KR960029359A - 산-분해성 보호 그룹을 갖는 페놀 수지 - Google Patents

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메르테스도르프 칼-로렌츠
샤흐트 한스-토마스
무엔첼 노르베르트
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Abstract

본 발명은, 열안정성이 높고 가공양정성 및 유동 저항이 높은 내식막 조성물용 결합제로서 적합한, 페놀의 하이드록실 그룹의 10 내지 90%가 다음 일반식(Ⅰ)의 보호 그룹에 의해 대체되고 중량 평균 분자량 대 수평균 분자량의 비 Mw/Mn이 1.03 내지 1.80의 범위인 페놀 수지에 관한 것이다.
상기 식에서, R1및 R2는 각각 서로 독립적으로 C1-C6알킬, 치환되지 않거나 하나 이상의 C1-C4알킬 그룹에 의해 치환된 C3-C6사이클로알킬, 또는 -(CH2)n-아릴이거나, R1및 R2는 이들 라디칼에 결합된 산소 및 탄소 원자와 함께, 환원으로서 추가로 -O-, -S-, -SO2- 또는 -NR8- (여기서, R8은 C1-C6알킬, 아릴 또는 C6-C16아르알킬이다)와 같은 헤테로 원자 또는 헤테로-그룹을 함유할 수 있는 5원환 내지 8원환을 형성하고, R3은 수소, C1-C6알킬, 치환되지 않거나 하나 이상의 C1-C4알킬 그룹에 의해 치환되는 C3-C6사이클로알킬, 또는 -(CH2)n-아릴이거나, R2및 R3은, 이들 라디칼에 결합된 탄소원자와 함께, 환원으로서 추가의 -O-, -S-, -SO2- 또는 -NR8-(여기서, R8은 C1-C6알킬, 아릴 또는 C6-C16아르알킬이다)와 같은 헤테로원자 또는 헤테로-그룹을 함유할 수 있는 5원환 내지 8원환을 형성하고, n은 0,1,2 또는 3이고, 아릴은 하나 이상의 C1-C4알킬, C1-C4알콕시, 니트로 또는 시아노 그룹 또는 할로겐 원자에 의해 치환되는 나프틸 또는 페닐이다.

Description

산-분해성 보호 그룹을 갖는 페놀 수지
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (14)

  1. 페놀의 하이드록실 그룹의 10 내지 90%가 다음 일반식(Ⅰ)의 보호 그룹에 의해 대체되고, 중량 평균 분자량 대 수평균 분자량의 비 Mw/Mn이 1.03 내지 1.80의 범위인 페놀 수지.
    상기 식에서, R1및 R2는 각각 서로 독립적으로 C1-C6알킬, 치환되지 않거나 하나 이상의 C1-C4알킬 그룹에 의해 치환된 C3-C6사이클로알킬, 또는 -(CH2)n-아릴이거나, R1및 R2는 이들 라디칼에 결합된 산소 및 탄소 원자와 함께, 환원으로서 추가로 -O-, -S-, -SO2- 또는 -NR8- (여기서, R8은 C1-C6알킬, 아릴 또는 C6-C16아르알킬이다)와 같은 헤테로 원자 또는 헤테로-그룹을 함유할 수 있는 5원환 내지 8원환을 형성하고, R3은 수소, C1-C6알킬, 치환되지 않거나 하나 이상의 C1-C4알킬 그룹에 의해 치환되는 C3-C6사이클로알킬, 또는 -(CH2)n-아릴이거나, R2및 R3은, 이들 라디칼에 결합된 탄소원자와 함께, 환원으로서 추가의 -O-, -S-, -SO2- 또는 -NR8-(여기서, R8은 C1-C6알킬, 아릴 또는 C6-C16아르알킬이다)와 같은 헤테로원자 또는 헤테로-그룹을 함유할 수 있는 5원환 내지 8원환을 형성하고, n은 0,1,2 또는 3이고, 아릴은 하나 이상의 C1-C4알킬, C1-C4알콕시, 니트로 또는 시아노 그룹 또는 할로겐 원자에 의해 치환되는 나프틸 또는 페닐이다.
  2. 제1항에 있어서, 다음 일반식(Ⅱ) 및 (Ⅲ)의 반복 구조 단위를 함유하는 페놀 수지.
    상기 식에서, R1, R2및 R3은 제1항에서 정의한 바와 같고, R4및 R5는 각각 서로 독립적으로 수소, 메틸 또는 할로겐이고, R6및 R7은 각각 서로 독립적으로 수소, C1-C4알킬, C1-C4알콕시 또는 할로겐이다.
  3. 제2항에 있어서, 다음 일반식(Ⅱa) 및 (Ⅲa)의 반복 구조 단위를 함유하는 페놀 수지.
    상기 식에서, R1내지 R7은 제2항에서 정의한 바와 같다.
  4. 제2항에 있어서, R4, R5, R6및 R7이 수소인 일반식(Ⅱ) 및 (Ⅲ)의 반복 구조 단위를 함유하는 페놀 수지.
  5. 제2항에 있어서, R1및 R2가 각각 서로 독립적으로 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, t- 부틸 또는 사이클로헥실이거나 R1및 R2가 이들이 결합하고 있는 산소 및 탄소 원자와 함께 테트라하이드로피라닐 환을 형성하는 일반식(Ⅱ) 및 (Ⅲ)의 반복 구조 단위를 함유하는 페놀 수지.
  6. 제2항에 있어서, R3이 수소 또는 메틸인 일반식(Ⅱ) 및 (Ⅲ)의 반복 구조 단위를 함유하는 페놀 수지.
  7. 제1항에 있어서, 페놀의 하이드록실 그룹의 15 내지 70%가 일반식(Ⅰ)의 보호 그룹으로 대체되는 페놀 수지.
  8. 제1항에 있어서, 중량 평균 분자량 대 수평균 분자량의 비 Mw/Mn이 1.03 내지 1.5인 페놀 수지.
  9. 성분(A) 및 (B)의 총량을 기준으로 하여, (A) 제1항에 따른 페놀 수지 80.0 내지 99.9% 및 (B) 화학선에 노출되면 산을 생성시키는 물질 0.1 내지 20.0중량%을 포함하는 방사선 민감성 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 성분(A) 및 (B) 이외에 성분(C)로서 유기용매를 포함하는 방사선 민감성 조성물.
  11. 제9항에 있어서, 성분(B)가 디설폰 또는 설폰산 에스테르인 방사선 민감성 조성물.
  12. (Ⅰ)제9항에 따른 방사선 민감성 조성물로 기판을 코팅하는 단계. (Ⅱ) 코팅된 기판을 소정의 패턴에 따라 화학선에 노출시키는 단계 및 (Ⅲ) 노출된 기판을 포지티브 작용성 내식막용 현상제로 현상시키는 단계에 의해 포지티브 상을 생성시키는 방법.
  13. 인쇄판, 인쇄 회로 또는 직접 회로를 제조하기 위한 포지티브 내식막으로서의 제9항에 따른 방사선 민감성 조성물의 용도.
  14. 제9항에 따른 방사성 민감선 조성물을 사용하여 제조된 인쇄판, 인쇄회로 또는 집적 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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