KR960015087A - 중합체 - Google Patents

중합체

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KR960015087A
KR960015087A KR1019950025721D KR19950025721D KR960015087A KR 960015087 A KR960015087 A KR 960015087A KR 1019950025721 D KR1019950025721 D KR 1019950025721D KR 19950025721 D KR19950025721 D KR 19950025721D KR 960015087 A KR960015087 A KR 960015087A
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KR1019950025721D
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메르테스도르프 칼-로렌쯔
알프레드 팔찌그노 파스크발
민첼 노베르트
샤흐트 한스-토마스
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스티븐 티. 워쇼
오씨지 마이크로엘렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드
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    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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Abstract

본 발명은 중합체 사슬에서 하기 일반식(I) 내지 (IV)의 구조 반복 단위를 포함하는 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정된 분자량(Mw) 5.5×103내지 105의 중합체에 관한 것이다 :
상기 식에서, R1및 R2는 각각 독립적으로 직쇄 또는 측쇄 C1-C6알킬, 비치환 또는 메틸로 치환된 C3-C6시클로알킬, 또는 비치환 또는 1이상의 할로겐 원자 또는 1이상의 C1-C4알콕시, 시아노 또는 니트로기에 의해 치환된 페닐 또는 나프틸이고, R3, R4, R5및 R6은 각각 독립적으로 수소 또는 메틸이며, R7,R8,R9및 R10은 각각 독립적으로 수소, C1-C6알킬, C1-C6알콕시 또는 할로겐이고, w, x, y 및 z은 1이상의 수이며, 지수 Q는 하기와 같이 보호기를 포함하는 구조단위 총수를 구조단위 총수로 나누어서 얻는 것으로, 0.5 이상 0.9이하이다;
이같은 중합체는 인쇄 기판, 인쇄 회로 및 집적회로의 제조에 적합하다.

Description

중합체
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (12)

  1. 중합체 사슬에서 하기 일반식(I) 내지 (IV)의 구조 반복 단위를 포함하는 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정된 분자량(Mw) 5.5×103내지 105의 중합체 :
    상기 식에서, R1및 R2는 각각 독립적으로 직쇄 또는 측쇄 C1-C6알킬, 비치환 또는 메틸로 치환된 C3-C6시클로알킬, 또는 비치환 또는 1이상의 할로겐 원자 또는 1이상의 C1-C4알콕시, 시아노 또는 니트로기에 의해 치환된 페닐 또는 나프틸이고, R3,R4,R5및 R6은 각각 독립적으로 수소 또는 메틸이며, R7,R8,R9및 R10은 각각 독립적으로 수소, C1-C6알킬, C1-C8알콕시 또는 할로겐이고, w, x, y 및 z은 1이상의 수이며, 지수 Q는 하기와 같이 보호기를 포함하는 구조단위 총수를 구조단위 총수로 나누어서 얻는 것으로, 0.5 이상 0.9이하이다 :
  2. 제1항에 있어서, 지수Q가 01.5 이상 0.8이하인 중합체.
  3. 제1항에 있어서, 중합체 사슬에서 일반식(V) 내지 (VIII)의 구조반복단위를 포함하는 중합체 :
    상기 식에서, R1-R10, w, x, y 및 z는 제1항에서 정의한 바와 같다.
  4. 제1항에 있어서, R1및 R2가 각각 독립적으로 직쇄 또는 측쇄 C1-C6알킬 또는 비치환 C3-C6시클로알킬 또는 페닐이고, R3-R6및 R7-R10이 수소인 중합체.
  5. 제4항에 있어서, R1및 R2가 각각 독립적으로 에틸, 시클로프로필, 시클로헥실 또는 페닐인 중합체.
  6. 제1항에 있어서, 지수 Q가 0.5이상 0.7이하이고, R1및 R2가 각각 독립적으로 직쇄 또는 측쇄 C1-C6알킬 또는 비치환 C3-C6시클로알킬 또는 페닐인 중합체.
  7. 성분(A) 및 (B) 총량을 기준으로 하기 성분(A)와 (B)를 포함하는 복사선-민감성 조성물: (A) 제1항에 따른 중합체 80 내지 99.9중량% (B) 화학선 복사에 노출시 산을 형성하는 물질 0.1 내지 20중량%.
  8. 제7항에 있어서, 성분(A) 및 (B)총량을 기준으로 하기 성분(A)와 (B)를 포함하는 복사선-민감성 조성물: (A) 제1항에 따른 중합체 90 내지 99.8중량%, (B) 화학선 복사에 노출시 산을 형성하는 물질 0.2 내지 10중량%.
  9. 제7항에 있어서, 성분(A) 및 (B)이외에 성분(C)로서 유기 용매를 추가로 포함하는 복사선-민감성 조성물.
  10. 제7항에 있어서, 성분(A) 및 (B)의 총량을 기준으로 성분(D)로서 종래의 첨가제 0.01 내지 40중량%를 추가로 포함하는 복사선-민감성 조성물.
  11. 하기 단계에 의한 포지티브 이미지의 제조방법 : I.) 제7항에 따른 복사선-민감성 조성물로 기판을 코팅함. II.) 코팅된 기판을 소정 패턴으로 화학선에 노출함 그리고, III.) 포지티브-작용성 포토레지스트용 현상액으로 노출된 기판을 현상함.
  12. 제7항에 따른 조성물을 사용하여 제조된 인쇄 기판, 인쇄 회로 또는 집적 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950025721D 1994-10-13 1995-10-13 중합체 KR960015087A (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
CH94-1/3079 1994-10-13
CH307994 1994-10-13

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