KR960022615A - 감광성 내식막 조성물 - Google Patents

감광성 내식막 조성물

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KR960022615A
KR960022615A KR1019950052373A KR19950052373A KR960022615A KR 960022615 A KR960022615 A KR 960022615A KR 1019950052373 A KR1019950052373 A KR 1019950052373A KR 19950052373 A KR19950052373 A KR 19950052373A KR 960022615 A KR960022615 A KR 960022615A
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polymer
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KR1019950052373A
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메르테스도르프 칼-로렌츠
샤흐트 한스-토마스
무엔첼 노르베르트
알프레트 팔시그노 파스쿠알레
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폴 웨인스테인
오씨지 마이크로일렉트로닉 머티리얼즈, 인코포레이티드
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Abstract

본 발명은 일반식(I) 내지 (IV)의 구조적 반복 단위를 포함하고 평균 분자량 MW(중량 평균)가 5,000 내지 1,000,000(겔 투과 크로마토그래피로 측정)인 중합체에 관한 것이다:
상기 식에서, R1,R2,R3및 R4는 각각 독립적으로 수소, 메틸 또는 할로겐이고, R5및 R6e은 각각 독립적으로 C1내지 C6알킬이며, R7,R8,R9및 R10은 각각 독립적으로 수소, C1-C4알킬, C1-C4알콕시 또는 할로겐이고, w,x,y및 z는 1 이상의 수이며, 단 보호 그룹을 갖는 구조 단위의 합을 존재하는 모든 구조 단위의 합으로 나누어서 수득할 수 있는 몫인는 조건 1.10≤Q≤0.50을 충족시켜야 한다.
본 발명의 중합체는 가공 안정성이 높고 유동 저항성이 있는 DUV감광성 내식막을 위한 결합제로서 적합하다.

Description

감광성 내식막 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (16)

  1. 일반식(I) 내지 (IV)의 구조적 반복 단위를 포함하고 평균 분자량 MW(중량 평균)가 5,000내지 1,000,000(겔 투과 크로마토그래피로 측정)인 중합체.
    상기 식에서, R1,R2,R3및 R4는 각각 독립적으로 수소, 메틸 또는 할로겐이고, R5및 R6은 각각 독립적으로 C1내지 C6알킬이며, R7,R8,R9및 R10은 각각 독립적으로 수소, C1-C4알킬,C1-C4알콕시 또는 할로겐이고, w,x,y및 z는 1 이상의 수이며, 단 보호 그룹을 갖는 구조 단위의 합을 존재하는 모든 구조 단위의 합으로 나누어서 수득할 수 있는 몫인는 조건 1.10≤Q≤0.50을 충족시켜야 한다.
  2. 제1항에 있어서, 일반식(V) 내지 (VIII)의 구조적 반복 단위론 포함하는 중합체.
    상기 식에서, R1내지 R10, w, x, y 및 z는 제1항에서 정의된 바와 같다.
  3. 제1항에 있어서, 몫 Q가 0.15≤Q≤0.45를 충족시키는 중합체.
  4. 제1항에 있어서, R1,R2,R3및 R4가 수소인 중합체.
  5. 제1항에 있어서, R7,R8,R9및 R10이 수소인 중합체.
  6. 제1항에 있어서, R5및 R6이 각각 독립적으로 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸 또는 t-부틸인 중합체.
  7. 제1항에 있어서, R5및 R6이 에틸 또는 t-부틸인 중합체.
  8. 제1항에 있어서, 모든 구조적 단위의 총수를 기준으로 하여 일반식(III) 및 (IV)의 구조적 단위 1 내지 40% 및 일반식(I) 및 (II)의 구조적 단위 60 내지 99%를 포함하는 중합체.
  9. 제1항에 있어서, 모든 구조적 단위의 총수를 기준으로하여 일반식(III) 및 (IV)의 구조적 단위 2 내지 15% 및 일반식(I) 및 (II)의 구조적 단위 85 내지 98%를 포함하는 중합체.
  10. 성분 A) 및 B)의 총량을 기준으로 하여, A) 제1항에 따른 중합체 80내지 99.9중량% 및 B) 화학적 방사선의 작용하에 산을 형성하는 물질 0.1 내지 20중량%를 함유하는 방사선-민감성 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 성분 A) 및 B)의 총량을 기준으로 하여, A) 제1항에 따른 중합체 90 내지 99.8중량% 및 B) 화학적 방사선의 작용하에 산을 형성하는 물질 0.2 내지 10중랑%를 함유하는 방사선-민감성 조성물.
  12. 제10항에 있어서, 성분 A) 및 B) 뿐만 아니라 성분 C)로서 유기 용매를 함유하는 방사선-민감성 조성물.
  13. 제10항에 있어서, 성분 B)로서 설포늄 트리플루오로메틸레설폴레이트, 니트로벤질 설포네이트, 디설폰 또는 α-(설포닐옥시)-아세토페논 유도체를 함유하는 방사선-민감성 조성물.
  14. I) 제10항의 방사선-민감성 조성물로 기판을 코팅시키고, II) 코팅된 기판을 화학적 방사선에 예정된 형태로 노출시키며, III) 포지티브-작용성 감광성 내식막용 현상액으로 노출된 기판을 현상시키는 포지티브 영상화 방법.
  15. 인쇄판, 인쇄 회로 또는 집적 회로의 제조를 위한 포지티브 감광성 내식막으로서 제10항에 따른 방사선-민감성 조성물의 용도.
  16. 제10항의 조성물을 사용하여 제조한 인쇄판, 인쇄 회로 또는 집적 회로.
    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950052373A 1994-12-20 1995-12-20 감광성 내식막 조성물 KR960022615A (ko)

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