KR950012153A - 포지티브형 단편 조성물 및 패턴형성방법 - Google Patents

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Abstract

포지티브형 레지스트 조성물은 혼합물로서 알칼리 가용성 수지와 적어도 하나의 1,2-퀴논디아지도술포닐기를 갖는 1,2-퀴논디아지드 화합물을 포함한다. 그 조성물은 감도, 잔막률, 해상도가 개선되었기 때문에 고해상도를 갖는 레지스트 패턴이 프로파일 저하없이 그로부터 얻어진다.

Description

포지티브형 단편 조성물 및 패턴형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (4)

  1. 혼합물로서 알칼리 가용성 수지와 다음 일반식(1)의 1,2-퀴논디아지드 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
    상기식에서 R은 메틸기 또는 수소원자이며, R1내지 R4는 1,2-퀴논디아지도술포닐기 또는 수소원자로부터 독립적으로 선택되며, R1내지 R4중 적어도 하나는 1,2-퀴논디아지도술포닐기이며, n은 0,1 또는 2의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서, 알칼리 가용성 수지 100중량부와 1,2 퀴논디아지드 화합물 약 10 내지 약 40중량부를 함유하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 알칼리 가용성 수지는 페놀을 알데히드와 축합시킴으로써 합성되는 노보락 수지인 것을 특징으로 하는 조성물.
  4. 특허청구의 범위 제1항 내지 제3항중 어느 한항의 레지스트 조성물을 기판에 도포하고, 이어서 프리-베이킹, 노광 및 현상하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940025303A 1993-10-05 1994-10-04 포지티브형 단편 조성물 및 패턴형성방법 KR100238569B1 (ko)

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