KR970002469A - 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물 - Google Patents

화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체장치의 제작시 포토리토그라피패턴가공에 사용되는, 패턴노광시 할레이션방지효과가 우수한 신규의 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물에 관한 것으로, 이 조성물은, 화학선조사로 산을 방출할 수 있는 산발생제와 산존재하의 알카리현상수용액에서 용해성이 증가할 수 있는 수지성분과 같이 종래의 성분 이외에도, 특정한 페놀성화합물과 나프토퀴논-1,2-디아지드술폰산간의 에스테르화 생성물인 독특한 할레이션 억제제로 이루어진다.

Description

화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (15)

  1. 균일혼련물로서, (a) 화학선조사로 산을 발생할 수 있는 화합물 1~20중량부, (b) 산존재하에 알카리수 용액에서 용해성이 증가되는 중합체수지 100중량부, 및 (C) 할레이션억제제로서 작용하는, 분자량이 1000이하인 페놀성화합물과 나프토퀴논-1,2-디아지드술폰산과의 에스테르화생성물 0.5~20중량부로 이루어지는, 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물.
  2. 제1항에 있어서, 나프토퀴논-1,2-디아지드술폰산과의 에스테르화반응으로 성분(c)를 제조하는, 페놀성화합물은, 일반식
    [식 중 R1, R2및 R3는 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기, R4~R7은 각각 수소원자, 할로겐원자, 탄소수 1~4의 알킬기, 탄소수 1~4의 알콕시기, 탄소수 2~4의 알켄일기, 또는 시클로헥실기이고, R8및 R9는 각각 수소원자, 할로겐원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기이고, Q는 수소원자, 탄소수 1~4의 알킬기 또는 일반식(R10및 R11은 각각 수소원자, 할로겐원자, 탄소수 1~4의 알킬기, 탄소수 1~4의 알콕시기, 탄소수 2~4의 알켄일기 또는 시클로헥실기이고, Z는 1,2 도는 3이다)로 표현된 페닐기이며, x 및 y는 각각 1, 2 또는 3이고, n은 0 또는 1이다]로 표현된 화합물인 것을 특징으로 하는 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물.
  3. 제1항에 있어서, 나프토퀴논-1,2-디아지드술폰산과의 에스테르화 반응으로 성분(c)를 제조하는, 페놀성화합물은, 일반식
    (식 중, R은 메틸 또는 시클로헥실기이고, R'및 R"는 각각 수소원자 또는 메틸기이고, m은 1 또는 2이다)로 표현된 화합물인 것을 특징으로 하는 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물.
  4. 제1항에 있어서, 나프토퀴논-1,2-디아지드술폰산과의 에스테르화반응으로 성분(c)를 제조하는, 페놀 성화합물은 1-[1-(4-히드록시페닐)이소프로필]-4[1,1-비스(4-히드록시페닐)에틸]벤젠인 것을 특징으로 하는 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물.
  5. 제1항에 있어서, 페놀성화합물과의 에스테르화반응으로 성분(c)를 제조하는, 나프토퀴논-1,2-디아지드술폰산은 나프토퀴논-1,2-디아지드-5-술폰산 또는 나프토퀴논-1,2-디아지드-4-술폰산인 것을 특징으로 하는 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물.
  6. 제1항에 있어서, 성분(a)는 비스(술포닐)디아조메탄화합물, 술포닐카르보닐알칸화합물, 술포닐카르보닐 디아조메탄화합물, 니트로벤질술포네이트화합물, 폴리히드록시화합물과, 지방족술폰산 또는 방향족기가 페닐 또는 벤질기인 방향족술폰산과의 에스테르화합물, 오늄염 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물.
  7. 제6항에 있어서, 성분(a)는 비스(술포닐)디아조메탄화합물인 것을 특징으로 하는 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물.
  8. 제7항에 있어서, 비스(술포닐)디아조메탄화합물은 비스(시클로헥실술포닐) 디아조메탄 또는 비스(2,4-디메틸페닐술포닐)디아조메탄인 것을 특징으로 하는 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물.
  9. 제1항에 있어서, 성분(b)는, 폴리(히드록시스티렌)수지내의 수산기의 적어도 수소원자일부를 tert-부톡시카르보닐기, tert-부틸기, tert-아밀옥시카르보닐기, 알콜시알킬기, 테트라히드로피라닐기 및 테트라히드로푸라닐기로 이루어지는 군에서 선택된 보호기로 치환시킨 폴리(히드록시스티렌)계 중합체 수지인 것을 특징으로 하는 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물.
  10. 제9항에 있어서, 성분(b)는, 폴리(히드록시스티렌)수지에서 수산기의 적어도 수소원자 10~60%를 tert-부톡시카르보닐기로 치환한 제1폴리(히드록시스티렌)계 중합체수지와, 폴리(히드록시스티렌) 수지에서 수산기의 수소원자 10~60%를, 알콕시기와 알킬기의 탄소수가 각각 1~4인 알콕시알킬기로 치환한 제2폴리(히드록시스티렌)계 중합체수지의 중량비 10:90~70:30의 조합인 것을 특징으로 하는 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물.
  11. 제10항에 있어서, 제2폴리(히드록시스티렌)계 중합체수지의 알콕시알킬기는 1-에톡시에틸기 또는 1-메톡시-n-프로필기인 것을 특징으로 하는 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물.
  12. 제1항에 있어서, 성분(b)의 중량평균분자량은 3000~30000인 것을 특징으로 하는 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물.
  13. 제1항에 있어서, 나프토퀴논-1,2-디아지드술폰산에 의한 페놀형화합물에서의 페놀성수산기의 에스테르화도는 60% 이상인 것을 특징으로 하는 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물.
  14. 제13항에 있어서, 나프토퀴논-1,2-디아지드술폰산에 의한 페놀성화합물에서의 페놀성수산기의 에스테르화도는 90% 이상인 것을 특징으로 하는 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물.
  15. 제1항에 있어서, 성분(c)의 양은 성분(b)의 100중량부에 대해 5~15중량부인 것을 특징으로 하는 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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