KR950019944A - 감광성 수지조성물 및 그를 이용한 패턴 형성방법 - Google Patents

감광성 수지조성물 및 그를 이용한 패턴 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950019944A
KR950019944A KR1019940035388A KR19940035388A KR950019944A KR 950019944 A KR950019944 A KR 950019944A KR 1019940035388 A KR1019940035388 A KR 1019940035388A KR 19940035388 A KR19940035388 A KR 19940035388A KR 950019944 A KR950019944 A KR 950019944A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
resin composition
compound
photosensitive resin
general formula
Prior art date
Application number
KR1019940035388A
Other languages
English (en)
Inventor
미네오 니시
고지 나까노
마꼬또 이께모또
Original Assignee
미우라 아끼라
미쓰비시가가꾸 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미우라 아끼라, 미쓰비시가가꾸 가부시끼가이샤 filed Critical 미우라 아끼라
Publication of KR950019944A publication Critical patent/KR950019944A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)

Abstract

알칼리 가용성 수지가, ①하기 일반식(A)의 1종이상의 페놀성 화합물(A)과, ②포름 알데히드(a)대 카르보닐 화합물(b)의 몰비(a)/(b)가 1/99~99/1인 포름 알데히드(a)및 하기 일반식(B)의 1종이상의 카르보닐 화합물(b)와의 증축합몰이며, m이 1~5인 반복 단위(β)/(α)가 0.25이하인 하기 일반식(C)의 부분구조를 가짐을 특징으로 하는, 알칼리 가용성 수지, 퀴논디아지드계 감광성 화합물 및 용제를 함유하는 감광성 수지 조성물;
[식중, R1은 R2,OR3,COOR4또는 CH2COOR5(식중 R2는 C1-4알킬이고, 서로 독립적인 각각의 R3,R4및 R5는 수소원자 또는 C1-4알킬기이다)의 기이고, n은 0~3의 정수이며, 단 n이 2 또는 3일 경우 복수의 R1은 동일하거나 상이할 수 있으며, 서로 독립적인 R6및 R7은 각각 수소원자, C1-4저급 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이며, R8은 R1과 동일한 기이고, R9R은6와 동일한 기이고, R10은 R7과 동일한 기이며, p는 n과 동일한 정수이며, 단, R6및 R7,및 R9및 R10은 동시에 수소원자가 아니고, m은 0~5의 정수이다]

Description

감광성 수지조성물 및 그를 이용한 패턴 형성방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (16)

  1. 알칼리 가용성 수지가, ①하기 일반식(A)의 1종이상의 페놀성 화합물(A)과, ②포름 알데히드(a)대 카르보닐 화합물(b)의 몰비(a)/(b)가 1/99~99/1인 포름 알데히드(a)및 하기 일반식(B)의 1종이상의 카르보닐 화합물(b)와의 증축합몰이며, m이 1~5인 반복 단위(β)대 m이 0인 반복단위 (α)의 중량비 (β)/(α)가 0.25이하인 하기 일반식(C)의 부분구조를 가짐을 특징으로 하는, 알칼리 가용성 수지, 퀴논디아지드계 감광성 화합물 및 용제를 함유하는 감광성 수지 조성물;
    [식중, R1은 R2,OR3,COOR4또는 CH2COOR5(식중 R2는 C1-4알킬이고, 서로 독립적인 각각의 R3,R4및 R5는 수소원자 또는 C1-4알킬기이다)의 기이고, n은 0~3의 정수이며, 단 n이 2 또는 3일 경우 복수의 R1은 동일하거나 상이할 수 있으며, 서로 독립적인 R6및 R7은 각각 수소원자, C1-4저급 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이며, R8은 R1과 동일한 기이고, R9R은6와 동일한 기이고, R10은 R7과 동일한 기이며, p는 n과 동일한 정수이며, 단, R6및 R7,및 R9및 R10은 동시에 수소원자가 아니고, m은 0~5의 정수이다]
  2. 제1항에 있어서, (β)/(α)의 중량비가 0.01~0.20인 감광성 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 일반식(A)에서 R1은 R2또는 OR3(상기식에서 C1-2알킬기이고, R은 수소원자이다)이고, n 은 1또는 2의 정수이며 일반식(C)의 R8은 R1과 동일한 기인 감광성 수지 조성물.)
  4. 제1항에 있어서, 일반식(B)에서 R6이 메틸기 또는 에틸기이고, R7이 수소원자인 감광성 수지 조성물.
  5. 제3항에 있어서, 일반식(C)에서 R9메틸기 또는 에틸기이고, R10이 수소원자인 감광성 수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 몰비 (a)/(b)가 50/50~95/5의 범위인 감광성 수지 조성물.
  7. 알카리 가용성 수지가, ①하기 일반식(A)의 1종이상의 페놀성 화합물(A)및 r이 1~5화합물(D-2)대 r이 0인 화합물(D-1)의 중량비(D-2)/(D-1)이 0.25이하인 하기 일반식(D)의 페놀성 화합물의 혼합물(D)과 포름 알데히드(a)와의 중축화합물임을 특징으로 하는, 알카리 가용성 수지, 퀴논 디아지드계 화합물 및 용제를 함유하는 감광성 수지 조성물;
    [식중, R1은 R2,OR3,COOR4또는 CH2COOR5(식중 R2는 C1-4알킬이고, 서로 독립적인 각각의 R3,R4및 R5는 수소원자 또는 C1-4알킬기이다)의 기이고, n은 0~3의 정수이며, 단 n이 2 또는 3일 경우 복수의 R1은 동일하거나 상이할 수 있으며, 서로 독립적인 R11및 R1과 동일한 기이며, 서로 독립적인 R12은 R13은 각각 수소원자, C1-4저급 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이고, q는 n과 동일한 정수이며, 단, R12및 R13은 동시에 수소원자가 아니고, r은 0~5의 정수이다]
  8. 제7항에 있어서, 중량비(D-2)/(D-1)가 0.01~0.20인 감광성 수지 조성물.
  9. 제7항에 있어서, 일반식(A)에서 R1은 R2과 동일한 기인 감광성 수지 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 일반식(D)에서 R12이 메틸기 또는 에틸기이고, R13이 수소원자인 감광성 수지 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 퀴논디아지드계 감광성 화합물이 1,2-나프로퀴논디아지드-4-슬포네이트 또는 1,2-나프로퀴논디아지드-5-슬포네이트인 감광성 수지 조성물.
  12. 제7항에 있어서, 퀴논디아지드계 감광성 화합물이 1,2-나프로퀴논디아지드-4-슬포네이트 또는 1,2-나프로퀴논디아지드-5-슬포네이트인 감광성 수지 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 퀴논디아지드계 감광성 화합물이 폴리히드록시벤조페논의 퀴논디아지드 술포네이트 및/또는 밸러스트 수진인 감광성 수지 조성물.
  14. 제7항에 있어서, 퀴논디아지드계 감광성 화합물이 폴리히드록시벤조페논의 퀴논디아지드 술포네이트 및/또는 밸러스트 수진인 감광성 수지 조성물.
  15. 제1항에 있어서, 알칼이 가용성 수지의 농도가 1~35중량%이며, 퀴논디아지드계 감광성 화합물의 농도가 0.1~30중량%이고, 알칼리 가용성 수지에 대한 퀴논디아지드계 감광성 화합물의 비가 0.1~1.5중량배인 감광성 수지 조성물.
  16. 제1항 또는 제7항의 감광성 수지 조성물을 기판상에 피복하고,노광을 수행하여 패턴을 전사하고 이를 현상하여 레지스트 패턴을 형성함을 특징으로 하는, 반도체용 기판상에 레지스턴 패턴을 형성하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940035388A 1993-12-20 1994-12-20 감광성 수지조성물 및 그를 이용한 패턴 형성방법 KR950019944A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93-319756 1993-12-20
JP31975693 1993-12-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950019944A true KR950019944A (ko) 1995-07-24

Family

ID=18113829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940035388A KR950019944A (ko) 1993-12-20 1994-12-20 감광성 수지조성물 및 그를 이용한 패턴 형성방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5635329A (ko)
EP (1) EP0660186A1 (ko)
KR (1) KR950019944A (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69604114T2 (de) * 1995-04-10 2000-03-02 Shipley Co Gemische von photoaktiven Zusammensetzungen enthaltendes Fotoresist
IT1275432B (it) * 1995-05-19 1997-08-07 Plurimetal Srl Composizioni fotosensibili per stampa offset ad acidita' controllata
JP3287234B2 (ja) * 1996-09-19 2002-06-04 信越化学工業株式会社 リフトオフ法用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JP3515916B2 (ja) * 1998-11-02 2004-04-05 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物およびこれを用いた多層レジスト材料
JP4068253B2 (ja) * 1999-01-27 2008-03-26 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
US8822123B2 (en) 2012-07-13 2014-09-02 Momentive Specialty Chemicals Inc. Polymeric materials and methods for making the polymeric materials
KR20140015869A (ko) * 2012-07-26 2014-02-07 삼성디스플레이 주식회사 포토 레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5557841A (en) * 1978-10-20 1980-04-30 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Photosensitive composition
NO891063L (no) * 1988-03-31 1989-10-02 Thiokol Morton Inc Novolakharpikser av blandede aldehyder og positive fotoresistmaterialer fremstilt fra slike harpikser.
US5196289A (en) * 1989-09-07 1993-03-23 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected block phenolic oligomers and their use in radiation-sensitive resist compositions
US5188921A (en) * 1989-09-07 1993-02-23 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected block copolymer novolak binder resins in radiation-sensitive resist compositions
EP0455228B1 (en) * 1990-05-02 1998-08-12 Mitsubishi Chemical Corporation Photoresist composition
US5372909A (en) * 1991-09-24 1994-12-13 Mitsubishi Kasei Corporation Photosensitive resin composition comprising an alkali-soluble resin made from a phenolic compound and at least 2 different aldehydes
JP3182823B2 (ja) * 1991-12-27 2001-07-03 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
JPH05249666A (ja) * 1992-03-05 1993-09-28 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型レジスト組成物

Also Published As

Publication number Publication date
US5635329A (en) 1997-06-03
EP0660186A1 (en) 1995-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960022615A (ko) 감광성 내식막 조성물
KR920020276A (ko) 패턴형성용 레지스트
KR930001349A (ko) 레지스트 물질 및 패턴 형성 방법
KR980003841A (ko) 공중합체 및 공중합체 수지 결합 성분을 포함하는 감광성 내식막 조성물
KR960022623A (ko) 가교결합된 중합체
KR970066718A (ko) 감방사선성 수지 조성물
KR920022043A (ko) 감방사선성 수지 조성물
US5372908A (en) Photosensitive composition comprising a polysilane and an acid forming compound
KR960037720A (ko) 가교결합된 중합체
KR970028826A (ko) 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료
KR950019944A (ko) 감광성 수지조성물 및 그를 이용한 패턴 형성방법
KR970071142A (ko) 반사 방지 코팅용 조성물
KR860008476A (ko) 심부 자외선 석판인쇄 내식막 조성물 및 그의 이용법
KR970022548A (ko) 감광성 조성물
KR950001416A (ko) 네가형 감광성 조성물 및 이것을 사용한 패턴의 형성방법
KR930006500A (ko) 감광성 수지조성물 및 이를 사용한 패턴의 형성 방법
KR960015082A (ko) 화학증폭 포지티브형 레지스트 조성물
KR950012149A (ko) 감광성 수지 조성물 및 이를 사용한 패턴의 형성 방법
KR970022549A (ko) 포지티브 내식막 조성물 및 감광제
KR970002473A (ko) 포지티브형 포토레지스트조성물
KR970016742A (ko) 포지티브형 감방사선성 혼합물 및 릴리프 구조의 제조 방법
KR840003070A (ko) 감광성(感光性)의 수지조성물(樹脂組成物)과 이것을 사용하여 미세한 패터언(Pattern)을 형성하는 방법
KR900002125A (ko) 내식막 조성물
KR960042214A (ko) 포지티브형 내식막 조성물
KR970049040A (ko) 감광성 내식막 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid