KR920020276A - 패턴형성용 레지스트 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

패턴형성용 레지스트
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예(52)에 의해 실리콘웨이퍼상에 형성된 패턴을 나타내는 단면도,
제2도는 비교예에 의해 실리콘웨이퍼상에 형성된 패턴을 나타내는 단면도.

Claims (34)

  1. (A)하기에 나타낸 일반식(I)에 표시된 산에 의해 분해되는 치환기를 가지는 화합물과, (B)광조사에 의해 산을 발생하는 화합물을 포함하는 것을 특징으로하는 페턴형성용 레지스트.
    (단, 식(I)중의 R1은 1가의 유기그룹, m은 0 또는 1이상의 양수, n은 양수를 나타낸다.)
  2. 제1항에 있어서, 상기 일반식(I)의 R1이 tert-부틸인 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  3. 제1항에 있어서, 상기 일반식(I)의 m,n은 n/(m+n)의 값은 0.03~1인 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  4. 제1항에 있어서, 상기 광조사에 의해 산을 발생하는 화합물이 o-퀴논디아지드 화합물인 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  5. 제4항에 있어서, 상기 o-퀴논디아지드 화합물이 1-나프토퀴논-2-디아조-4-설폰산에스테르인 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  6. 제1항에 있어서, 상기 광조사에 의해 산을 발생하는 화합물이 상기 레지스트의 모든 고형성분중에 0.1~30중량% 포함되는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  7. 제1항에 있어서, 상기 성분에 첨가해서 카본산을 포함하는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  8. 제7항에 있어서, 상기 카본산이 상기 레지스트의 모든 고형성분중에 0.5~20중량%포함되는 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레지스트.
  9. 제1항에 있어서, 상기 성분에 첨가해서 알카리가용성 중합체(alkali-soluble polymer)를 포함하는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  10. 제9항에 있어서, 상기 알카리가용성 중합체는 상기 산에 의해 분해되는 치환기를 가지는 화합물과 상기 알카리가용성 중합체의 합계량을 100중량부로 했을때, 90중량부이하 포함되는 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레지스트.
  11. 제1항에 있어서, 상기 레지스트는 기판표면에 레지스트막을 형성하는 공정, 패턴노광을 행하는 공정, 현상공정을 포함하는 패턴형성방법의 레지스트막으로 사용되는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  12. (a)산에 의해 분해되는 치환기를 가지는 화합물, (b)광조사에 의해 산을 발생하는 화합물, (c)카본산을 포함하는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  13. 제12항에 있어서, 상기 광조사에 의해 산을 발생하는 화합물이 o-퀴논디아지드 화합물인 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  14. 제13항에 있어서, 상기 o-퀴논디아지드 화합물이 1-나프토퀴논-2-디아조-4-설폰산에스테르인 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  15. 제12항에 있어서, 상기 광조사에 의해 산을 발생하는 화합물이 상기 레지스트의 모든 고형성분중에 0.1~30중량% 포함되는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  16. 제12항에 있어서, 상기 카본산이 상기 레지스트의 모든 고형성분중에 0.5~20중량%포함되는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  17. 제12항에 있어서, 상기 성분에 첨가해서 알카리가용성 중합체(alkali-soluble polymer)를 포함하는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  18. 제17항에 있어서, 상기 알카리가용성 중합체는 상기 산에 의해 분해되는 치환기를 가지는 화합물과 상기 알카리가용성 중합체의 합계량을 100중량부로 했을때, 90중량부이하 포함되는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  19. 제12항에 있어서, 상기 레지스트가 기판표면에 레지스트막을 형성하는 공정과, 패턴노광을 행하는 공정과 현상공정을 포함하는 패턴형성방법의 레지스트막으로 사용되는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  20. (a)산에 의해 분해되는 치환기를 가지는 화합물, (b1)광조사에 의해 산을 발생하는 화합물, (b2)광조사에 의해 약산을 발생하는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레지스트.
  21. 제20항에 있어서, 상기 광조사에 의해 강산을 발생하는 화합물이 o-퀴논디아지드 화합물인 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  22. 제21항에 있어서, 상기 o-퀴논디아지드 화합물은, 1-나프토퀴논-2-디아조-4-설폰산에스테르인 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  23. 제20항에 있어서, 상기 광조사에 의해 강산을 발생하는 화합물이 상기 레지스트의 모든 고형성분중에 0.1~30중량% 포함되는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  24. 제20항에 있어서, 상기 광조사에 의해 약산을 발생하는 화합물이 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설폰산에스테르, 5-디아조멜드럼산, 그 유도체 및 디아조디메톤유도체의 군에서 뽑힌 적어도 1개의 화합물인 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레지스트.
  25. 제20항에 있어서, 상기 광조사에 의해 약산을 발생하는 화합물이 레지스트의 모든 고형 성분중에 1~30중량% 포함되는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  26. 제20항에 있어서, 상기 성분에 첨가해서 알카리가용성 중합체(alkali-soluble polymer)를 포함하는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  27. 제26항에 있어서, 상기 알카리가용성 중합체가 상기 산에 의해 분해되는 치환기를 가지는 화합물과 상기 알카리가용성 중합체의 합계량을 100중량부로 했을때 90중량부이하 포함되는 것을 특징으로 하는 패턴형성용 레지스트.
  28. 제20항에 있어서, 상기 레지스트가 기판표면에 레지스트막을 형성하는 공정과, 패턴노광을 행하는 공정과, 현상공정을 포함하는 패턴형성방법의 레지스트막으로 사용되는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  29. (a)산에 의해 분해되는 치환기를 가지는 화합물, (b)o-퀴논디아지드화합물을 포함하는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  30. 제29항에 있어서, 상기 o-퀴논디아지드 화합물이 1-나프토퀴논-2-디아조-4-설폰산 에스테르인 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  31. 제29항에 있어서, 상기 o-퀴논디아지드 화합물이 상기 레지스트이 모든 고형성분중에 0.1~30중량% 포함되는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  32. 제29항에 있어서, 상기 성분에 첨가해서 카본산을 포함하는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  33. 제29항에 있어서, 상기 성분에 첨가해서 알카리가용성 중합체(alkali-soluble polymer)를 포함하는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
  34. 제29힝에 있어서, 상기 레지스트가 기판표면에 레지스트막을 형성하는 공정과, 패턴노광을 행하는 공정과, 현상공정을 포함하는 패턴형성 방법의 레지스트막으로 사용되는 것을 특징으로하는 패턴형성용 레지스트.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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