verwendbaren säurezer­ setzbaren Verbindungen. Vorzugsweise handelt es sich auch hier um eine solche der Formel (I).

Bei dem ersten Säurelieferanten handelt es sich um eine Verbindung, die bei Einwirkung einer chemischen Strahlung eine starke Säure eines pK-Wertes von weniger als 3 (K ist die elektrolytische Dissoziationskonstante) liefert. Als erster Säurelieferant eignen sich dem Säurelieferanten des Resists (1) ähnliche Verbindungen. Bevorzugte Beispiele sind die im Zusammenhang mit Resist (1) angegebenen o-Chinondiazidverbindungen. Von diesen o-Chinondiazidver­ bindungen wird 1-Naphthochinon-2-diazo-4-estersulfonat bevorzugt.

Der erste Säurelieferant wird im Resist (3) in einer Menge von zweckmäßigerweise 0,1 bis 20, vorzugsweise 0,5 bis 10 Gew.-%, eingesetzt. Bei Verwendung in einer Menge unter 0,1 Gew.-% ist der Resist (3) kaum genügend lichtempfind­ lich. Bei Verwendung in einer Menge über 20 Gew.-% vermag der Resist (3) entweder keinen gleichmäßigen Resistfilm zu bilden oder es bleibt ein Rückstand dieses Resists nach der Entwicklung des Films oder nach dem Ätzen zurück.

Bei dem zweiten Säurelieferanten handelt es sich um eine Verbindung, die bei Einwirkung einer chemischen Strahlung eine schwache Säure eines pK-Werts von 3 oder weniger (K ist die elektrolytische Dissoziationskonstante) liefert. Beispiele für solche Säurelieferanten sind 1,2-Naphtho­ chinondiazid-5-estersulfonat, 5-Diazo-Meldrum′sche Säure, Derivate der 5-Diazo-Meldrum′schen Säure und Derivate von Diazodimedon.

Bezogen auf das Gesamtgewicht der Feststoffe des Resists (3) wird der zweite Säurelieferant in einer Menge von 1 bis 30, vorzugsweise 5 bis 20 Gew.-%, eingesetzt. Wenn der zweite Säurelieferant in einer Menge von weniger als 1 Gew.-% eingesetzt wird, bereitet es Schwierigkeiten, die Ausbildung einer kaum löslichen Schicht auf dem gebildeten Resistfilm zu verhindern. Wenn andererseits der zweite Säurelieferant in einer Menge von mehr als 30 Gew.-% verwendet wird, bereitet es entweder Schwierigkeiten, einen gleichmäßigen Resistfilm auszubilden, oder es besteht die Gefahr, daß Resistreste (auf der Unterlage) zurückbleiben, nachdem der Resistfilm des Resists entwickelt oder geätzt wurde.

Der Resist (3) kann neben der säurezersetzbaren Verbin­ dung, dem ersten Säurelieferanten und dem zweiten Säurelieferanten eine Carbonsäure ähnlich derjenigen des Resists (1) und ein alkalilösliches Polymerisat als vierte und fünfte Komponenten enthalten. Aus denselben Gründen wie bei Resist (1) sollte die Carbonsäure in einer Menge, bezogen auf das Gesamtgewicht der Feststoffe des Resists (3), von 0,5 bis 20, vorzugsweise 1 bis 10 Gew.-%, eingesetzt werden. Wenn die Gesamtmenge an säurezersetz­ barer Verbindung und alkalilöslichem Polymerisat mit 100 Gew.-% angesetzt wird, sollte das alkalilösliche Polymerisat in einer Menge von 90 Gewichtsteilen oder weniger, vorzugsweise 80 Gewichtsteilen oder weniger, Verwendung finden. Wenn weder die säurezersetzbare Verbindung, der erste Säurelieferant, noch der zweite Säurelieferant aus einem Polymerisat besteht, sollte das alkalilösliche Polymerisat der beschriebenen Art als fünfte Komponente des Resists (3) mitverwendet werden.

Der Resist (3) kann neben der säurezersetzbaren Verbindung, dem Säurelieferanten und der Carbonsäure erforderlichenfalls einen Sensibilisator, einen Farbstoff, ein Netzmittel und einen Lösungsinhibitor enthalten.

Den Resist (3) erhält man durch Auflösen der säurezersetz­ baren Verbindung, des ersten Säurelieferanten und des zweiten Säurelieferanten und erforderlichenfalls der Carbonsäure, des alkalilöslichen Polymerisats und der sonstigen Komponenten in einem auch bei der Herstellung des Resists (1) verwendeten organischen Lösungsmittel und Filtrieren der erhaltenen Lösung.

Der erfindungsgemäße Resist (4) zur Ausbildung von Mustern enthält eine Verbindung mit einem säurezersetzbaren Substituenten sowie eine o-Chinondiazidverbindung.

Als säurezersetzbare Verbindung des Resists (4) eignet sich jede auch bei Resist (2) verwendbare säurezersetz­ bare Verbindung. Vorzugsweise handelt es sich auch hier um eine solche der Formel (I).

Die zweite Komponente des Resists (4), d. h. die o-Chinondiazid-Verbindung, entspricht dem im Resist (1) verwendeten Säurelieferanten. Ein bevorzugtes Beispiel für eine solche o-Chinondiazidverbindung ist 1-Naphthochinon- 2-diazo-4-estersulfonat.

Aus den für den Säurelieferanten bei Resist (1) geltenden Gründen sollte die zweite Komponente in einer Menge, bezogen auf das Gesamtgewicht der festen Bestandteile des Resists (2), von 0,1 bis 30, vorzugsweise 0,5 bis 20 Gew.-%, verwendet werden.

Der Resist (4) kann neben der säurezersetzbaren Verbindung und der o-Chinondiazidverbindung als dritte und vierte Komponente eine Carbonsäure entsprechend derjenigen des Resists (1) und ein alkalilösliches Polymerisat enthalten. Aus den für die Carbonsäure bei Resist (1) geltenden Gründen sollte die Carbonsäure in einer Menge, bezogen auf das Gesamtgewicht der festen Bestandteile des Resists (4), in einer Menge von 0,5 bis 20, vorzugsweise 1 bis 10 Gew.-%, verwendet werden. Setzt man die Gesamtmenge an säurezersetzbarer Verbindung und alkalilöslichem Polymerisat mit 100 Gewichtsteilen an, sollte das alkalilösliche Polymerisat in einer Menge von 90 Gewichtsteilen oder weniger, vorzugsweise 80 Gewichtsteilen oder weniger, zum Einsatz gelangen. Wenn weder die säurezersetzbare Verbindung noch die o-Chinondiazidverbindung aus einem Polymerisat besteht, ist es zweckmäßig, das alkalilösliche Polymerisat der beschriebenen Art als vierte Komponente des Resists (4) mitzuverwenden.

Der Resist (4) kann neben der säurezersetzbaren Verbindung, dem Säurelieferanten und der Carbonsäure erforderlichenfalls auch einen Sensibilisator, einen Farbstoff, ein Netzmittel und einen Lösungsinhibitor enthalten.

Den Resist (4) erhält man durch Auflösen der säurezersetz­ baren Verbindung und der o-Chinondiazidverbindung und erforderlichenfalls der Carbonsäure, des alkalilöslichen Polymerisats und der sonstigen Komponenten in einem auch zur Herstellung des Resists (1) verwendeten organischen Lösungsmittel und durch Filtrieren der erhaltenen Lösung.

Im folgenden wird ein Verfahren zur Ausbildung eines Musters auf einer Unterlage bzw. einem Substrat unter Verwendung eines beliebigen Resists (1) bis (4) gemäß der Erfindung beschrieben.

Zunächst wird der Resist durch Spinnbeschichten oder Tauchen auf eine Unterlage bzw. ein Substrat aufgetragen. Der derart aufgetragene Resist wird dann zur Bildung eines Resistfilms bei 150°C oder weniger, vorzugsweise 70° bis 120°C, getrocknet. Bei der Unterlage bzw. dem Substrat handelt es sich um ein Siliziumplättchen, ein Silizium­ plättchen mit Isolierschichten, Elektroden und einer Verdrahtung auf seiner Oberfläche (d. h. ein solches mit abgestuften Teilen), eine blanke Maske oder ein Halblei­ terplättchen einer III-V-Verbindung, beispielsweise ein GaAs-Plättchen oder ein AlGaAs-Plättchen.

Danach wird der Resistfilm durch eine Maske mit dem ge­ wünschten Muster mit UV-Strahlung, vorzugsweise tiefer UV-Strahlung oder ionisierender Strahlung, belichtet. Im Falle, daß beispielsweise der Film aus dem Resist (1) besteht, liefert der Säurelieferant eine Säure. Die Säure reagiert mit der säurezersetzbaren Verbindung. Beispiele für UV-Strahlung sind die durch einen KrF-, ArF-, XeF- oder XeCl-Excimerlaser emittierte Strahlung und die durch eine Quecksilberlampe emittierte i-Linie, h-Linie oder g-Linie. Beispiele für ionisierende Strahlung sind Elektronenstrahlen und Röntgenstrahlen. Bei dem geschil­ derten Belichtungsverfahren läßt sich der nicht mit UV-Strahlung oder der ionisierenden Strahlung belichtete Resistfilm mit einem Elektronenstrahl abtasten. Wenn dies der Fall ist, braucht man keine Masken. Der Elektronen­ strahl wird vielmehr direkt auf den Resistfilm gerichtet.

Danach wird der Resistfilm auf 70 bis 160, vorzugsweise 80 bis 150°C, erwärmt. Während des Erwärmens wird die Reak­ tion zwischen der säurezersetzbaren Verbindung und der durch den Säurelieferanten gelieferten Säure beschleunigt. Der Resistfilm wird aus folgenden Gründen auf eine Temperatur innerhalb des angegebenen Bereichs erwärmt.

Wenn der Resistfilm auf eine Temperatur unterhalb 70°C erwärmt wird, vermag die durch den Säurelieferanten gelieferte Säure nicht in ausreichendem Maße mit der säurezersetzbaren Verbindung zu reagieren. Wenn anderer­ seits der Resistfilm auf eine Temperatur über 160°C erwärmt wird, kommt es zu einer Zersetzung oder Aushärtung sowohl der belichteten als auch der unbelichteten Bereiche des Films.

Danach wird der in der geschilderten Weise erwärmte Resistfilm mit einer wäßrigen Alkalilösung entwickelt, wobei ein gewünschtes Resistmuster entsteht. Beispiele für die wäßrige Alkalilösung sind wäßrige Lösungen anorgani­ scher Alkalien, z. B. wäßrige Kaliumhydroxid-, Natrium­ hydroxid-, Natriumcarbonat- und Natriumsilikatlösungen, Natriummetasilikat, wäßrige Lösungen organischer Alkalien, z. B. wäßrige Lösungen von Tetramethylammoniumhydroxid und Trimethylhydroxyethylammoniumhydroxid sowie Mischungen der genannten Verbindungen mit Alkoholen, oberflächenaktiven Mitteln und dgl.

Das erhaltene Resistmuster wird zur Entfernung der Entwicklerlösung mit Wasser gewaschen. Schließlich wird das Resistmuster zusammen mit der Unterlage, auf der es entstanden ist, getrocknet.

Bei dem geschilderten Verfahren zur Ausbildung eines Re­ sistmusters kann auch ein stufenweises Brennen erfolgen. Hierbei wird das Substrat nach der Entwicklung des Resistfilms unter Brückenbildung in der Harzkomponente des Resistfilms schrittweise erwärmt. Andererseits kann auch eine Härtung mit tiefer UV-Strahlung durchgeführt werden. Hierbei wird der Resistfilm, während er erwärmt wird, mit tiefer UV-Strahlung bestrahlt. Auch hierbei kommt es zu einer Brückenbildung innerhalb der Harzkomponente des Resistfilms. Beide Verfahren dienen zur Verbesserung der Wärmebeständigkeit des gebildeten Resistmusters.

Erfindungsgemäß kann der Resistfilm vor oder nach seiner Belichtung mit chemischer Strahlung in eine schwach­ konzentrierte wäßrige Alkalilösung getaucht und danach entwickelt werden. Wenn der Resistfilm einmal mit der schwach-konzentrierten wäßrigen Alkalilösung behandelt wurde, gehen seine unbelichteten Bereiche mit geringerer Geschwindigkeit in Lösung, wodurch sich der Kontrast des gebildeten Reliefbildes erhöht. Die wäßrige Alkalilösung kann durch ein Amin, z. B. Trimethylamin, Triethanolamin oder Hexamethylsilazan, ersetzt werden. Anstelle des Eintauchens in ein Amin kann der Resistfilm auch dem dampfförmigen Amin ausgesetzt werden. Darüber hinaus kann der Resistfilm auch einer wäßrigen Alkalilösung ausgesetzt und dann erforderlichenfalls wärmebehandelt werden.

Erfindungsgemäß kann ferner auf dem Resistfilm eine Schleierbelichtung durchgeführt werden. Hierbei wird die gesamte Oberfläche des bereits mustergerecht belichteten Resistfilms unter Erwärmen (des Films) belichtet. Die Schleierbelichtung verringert die Geschwindigkeit, mit der die nicht-belichteten Bereiche des Resistfilms in Lösung gehen. Auf diese Weise erhöht sich die Auflösung des Resistfilms.

Bei der Ausbildung eines Resistmusters kann auf dem entweder aus dem Resist (1) oder dem Resist (4) bestehenden Resistfilm vor seiner Belichtung eine Schicht aus einem sauren wasserlöslichen Polymerisat abgelagert werden. Diese Schicht erhält man durch Auftragen einer durch Auflösen des Polymerisats in reinem Wasser zubereiteten wäßrigen Beschichtungslösung des Polymerisats auf den Resistfilm durch Spinnbeschichten oder (bloßes) Ablagern und Trocknen der aufgetragenen Lösung bei 150°C oder weniger, vorzugsweise 120°C oder weniger. Die dadurch auf dem Resistfilm gebildete Schicht verhindert, daß sich auf dem Resistfilm eine kaum lösliche Schicht zu bilden vermag.

Vorzugsweise handelt es sich bei dem sauren wasserlösli­ chen Polymerisat um ein solches mit einer Carboxy- oder Sulfogruppe als Substituenten. Spezielle Beispiele für die wasserlöslichen Polymerisate sind Polyacrylsäure, Polymethacrylsäure, Polystyrolsulfonsäure, Polyäpfelsäure, Polyitaconsäure, Ethylen/Maleinsäureanhydrid-Mischpoly­ merisat, Ethylen/Methacrylsäure-Mischpolymerisat, Ethylvinylether/Maleinsäureanhydrid-Mischpolymerisat und Styrol/Maleinsäureanhydrid-Mischpolymerisat. Diese sauren wasserlöslichen Polymerisate können alleine oder in Kombination eingesetzt werden. Wenn eines dieser Polymerisate, welches Maleinsäureanhydrid enthält, in reinem Wasser gelöst wird, wird die Anhydridbildung unter Bildung einer Carbonsäure gespalten. Dadurch erhält das betreffende Polymerisat seine Azidität.

Die Schicht aus dem sauren wasserlöslichen Polymerisat kann ein als Beschichtungsmodifizierungsmittel dienendes Netzmittel enthalten.

Die Schichtdicke der Polymerisatschicht beträgt zweck­ mäßigerweise 10 bis 1000, vorzugsweise 50 bis 500 nm. Wenn die Schicht dünner als 10 nm ist, vermag sie die Bildung einer kaum löslichen Schicht auf dem Resistfilm nicht zu verhindern. Wenn die Schicht dicker ist als 1000 nm, verschlechtert sich die Auflösung des Resistfilms. Die Dicke der Polymerisatschicht hängt nicht von der Dicke des Resistfilms ab. Stattdessen hängt sie von der Dicke der sich bei Abwesenheit der Polymerisatschicht möglicherwei­ se ausbildenden, kaum löslichen Schicht ab.

Der Resistfilm mit der darauf befindlichen Polymerisat­ schicht wird durch eine Maske mit chemischer Strahlung belichtet, dann auf eine gegebene Temperatur erwärmt und schließlich mit einer wäßrigen Alkalilösung entwickelt. Während des Entwicklungsvorganges wird die Polymerisat­ schicht von der gesamten Oberfläche des Resistfilms, und zwar sowohl von den belichteten Bereichen als auch von den unbelichteten Bereichen, entfernt. Danach werden entweder die belichteten Bereiche des Resistfilms oder seine unbe­ lichteten Bereiche von der Unterlage entfernt, wobei ein Resistmuster entsteht. Andererseits kann die Polymerisat­ schicht auch vor Durchführung der Entwicklung mit reinem Wasser weggewaschen werden, so daß danach (lediglich) der Resistfilm entwickelt wird. In diesem Falle läßt sich die Gefahr einer Änderung der Alkalikonzentration der wäßrigen Alkalilösung, d. h. der Entwicklerlösung, durch das die Schicht auf dem Resistfilm bildende saure wasserlösliche Polymerisat vermeiden. Dies dient dazu, ein Resistmuster hoher Auflösung herzustellen.

In dem erfindungsgemäßen Resist (1) übt der Säurelieferant zwei Funktionen aus. Er wirkt als Lösungsinhibitor in sämtlichen unbelichteten Bereichen des Resistfilms und als Säurelieferant in sämtlichen belichteten Bereichen des Resistfilms. Die säurezersetzbare Verbindung der Formel (I) wird durch die durch den eine Carbonsäure liefernden Säurelieferanten freigesetzte Säure zersetzt. Auf diese Weise geht diese Verbindung in der Entwicklerlösung leichter in Lösung als sonst. Folglich läßt sich die Verbindung der Formel (I) mit weit höherer Geschwindig­ keit in Lösung bringen als die Verbindungen, die bislang benutzt wurden und die bei Zersetzung durch eine Säure Phenol liefern. Daraus folgt, daß die belichteten Bereiche des aus dem Resist (1) bestehenden Film weit rascher in Lösung gehen als die unbelichteten Bereiche. Folglich besitzt der Resist (1) eine hohe Empfindlichkeit und läßt sich zu einem hochauflösenden Resistmuster verarbeiten. Selbst wenn es sich bei dem Säurelieferanten um einen solchen handelt, der bei Einwirkung einer chemischen Strahlung (nur) eine schwache Säure liefert, gehen die belichteten Bereiche des Resistfilms immer noch rascher in Lösung als die unbelichteten Bereiche. Mit anderen Worten gesagt, lassen sich erfindungsgemäß die verschiedensten Säurelieferanten zum Einsatz bringen.

Wenn es sich bei dem Säurelieferanten um eine o-Chinondiazidverbindung handelt, vermag diese eine Erosion der Unterlage bzw. des Substrats weit wirksamer zu unterdrücken als die in üblichen bekannten Resists enthaltenen Oniumsalze. Der Einsatz einer o-Chinondiazid­ verbindung ist auch deshalb von Vorteil, weil sie weit weniger schädlich ist als das Oniumsalz. In diesem Falle läßt sich der Resist (1) auch ohne Schwierigkeiten handhaben und verarbeiten. Anders als Filme aus üblichen chemisch verstärkten Resists besitzt darüber hinaus ein Film aus dem Resist (1) auf seiner Oberfläche kaum Narben. Folglich entstehen nach der Entwicklung des Films aus dem Resist (1) Öffnungen rechteckigen Querschnitts mit dem Ergebnis der Ausbildung eines feinen Resistmusters.

Im Falle, daß der Resist (1) als dritte Komponente eine Carbonsäure enthält, läßt er sich in einer alkalischen Entwicklerlösung noch leichter in Lösung bringen. Dadurch verringert sich die Gefahr der Bildung einer kaum löslichen Schicht auf dem Resistfilm, wie dies bei chemisch verstärkten Resists unvermeidlich ist. Darüber hinaus trägt dies dazu bei, daß der Resist (1) ein feines Resistmuster mit Öffnungen jeweils eines rechteckigen Querschnitts liefert.

Wenn ferner der Resist (1) als vierte Komponente ein alkalilösliches Harz enthält, läßt sich die Löslichkeit der belichteten Bereiche des Films aus dem Resist (1) steuern. Folglich besitzt der erfindungsgemäße Resist (1) eine hohe Empfindlichkeit und gewährleistet eine hohe Auflösung.

In dem erfindungsgemäßen Resist (2) spielt der Säureliefe­ rant zwei Rollen. Er wirkt als Lösungsinhibitor in sämtlichen unbelichteten Bereichen des Resistfilms und liefert eine Säure in sämtlichen belichteten Bereichen des Resistfilms. Die entstandene Säure reagiert mit der säure­ zersetzbaren Verbindung unter Zersetzung derselben. Dies führt dazu, daß bei der Entwicklung und beim Spülen des Resistfilms seine belichteten Bereiche rascher gelöst und entfernt werden als die unbelichteten Bereiche. Der Resist (2) besitzt eine hohe Lichtempfindlichkeit und vermag folglich ein feines Resistmuster zu liefern.

Aufgrund seiner dritten Komponente, d. h. der Carbonsäure, erhält der Resist (2) eine hohe Löslichkeit in einer alkalischen Entwicklerlösung. Anders als Filme aus chemisch verstärkten Resists erhält ein Film aus dem Resist (2) in seinem oberen Bereich kaum eine narbige und kaum lösliche Schicht. Offensichtlich vermag der Resist (2) ein feines Resistmuster mit Öffnungen von jeweils rechteckigem Querschnitt zu liefern.

Wenn in dem Resist (2) als vierte Komponente ein alkali­ lösliches Harz verwendet wird, kann man die Löslichkeit dieses Resists in der alkalischen Entwicklerlösung steuern. Folglich besitzt der Resist (2) eine verbesserte Lichtempfindlichkeit und eine höhere Auflösung.

In dem erfindungsgemäßen Resist (3) spielt der bei Be­ lichtung mit chemischer Strahlung eine starke Säure liefernde Säurelieferant zwei Rollen. Er wirkt als Auflösungsinhibitor in sämtlichen belichteten Bereichen des Resistfilms und erzeugt ferner eine starke Säure in sämtlichen belichteten Bereichen des Resistfilms. Die entstandene starke Säure reagiert mit der säurezersetz­ baren Verbindung unter Zersetzung dieser Verbindung. Dies führt dazu, daß bei der Entwicklung und beim Spülen des Resistfilms dessen belichtete Bereiche rascher in Lösung gehen und entfernt werden als die unbelichteten Bereiche. Der Resist (3) besitzt eine hohe Lichtempfindlichkeit und vermag folglich ein feines Resistmuster zu liefern.

Der in dem Resistfilm (3) enthaltene und bei Belichtung mit chemischer Strahlung eine schwache Säure liefernde zweite Säurelieferant vermag die säurezersetzbare Ver­ bindung entweder nur geringfügig oder überhaupt nicht zu zersetzen. Nichtsdestoweniger erleichtert er das Inlösung­ gehen des Resists (3) in der alkalischen Entwicklerlösung, d. h. er erhöht die Löslichkeit des Resists (3). Mit anderen Worten gesagt, verringert der zweite Säureliefe­ rant die Möglichkeit, daß sich auf dem Resistfilm eine kaum lösliche Schicht bildet, wie dies bei chemisch verstärkten Resists unvermeidlich der Fall ist. Dies befähigt den Resist (3) zur Ausbildung feiner Resistmuster mit Öffnungen mit jeweils rechteckigem Querschnitt.

In dem erfindungsgemäßen Resist (4) besitzt die als zweite Komponente verwendete o-Chinondiazidverbindung zwei Funktionen. Sie wirkt als Lösungsinhibitor in sämtlichen unbelichteten Teilen des Resistfilms und liefert eine Säure in sämtlichen belichteten Bezirken des Resistfilms. Die entstandene Säure reagiert mit der säurezersetzbaren Verbindung unter Zersetzung derselben. Dies führt dazu, daß beim Entwickeln und Spülen des Resistfilms der belichtete Bereich des Resistfilms weit rascher in Lösung geht und entfernt wird als der unbelichtete Bereich. Der Resist (4) besitzt eine hohe Lichtempfindlichkeit und vermag folglich ein feines Resistmuster zu liefern. Die zweite Komponente des Resists (4), d. h. die o-Chinon­ diazidverbindung, unterdrückt die Erosion des Substrats weit wirksamer als ein in üblichen bekannten Resists enthaltenes Oniumsalz. Der Einsatz der o-Chinondiazid­ verbindung ist auch deshalb von Vorteil, weil sie weit weniger gefährlich ist als das Oniumsalz. Dadurch läßt sich der Resist (4) sehr leicht handhaben und verarbei­ ten. Aufgrund der Anwesenheit einer o-Chinondiazid­ verbindung ist ein Film aus dem Resist (4) auf seiner Oberfläche kaum narbig, wie dies bei Filmen aus üblicherweise chemischen verstärkten Resists der Fall ist. Folglich entstehen nach dem Entwickeln und Spülen eines Films aus dem Resist (4) Öffnungen mit rechteckigem Querschnitt. Auf diese Weise erhält man ein feines Resistmuster.

Wenn als dritte Komponente in dem Resist (4) eine Carbon­ säure verwendet wird, erhält der Resist eine sehr hohe Löslichkeit in der alkalischen Entwicklerlösung. Anders als Filme aus chemisch verstärkten Resists entsteht auf einem Film aus dem Resist (4) in seinem oberen Bereich kaum eine Schicht, die narbig ist und nur unter Schwierigkeiten in Lösung geht. Folglich vermag der Resist (4) ein feines Resistmuster mit Öffnungen jeweils recht­ eckigen Querschnitts zu liefern. Wenn in dem Resist (4) als vierte Komponente ein alkalilösliches Harz enthalten ist, läßt sich die Löslichkeit der belichteten Bereiche des Resistfilms in der alkalischen Entwicklerlösung steuern. Das alkalilösliche Harz verleiht somit dem Resist (4) eine verbesserte Lichtempfindlichkeit und eine erhöhte Auflösung.

Die Filme aus den erfindungsgemäßen Resists (1) bis (4) lassen sich in entsprechender Weise behandeln wie bisher bekannte Resists vom Positivtyp mit Naphthochinondiazid. So kann beispielsweise zur Verbesserung des Bildkontrasts des zu bildenden Resistmusters eine Alkalibehandlung durchgeführt werden. Zur Verbesserung der Wärmebeständig­ keit des zu bildenden Resistmusters kann man stufenweise brennen oder mit tiefer UV-Strahlung eine Härtungsbehand­ lung durchführen. Bei Durchführung dieser Maßnahmen lassen sich die sonstigen Behandlungsstufen, wie Belichtung und Entwicklung, variabler durchführen als sonst.

Bei der Ausbildung eines Resistmusters mit Hilfe der Resists (1), (2), (3) oder (4) wird zunächst der Resist zur Ausbildung eines Resistfilms auf eine Unterlage bzw. ein Substrat aufgetragen. Danach wird der Resistfilm mustergerecht belichtet, wobei ausgewählte Bereiche des Resistfilms einer chemischen Strahlung ausgesetzt werden. In den belichteten Bereichen des Resistfilms läßt der Säurelieferant bei Einwirkung der chemischen Strahlung eine Säure entstehen. Die entstandene Säure reagiert mit der säurezersetzbaren Verbindung in den belichteten Bereichen des Films unter Zersetzung der säurezersetz­ baren Verbindung. Nach der mustergerechten Belichtung wird der Resistfilm auf eine gegebene Temperatur erwärmt. Dabei setzt sich die Reaktion der Säure mit der säurezersetz­ baren Verbindung von der belichteten Oberfläche des Films zu seiner unbelichteten Oberfläche hin fort. Dies führt dazu, daß im Laufe der dem Erwärmen nachgeschalteten Entwicklung jeder belichtete Bereich des Films vollstän­ dig weit rascher weggelöst und entfernt wird als die unbelichteten Bereiche. Auf diese Weise bildet der Resistfilm ein feines Resistmuster mit Öffnungen recht­ eckigen Querschnitts.

Insbesondere im Falle eines Films aus dem Resist (2) erhöht die Carbonsäure die Geschwindigkeit, mit der der Resist (2) in der alkalischen Entwicklerlösung in Lösung geht. Im Falle des Films aus dem Resist (3) erhöht die schwache Säure, die durch Belichtung mit chemischer Strahlung durch den zweiten Säurelieferanten freigesetzt wird, die Löslichkeit des Resists (3) in der alkalischen Entwicklerlösung. Mit anderen Worten gesagt, trägt der zweite Säurelieferant dazu bei, die Gefahr der Bildung einer kaum löslichen Schicht auf dem Resistfilm, wie es bei chemisch verstärkten Resists unvermeidlich ist, zu verringern. Folglich läßt sich der Resist (3) im Rahmen der Herstellung einer Halbleitervorrichtung hoher Integrationsdichte zu einem feinen Resistmuster verarbeiten.

Bei der Herstellung eines Resistmusters aus den Resists (1) oder (4) wird der Resist unter Filmbildung auf ein Substrat aufgetragen. Auf dem Resistfilm wird eine Schicht aus einem säurelöslichen Polymerisat abgelagert. Danach wird der Resistfilm mustergerecht belichtet und auf eine gegebene Temperatur erwärmt. In dem belichteten Bereich des Resistfilms läßt der Säurelieferant eine Säure entstehen. Die Säure reagiert mit der säurezersetzbaren Verbindung. Die Reaktion setzt sich von der belichteten Oberfläche des Resistfilms zu seiner unbelichteten Oberfläche hin fort. Während dieser Reaktion hindert die säurelösliche Polymerisatschicht unerwünschte Substanzen in der Arbeitsumgebung an einem Inberührunggelangen mit dem Resistfilm, so daß sich auf diesem keine kaum lös­ lichen Schichten, die sich bei chemisch verstärkten Resistfilmen als nachteilig erwiesen haben, bilden können. Selbst wenn sich auf der säurelöslichen Polymerisatschicht eine kaum lösliche Schicht bildet, wird sie bei der Entwicklung des mustergerecht belichteten und erwärmten Resistfilms zusammen mit der säurelöslichen Polymerisat­ schicht weggelöst. Somit erhält man letztlich ein feines Resistmuster mit Öffnungen eines rechteckigen Quer­ schnitts.

Die Erfindung ist anhand der Zeichnungen näher erläutert. Im einzelnen zeigen:

Fig. 1 einen Querschnitt durch ein gemäß dem erfindungs­ gemäßen Beispiel 25 auf einem Siliziumplättchen ausgebil­ detes Muster und

Fig. 2 einen Querschnitt eines im Rahmen eines Ver­ gleichsbeispiels auf einem Siliziumplättchen ausgebil­ deten Musters.

Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung näher ver­ anschaulichen.

1. Herstellung einer säurezersetzbaren Verbindung

50 g handelsübliches Polyvinylphenol werden in einem mit gasförmigem Stickstoff gefüllten Vierhalskolben in 200 ml Aceton gelöst. Danach wird die erhaltene Lösung mit 17,63 g Kaliumcarbonat, 8,48 g Kaliumjodid und 24,38 g tert.- Butylbromacetat beschickt und unter Rühren 7 h lang unter Rückfluß gehalten. Nach dem Abfiltrieren der unlöslichen Bestandteile wird das Aceton abdestilliert. Die gebildete Substanz wird dann in 150 ml Ethanol gelöst. Beim Ein­ tropfen dieser Lösung in 1,5 l Wasser fällt das Polyme­ risat aus. Dieses wird abfiltriert und dreimal mit jeweils 300 ml Wasser gewaschen. Nach 12-stündigem Trocknen im Luftstrom wird das Polymerisat in 200 ml Ethanol gelöst, ausgefällt und gereinigt. Nach 24-stündigem Trocknen in einem Vakuumtrockner bei 50°C erhält man 52 g Polymerisat. Die Ergebnisse einer ¹H-NMR-Spektraluntersuchung zeigen, daß es sich bei diesem Polymerisat um tert.-Butoxy­ carbonylmethoxypolyhydroxystyrol, bei dem 35% der Hydroxygruppen im Polyvinylphenolanteil in tert.- Butoxycarbonylmethylethergruppen übergegangen sind, handelt. Bei dem erhaltenen Polymerisat handelt es sich um eine säurezersetzbare Verbindung, die im folgenden als "Ba-35" bezeichnet wird.

In entsprechender Weise, wie die Verbindung Ba-35, werden sechs weitere Polymerisate synthetisiert. Diese unter­ scheiden sich voneinander und von der Verbindung Ba-35 im Substitutionsverhältnis der Hydroxygruppen (vgl. die später folgende Tabelle IX).

2. Bestandteile des Resists

Weitere, von den säurezersetzbaren Verbindungen gemäß Tabelle IX verschiedene säurezersetzbare Verbindungen sind in den später folgenden Tabellen X bis XV angegeben. Verbindungen, die bei Einwirkung einer chemischen Strahlung eine starke Säure liefern, sind in den später folgenden Tabellen XVI und XVII angegeben. Verbindungen, die bei Einwirkung einer chemischen Strahlung eine schwache Säure liefern, sind in der später folgenden Tabelle XIX angegeben.

3a. Herstellung eines Resists (1)

2,0 g der säurezersetzbaren Verbindung Ba-35 gemäß Tabelle IX, 0,44 g o-Chinondiazidverbindung QD-4 gemäß der später folgenden Tabelle I, bei der die Anzahl x 3 pro Molekül beträgt, und 2,0 g Polyvinylphenol werden in 13,8 g Ethyl­ cellosolveacetat gelöst. Die erhaltene Lösung wird mit Hilfe eines Filters einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert. Hierbei erhält man den Resist RE-1.

3b. Herstellung von Resists (2) bis (10)

Die säurezersetzbaren Verbindungen gemäß Tabelle IX, die o-Chinondiazidverbindungen gemäß Tabellen III bis V und Polyvinylphenol werden in den in den später folgenden Tabellen XX und XXII angegebenen Verhältnissen miteinander zu verschiedenen Mischungen verarbeitet. Die erhaltenen Mischungen werden den in den später folgenden Tabellen XX und XXI angegebenen Lösungsmitteln und in den a. a. O. angege­ benen Mengen gelöst, wobei neun verschiedene Lösungen erhalten werden. Diese werden durch ein Filter einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert, wobei neun Resists RE-2 bis RE-10 erhalten werden. Die Tabelle XX enthält auch Angaben über die Zusammensetzung des Resists RE-1.

Beispiel 1

Der Resist RE-1 wird durch Spinnbeschichten auf ein 15,24 cm großes Siliziumplättchen aufgetragen. Das Plättchen wird auf eine auf 90°C heiße Heizplatte gelegt und 10 min lang vorgebrannt, wobei ein Resistfilm einer Dicke von 1,0 µm entsteht. Danach wird der Resistfilm mittels eines KrF-Excimerlasers (NA: 0,45) mustergerecht belichtet und 5 min auf einer 120°C heißen Heizplatte gebrannt. Durch 20 s dauerndes Eintauchen des belichteten Resistfilms in eine 1,59%ige wäßrige Tetramethylammoniumhydroxidlösung (im folgenden als "TMAH" bezeichnet) wird der Film entwickelt. Danach wird der Resistfilm mit Wasser gewaschen und ge­ trocknet, wobei ein Resistmuster erhalten wird.

Beispiele 2 bis 15

Die in Tabellen XX und XXI aufgeführten Resists werden durch Spinnbeschichten auf 15,24 cm große Silizium­ plättchen aufgetragen. Danach werden die Resists unter verschiedenen Bedingungen (vgl. Tabellen XXII und XXIII) vorgebrannt. Hierbei erhält man 14 Resistfilme, jeweils einer Stärke von 1,0 µm auf den Siliziumplättchen. Danach wird jeder Resistfilm mittels eines KrF-Excimerlaser- Stufenkeils mustergerecht belichtet und unter den in Tabellen XXII und XXIII angegebenen Bedingungen gebrannt. Schließlich werden sämtliche Resistfilme entwickelt und mit Wasser gewaschen, wobei 14 Arten von Resistmustern erhalten werden.

Die Querschnitte der erhaltenen 15 Resistmuster werden mittels eines Abtastelektronenmikroskops betrachtet, um die Auflösung jeden Resistmusters zu ermitteln. Genauer gesagt, werden die Linien der Muster und die Spalte zwischen den Linien ausgemessen. Ferner wird die bei der Belichtung auf jeden Resistfilm einwirkende Lichtmenge bestimmt. Die Ergebnisse sind in den später folgenden Tabellen XXII und XXIII angegeben.

Beispiel 16

Der Resist RE-1 gemäß Tabelle XX wird auf ein 15,24 cm großes Siliziumplättchen aufgetragen und danach 10 min lang auf einer 90°C heißen Heizplatte gebrannt, wobei auf dem Siliziumsubstrat ein Resistfilm einer Dicke von 1,0 µm erhalten wird. Der erhaltene Resistfilm wird mittels eines KrF-Excimerlaser-Stufenkeils (NA: 0,45) mustergerecht belichtet und dann 5 min lang auf einer 120°C heißen Heizplatte gebrannt. Durch 45 s dauerndes Eintauchen in eine 1,59%ige wäßrige Lösung von TMAH wird der Resistfilm entwickelt. Nach dem Waschen und Trocknen wird der Resist­ film innerhalb von 10 min durch stufenweises Erwärmen von 120°C auf 180°C auf der Heizplatte stufenweise gebrannt, wobei ein Resistmuster entsteht.

Der Querschnitt des erhaltenen Resistmusters wird mit Hilfe eines Abtastelektronenmikroskops betrachtet, um die Auflösung des Resistmusters zu bestimmen. Genauer gesagt, werden die Breiten der Musterlinien und die Spalte zwi­ schen den Linien ausgemessen. Ferner wird die bei der Belichtung auf den Resistfilm applizierte Lichtmenge bestimmt. Es hat sich gezeigt, daß die Linienbreiten und die Spalte zwischen den Linien 0,35 µm und die Lichtmenge bzw. Belichtung 40 mJ/cm² betragen.

Die Resistmuster der Beispiele 1 und 16 werden 5 min lang auf einer Heizplatte auf 180°C erwärmt, worauf die Quer­ schnitte ihrer Linien einer Breite von 5 µm mit Hilfe des Abtastelektronenmikroskops ausgemessen werden. Es hat sich gezeigt, daß die Spitze jeder 5 µm breiten Linie bei Bei­ spiel 1 abgerundet, bei Beispiel 16 dagegen flach ist.

Beispiel 17

Der Resist RE-1 gemäß Tabelle XX wird durch Spinnbeschich­ ten auf ein 15,24 cm großes Siliziumplättchen aufgetragen. Durch 10-minütiges Vorbrennen auf einer 90°C heißen Heiz­ platte entsteht auf dem Siliziumplättchen ein Resistfilm einer Dicke von 1,0 µm. Der erhaltene Resistfilm wird mit Hilfe eines KrF-Excimerlaser-Stufenkeils (NA: 0,45) mu­ stergerecht belichtet und dann 5 min lang auf einer auf 120°C erwärmten Heizplatte gebrannt. Durch 45 s dauerndes Eintauchen des Resistfilms in eine 1,59%ige wäßrige Lösung von TMAH wird der Resistfilm entwickelt. Danach wird er gewaschen und getrocknet. Schließlich wird der Resistfilm 2 min lang mit von einer Quecksilberlampe stammendem und gefiltertem Licht einer Wellenlänge von 290 bis 310 nm unter Erwärmen auf einer Heizplatte auf 110°C in einer Stickstoffgasatmosphäre belichtet. Hierbei entsteht ein Resistmuster.

Der Querschnitt des erhaltenen Resistmusters wird unter einem Abtastelektronenmikroskop betrachtet. Es hat sich gezeigt, daß das Muster Linien und Spalte zwischen diesen Linien in jeweils einer Breite von 0,35 µm aufweist. Die dem Resistfilm zugeführte Lichtmenge beträgt 40 mJ/cm².

Die Resistmuster der Beispiele 1 und 17 werden 5 min lang auf einer Heizplatte auf 180°C erwärmt, worauf die Quer­ schnitte ihrer Linien einer Breite von 5 µm mit Hilfe des Abtastelektronenmikroskops betrachtet werden. Es hat sich gezeigt, daß die Spitze jeder 5 µm breiten Linie gemäß Beispiel 17 flach und nicht abgerundet wie die Spitze der 5 µm breiten Linie gemäß Beispiel 1 ist.

Beispiel 18

Der Resist RE-1 gemäß Tabelle XX wird durch Spinnbeschich­ ten auf ein 15,24 cm großes Siliziumplättchen aufgetragen. Bei 10-minütigem Vorbacken auf einer auf 90°C erwärmten Heizplatte entsteht auf dem Siliziumplättchen ein Resist­ film einer Dicke von 1 µm. Der Resistfilm wird mit Hilfe eines KrF-Excimerlaser-Stufenkeils (NA: 0,45) musterge­ recht belichtet und dann 5 min lang auf einer auf 120°C erwärmten Heizplatte gebrannt. Durch 15 s dauerndes Ein­ tauchen in eine 1,59%ige wäßrige Lösung von TMAH wird der Resistfilm entwickelt und dann gewässert und getrocknet. Schließlich wird der Resistfilm erneut 15 s lang in eine 1,59%ige wäßrige Lösung von TMAH eingetaucht, mit Wasser gewaschen und getrocknet, wobei ein Resistmuster erhalten wird.

Der Querschnitt des erhaltenen Resistmusters wird unter einem Abtastelektronenmikroskop untersucht. Es hat sich gezeigt, daß das Muster Linien und Spalte zwischen diesen Linien sämtlich eine Breite von 0,30 µm aufweist. Die dem Resistfilm zugeführte Lichtmenge beträgt 50 mJ/cm².

Beispiel 19

Der Resist RE-1 gemäß Tabelle XX wird durch Spinnbeschich­ ten auf ein 15,24 cm großes Siliziumplättchen aufgetragen. Bei 10-minütigem Vorbrennen auf einer 90°C warmen Heiz­ platte entsteht auf dem Siliziumplättchen ein Resistfilm einer Dicke von 1,0 µm. Der erhaltene Resistfilm wird mit Hilfe eines KrF-Excimerlaser-Stufenkeils (NA: 0,45) mu­ stergerecht belichtet. Danach wird der Resistfilm 5 min lang unter Erwärmen auf 110°C auf einer Heizplatte und unter Stickstoffgasatmosphäre mit von einer Queck­ silberlampe durch ein Filter abgestrahltem Licht einer Wellenlänge von 290 bis 310 nm belichtet. Danach wird der Resistfilm zu seiner Entwicklung 45 s in eine 1,59%ige wäßrige Lösung von TMAH eingetaucht. Schließlich wird der Resistfilm mit Wasser gewaschen und getrocknet, wobei ein Resistmuster erhalten wird.

Der Querschnitt des Resistmusters (Beispiel 19) wird unter einem Abtastelektronenmikroskop untersucht. Es hat sich gezeigt, daß das Muster Linien und Spalte zwischen diesen Linien mit jeweils einer Breite von 0,30 µm aufweist. Die dem Resistfilm zugeführte Lichtmenge beträgt 55 mJ/cm².

3c. Resist (11)

50 g der säurezersetzbaren Verbindung Ba-20 gemäß Tabelle IX und 0,025 g des Säurelieferanten C-1 gemäß der später folgenden Tabelle XVI werden in 15,8 g Ethylcellosolve­ acetat gelöst. Die erhaltene Lösung wird durch ein Filter einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert, wobei ein Resist RE-11 erhalten wird.

3d. Resists (12) bis (19)

Die säurezersetzbaren Verbindungen gemäß Tabelle IX, die Säurelieferanten gemäß Tabelle XVI und erforderlichenfalls ein alkalilösliches Polymerisat werden zur Zubereitung verschiedener Mischungen in den in den später folgenden Tabellen XXIV und XXV aufgeführten Verhältnissen mitein­ ander gemischt. Die Mischungen werden in den in Tabellen XXIV und XXV genannten Lösungsmitteln in den a. a. O. angege­ benen Mengen gelöst, wobei acht verschiedene Lösungen erhalten werden. Diese Lösungen werden durch ein Filter einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert, wobei acht Resists RE-12 bis RE-19 erhalten werden. Die Tabelle XXIV enthält auch Angaben über die Zusammensetzung des Resists RE-11.

Beispiel 20

Der Resist RE-11 gemäß Tabelle XXIV wird durch Spinnbe­ schichten auf ein 15,24 cm großes Siliziumplättchen aufgetragen. Durch 90 s dauerndes Vorbrennen auf einer auf 95°C aufgeheizten Heizplatte entsteht auf dem Silizium­ plättchen ein Resistfilm einer Dicke von 1,0 µm. Auf den erhaltenen Resistfilm wird eine Lösung eines sauren was­ serlöslichen Polymerisats mit Methylvinylether- und Maleinsäureanhydrideinheiten durch Spinnbeschichten aufgetragen. Zur Bildung einer Polymerisatschicht einer Dicke von 0,15 µm wird das Polymerisat 60 s auf einer 90°C heißen Heizplatte gebrannt. Danach wird der Resistfilm mittels eines KrF-Excimerlaser-Stufenkeils (NA: 0,45) mustergerecht belichtet und 90 s auf einer 95°C heißen Heizplatte gebrannt. Schließlich wird der Film mit reinem Wasser gewaschen, um die Polymerisatschicht wegzuwaschen. Zu seiner Entwicklung wird der Resistfilm in eine 0,14N wäßrige TMAH-Lösung 90 s lang eingetaucht. Nach dem Waschen und Trocknen erhält man ein Resistmuster.

Beispiele 21 bis 24

Die Resists gemäß Tabelle XXIV werden durch Spinnbeschich­ ten auf 15,24 cm große Siliziumplättchen aufgetragen. Die Resists werden dann unter den in der später folgenden Tabelle XXVI angegebenen Bedingungen vorgebrannt, wobei auf den Siliziumplättchen vier Arten von Resistfilmen jeweils einer Dicke von 1,0 µm erhalten werden. Zum Spinnbeschichten der erhaltenen Resistfilme wird eine Lösung eines sauren wasserlöslichen Polymerisats der auch in Beispiel 20 verwendeten Art benutzt. Zur Ausbildung von vier Polymerisatschichten unterschiedlicher Dicke werden die Polymerisate auf den Resistfilmen 60 s lang auf einer auf 90°C aufgeheizten Heizplatte gebrannt. Die Schichten gemäß den Beispielen 21, 23 und 24 besitzen eine Dicke von 0,15 µm, die Schicht des Beispiels 22 eine Dicke von 2,0 µm. Danach werden die Resistfilme unter den in Tabelle XXVI angegebenen Bedingungen mustergerecht belichtet, gebrannt und entwickelt. Schließlich werden die Resist­ filme mit Wasser gewaschen und getrocknet, wobei vier Arten von Resistmustern erhalten werden.

Der Querschnitt der gemäß den Beispielen 20 bis 24 er­ haltenen Resistmuster wird unter einem Abtastelektro­ nenmikroskop untersucht. Hierbei werden die Breiten der jedes Muster bildenden Linien und der Spalte zwischen diesen Linien ausgemessen. Ferner werden die auf die Resistfilme zur Bildung der Resistmuster einwirkenden Lichtmengen bestimmt. Die Ergebnisse finden sich in Tabelle XXVI. Wie aus Tabelle XXVI hervorgeht, besitzen die Muster der Beispiele 20 bis 24 Öffnungen rechteckigen Querschnitts und zeigen auf ihrer Oberseite keine Narben.

Beispiel 25

Ein handelsüblicher positiver Resist wird durch Spinnbe­ schichten auf ein 15,24 cm großes Siliziumplättchen aufgetragen und dann zur Bildung eines positiven Resistfilms einer Dicke von 2,0 µm auf dem Silizium­ plättchen auf einer Heizplatte auf 200°C erwärmt. Danach wird der Resist RE-16 gemäß Tabelle XXVI zur Bildung eines Resistfilms einer Dicke von 0,5 µm auf dem positiven Resistfilm durch Spinnbeschichten auf letzteren aufge­ tragen. Schließlich wird durch Spinnbeschichten auf den Resistfilm eine Lösung eines sauren wasserlöslichen Poly­ merisats der auch in Beispiel 20 verwendeten Art aufge­ tragen. Das Polymerisat wird 60 s lang auf einer 90°C heißen Heizplatte gebrannt, wobei eine Polymerisatschicht einer Dicke von 0,15 µm gebildet wird.

Nun wird der mit der Polymerisatschicht bedeckte Resist­ film mittels eines KrF-Excimerlaser-Stufenkeils (NA: 0,50) mustergerecht belichtet. Dann wird der Resistfilm mu­ stergerecht mit 25 mJ/cm² belichtet. Der mustergerecht belichtete Film wird auf einer 100°C heißen Heizplatte 180 s lang gebrannt und dann zum Wegwaschen der Polymerisat­ schicht mit reinem Wasser gewaschen. Durch 40 s dauerndes Eintauchen des Resistfilms in eine 2,38%ige wäßrige TMAH-Lösung wird dieser entwickelt. Danach wird der Resistfilm mit Wasser gewaschen und getrocknet, wobei ein Resistmu­ ster erhalten wird.

Nun wird das Siliziumplättchen mit dem auf seiner Ober­ fläche befindlichen Resistmuster in eine handelsübliche Trockenätzvorrichtung gelegt, worauf der positive Resist­ film unter einem Druck von 6 Pa und bei einer Leistung von 300 W mit 100 sccm O₂ geätzt wird. Der Querschnitt des erhaltenen Resistmusters wird mit Hilfe eines Abtast­ elektronenmikroskops untersucht. Es hat sich gezeigt, daß er fein und scharf gestochen ist und Linien und Spalte zwischen den Linien einer Breite von jeweils 0,28 µm aufweist.

Beispiel 26

Der Resist RE-17 gemäß Tabelle XXV wird durch Spinnbe­ schichten auf ein 15,24 cm großes Siliziumplättchen aufgetragen und dann zur Bildung eines Resistfilms einer Dicke von 1,0 µm auf dem Siliziumplättchen 180 s auf einer 90°C heißen Heizplatte vorgebrannt. Auf den erhaltenen Resistfilm wird eine Lösung eines sauren wasserlöslichen Polymerisats der auch in Beispiel 20 verwendeten Art aufgetragen, worauf das aufgetragene Polymerisat zur Bildung einer 0,15 µm dicken Polymerisatschicht 60 s auf einer 90°C heißen Heizplatte gebrannt wird. Schließlich wird der Resistfilm mittels eines KrF-Excimerlaser- Stufenkeils (NA: 0,45) mustergerecht belichtet und auf einer 120°C heißen Heizplatte 120 s lang gebrannt. Zum Wegwaschen der Polymerisatschicht wird der Film mit reinem Wasser gewaschen. Danach wird der Resistfilm zu seiner Entwicklung in eine 2,38%ige wäßrige TMAH-Lösung 30 s lang eingetaucht. Schließlich wird der Resistfilm mit Wasser gewaschen und getrocknet, wobei ein Resistmuster erhalten wird.

Beispiele 27 bis 30

Die Resists der Tabellen XXIV und XXV werden durch Spinn­ beschichten auf 15,24 cm große Siliziumplättchen aufge­ tragen. Die Resists werden unter den in der später fol­ genden Tabelle XXVII angegebenen Bedingungen vorgebrannt, wobei auf den Siliziumplättchen vier Arten jeweils 1,0 µm dicker Resistfilme erhalten werden. Auf die gebildeten Resistfilme wird durch Spinnbeschichten eine Lösung eines sauren wasserlöslichen Polymerisats der auch in Beispiel 20 verwendeten Art aufgetragen. Durch 60 s dauerndes Bren­ nen des Polymerisats auf einer 90°C heißen Heizplatte ent­ stehen vier jeweils 0,14 µm dicke Polymerisatschichten. Danach werden die Resistfilme unter den in Tabelle XXVII angegebenen Bedingungen mustergerecht belichtet, gebrannt und entwickelt. Nach dem Waschen und Trocknen der Resist­ filme enthält man vier Arten von Resistmustern.

Die Querschnitte der gemäß Beispielen 26 bis 30 erhaltenen Resistmuster werden unter einem Abtastelektronenmikroskop untersucht, wobei die Breiten der jedes Muster bildenden Linien und der Spalte zwischen diesen Linien ausgemessen werden. Ferner wird die auf die Resistfilme bei der Bildung der Resistmuster einwirkende Lichtmenge bestimmt. Die Ergebnisse sind in Tabelle XXVII zusammengestellt. Aus Tabelle XXVII geht eindeutig hervor, daß die Muster der Beispiele 26 bis 30 Öffnungen rechteckigen Querschnitts und keine Narben auf ihrer Oberseite aufweisen.

Beispiele 31 bis 34

Die säurezersetzbaren Verbindungen, die o-Chinondiazid­ verbindungen und die alkalilöslichen Polymerisate gemäß Tabelle XXVIII werden in den a. a. O. angegebenen Kombinationen und Mischungsverhältnissen miteinander gemischt, wobei vier Arten von Mischungen erhalten werden. Jede Mischung wird in der in Tabelle XXVIII angegebenen Menge Ethyl­ cellosolveacetat gelöst, worauf die jeweils erhaltene Lösung durch ein Filter einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert wird. Hierbei werden vier Arten von Resists erhalten.

Die erhaltenen Resists werden durch Spinnbeschichten auf 15,24 cm große Siliziumplättchen aufgetragen und dann unter den in der später folgenden Tabelle XXIX angegebenen Bedingungen vorgebrannt, wobei auf den Siliziumplättchen vier Arten von jeweils 1,0 µm dicken Resistfilmen gebildet werden. Danach werden die Resistfilme mittels eines KrF-Excimerlaser-Stufenkeils (NA: 0,45) mustergerecht belich­ tet und unter den in Tabelle XXIX angegebenen Bedingungen gebrannt und entwickelt. Danach werden die Resistfilme mit Wasser gewaschen und getrocknet, wobei vier Arten von Re­ sistmustern erhalten werden.

Die Querschnitte der gemäß Beispielen 31 bis 34 erhaltenen Resistmuster werden unter einem Abtastelektronenmikroskop untersucht, wobei die Breiten der jedes Muster bildenden Linien der Spalte zwischen diesen Linien ausgemessen wer­ den. Ferner wird die auf die Resistfilme bei der Bildung der Resistmuster applizierte Lichtmenge ermittelt. Die Ergebnisse sind in Tabelle XXIX angegeben.

Beispiel 35 bis 39

Die säurezersetzbaren Verbindungen, die o-Chinondiazidver­ bindungen und die alkalilöslichen Polymerisate gemäß Ta­ belle XXX werden miteinander in den a. a. O. angegebenen Kom­ binationen und Mischungsverhältnissen gemischt, wobei fünf Arten von Mischungen erhalten werden. Jede Mischung wird in dem in Tabelle XXX aufgeführten Lösungsmittel in der a. a. O. angegebenen Menge gelöst, und die jeweils erhaltene Lösung wird mit Hilfe eines Filters einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert, wobei fünf Arten von Resists erhalten werden.

Die fünf erhaltenen Resists werden durch Spinnbeschichten auf 15,24 cm große Siliziumplättchen aufgetragen und unter den in der später folgenden Tabelle XXXI angegebenen Be­ dingungen zur Bildung von fünf Arten jeweils 1,0 µm dicker Resistfilme auf den Siliziumplättchen vorgebrannt. Danach werden die Resistfilme mit Hilfe eines KrF-Excimerlaser- Stufenkeils (NA: 0,45) mustergerecht belichtet und unter den in Tabelle XXXI aufgeführten Bedingungen gebrannt und entwickelt. Danach werden die Resistfilme mit Wasser gewa­ schen und getrocknet, wobei fünf Arten von Resistmustern erhalten werden.

Die Querschnitte der gemäß den Beispielen 35 bis 39 erhaltenen Resistmuster werden unter einem Abtastelektro­ nenmikroskop untersucht, wobei die Breiten der jedes Muster bildenden Linien und der Spalte zwischen diesen Linien ausgemessen werden. Ferner wird die auf die Resist­ filme bei der Bildung der Resistmuster applizierte Licht­ menge ermittelt. Die Ergebnisse sind ebenfalls in Tabelle XXXI aufgeführt.

Beispiele 40 bis 42

Die säurezersetzbaren Verbindungen, die Säurelieferanten und erforderlichenfalls die alkalilöslichen Polymerisate gemäß Tabelle XXXII werden zur Herstellung von drei Arten von Mischungen in den in Tabelle XXXII aufgeführten Kombi­ nationen und Mischungsverhältnissen miteinander gemischt. Jede Mischung wird in der in Tabelle XXXII angegebenen Menge Ethylcellosolveacetat gelöst, worauf die jeweils erhaltene Lösung durch ein Filter mit einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert wird. Hierbei erhält man drei Arten lichtempfindlicher Resists.

Die drei erhaltenen Resists werden zur Herstellung von fünf Arten 1,0 µm dicker Resistfilme auf Siliziumplätt­ chen durch Spinnbeschichten auf 15,24 cm große Silizium­ plättchen aufgetragen und unter den in der später folgen­ den Tabelle XXXIII aufgeführten Bedingungen vorgebrannt. Die erhaltenen Resistfilme werden mittels eines KrF-Excimerlaser-Stufenkeils (NA: 0,45) mustergerecht belichtet und unter den in Tabelle XXXII aufgeführten Bedingungen gebrannt und entwickelt. Durch Waschen der Resistfilme mit Wasser und Trocknen erhält man drei Arten von Resistmustern.

Die Querschnitte der gemäß Beispielen 40 bis 42 erhaltenen Resistmuster werden unter einem Abtastelektronenmikroskop untersucht, wobei die Breiten der jedes Muster bildenden Linien und der Spalte zwischen diesen Linien ausgemessen werden. Ferner wird auch die auf die Resistfilme bei der Ausbildung der Resistmuster applizierte Lichtmenge ermit­ telt. Die Ergebnisse finden sich in Tabelle XXXIII.

Beispiele 43 bis 46

Die säurezersetzbaren Verbindungen, die Säurelieferanten, die alkalilöslichen Polymerisate und erforderlichenfalls die Zusätze gemäß Tabelle XXXIV werden zur Herstellung vier verschiedener Arten von Mischungen in den a. a. O. ange­ gebenen Kombinationen und Mischungsverhältnissen mitein­ ander gemischt. Jede Mischung wird in der in Tabelle XXXIV angegebenen Ethylcellosolveacetatmenge gelöst. Die jeweils erhaltene Lösung wird durch ein Filter einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert, wobei vier Arten von Resists erhal­ ten werden.

Die erhaltenen vier Resists werden durch Spinnbeschichten auf 15,24 cm große Siliziumplättchen aufgetragen. Zur Aus­ bildung vier verschiedener Arten von Resistfilmen mit je­ weils einer Dicke von 1,0 µm auf den Siliziumplättchen werden die Resists unter den in der später folgenden Tabelle XXXV aufgeführten Bedingungen vorgebrannt. Danach werden die Resistfilme mittels eines KrF-Excimerlaser- Stufenkeils (NA: 0,45) mustergerecht belichtet und unter den in Tabelle XXXV angegebenen Bedingungen gebrannt und entwickelt. Nach dem Waschen der Resistfilme mit Wasser und dem Trocknen der gewaschenen Resistfilme erhält man vier Arten von Resistmustern.

Die Querschnitte der gemäß Beispielen 43 bis 46 erhaltenen Resistmuster werden unter einem Abtastelektronenmikroskop untersucht, wobei die Breiten der jedes Muster bildenden Linien und der Spalte zwischen diesen Linien ausgemessen werden. Ferner wird auch die auf die Resistfilme bei der Ausbildung der Resistmuster applizierte Lichtmenge be­ stimmt. Die Ergebnisse finden sich in Tabelle XXXV.

Beispiel 47

9,5 g der säurezersetzbaren Verbindung Ba-25 gemäß Tabelle IX und 0,5 g 1-Naphthochinon-2-diazo-4-estersulfonat von p-Cyanophthalat werden in 40 g Ethyl-3-hydroxypropionat gelöst, worauf die erhaltene Lösung durch ein Filter einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert wird.

Der hierbei erhaltene Resist wird durch Spinnbeschichten auf ein 15,24 cm großes Siliziumplättchen aufgetragen. Zur Ausbildung eines Resistfilms einer Dicke von 1,0 µm auf dem Siliziumplättchen wird der Resist 3 min lang auf einer 90°C heißen Heizplatte vorgebrannt. Danach wird der Re­ sistfilm mittels eines i-Linienstufenkeils (NA: 0,50) mustergerecht belichtet und 2 min lang auf einer 110°C heißen Heizplatte gebrannt. Danach wird der Resistfilm zur Entwicklung 30 s lang in eine 2,38%ige wäßrige TMAH-Lösung eingetaucht. Schließlich wird der Resistfilm mit Wasser gewaschen und getrocknet, wobei ein Resistmuster erhalten wird.

Der Querschnitt des Resistmusters wird unter einem Abtast­ elektronenmikroskop untersucht. Es zeigte sich, daß es Linien und Spalte zwischen den Linien jeweils einer Breite von 0,40 µm aufweist. Die mustergerechte Belichtung des Resistfilms erfolgte mit einer Lichtmenge von 50 mJ/cm².

Beispiel 48

4,0 g der säurezersetzbaren Verbindung Ba-25 gemäß Tabelle IX und 0,21 g 1-Naphthochinon-2-diazid-4-estersulfonat von 4,4′-Dihydroxydiphenylsulfid (Veresterungsgrad: 3 pro Molekül) werden in 12,6 g Ethyl-3-ethoxypropionat gelöst. Die erhaltene Lösung wird durch ein Filter einer Maschen­ weite von 0,2 µm filtriert, wobei ein Resist erhalten wird. Der erhaltene Resist wird entsprechend Beispiel 47 zu einem Resistmuster weiterverarbeitet.

Der Querschnitt des Resistmusters wird unter einem Abtast­ elektronenmikroskop untersucht, wobei es sich zeigte, daß es Linien und Spalte zwischen den Linien jeweils einer Breite von 0,40 µm aufweist. Es sei darauf hingewiesen, daß der Resistfilm bei der mustergerechten Belichtung eine Lichtmenge von 65 mJ/cm² empfangen hat.

Beispiel 49

4,0 g der säurezersetzbaren Verbindung Ba-30 gemäß Tabelle IX und 0,21 g 1-Naphthochinon-2-diazid-4-estersulfonat von 2,4-Dihydroxydiphenylsulfid (Veresterungsgrad: 1,5 pro Molekül) werden in 12,5 g Ethylcellosolveacetat gelöst. Die erhaltene Lösung wird durch ein Filter einer Maschen­ weite von 0,2 µm filtriert, wobei ein Resist erhalten wird.

Der erhaltene Resist wird durch Spinnbeschichten auf ein 15,24 cm großes Siliziumplättchen aufgetragen, worauf der Resist zur Bildung eines Resistfilms einer Dicke von 1,0 µm auf dem Siliziumplättchen 3 min lang auf einer 90°C heißen Heizplatte vorgebrannt wird. Danach wird der Re­ sistfilm mit Hilfe eines KrF-Excimerlaser-Stufenkeils (NA: 0,45) mustergerecht belichtet und 2 min lang auf einer 120°C heißen Heizplatte gebrannt. Zur Entwicklung wird der Resistfilm 30 s in eine 2,38%ige wäßrige TMAH-Lösung eingetaucht und danach mit Wasser gewaschen und getrock­ net, wobei ein Resistmuster erhalten wird.

Der Querschnitt des Resistmusters wird unter einem Abtast­ elektronenmikroskop untersucht. Es hat sich gezeigt, daß es vier Linien und Spalte zwischen den Linien jeweils einer Breite von 0,35 µm aufweist. Der Resistfilm hat bei der mustergerechten Belichtung eine Lichtmenge von 75 mJ/cm² aufgenommen.

Beispiel 50

4,0 g der säurezersetzbaren Verbindung Ba-25 gemäß Tabelle IX und 0,20 g 1-Naphthochinon-2-diazid-4-estersulfonat von 3,4,5-Trihydroxymethylbenzoat (Veresterungszahl: 3 pro Molekül) werden in 12,5 g Ethyllactat gelöst. Die erhal­ tene Lösung wird durch ein Filter einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert, wobei ein Resist erhalten wird. Dieser Resist wird entsprechend Beispiel 49 zu einem Resistmuster weiterverarbeitet.

Der Querschnitt des Resistmusters wird unter einem Ab­ tastelektronenmikroskop untersucht. Es zeigte sich, daß es Linien und Spalte zwischen den Linien der Breite von jeweils 35 µm aufweist. Der Resistfilm wird bei der mu­ stergerechten Belichtung mit 85 mJ/cm² belichtet.

Beispiel 51

4,0 g der säurezersetzbaren Verbindung Ba-25 gemäß Tabelle IX, 0,22 g o-Chinondiazidverbindung QD-4 und 0,22 g o-Chinondiazidverbindung QD-5 (vgl. Tabelle I), die beide denselben Veresterungsgrad von 3 pro Molekül aufweisen, werden in 13,5 g Ethylcellosolveacetat gelöst. Die er­ haltene Lösung wird durch ein Filter einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert, wobei ein Resist erhalten wird.

Der erhaltene Resist wird durch Spinnbeschichten auf ein 15,24 cm großes Siliziumplättchen aufgetragen und zur Ausbildung eines Resistfilms einer Dicke von 1,0 µm auf dem Siliziumplättchen 3 min lang auf einer 90°C heißen Heizplatte vorgebrannt. Danach wird der Resistfilm mittels eines KrF-Excimerlaser-Stufenkeils (NA: 0,50) musterge­ recht belichtet und auf einer 110°C heißen Heizplatte 90 s lang gebrannt. Durch 30 s dauerndes Eintauchen in eine 2,38%ige wäßrige TMAH-Lösung wird der Resistfilm ent­ wickelt, dann mit Wasser gewaschen und schließlich ge­ trocknet, wobei ein Resistmuster erhalten wird.

Der Querschnitt des erhaltenen Resistmusters wird unter einem Abtastelektronenmikroskop untersucht. Hierbei zeigte es sich, daß es Linien und Spalte zwischen den Linien jeweils einer Breite von 0,35 µm aufweist. Bei der mustergerechten Belichtung wird der Resistfilm mit 100 mJ/cm² belichtet.

Beispiel 52

4,0 g der säurezersetzbaren Verbindung Ba-35 gemäß Tabelle IX, 0,20 g Diphenyljodoniumtrifluormethansulfonat und 0,13 g 4-Hydroxybenzoesäure werden in 13 g Ethylcellosolve­ acetat gelöst. Die erhaltene Lösung wird durch ein Filter einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert, wobei ein Resist erhalten wird.

Der erhaltene Resist wird durch Spinnbeschichten auf ein 15,24 cm großes Siliziumplättchen aufgetragen und zur Ausbildung eines Resistfilms einer Dicke von 1,0 µm auf dem Siliziumplättchen 5 min lang auf einer 90°C heißen Heizplatte vorgebrannt. Danach wird der Resistfilm mittels eines KrF-Excimerlaser-Stufenkeils (NA: 0,41) musterge­ recht belichtet und 3 min lang auf einer 100°C heißen Heizplatte erwärmt. Der Resistfilm wird dann zur Ent­ wicklung 30 s lang in eine 2,38%ige wäßrige TMAH-Lösung eingetaucht und dann mit Wasser gewaschen und getrocknet, wobei ein Resistmuster erhalten wird.

Der Querschnitt des erhaltenen Resistmusters wird unter einem Abtastelektronenmikroskop untersucht. Hierbei zeigte es sich, daß es Linien und Spalte zwischen den Linien jeweils einer Breite von 0,35 µm aufweist. Bei der muster­ gerechten Belichtung wird der Resistfilm mit 30 mJ/cm² belichtet. Aus Fig. 1 geht hervor, daß das Muster gemäß Beispiel 52 keine kaum lösliche narbige Schicht aufweist und fein gemustert ist.

Vergleichsbeispiel

5 g der säurezersetzbaren Verbindung B-12 gemäß Tabelle XIV und 0,05 g eines Säurelieferanten C-2 gemäß Tabelle XVI werden in 15 g Ethylcellosolveacetat gelöst. Die erhaltene Lösung wird durch ein Filter einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert, wobei ein Resist erhalten wird. Der Resist wird entsprechend Beispiel 52 zu einem Resistmuster weiterverarbeitet.

Der Querschnitt des erhaltenen Resistmusters wird unter einem Abtastelektronenmikroskop untersucht. Hierbei zeigte es sich, daß es Linien und Spalte zwischen den Linien jeweils einer Breite von 0,40 µm aufweist. Der Resistfilm wurde bei der mustergerechten Belichtung mit 25 mJ/cm² belichtet. Aus Fig. 2 geht hervor, daß das Muster 2 eine kaum lösliche Schicht 3 mit Narben aufweist.

Beispiel 53

3,0 g der säurezersetzbaren Verbindung Ba-25 gemäß Tabelle IX, 0,44 g o-Chinondiazidverbindung QD-4 gemäß Tabelle I, bei der die Anzahl X=3/Molekül, 1,0 g Polyvinylphenol und 0,25 g Essigsäure werden in 13,8 g Ethylcellosolveacetat gelöst. Die erhaltene Lösung wird durch ein Filter einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert, wobei ein Resist er­ halten wird.

Der Resist wird auf ein 15,24 cm großes Siliziumplättchen durch Spinnbeschichten aufgetragen und zur Ausbildung eines Resistfilms einer Dicke von 1,0 µm auf dem Sili­ ziumplättchen 3 min lang auf einer 90°C heißen Platte vorgebrannt. Danach wird der Resistfilm mittels eines KrF-Excimerlaser-Stufenkeils (NA: 0,42) mustergerecht belich­ tet und schließlich 2 min lang auf einer Heizplatte auf 120°C erwärmt. Schließlich wird der Resistfilm zur Ent­ wicklung 30 s lang in eine 2,38%ige wäßrige TMAH-Lösung eingetaucht und dann mit Wasser gewaschen und getrocknet, wobei ein Resistmuster erhalten wird.

Der Querschnitt des erhaltenen Resistmusters wird unter einem Abtastelektronenmikroskop untersucht. Hierbei zeigte es sich, daß es Linien und Spalte zwischen den Linien je­ weils einer Breite von 0,30 µm aufweist. Der Resistfilm wurde bei der mustergerechten Belichtung mit 50 mJ/cm² belichtet.

Beispiel 54

Ein Resist entsprechend Beispiel 53 wurde durch Spinnbe­ schichten auf ein 15,24 cm großes Siliziumplättchen auf­ getragen und zur Ausbildung eines 1,0 µm dicken Resist­ films auf dem Siliziumplättchen 3 min lang auf einer 90°C heißen Heizplatte erwärmt. Dann wird der Resistfilm mit­ tels eines handelsüblichen i-Linienstufenkeils muster­ gerecht belichtet und 1 min lang auf einer 120°C heißen Heizplatte gebrannt. Der Film wird dann durch 30 s dauern­ des Eintauchen in eine 2,38%ige wäßrige TMAH-Lösung ent­ wickelt und dann mit Wasser gewaschen und getrocknet, wo­ bei ein Resistmuster erhalten wird.

Der Querschnitt des erhaltenen Resistmusters wird unter einem Abtastelektronenmikroskop untersucht. Hierbei zeigte es sich, daß es Linien und Spalte zwischen den Linien je­ weils einer Breite von 0,40 µm aufweist. Die musterge­ rechte Belichtung des Resistfilms dauert 10 ms.

Beispiele 55 bis 58

Die säurezersetzbaren Verbindungen, die Säurelieferanten, die alkalilöslichen Polymerisate und erforderlichenfalls die Carbonsäuren gemäß Tabelle XXXVI werden in den a. a. O. angegebenen Kombinationen und Mischungsverhältnissen miteinander gemischt, wobei vier Arten von Mischungen erhalten werden. Jede Mischung wird in der in Tabelle XXXVI angegebenen Menge Ethylcellosolveacetat gelöst, wobei vier Lösungen erhalten werden. Jede Lösung wird durch ein Filter einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert, wobei vier Arten von Resists erhalten werden.

Die vier Resists werden durch Spinnbeschichten auf 15,24 cm große Siliziumplättchen aufgetragen und dann zur Aus­ bildung von vier Arten Resistfilmen auf dem Silizium­ substrat unter den in Tabelle XXXVII angegebenen Bedin­ gungen vorgebrannt. Danach werden die Resistfilme mittels eines KrF-Excimerlaser-Stufenkeils (NA: 0,45) musterge­ recht belichtet und unter den in Tabelle XXXVII ange­ gebenen Bedingungen gebrannt und entwickelt. Schließlich werden die Resistfilme mit Wasser gewaschen und ge­ trocknet, wobei vier Arten von Resistmustern erhalten werden.

Die Querschnitte der gemäß Beispielen 55 bis 58 erhaltenen Resistmuster werden unter einem Abtastelektronenmikroskop untersucht, wobei die Breiten der jedes Muster bildenden Linien und der Spalte zwischen diesen Linien ausgemessen werden. Ferner wird die auf die Resistfilme bei der Ausbildung der Resistmuster einwirkende Lichtmenge bestimmt. Die Ergebnisse finden sich in Tabelle XXXVII.

Beispiele 59 bis 62

Die säurezersetzbaren Verbindungen, die Säurelieferanten, die alkalilöslichen Polymerisate und erforderlichenfalls die Carbonsäuren entsprechend Tabelle XXXVIII werden in den a. a. O. angegebenen Kombinationen und Mischungsverhält­ nissen gemischt, wobei vier Arten von Mischungen erhalten werden. Jede Mischung wird in den in Tabelle XXXVIII an­ gegebenen Lösungsmitteln in den a. a. O. angegebenen Mengen gelöst, wobei vier Lösungen erhalten werden. Die Lösungen werden durch ein Filter einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert. Hierbei werden vier Arten von Resists erhalten.

Die vier erhaltenen Resists werden durch Spinnbeschichten auf 15,24 cm große Siliziumplättchen aufgetragen und dann zur Ausbildung von vier Arten von Resistfilmen auf dem Siliziumplättchen unter den in Tabelle XXXIX angegebenen Bedingungen vorgebrannt. Danach werden die Resistfilme mittels eines KrF-Excimerlaser-Stufenkeils (NA: 0,45) mustergerecht belichtet und unter den in Tabelle XXXIX angegebenen Bedingungen gebrannt und entwickelt. Schließlich wer 29307 00070 552 001000280000000200012000285912919600040 0002004214363 00004 29188den die Resistfilme mit Wasser gewaschen und getrocknet, wobei vier Arten von Resistmustern er­ halten werden.

Die Querschnitte der gemäß Beispielen 59 bis 62 erhaltenen Resistmuster werden unter einem Abtastelektronenmikroskop untersucht, wobei die Breiten der jedes Muster bildenden Linien und der Spalte zwischen diesen Linien ausgemessen werden. Ferner wird die auf die Resistfilme bei der Aus­ bildung der Resistmuster einwirkende Lichtmenge ermittelt. Die Ergebnisse finden sich in Tabelle XXXIX.

Die Resistmuster der Beispiele 55 bis 62 enthalten jeweils Öffnungen rechteckigen Querschnitts ohne Narben auf ihrer Oberseite.

3e. Resist (21)

5,0 g der säurezersetzbaren Verbindung Ba-20 gemäß Tabelle IX, 0,025 g des eine starke Säure liefernden Säureliefe­ ranten C-1 gemäß Tabelle XVI und 0,56 g des eine schwache Säure liefernden Säurelieferanten C-2 gemäß Tabelle XVIII werden in 16,7 g Ethyllactat gelöst. Die erhaltene Lösung wird durch ein Filter einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert, wobei ein Resist RE-21 erhalten wird.

3f. Resists (22) bis (30)

Die säurezersetzbaren Verbindungen gemäß Tabelle IX, die eine starke Säure liefernden Säurelieferanten gemäß Tabelle XVI, die eine schwache Säure liefernden Säure­ lieferanten gemäß Tabelle XVIII und erforderlichenfalls die alkalilöslichen Polymerisate gemäß Tabellen XL und XLI werden in den in Tabellen XL und XLI angegebenen Mengen miteinander gemischt, wobei neun Mischungen erhalten wer­ den. Diese Mischungen werden in den in Tabellen XL und XLI angegebenen Lösungsmitteln in den a. a. O. angegebenen Mengen gelöst, wobei neun Lösungen erhalten werden. Diese Lö­ sungen werden durch ein Filter einer Maschenweite von 0,2 µm filtriert, wobei neun Resists RE-22 bis RE-30 erhalten werden. Die Zusammensetzung des Resists RE-21 ist eben­ falls in Tabelle XL angegeben.

Beispiel 63

Der Resist RE-21 gemäß Tabelle XL wird durch Spinnbe­ schichten auf ein 15,24 cm großes Siliziumplättchen aufgetragen und dann zur Ausbildung eines Resistfilms einer Dicke von 1,0 µm auf dem Siliziumplättchen 90 s lang auf einer 90° heißen Heizplatte gebrannt. Danach wird der Resistfilm mittels eines KrF-Excimerlaser-Stufenkeils (NA: 0,42) bildgerecht belichtet und 90 s lang auf einer 95°C heißen Heizplatte gebrannt. Der Resistfilm wird durch 90 s dauerndes Eintauchen in eine 1,19%ige wäßrige TMAH-Lösung entwickelt, anschließend mit Wasser gewaschen und getrock­ net, wobei ein Resistmuster erhalten wird.

Beispiele 64 bis 71

Die Resists gemäß den Tabellen XL und XLI werden durch Spinnbeschichten auf 15,24 cm große Siliziumplättchen aufgetragen und dann unter den in Tabellen XLII und XLIII angegebenen Bedingungen zur Bildung acht verschiedener Arten von Resistfilmen auf den Siliziumplättchen vorge­ brannt. Die erhaltenen Resistfilme werden unter den in Tabellen XLII und XLIII angegebenen Bedingungen muster­ gerecht belichtet, gebrannt und entwickelt, danach mit Wasser gewaschen und getrocknet, wobei acht Arten von Resistmustern erhalten werden.

Die Querschnitte der gemäß Beispielen 63 bis 71 erhaltenen Resistmuster werden unter einem Abtastelektronenmikroskop untersucht, wobei die Breiten der jedes Muster bildenden Linien und der Spalte zwischen diesen Linien ausgemessen werden. Ferner wird die bei der Belichtung der Resistfilme zur Ausbildung der Resistmuster benutzte Lichtmenge be­ stimmt. Die Ergebnisse sind in den Tabellen XLII und XLIII angegeben.

Beispiel 72

Ein handelsüblicher positiver Resist wird durch Spinnbe­ schichten auf ein 15,24 cm großes Siliziumplättchen auf­ getragen, worauf der Resist zur Bildung eines positiven Resists einer Dicke von 2,0 µm auf dem Siliziumplättchen 30 min lang auf einer 200°C heißen Heizplatte vorgebrannt wird. Weiterhin wird der Resist RE-30 gemäß Tabelle XLI durch Spinnbeschichten auf den positiven Resistfilm aufgetragen, wobei ein Resistfilm mit einer Dicke von 0,5 µm entsteht. Schließlich wird der Resistfilm mittels eines i-Linienstufenkeils (NA: 0,50) mit einer Lichtmenge von 45 mJ/cm² mustergerecht belichtet und dann 180 s lang auf einer 100°C heißen Heizplatte gebrannt. Der Resistfilm wird durch 40 s dauerndes Eintauchen in eine 2,38%ige wäßrige TMAH-Lösung entwickelt, danach mit Wasser ge­ waschen und schließlich getrocknet, wobei ein Resistmuster erhalten wird.

Danach wird das Siliziumplättchen mit dem auf seiner Ober­ fläche befindlichen Resistmuster in eine handelsübliche Trockenätzvorrichtung gelegt, worauf der positive Resist­ film bei einem Druck von 6 Pa und einer Leistung von 300 W mit 100 sccm O₂ geätzt wird. Der Querschnitt des erhal­ tenen Musters wird mittels eines Abtastelektronenmikro­ skops untersucht. Es hat sich gezeigt, daß es fein und scharf gestochen ist und Linien und Spalte zwischen den Linien jeweils einer Breite von 0,35 µm aufweist.

Die vorherigen Ausführungen haben gezeigt, daß erfindungs­ gemäß ein gegenüber UV-Strahlung, vorzugsweise tiefer UV-Strahlung, oder ionisierender Strahlung hochempfindlicher Resist zur Herstellung hochauflösender Resistmuster bei Belichtung mit UV-Strahlung oder ionisierender Strahlung bereitgestellt werden kann. Erfindungsgemäß wird ferner ein Verfahren zur Herstellung feiner Resistmuster mit Öffnungen rechteckigen Querschnitts geschaffen. Somit eignet sich der Resist zur Herstellung von Halbleiter­ vorrichtungen hoher Integrationsdichten.

Tabelle I

worin bedeuten:

Tabelle II

worin bedeuten:

Tabelle III

worin

Tabelle IV

worin

Tabelle V

worin

Tabelle VI (Alkalilösliches Polymerisat)

J-1 Poly-p-vinylphenol
J-2 Poly-o-vinylphenol
J-3 Poly-m-isopropenylphenol
J-4 m,p-Kresolnovolacharz
J-5 Xylenolnovolacharz
J-6 p-Vinylphenol/Methylmethacrylat-Mischpolymerisat
J-7 Isopropenylphenol/Maleinsäureanhydrid-Mischpolymerisat
J-8 Polymethacrylsäure
J-9 Poly-p-hydroxystyrol

Tabelle VII

(Alkalilösliches Polymerisat)

Tabelle VIII

(Alkalilösliches Polymerisat)

Tabelle IX

(Säurezersetzbare Verbindungen)

Säurezersetzbare Verbindung
n/(m+n)
Ba-17
0,17
Ba-20	0,20
Ba-25	0,25
Ba-30	0,30
Ba-35	0,35
Ba-42	0,42
Ba-60	0,60

Tabelle X

(Säurezersetzbare Verbindungen)

Säurezersetzbare Verbindung
n/(m+n)
Ba-20
0,20
Ba-25	0,25

Tabelle XI

(Säurezersetzbare Verbindungen)

Tabelle XII

(Säurezersetzbare Verbindungen)

Tabelle XIII

(Säurezersetzbare Verbindungen)

Tabelle XIV

(Säurezersetzbare Verbindungen)

Tabelle XV

(Säurezersetzbare Verbindungen)

Tabelle XVI (starke Säuren liefernde Verbindungen)

C-1; Triphenylsulfoniumtrifluormethansulfonat
C-2; Diphenyljodoniumtrifluormethansulfonat
C-3; 2,3,4,4′-Tetrahydroxybenzophenon-1,2-naphthochinon­ diazid-4-sulfonsäureester (durchschnittlicher Veresterungsgrad: 3 pro Molekül)
C-4; p-Toluolsulfonsäure-2,6-dinitrobenzylester
C-5; Bis(phenylsulfonyl)methan
C-6; Bis(phenylsulfonyl)diazomethan
C-7; Bis(4-tert.-butylphenyl)jodoniumtrifluormethan­ sulfonat
C-8; tert.-Butyl-d(p-toluolsulfonyloxy)acetat

Tabelle XVII

(starke Säuren liefernde Verbindungen)

Tabelle XVIII

(schwache Säuren liefernde Verbindungen)

D-1 2,3,4,4′-Tetrahydroxybenzophenon-1,2-naphtho­ chinon-diazid-5-sulfonsäureester (Veresterungsgrad: 3 pro Molekül)
D-2 5-Diazo-Meldrum′sche Säure

Tabelle XIX

(Zusätze)

Tabelle XX

Tabelle XXI

Tabelle XXII

Tabelle XXIII

Tabelle XXIV

Tabelle XXV

Tabelle XXVI

Tabelle XXVII

Tabelle XXVIII

Tabelle XXIX

Tabelle XXX

Tabelle XXXI

Tabelle XXXII

Tabelle XXXIII

Tabelle XXXIV

Tabelle XXXV

Tabelle XXXVI

Tabelle XXXVII

Tabelle XXXVIII

Tabelle XXXIX

Tabelle XL

Tabelle XLI

Tabelle XLII

Tabelle XLIII

Claims (34)

1. Resist zur Ausbildung von Mustern, gekennzeichnet durch

• a) eine säureerzeugende Verbindung, die bei Einwirkung einer chemischen Strahlung eine Säure liefert, und
• b) eine einen säurezersetzbaren Substituenten aufweisende Verbindung der folgenden Formel worin R¹ für eine einwertige organische Gruppe steht, m = 0, 1 oder eine positive Zahl über 1 und n eine positive Zahl bedeutet.

2. Resist nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß R¹ in Formel (I) für eine tert.-Butylgruppe steht.

3. Resist nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß m und n in Formel (I) in folgender Beziehung zueinander stehen: n/(m+n) = 0,03 bis 1.

4. Resist nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die säureerzeugende Verbindung aus einer o-Chinondiazid­ verbindung besteht.

5. Resist nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die o-Chinondiazidverbindung aus 1-Naphthochinon-1-diazo- 4-estersulfonat besteht.

6. Resist nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die säureerzeugende Verbindung in einer Menge von 0,1 bis 30 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der festen Komponenten des Resists, vorhanden ist.

7. Resist nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er zusätzlich eine Carbonsäure enthält.

8. Resist nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Carbonsäure in einer Menge von 0,5 bis 20 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der festen Komponenten des Resists, vorhanden ist.

9. Resist nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er zusätzlich ein alkalilösliches Polymerisat enthält.

10. Resist nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das alkalilösliche Polymerisat in einer Menge von 90 Gewichtsteilen oder weniger bei einer Gesamtmenge säu­ rezersetzbare Verbindung und alkalilösliches Polymerisat von 100 Gewichtsteilen vorhanden ist.

11. Resist nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er durch Ausbilden eines Resistfilms auf einer Unterlage, mustergerechtes Belichten des Resistfilms und Entwickeln des mustergerecht belichteten Resistfilms zu einem Resistmuster verarbeitet ist.

12. Resist zur Ausbildung von Mustern, gekennzeichnet durch

• a) eine Verbindung mit einem säurezersetzbaren Substituenten,
• b) eine säureerzeugende Verbindung, die bei Einwirkung einer chemischen Strahlung eine Säure liefert, und
• c) eine Carbonsäure.

13. Resist nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die säureerzeugende Verbindung aus einer o-Chinondiazid­ verbindung besteht.

14. Resist nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die o-Chinondiazidverbindung aus 1-Naphthochinon-1-diazo­ 4-estersulfonat besteht.

15. Resist nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die säureerzeugende Verbindung in einer Menge von 0,1 bis 30 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der festen Kompo­ nenten des Resists, vorhanden ist.

16. Resist nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Carbonsäure in einer Menge von 0,5 bis 20 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der festen Komponenten des Resists, vorhanden ist.

17. Resist nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß er zusätzlich ein alkalilösliches Polymerisat enthält.

18. Resist nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das alkalilösliche Polymerisat in einer Menge von 90 Gewichtsteilen oder weniger bei einer Gesamtmenge säu­ rezersetzbare Verbindung und alkalilösliches Polymerisat von 100 Gewichtsteilen vorhanden ist.

19. Resist nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß er durch Ausbilden eines Resistfilms auf einer Unterlage, mustergerechtes Belichten des Resistfilms und Entwickeln des mustergerecht belichteten Resistfilms zu einem Resistmuster verarbeitet ist.

20. Resist zur Ausbildung von Mustern, gekennzeichnet durch:

• a) eine Verbindung mit einem säurezersetzbaren Substituenten,
• b1) eine erste säureerzeugende Verbindung, die bei Einwirkung einer chemischen Strahlung eine starke Säure liefert, und
• b2) eine zweite säureerzeugende Verbindung, die bei Einwirkung einer chemischen Strahlung eine im Vergleich zu der starken Säure schwächere Säure liefert.

21. Resist nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die säureerzeugende Verbindung aus einer o-Chinondiazid­ verbindung besteht.

22. Resist nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die o-Chinondiazidverbindung aus 1-Naphthochinon-1-diazo- 4-estersulfonat besteht.

23. Resist nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die erste säureerzeugende Verbindung in einer Menge von 0,1 bis 30 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der festen Komponenten des Resists, vorhanden ist.

24. Resist nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite säureerzeugende Verbindung aus der Gruppe 1,2-Naphthochinondiazid-5-estersulfonat, 5-Diazo-Meldrum′sche Säure, irgendeinem Derivat derselben und einem Diazodi­ medonderivat ausgewählt ist.

25. Resist nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite säureerzeugende Verbindung in einer Menge von 1 bis 30 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der festen Komponenten des Resists, vorhanden ist.

26. Resist nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß er zusätzlich ein alkalilösliches Polymerisat enthält.

27. Resist nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß das alkalilösliche Polymerisat in einer Menge von 90 Ge­ wichtsteilen oder weniger bei einer Gesamtmenge säure­ zersetzbare Verbindung und alkalilösliches Polymerisat von 100 Gewichtsteilen vorhanden ist.

28. Resist nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß er durch Ausbilden eines Resistfilms auf einer Unterlage, mustergerechtes Belichten des Resistfilms und Entwickeln des mustergerecht belichteten Resistfilms zu einem Re­ sistmuster verarbeitet ist.

29. Resist zur Ausbildung von Mustern, gekennzeichnet durch

• a) eine Verbindung mit einem säurezersetzbaren Substi­ tuenten und
• b) eine o-Chinondiazidverbindung.

30. Resist nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die o-Chinondiazidverbindung aus 1-Naphthochinon-1-diazo- 4-estersulfonat besteht.

31. Resist nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die o-Chinondiazidverbindung in einer Menge von 0,1 bis 30 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der festen Kompo­ nenten des Resists, vorhanden ist.

32. Resist nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß er zusätzlich eine Carbonsäure enthält.

33. Resist nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß er zusätzlich ein alkalilösliches Polymerisat enthält.

34. Resist nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß er durch Ausbilden eines Resistfilms auf einer Unterlage, mustergerechtes Belichten des Resistfilms und Entwickeln des mustergerecht belichteten Resistfilms zu einem Resistmuster verarbeitet ist.