KR950019944A - 감광성 수지조성물 및 그를 이용한 패턴 형성방법 - Google Patents
감광성 수지조성물 및 그를 이용한 패턴 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950019944A KR950019944A KR1019940035388A KR19940035388A KR950019944A KR 950019944 A KR950019944 A KR 950019944A KR 1019940035388 A KR1019940035388 A KR 1019940035388A KR 19940035388 A KR19940035388 A KR 19940035388A KR 950019944 A KR950019944 A KR 950019944A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- resin composition
- compound
- photosensitive resin
- general formula
- Prior art date
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title 1
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 15
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 12
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract 8
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 claims abstract 4
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims abstract 4
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 3
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 claims 1
- -1 quinone diazide compound Chemical class 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 abstract 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
- G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
Abstract
알칼리 가용성 수지가, ①하기 일반식(A)의 1종이상의 페놀성 화합물(A)과, ②포름 알데히드(a)대 카르보닐 화합물(b)의 몰비(a)/(b)가 1/99~99/1인 포름 알데히드(a)및 하기 일반식(B)의 1종이상의 카르보닐 화합물(b)와의 증축합몰이며, m이 1~5인 반복 단위(β)/(α)가 0.25이하인 하기 일반식(C)의 부분구조를 가짐을 특징으로 하는, 알칼리 가용성 수지, 퀴논디아지드계 감광성 화합물 및 용제를 함유하는 감광성 수지 조성물;
[식중, R1은 R2,OR3,COOR4또는 CH2COOR5(식중 R2는 C1-4알킬이고, 서로 독립적인 각각의 R3,R4및 R5는 수소원자 또는 C1-4알킬기이다)의 기이고, n은 0~3의 정수이며, 단 n이 2 또는 3일 경우 복수의 R1은 동일하거나 상이할 수 있으며, 서로 독립적인 R6및 R7은 각각 수소원자, C1-4저급 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이며, R8은 R1과 동일한 기이고, R9R은6와 동일한 기이고, R10은 R7과 동일한 기이며, p는 n과 동일한 정수이며, 단, R6및 R7,및 R9및 R10은 동시에 수소원자가 아니고, m은 0~5의 정수이다]
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (16)
- 알칼리 가용성 수지가, ①하기 일반식(A)의 1종이상의 페놀성 화합물(A)과, ②포름 알데히드(a)대 카르보닐 화합물(b)의 몰비(a)/(b)가 1/99~99/1인 포름 알데히드(a)및 하기 일반식(B)의 1종이상의 카르보닐 화합물(b)와의 증축합몰이며, m이 1~5인 반복 단위(β)대 m이 0인 반복단위 (α)의 중량비 (β)/(α)가 0.25이하인 하기 일반식(C)의 부분구조를 가짐을 특징으로 하는, 알칼리 가용성 수지, 퀴논디아지드계 감광성 화합물 및 용제를 함유하는 감광성 수지 조성물;[식중, R1은 R2,OR3,COOR4또는 CH2COOR5(식중 R2는 C1-4알킬이고, 서로 독립적인 각각의 R3,R4및 R5는 수소원자 또는 C1-4알킬기이다)의 기이고, n은 0~3의 정수이며, 단 n이 2 또는 3일 경우 복수의 R1은 동일하거나 상이할 수 있으며, 서로 독립적인 R6및 R7은 각각 수소원자, C1-4저급 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이며, R8은 R1과 동일한 기이고, R9R은6와 동일한 기이고, R10은 R7과 동일한 기이며, p는 n과 동일한 정수이며, 단, R6및 R7,및 R9및 R10은 동시에 수소원자가 아니고, m은 0~5의 정수이다]
- 제1항에 있어서, (β)/(α)의 중량비가 0.01~0.20인 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 일반식(A)에서 R1은 R2또는 OR3(상기식에서 C1-2알킬기이고, R은 수소원자이다)이고, n 은 1또는 2의 정수이며 일반식(C)의 R8은 R1과 동일한 기인 감광성 수지 조성물.)
- 제1항에 있어서, 일반식(B)에서 R6이 메틸기 또는 에틸기이고, R7이 수소원자인 감광성 수지 조성물.
- 제3항에 있어서, 일반식(C)에서 R9메틸기 또는 에틸기이고, R10이 수소원자인 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 몰비 (a)/(b)가 50/50~95/5의 범위인 감광성 수지 조성물.
- 알카리 가용성 수지가, ①하기 일반식(A)의 1종이상의 페놀성 화합물(A)및 r이 1~5화합물(D-2)대 r이 0인 화합물(D-1)의 중량비(D-2)/(D-1)이 0.25이하인 하기 일반식(D)의 페놀성 화합물의 혼합물(D)과 포름 알데히드(a)와의 중축화합물임을 특징으로 하는, 알카리 가용성 수지, 퀴논 디아지드계 화합물 및 용제를 함유하는 감광성 수지 조성물;[식중, R1은 R2,OR3,COOR4또는 CH2COOR5(식중 R2는 C1-4알킬이고, 서로 독립적인 각각의 R3,R4및 R5는 수소원자 또는 C1-4알킬기이다)의 기이고, n은 0~3의 정수이며, 단 n이 2 또는 3일 경우 복수의 R1은 동일하거나 상이할 수 있으며, 서로 독립적인 R11및 R1과 동일한 기이며, 서로 독립적인 R12은 R13은 각각 수소원자, C1-4저급 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이고, q는 n과 동일한 정수이며, 단, R12및 R13은 동시에 수소원자가 아니고, r은 0~5의 정수이다]
- 제7항에 있어서, 중량비(D-2)/(D-1)가 0.01~0.20인 감광성 수지 조성물.
- 제7항에 있어서, 일반식(A)에서 R1은 R2과 동일한 기인 감광성 수지 조성물.
- 제9항에 있어서, 일반식(D)에서 R12이 메틸기 또는 에틸기이고, R13이 수소원자인 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 퀴논디아지드계 감광성 화합물이 1,2-나프로퀴논디아지드-4-슬포네이트 또는 1,2-나프로퀴논디아지드-5-슬포네이트인 감광성 수지 조성물.
- 제7항에 있어서, 퀴논디아지드계 감광성 화합물이 1,2-나프로퀴논디아지드-4-슬포네이트 또는 1,2-나프로퀴논디아지드-5-슬포네이트인 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 퀴논디아지드계 감광성 화합물이 폴리히드록시벤조페논의 퀴논디아지드 술포네이트 및/또는 밸러스트 수진인 감광성 수지 조성물.
- 제7항에 있어서, 퀴논디아지드계 감광성 화합물이 폴리히드록시벤조페논의 퀴논디아지드 술포네이트 및/또는 밸러스트 수진인 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 알칼이 가용성 수지의 농도가 1~35중량%이며, 퀴논디아지드계 감광성 화합물의 농도가 0.1~30중량%이고, 알칼리 가용성 수지에 대한 퀴논디아지드계 감광성 화합물의 비가 0.1~1.5중량배인 감광성 수지 조성물.
- 제1항 또는 제7항의 감광성 수지 조성물을 기판상에 피복하고,노광을 수행하여 패턴을 전사하고 이를 현상하여 레지스트 패턴을 형성함을 특징으로 하는, 반도체용 기판상에 레지스턴 패턴을 형성하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP93-319756 | 1993-12-20 | ||
JP31975693 | 1993-12-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950019944A true KR950019944A (ko) | 1995-07-24 |
Family
ID=18113829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940035388A KR950019944A (ko) | 1993-12-20 | 1994-12-20 | 감광성 수지조성물 및 그를 이용한 패턴 형성방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5635329A (ko) |
EP (1) | EP0660186A1 (ko) |
KR (1) | KR950019944A (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0737895B1 (en) * | 1995-04-10 | 1999-09-08 | Shipley Company LLC | Photoresist with photoactive compound mixtures |
IT1275432B (it) * | 1995-05-19 | 1997-08-07 | Plurimetal Srl | Composizioni fotosensibili per stampa offset ad acidita' controllata |
JP3287234B2 (ja) * | 1996-09-19 | 2002-06-04 | 信越化学工業株式会社 | リフトオフ法用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP3515916B2 (ja) * | 1998-11-02 | 2004-04-05 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物およびこれを用いた多層レジスト材料 |
JP4068253B2 (ja) * | 1999-01-27 | 2008-03-26 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
US8822123B2 (en) | 2012-07-13 | 2014-09-02 | Momentive Specialty Chemicals Inc. | Polymeric materials and methods for making the polymeric materials |
KR20140015869A (ko) * | 2012-07-26 | 2014-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토 레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5557841A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-30 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photosensitive composition |
NO891063L (no) * | 1988-03-31 | 1989-10-02 | Thiokol Morton Inc | Novolakharpikser av blandede aldehyder og positive fotoresistmaterialer fremstilt fra slike harpikser. |
US5188921A (en) * | 1989-09-07 | 1993-02-23 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block copolymer novolak binder resins in radiation-sensitive resist compositions |
US5196289A (en) * | 1989-09-07 | 1993-03-23 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block phenolic oligomers and their use in radiation-sensitive resist compositions |
US5279918A (en) * | 1990-05-02 | 1994-01-18 | Mitsubishi Kasei Corporation | Photoresist composition comprising a quinone diazide sulfonate of a novolac resin |
US5372909A (en) * | 1991-09-24 | 1994-12-13 | Mitsubishi Kasei Corporation | Photosensitive resin composition comprising an alkali-soluble resin made from a phenolic compound and at least 2 different aldehydes |
JP3182823B2 (ja) * | 1991-12-27 | 2001-07-03 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JPH05249666A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
-
1994
- 1994-12-16 EP EP94120007A patent/EP0660186A1/en not_active Withdrawn
- 1994-12-20 US US08/359,822 patent/US5635329A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-20 KR KR1019940035388A patent/KR950019944A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0660186A1 (en) | 1995-06-28 |
US5635329A (en) | 1997-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960022615A (ko) | 감광성 내식막 조성물 | |
KR980003841A (ko) | 공중합체 및 공중합체 수지 결합 성분을 포함하는 감광성 내식막 조성물 | |
KR960022623A (ko) | 가교결합된 중합체 | |
KR970028825A (ko) | 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료 | |
KR930021588A (ko) | 폴리스티렌 기제 광내식막 물질 | |
KR970066718A (ko) | 감방사선성 수지 조성물 | |
US5372908A (en) | Photosensitive composition comprising a polysilane and an acid forming compound | |
KR960037720A (ko) | 가교결합된 중합체 | |
KR970028826A (ko) | 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료 | |
KR950019944A (ko) | 감광성 수지조성물 및 그를 이용한 패턴 형성방법 | |
KR970071142A (ko) | 반사 방지 코팅용 조성물 | |
KR860008476A (ko) | 심부 자외선 석판인쇄 내식막 조성물 및 그의 이용법 | |
KR970022548A (ko) | 감광성 조성물 | |
KR950001416A (ko) | 네가형 감광성 조성물 및 이것을 사용한 패턴의 형성방법 | |
KR930006500A (ko) | 감광성 수지조성물 및 이를 사용한 패턴의 형성 방법 | |
KR960015082A (ko) | 화학증폭 포지티브형 레지스트 조성물 | |
KR950012149A (ko) | 감광성 수지 조성물 및 이를 사용한 패턴의 형성 방법 | |
KR970022549A (ko) | 포지티브 내식막 조성물 및 감광제 | |
KR970016742A (ko) | 포지티브형 감방사선성 혼합물 및 릴리프 구조의 제조 방법 | |
KR840003070A (ko) | 감광성(感光性)의 수지조성물(樹脂組成物)과 이것을 사용하여 미세한 패터언(Pattern)을 형성하는 방법 | |
KR900002125A (ko) | 내식막 조성물 | |
KR960042214A (ko) | 포지티브형 내식막 조성물 | |
KR970049040A (ko) | 감광성 내식막 조성물 | |
KR940007604A (ko) | 포토레지스트 조성물 | |
KR960024662A (ko) | 감광성 수지 조성물 및 그를 사용한 포토레지스트 패턴 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |