KR940007604A - 포토레지스트 조성물 - Google Patents

포토레지스트 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR940007604A
KR940007604A KR1019930017089A KR930017089A KR940007604A KR 940007604 A KR940007604 A KR 940007604A KR 1019930017089 A KR1019930017089 A KR 1019930017089A KR 930017089 A KR930017089 A KR 930017089A KR 940007604 A KR940007604 A KR 940007604A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist composition
alkali
composition according
weight
soluble resin
Prior art date
Application number
KR1019930017089A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100273821B1 (ko
Inventor
다께히로 구스모또
나오끼 다께야마
유지 우에다
히로미 우에끼
유꼬 나까노
Original Assignee
가사이 아끼오
스미또모 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가사이 아끼오, 스미또모 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 가사이 아끼오
Publication of KR940007604A publication Critical patent/KR940007604A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100273821B1 publication Critical patent/KR100273821B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

본 발명은 알칼리-가용성 수지, 가교결합제 및 다음 일반식(I)로 표시되는 1종이상의 술폰산에스테르 광-유도 산 전구체를 포함하여 이루어지는 네가티브형 포토레지스트 조성물 및 알칼리-가용성 수지, 용해 억제제 및 다음 일반식(I)로 표시되는 1종 이상의 술폰산 에스테르 광-유도 산 전구체를 포함하여 이루어지는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공한다.
〔상기식에서, R1은 임의의 치환된 아릴렌, 알킬렌 또는 알케닐렌기를 나타내고, R2는 임의로 치환된 알킬 또는 아릴기로고, 단, R2가 치환체를 함유하는 알킬 또는 아릴기인 경우, 상기한 치환체는 불소 원자가 될수 없다.〕
본 발명의 네가티브형 및 포지티브형 포토레지스트 조성물은 내열성, 막두께 보존율, 도포특성, 프로파일 등과 같은 여러 성능이 우수할 뿐 아니라, 엑시머 레이저 광원을 포함하여, 원자외선을 사용하는 노광부에 있어서 우수한 감도 및 해상도를 나타내어 원자외선 리도그래피등에 사용하기에 적합하다.

Description

포토레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (18)

  1. 알칼리-가용성 수지, 가교결합제 및 다음 일반식(I)로 표시되는 1종이상의 술폰산 에스테르 광-유도 산 전구체를 포함하여 이루어지는 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물
    〔상기식에서, R1은 임의의 치환된 아릴렌, 알킬렌 또는 알케닐렌기를 나타내고, R2는 임의로 치환된 알킬 또는 아릴기로고, 단, R2가 치환체를 함유하는 알킬 또는 아릴기인 경우, 상기한 치환체는 불소 원자가 될수 없다.〕
  2. 제1항에 있어서, 상기한 조성물이 전자 공여 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
  3. 제2항에있어서, 상기한 전자 공여 화합물의 제1산화-환원 전위가 1.0eV이하인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기한 조성물이 알칼리-가용성 수지로서, 다음 구조식중 하나로 표시되는 화합물과 알데히드 화합물과의 축합반응을 통해 얻어지는 노보락수지, 비닐페놀 수지, 이소프로페닐페놀 수지, 비닐페놀/스티렌 공중합체 또는 이소프로페닐페놀/스티렌 공중합체를 함유하는 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
  5. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기한 조성물이 알칼리-가용성 수지로서 비닐페놀/스티렌 공중합체를 함유하는 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 상기한 조성물이 알칼리-가용성 수지로서 폴리(비닐페놀)을 수소화하여 제조된 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기한 가교결합제가 다음 화합물중 1종인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기한 일반식(I)로 표시되는 술폰산 에스테르 광-유도 산 전구체가 다음 구조식으로 표시되는 화합물중 1종인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스터 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기한 성분들이 알칼리-가용성수지 50내지90중량%, 가교결합제 1내지 30중량%및 광-유도 산 전구체 1내지 20중량%의 비율로 사용되는 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 상기한 전자 공여 화합물의 양이 포토레지스트 조성물 100중량부당 0.001내지 5중량부인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
  11. 알칼리 가용성 수지, 용해 억제제 및 다음 일반식(I)로 표시되는 1종이상의 술폰산에스테르 광-유도 산 전구체를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
    〔상기식에서, R1은 임의로 치환된 아릴렌, 알킬렌 또는 알케닐렌기를 나타내고, R2는 임의로 치환된 알킬 또는 아릴기로고, 단, R2가 치환체를 함유하는 알킬 또는 아릴기인 경우, 상기한 치환체는 불소 원자가 될 수 없다.〕
  12. 제11항에 있어서, 상기한 조성물이 전자 공여 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  13. 제12항에 있어서, 상기한 전자 공여 화합물의 제1산화-환원 전위가 1.0eV이하인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  14. 제11항에 있어서, 상기한 조성물이 알칼리-가용성 수지로서, 다음 구조식중 하나로 표시되는 화합물과 알데히드 화합물과의 축합반응을 통해 얻어지는 노보락수지, 비닐페놀 수지, 이소프로페닐페놀 수지, 비닐페놀/스티렌 공중합체 또는 이소프로페닐페놀/스티렌 공중합체를 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  15. 제11항에 있어서, 상기한 용해 억제제가 다음 화합물중 1종인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  16. 제11항에 있어서, 상기한 일반식(I)로 표시되는 술폰산 에스테르 광-유도 산 전구체가 다음 구조식으로 표시되는 화합물중 1종인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  17. 제11항에 있어서, 상기한 성분들이 알칼리-가용성수지 20내지 90중량% 용해 억제제 5내지 50중량% 및 광-유도 산 전구체 0.1 내지 20중량%의 비율로 사용되는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  18. 제11항에 있어서, 상기한 전자 공여 화합물의 양이 포토레지스트 조성물 100중량부당 0.001내지 5중량부인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930017089A 1992-09-24 1993-08-31 포토레지스트 조성물 KR100273821B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP92-254486 1992-09-24
JP25448692 1992-09-24
JP92-332985 1992-12-14
JP33298592 1992-12-14
JP5005794A JPH06236024A (ja) 1992-09-24 1993-01-18 フォトレジスト組成物
JP93-5794 1993-01-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940007604A true KR940007604A (ko) 1994-04-27
KR100273821B1 KR100273821B1 (ko) 2001-03-02

Family

ID=27276900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930017089A KR100273821B1 (ko) 1992-09-24 1993-08-31 포토레지스트 조성물

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP0589451B1 (ko)
JP (1) JPH06236024A (ko)
KR (1) KR100273821B1 (ko)
CA (1) CA2104247A1 (ko)
DE (1) DE69322346T2 (ko)
MX (1) MX9305828A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100447950B1 (ko) * 2001-11-22 2004-09-08 한솔제지주식회사 포지티브형 포토레지스트 조성물

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0934112A (ja) * 1995-05-12 1997-02-07 Sumitomo Chem Co Ltd フォトレジスト組成物
JPH09166871A (ja) * 1995-12-15 1997-06-24 Sumitomo Chem Co Ltd フォトレジスト組成物
US5955241A (en) * 1996-10-25 1999-09-21 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical-amplification-type negative resist composition and method for forming negative resist pattern
JP3655030B2 (ja) * 1996-12-10 2005-06-02 東京応化工業株式会社 ネガ型化学増幅型レジスト組成物
JP3929653B2 (ja) 1999-08-11 2007-06-13 富士フイルム株式会社 ネガ型レジスト組成物
JP3989149B2 (ja) 1999-12-16 2007-10-10 富士フイルム株式会社 電子線またはｘ線用化学増幅系ネガ型レジスト組成物
US7521168B2 (en) 2002-02-13 2009-04-21 Fujifilm Corporation Resist composition for electron beam, EUV or X-ray
KR100636663B1 (ko) * 2002-06-24 2006-10-23 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지막 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의패턴 형성 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3325022A1 (de) * 1983-07-11 1985-01-24 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden
EP0388343B1 (en) * 1989-03-14 1996-07-17 International Business Machines Corporation Chemically amplified photoresist
TW207009B (ko) * 1991-01-31 1993-06-01 Sumitomo Chemical Co

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100447950B1 (ko) * 2001-11-22 2004-09-08 한솔제지주식회사 포지티브형 포토레지스트 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
KR100273821B1 (ko) 2001-03-02
EP0589451A2 (en) 1994-03-30
CA2104247A1 (en) 1994-03-25
MX9305828A (es) 1994-03-31
EP0589451A3 (en) 1994-06-29
EP0589451B1 (en) 1998-12-02
DE69322346D1 (de) 1999-01-14
DE69322346T2 (de) 1999-06-10
JPH06236024A (ja) 1994-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3921748B2 (ja) フォトレジスト組成物
EP0881539B1 (en) Photoresist composition
KR950001415A (ko) 포토레지스트 조성물
KR100798282B1 (ko) 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물
JPH11271977A (ja) フォトレジスト組成物
KR860008476A (ko) 심부 자외선 석판인쇄 내식막 조성물 및 그의 이용법
JP4023003B2 (ja) 化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物
JP2005091976A (ja) ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
KR940007604A (ko) 포토레지스트 조성물
JPH0262544A (ja) フォトレジスト組成物
JP3849486B2 (ja) 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
KR100672221B1 (ko) 네거티브형 내식막 조성물
KR19980018953A (ko) 너 거티브형 레지스트 조성물 (negative resist composition)
JP3279059B2 (ja) フォトレジスト組成物
JP3890979B2 (ja) 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP2003057815A (ja) 化学増幅型レジスト組成物
US20020090567A1 (en) Positive-working chemical-amplification photoresist composition and method for forming a resist pattern using the same
JP2001343750A (ja) 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
CA2240564A1 (en) Positive photoresist composition
KR101739591B1 (ko) 포지티브 포토레지스트 조성물
KR101734543B1 (ko) 포지티브 포토레지스트 조성물
JP3735950B2 (ja) フォトレジスト組成物
KR20010049881A (ko) 포지티브 감방사선성 수지조성물
KR101055215B1 (ko) 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물
KR100964480B1 (ko) 포지티브형 화학증폭형 레지스트 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120821

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term