JP3972469B2 - ジアゾジスルホン化合物および感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特にＫｒＦエキシマレーザーあるいはＡｒＦエキシマレーザー等に代表される遠紫外線のほか、電子線等の荷電粒子線、Ｘ線の如き各種の放射線を用いる微細加工に有用な化学増幅型レジストにおける感放射線性酸発生剤として好適な新規ジアゾジスルホン化合物、並びに当該ジアゾジスルホン化合物を含有する、化学増幅型レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路素子の製造に代表される微細加工の分野においては、より高い集積度を得るために、リソグラフィーにおける加工サイズの微細化が進んでおり、近年では、０．５μｍ以下の微細加工を再現性よく行なうことの可能な技術が必要とされている。そのため微細加工に用いられるレジストにおいても、０．５μｍ以下のパターンを精度よく形成することが必要であるが、従来の可視光線（波長８００〜４００ｎｍ）または近紫外線（波長４００〜３００ｎｍ）を用いる方法では、０．５μｍ以下の微細パターンを高精度に形成することは極めて困難である。そこで、より短波長（波長３００ｎｍ以下）の放射線の利用が鋭意検討されている。
このような短波長の放射線としては、例えば、水銀灯の輝線スペクトル（波長２５４ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）あるいはＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）等に代表される遠紫外線、電子線等の荷電粒子線、シンクロトロン放射線等のＸ線を挙げることができるが、これらのうち特にエキシマレーザーを使用するリソグラフィーが、その高出力、高効率特性等の理由から、特に注目されている。このため、リソグラフィーに用いられるレジストに関しても、エキシマレーザーにより、０．５μｍ以下の微細パターンを高感度かつ高解像度で再現性よく形成できることが必要とされている。
ＫｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線に適したレジストとしては、放射線の照射（以下、「露光」という。）により酸を生成する感放射線性酸発生剤を使用し、その酸の触媒作用によりレジストの感度を向上させた「化学増幅型レジスト」が提案されている。
このような化学増幅型レジストとしては、例えば、特開昭５９−４５４３９号公報に、ｔ−ブチル基あるいはｔ−ブトキシカルボニル基で保護された樹脂と感放射線性酸発生剤との組合せが、また特開昭６０−５２８４５号公報に、シリル基で保護された樹脂と感放射線性酸発生剤との組合せが、それぞれ開示されている。またその他にも、アセタール基またはケタール基で保護された樹脂と感放射線性酸発生剤とを含有するレジスト（特開平２−２５８５０号公報）等、化学増幅型レジストに関しては多くの報告がなされている。
また、アセタール基またはケタール基を有する樹脂を用いた化学増幅型レジストは、近年デバイスの製造に用いられている窒化シリコンや窒化チタンなどの塩基性基板の場合に問題となっている裾引きが小さく、注目を集めている（例えば、Proc.SPIE Vol. 3049, p314 参照）。
しかしながら、デバイスの設計寸法がサブハーフミクロン以下になり、線幅制御をより精密に行う必要がある場合には、裾引きが小さいだけでは不十分であり、前述したような塩基性基板上でも裾引きがほぼ完全に無くなるような、より優れた化学増幅型レジストの開発が強く求められてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、従来技術における前記状況に鑑み、各種の放射線、特にＫｒＦエキシマレーザーあるいはＡｒＦエキシマレーザー等に代表される遠紫外線に対して、高感度（低露光エネルギー量）で効率よく酸を発生でき、かつ保存安定性に優れており、しかも化学増幅型レジストにおける感放射線性酸発生剤として用いたとき、優れた解像性能およびパターン形状をもたらしうる、新規なジアゾジスルホン化合物、並びに感放射線性酸発生剤として当該ジアゾジスルホン化合物を含有し、特に化学増幅型レジストとして好適に使用することができる感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明によると、前記課題は、第一に、
下記式（１−１）で表されるジアゾジスルホン化合物、
【０００５】
【化５】

【０００６】
〔式（１−１）において、Ｒ¹ はｔ−ブチル基を示し、Ｒ² はメトキシカルボニル基またはｔ−ブトキシカルボニル基を示し、Ｒ ³ は水素原子を示し、ｉは０または１である。〕によって達成される。
【０００７】
本発明によると、前記課題は、第二に、
下記式（１−２）で表されるジアゾジスルホン化合物、
【０００８】
【化５９】

〔式（１−２）において、Ｒ ¹ はシクロヘキシル基を示し、Ｒ ² はメトキシカルボニル基またはｔ−ブトキシカルボニル基を示し、Ｒ ³ は水素原子またはメチル基を示し、ｉは０または１である。〕
によって達成される。
本発明によると、前記課題は、第三に、
下記式（１−３）で表されるジアゾジスルホン化合物、
【化６０】

〔式（１−３）において、Ｒ ¹ は下記式（５）で表される基
【化６１】

（但し、Ｒ ² はメトキシカルボニル基またはｔ−ブトキシカルボニル基を示し、Ｒ ³ は水素原子またはメチル基を示し、ｊは０または１である。）を示し、Ｒ ² はメトキシカルボニル基またはｔ−ブトキシカルボニル基を示し、Ｒ ³ は水素原子またはメチル基を示し、ｋは０または１であり、式（１−３）中に２つ存在するＲ ² およびＲ ³ は、それぞれ相互に同一でも異なってもよい。〕
によって達成される。
【０００９】
本発明によると、前記課題は、第四に、
（Ａ）前記式（１−１）、式（１−２）または式（１−３）で表されるジアゾジスルホン化合物の単独または２種以上の混合物、並びに
（Ｂ）下記式（３）で表される繰返し単位と下記式（４）で表される繰返し単位とを有する樹脂、
【００１０】
【化７】

【００１１】
〔式（３）において、Ｒ⁷ は水素原子またはメチル基を示す。〕
【００１２】
【化８】

【００１３】
〔式（４）において、Ｒ⁸ およびＲ⁹ は相互に独立に水素原子またはメチル基を示し、
Ｒ¹⁰は炭素数１〜４の直鎖状のアルキル基または炭素数３〜６の分岐状のアルキル基を示し、Ｒ¹¹は炭素数１〜６の直鎖状のアルキル基、炭素数３〜６の分岐状のアルキル基または炭素数５〜８の環状のアルキル基を示す。〕
を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物、
によって達成される。
【００１４】
以下、本発明を詳細に説明する。
従来、化学増幅型レジストに使用される感放射線性酸発生剤（以下、「酸発生剤」と略記する。）としては、オニウム塩化合物、スルホン酸エステル化合物、ジアゾスルホン化合物、ジスルホニルメタン化合物、スルホンイミド化合物、ニトロベンジル化合物、ナフトキノンジアジド化合物など、多種多様な化合物が知られている。
本発明者らは、従来の酸発生剤を既知の各種樹脂と組み合わせて化学増幅型レジストを調製し、窒化シリコン基板（ＳｉＲＮ）上で化学増幅型レジストとしての特性を評価したところ、酸発生剤としてジアゾスルホン化合物またはスルホンイミド化合物を用い、樹脂としてアセタール保護基を有するフェノール性樹脂を用いたときに最も良好な結果、即ち裾引きの程度が小さくなることを見い出した。しかしながら、裾引きは未だ完全には解消されておらず、さらに検討を重ねた結果、特定の嵩高い置換基を有するジアゾジスルホン化合物を酸発生剤として用い、これを特定のアセタール基を有する樹脂と組み合わせることにより、特異的に裾引きが解消されることを見い出し、本発明をなすに至った。
【００１５】
ジアゾジスルホン化合物
本発明におけるジアゾジスルホン化合物は、前記式（１−１）で表される化合物（以下、「ジアゾジスルホン化合物（１−１）」という。）、前記式（１−２）で表される化合物（以下、「ジアゾジスルホン化合物（１−２）」という。）または前記式（１−３）で表される化合物（以下、「ジアゾジスルホン化合物（１−３）」という。）からなる。以下では、ジアゾジスルホン化合物（１−１）〜（１−３）をまとめて「ジアゾジスルホン化合物（１）」ともいう。
【００２１】
ジアゾジスルホン化合物（１−１）は、より具体的には、下記式（９−８）または式（９− 10 ）で表される化合物であり、ジアゾジスルホン化合物（１−２）は、より具体的には、下記式（ 10 −８）、式（ 10 − 10 ）、式（ 10 − 12 ）または式（ 10 − 15 ）で表される化合物であり、ジアゾジスルホン化合物（１−３）の好ましい具体例としては、下記式（ 16 −６）、式（ 16 −７）、式（ 16 −８）または式（ 16 − 11 ）で表される化合物等を挙げることができる。これらのジアゾジスルホン化合物（１）は何れも、本発明の感放射線性樹脂組成物における（Ａ）成分として好適に使用することができる。
【００２２】
【化６２】

【００２３】
【化６３】

【００２４】
【化６４】

【００５５】
以下、ジアゾジスルホン化合物（１）の一般的な合成法について説明する。
ジアゾジスルホン化合物（１）は、対応するノルボルネン骨格を有するチオール化合物を出発原料として合成することができ、また該チオール化合物は、例えば下記のスキーム（Ｉ）（但し、式（１−１）ないし式（１−２）のｉが０、および式（１−３）のｋが０の場合）にしたがって合成することができる。
【００５６】
【化４３】

【００５７】
スキーム（Ｉ）の反応では、まず、（ア）に示す化合物と、該化合物１モルに対して、通常０．５〜５モル、好ましくは０．５〜３モルのジシクロペンタジエンとを、溶媒（例えば、ベンゼン、トルエン等）中、通常１００〜２００℃、好ましくは１５０〜１８０℃で、通常１〜２４時間、好ましくは３〜８時間反応させたのち、蒸留精製することにより、（イ）に示す化合物が得られる。その後、この化合物と、該化合物１モルに対して、通常１〜１０モル、好ましくは１〜３モルのチオ酢酸とを、通常０〜１００℃、好ましくは１０〜３０℃で、通常１０分〜６時間、好ましくは１０分〜２時間反応させたのち、蒸留などにより精製することにより、（ウ）に示す化合物が得られる。さらに、この化合物を、該化合物１モルに対して、通常１〜３モル、好ましくは１〜１．５モルの塩基（例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等）の存在下、水と水溶性有機溶媒（例えば、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等）との混合溶媒中で、通常０〜８０℃、好ましくは５０〜８０℃で、通常１〜２０時間、好ましくは３〜５時間処理したのち、カラム精製や蒸留精製することにより、（エ）に示すチオール化合物が得られる。
【００５８】
次いで、ジアゾジスルホン化合物（１）は、前記チオール化合物を反応原料として、例えば下記のスキーム（II）（左右対称構造のジアゾジスルホン化合物（１）の場合）またはスキーム（III)（左右非対称構造のジアゾジスルホン化合物（１）の場合）にしたがって合成することができる。スキーム（II）およびスキーム（III)では、前記チオール化合物をＺ−SHと表示している。
【００５９】
【化４４】

【００６０】
【化４５】

【００６１】
スキーム（II）の反応では、チオール化合物の塩化メチレン溶液の適当量を、炭酸カリウム水溶液中に加え、さらに好ましくは層間移動触媒（例えば、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド（TBAB) 等）を少量加えて、通常２〜１０時間、還流下で反応させたのち、有機層を水洗し、乾燥することにより、（オ）に示す左右対称のビスチオメタン化合物が得られる。その後、該ビスチオメタン化合物を、常法により酸化することにより、（カ）に示すビススルホニルメタン化合物が得られる。その後、該ビススルホニルメタン化合物を、例えばアセトニトリルなどに溶解し、塩基性条件下で、ｐ−トルエンスルホニルアジド（p-TSAZ) と室温で反応させてジアゾ化したのち、カラム精製し、溶媒を留去することにより、左右対称構造のジアゾジスルホン化合物（１）が得られる。
【００６２】
また、スキーム（III)の反応では、チオール化合物を、塩化水素の１，４−ジオキサン溶液に溶解し、少量のパラホルムアルデヒド（p-FAD)を加えて反応させることにより、（キ）に示す塩化物が得られる。その後、該塩化物を、Ｚ−SHとは異なるチオール（Ｙ−SH）と反応させることにより、（ク）に示す左右非対称のビスチオメタン化合物が得られる。その後、該ビスチオメタン化合物を、スキーム（II）の場合と同様にして酸化およびジアゾ化することにより、左右非対称構造のジアゾジスルホン化合物（１）が得られる。
【００６３】
ジアゾジスルホン化合物（１）は、各種の放射線、特にＫｒＦエキシマレーザーあるいはＡｒＦエキシマレーザー等に代表される遠紫外線に対して、高感度（低露光エネルギー量）で効率よく酸を発生でき、かつ保存安定性に優れており、化学増幅型レジストにおける酸発生剤として用いたとき、優れた解像性能およびパターン形状をもたらしうる化合物であり、微細加工に有用な化学増幅型レジストにおける酸発生剤として極めて好適に使用することができる。
【００６４】
感放射線性樹脂組成物
次に、本発明の感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）ジアゾジスルホン化合物（１）並びに（Ｂ）前記式（３）で表される繰返し単位と前記式（４）で表される繰返し単位とを有する樹脂を含有するものである。
以下、本発明の感放射線性樹脂組成物における各成分について説明する。
−（Ａ）成分−
【００６５】
本発明の感放射線性樹脂組成物におけるジアゾジスルホン化合物（１）の配合量は、感放射線性樹脂組成物中の全樹脂成分１００重量部当たり、通常、０．０１〜５０重量部、好ましくは０．１〜３０重量部、特に好ましくは０．５〜２５重量部である。この場合、ジアゾジスルホン化合物（１）の配合量が０．０１重量部未満では、レジストとしての感度および解像度が低下する傾向があり、一方５０重量部を超えると、レジストとしての塗布性や耐熱性が低下する傾向がある。
本発明の感放射線性樹脂組成物において、ジアゾジスルホン化合物（１）は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００６６】
また、本発明の感放射線性樹脂組成物においては、必要に応じて、ジアゾジスルホン化合物（１）以外の酸発生剤（以下、「他の酸発生剤」という。）をさらに配合することができる。
他の酸発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物等を挙げることができる。以下に、これらの他の酸発生剤の例を示す。
オニウム塩化合物
オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。
オニウム塩化合物の具体例としては、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファ−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム１０−カンファ−スルホネート、ジフェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム１０−カンファ−スルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム１０−カンファ−スルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム１０−カンファ−スルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート等を挙げることができる。
スルホン化合物
スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホンや、これらのα−ジアゾ化合物等を挙げることができる。
スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン、４−トリスフェナシルスルホン等を挙げることができる。
スルホン酸エステル化合物
スルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。
スルホン酸エステル化合物の具体例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート、ピロガロールメタンスルホン酸トリエステル、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネート、α−メチロールベンゾイントシレート、α−メチロールベンゾインオクタンスルホネート、α−メチロールベンゾイントリフルオロメタンスルホネート、α−メチロールベンゾインドデシルスルホネート等を挙げることができる。
スルホンイミド化合物
スルホンイミド化合物としては、例えば、下記式（17) で表される化合物を挙げることができる。
たは２種以上を混合して使用することができる。
【００６７】
【化４６】

【００６８】
〔式（17) において、Ｘはアルキレン基、アリーレン基、アルコキシレン基等の２価の基を示し、R¹² はアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換アリール基等の１価の基を示す。）
スルホンイミド化合物の具体例としては、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド等を挙げることができる。
これらの他の酸発生剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００６９】
他の酸発生剤の配合量は、それらの種類に応じて適宜選定されるが、感放射線性樹脂組成物中の全樹脂成分１００重量部当たり、好ましくは２０重量部以下、特に好ましくは１５重量部以下である。この場合、他の酸発生剤の配合量が２０重量部を超えると、樹脂組成物を塗布する際に塗布むらが生じたり、レジストとしての現像時にスカム等を発生するおそれがある。
また、他の酸発生剤の使用割合は、ジアゾジスルホン化合物（１）に対して、好ましくは１００重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下である。
【００７０】
−（Ｂ）成分−
本発明の感放射線性樹脂組成物における（Ｂ）成分は、前記式（３）で表される繰返し単位（以下、「繰返し単位（３）」という。）と前記式（４）で表される繰返し単位（以下、「繰返し単位（４）」という。）とを有し、場合により他の繰返し単位をさらに有する樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」という。）からなる。樹脂（Ｂ）における繰返し単位（４）は、下記式（18) で表される酸解離性のアセタール基またはケタール基（以下、「アセタール基等（ｂ）」という。）を有する単位である。
【００７１】
【化４７】

【００７２】
樹脂（Ｂ）において、繰返し単位（３）、繰返し単位（４）および他の繰返し単位は、それぞれ単独でまたは２種以上が存在することができる。
また、樹脂（Ｂ）は、適当な架橋基（例えば、ジエチレングリコール骨格を有する架橋基等）で部分架橋された構造を有することもできる。
式（４）において、Ｒ¹⁰の好ましい例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができ、またＲ¹¹の好ましい例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
【００７３】
繰返し単位（４）の具体例としては、
４−（１’−メトキシエトキシ）スチレン、４−（１’−エトキシエトキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−プロポキシエトキシ）スチレン、４−（１’−ｉ−プロポキシエトキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ブトキシエトキシ）スチレン、４−（１’−ｔ−ブトキシエトキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ペンチルオキシエトキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ）スチレン、４−（１’−シクロペンチルオキシエトキシ）スチレン、４−（１’−シクロヘキシルオキシエトキシ）スチレン、
４−（１’−メトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−エトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−プロポキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｉ−プロポキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ブトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｔ−ブトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ペンチルオキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ヘキシルオキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−シクロペンチルオキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−シクロヘキシルオキシプロポキシ）スチレン、
【００７４】
４−（１’−メトキシブトキシ）スチレン、４−（１’−エトキシブトキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−プロポキシブトキシ）スチレン、４−（１’−ｉ−プロポキシブトキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ブトキシブトキシ）スチレン、４−（１’−ｔ−ブトキシブトキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ペンチルオキシブトキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ヘキシルオキシブトキシ）スチレン、４−（１’−シクロペンチルオキシブトキシ）スチレン、４−（１’−シクロヘキシルオキシブトキシ）スチレン、
４−（１’−メトキシ−２’−メチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−エトキシ−２’−メチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−プロポキシ−２’−メチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｉ−プロポキシ−２’−メチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ブトキシ−２’−メチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｔ−ブトキシ−２’−メチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ペンチルオキシ−２’−メチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ヘキシルオキシ−２’−メチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−シクロペンチルオキシ−２’−メチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−シクロヘキシルオキシ−２’−メチルプロポキシ）スチレン、
【００７５】
４−（１’−メトキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−エトキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−プロポキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−ｉ−プロポキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ブトキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−ｔ−ブトキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ペンチルオキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ヘキシルオキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−シクロペンチルオキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−シクロヘキシルオキシペンチルオキシ）スチレン、
４−（１’−メトキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−エトキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−プロポキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｉ−プロポキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ブトキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｔ−ブトキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ペンチルオキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−ｎ−ヘキシルオキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−シクロペンチルオキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）スチレン、４−（１’−シクロヘキシルオキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）スチレン、
【００７６】
４−（１’−メトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−エトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−プロポキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｉ−プロポキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ブトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｔ−ブトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ペンチルオキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−シクロペンチルオキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−シクロヘキシルオキシエトキシ）−α−メチルスチレン、
４−（１’−メトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−エトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−プロポキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｉ−プロポキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ブトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｔ−ブトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ペンチルオキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ヘキシルオキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−シクロペンチルオキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−シクロヘキシルオキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、
【００７７】
４−（１’−メトキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−エトキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−プロポキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｉ−プロポキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ブトキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｔ−ブトキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ペンチルオキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ヘキシルオキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−シクロペンチルオキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−シクロヘキシルオキシブトキシ）−α−メチルスチレン、
４−（１’−メトキシ−２’−メチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−エトキシ−２’−メチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−プロポキシ−２’−メチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｉ−プロポキシ−２’−メチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ブトキシ−２’−メチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｔ−ブトキシ−２’−メチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ペンチルオキシ−２’−メチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ヘキシルオキシ−２’−メチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−シクロペンチルオキシ−２’−メチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−シクロヘキシルオキシ−２’−メチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、
【００７８】
４−（１’−メトキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−エトキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−プロポキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｉ−プロポキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ブトキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｔ−ブトキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ペンチルオキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ヘキシルオキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−シクロペンチルオキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−シクロヘキシルオキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、
４−（１’−メトキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−エトキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−プロポキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｉ−プロポキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ブトキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｔ−ブトキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ペンチルオキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−ｎ−ヘキシルオキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−シクロペンチルオキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−シクロヘキシルオキシ−２’，２’−ジメチルプロポキシ）−α−メチルスチレン，
【００７９】
４−（１’−メチル−１’−メトキシエトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−エトキシエトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−プロポキシエトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｉ−プロポキシエトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ブトキシエトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｔ−ブトキシエトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ペンチルオキシエトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−シクロペンチルオキシエトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−シクロヘキシルオキシエトキシ）スチレン、
４−（１’−メチル−１’−メトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−エトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−プロポキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｉ−プロポキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ブトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｔ−ブトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ペンチルオキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ヘキシルオキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−シクロペンチルオキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−シクロヘキシルオキシプロポキシ）スチレン、
【００８０】
４−（１’−メチル−１’−メトキシブトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−エトキシブトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−プロポキシブトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｉ−プロポキシブトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ブトキシブトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｔ−ブトキシブトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ペンチルオキシブトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ヘキシルオキシブトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−シクロペンチルオキシブトキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−シクロヘキシルオキシブトキシ）スチレン、
４−（１’，２’−ジメチル−１’−メトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−エトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−ｎ−プロポキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−ｉ−プロポキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−ｎ−ブトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−ｔ−ブトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−ｎ−ペンチルオキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−ｎ−ヘキシルオキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−シクロペンチルオキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−シクロヘキシルオキシプロポキシ）スチレン、
【００８１】
４−（１’−メチル−１’−メトキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−エトキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−プロポキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｉ−プロポキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ブトキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｔ−ブトキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ペンチルオキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ヘキシルオキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−シクロペンチルオキシペンチルオキシ）スチレン、４−（１’−メチル−１’−シクロヘキシルオキシペンチルオキシ）スチレン、
４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−メトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−エトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−ｎ−プロポキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−ｉ−プロポキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−ｎ−ブトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−ｔ−ブトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−ｎ−ペンチルオキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−ｎ−ヘキシルオキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−シクロペンチルオキシプロポキシ）スチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−シクロヘキシルオキシプロポキシ）スチレン、
【００８２】
４−（１’−メチル−１’−メトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−エトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−プロポキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｉ−プロポキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ブトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｔ−ブトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ペンチルオキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−シクロペンチルオキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−シクロヘキシルオキシエトキシ）−α−メチルスチレン、
４−（１’−メチル−１’−メトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−エトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−プロポキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｉ−プロポキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ブトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｔ−ブトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ペンチルオキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ヘキシルオキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−シクロペンチルオキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−シクロヘキシルオキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、
【００８３】
４−（１’−メチル−１’−メトキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−エトキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−プロポキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｉ−プロポキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ブトキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｔ−ブトキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ペンチルオキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ヘキシルオキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−シクロペンチルオキシブトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−シクロヘキシルオキシブトキシ）−α−メチルスチレン、
４−（１’，２’−ジメチル−１’−メトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−エトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−ｎ−プロポキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−ｉ−プロポキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−ｎ−ブトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−ｔ−ブトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−ｎ−ペンチルオキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−ｎ−ヘキシルオキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−シクロペンチルオキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’−ジメチル−１’−シクロヘキシルオキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、
【００８４】
４−（１’−メチル−１’−メトキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−エトキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−プロポキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｉ−プロポキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ブトキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｔ−ブトキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ペンチルオキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−ｎ−ヘキシルオキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−シクロペンチルオキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メチル−１’−シクロヘキシルオキシペンチルオキシ）−α−メチルスチレン、
４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−メトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−エトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−ｎ−プロポキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−ｉ−プロポキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−ｎ−ブトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−ｔ−ブトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−ｎ−ペンチルオキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−ｎ−ヘキシルオキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−シクロペンチルオキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’，２’，２’−トリメチル−１’−シクロヘキシルオキシプロポキシ）スチレン
等の重合性不飽和結合が開裂した単位を挙げることができる。
【００８５】
これらの繰返し単位（４）のうち、４−（１’−メトキシエトキシ）スチレン、４−（１’−エトキシエトキシ）スチレン、４−（１’−メトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−エトキシプロポキシ）スチレン、４−（１’−メトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−エトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−メトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン、４−（１’−エトキシプロポキシ）−α−メチルスチレン等の重合性不飽和結合が開裂した単位が好ましい。
【００８６】
また、他の繰返し単位としては、例えば、
スチレン、α−メチルスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、２−メトキシスチレン、３−メトキシスチレン、４−メトキシスチレン、４−ｔ−ブトキシスチレン、４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、４−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシスチレン、４−（２’−ｔ−ブトキシカルボニルエチルオキシ）スチレン、４−テトラヒドロフラニルオキシスチレン、４−テトラヒドロピラニルオキシスチレン等のビニル芳香族化合物；（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸ｉ−プロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｉ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ペンチル、（メタ）アクリル酸ネオペンチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸シクロペンチル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸ノルボルニル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸トリシクロデカニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニル、（メタ）アクリル酸アダマンチル、（メタ）アクリル酸アダマンチルメチル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフラニル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロピラニル、（メタ）アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸フェネチル等の（メタ）アクリル酸エステル類；
【００８７】
（メタ）アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、けい皮酸等の不飽和カルボン酸類；
（メタ）アクリル酸２−カルボキシエチル、（メタ）アクリル酸２−カルボキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−カルボキシプロピル等の不飽和カルボン酸のカルボキシアルキルエステル類；
（メタ）アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル等の不飽和ニトリル化合物；
（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド等の不飽和アミド化合物；
マレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド等の不飽和イミド化合物；
Ｎ−ビニル−ε−カプロラクタム、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ビニルピリジン、３−ビニルピリジン、４−ビニルピリジン、２−ビニルイミダゾール、４−ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物
等の重合性不飽和結合が開裂した単位を挙げることができる。
【００８８】
これらの他の繰返し単位のうち、スチレン、α−メチルスチレン、４−ｔ−ブトキシスチレン、４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、４−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシスチレン、４−（２’−ｔ−ブトキシカルボニルエチルオキシ）スチレン、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸トリシクロデカニル等の重合性不飽和結合が開裂した単位が好ましい。
【００８９】
樹脂（Ｂ）におけるアセタール基等（ｂ）の導入率（樹脂（Ｂ）中の繰返し単位（３）と繰返し単位（４）との合計数に対する繰返し単位（４）の数の割合）は、アセタール基等（ｂ）や該基が導入される樹脂の構造により一概には規定できないが、好ましくは５〜９０％、さらに好ましくは１０〜８０％である。
また、樹脂（Ｂ）における他の繰返し単位の含有率は、全繰返し単位に対して、通常、５０モル％以下、好ましくは３０モル％以下である。
樹脂（Ｂ）のゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算重量分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、好ましくは１，０００〜１５０，０００、さらに好ましくは３，０００〜１００，０００である。
【００９０】
樹脂（Ｂ）は、例えば、
（イ）４−ヒドロキシスチレンおよび／または４−ヒドロキシ−α−メチルスチレンの（共）重合体中のフェノール性水酸基の一部を、弱酸性条件下で、エチルビニルエーテル、エチレングリコールｎ−ブチルビニルエーテル、エチレングリコールシクロへキシルビニルエーテル等のビニルエーテル化合物と反応させる方法、
（ロ）４−ヒドロキシスチレンあるいは４−ヒドロキシ−α−メチルスチレン中のフェノール性水酸基の一部を、弱酸性条件下で、エチルビニルエーテル、エチレングリコールｎ−ブチルビニルエーテル、エチレングリコールシクロへキシルビニルエーテル等のビニルエーテル化合物と反応させることにより繰返し単位（４）に対応する単量体を合成し、これを繰返し単位（３）に対応する単量体と常法により共重合する方法
等により製造することができる。
また、樹脂（Ｂ）におけるジエチレングリコール骨格を有する架橋基により部分架橋された構造は、前記（イ）の方法におけるビニルエーテル化合物との反応に際して、例えば、適当量のジエチレングリコールジビニルエーテルを同時に反応させることにより導入することができる。
【００９１】
樹脂（Ｂ）としては、特に、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の一部をアセタール基等（ｂ）で置換した構造を有する樹脂、４−ヒドロキシスチレンおよび／または４−ヒドロキシ−α−メチルスチレンをスチレン、他のスチレン誘導体や（メタ）アクリル酸エステルと共重合した共重合体中のフェノール性水酸基の水素原子の一部をアセタール基等（ｂ）で置換した構造を有し、下記式（19) に示す各繰返し単位からなる樹脂等が好ましい。
【００９２】
【化４８】

【００９３】
〔式（19）において、Ｒ⁷ は式（３）のＲ⁷ と同義であり、Ｒ⁸ 〜Ｒ¹¹は式（４）のそれぞれＲ⁸ 〜Ｒ¹¹と同義であり、Ｒ¹³およびＲ¹⁵は相互に独立に水素原子またはメチル基を示し、Ｒ¹⁴は水素原子または炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ基または２−ｔ−ブトキシカルボニルエトキシ基を示し、Ｒ¹⁶は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示し、ｘおよびｙは０または１で、ｘ＋ｙ≠０である。〕
本発明の感放射線性樹脂組成物において、樹脂（Ｂ）は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
さらに、本発明の感放射線性樹脂組成物は、樹脂（Ｂ）以外の酸解離性基含有樹脂（以下、「他の酸解離性基含有樹脂」という。）を含有することもできる。
【００９４】
−他の酸解離性基含有樹脂−
他の酸解離性基含有樹脂は、酸解離性基で保護されたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、該酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂からなる。
ここで言う「アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性」とは、他の酸解離性基含有樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、当該レジスト被膜の代わりに該樹脂のみを用いた被膜を現像した場合に、当該被膜の初期膜厚の５０％以上が現像後に残存する性質を意味する。
他の酸解離性基含有樹脂としては、例えば、フェノール性水酸基、カルボキシル基等の酸性官能基を１種以上有するアルカリ可溶性樹脂、例えば、下記する式（20) 〜（23) で表される繰返し単位を１種以上有するアルカリ可溶性樹脂中の酸性官能基の水素原子を、酸の存在下で解離することができる１種以上の酸解離性基で置換した構造を有する、それ自体としてはアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂（以下、「樹脂（Ｃ）」という。）を挙げることができる。
【００９５】
【化４９】

【００９６】
〔式（20) において、Ｒ¹⁷は水素原子またはメチル基を示し、Ｒ¹⁸はハロゲン原子または炭素数１〜６の１価の有機基を示し、ｅは０〜３の整数である。〕
【００９７】
【化５０】

【００９８】
〔式（21) において、Ｒ¹⁹は水素原子またはメチル基を示す。〕
【００９９】
【化５１】

【０１００】
【化５２】

【０１０１】
〔式（23) において、Ｒ²⁰〜Ｒ²⁴は相互に独立に水素原子または炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示す。〕
樹脂（Ｃ）における酸解離性基としては、例えば、置換メチル基、１−置換エチル基、１−置換プロピル基、１−分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等を挙げることができる。
前記置換メチル基としては、例えば、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェナシル基、メチルチオフェナシル基、α−メチルフェナシル基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ブロモベンジル基、ニトロベンジル基、メトキシベンジル基、メチルチオベンジル基、エトキシベンジル基、エチルチオベンジル基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブトキシカルボニルメチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基等を挙げることができる。
また、前記１−置換エチル基としては、例えば、１−メトキシエチル基、１−メチルチオエチル基、１，１−ジメトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−エチルチオエチル基、１，１−ジエトキシエチル基、１−フェノキシエチル基、１−フェニルチオエチル基、１，１−ジフェノキシエチル基、１−ベンジルオキシエチル基、１−ベンジルチオエチル基、１−シクロプロピルエチル基、１−フェニルエチル基、１，１−ジフェニルエチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、１−ｎ−プロポキシカルボニルエチル基、１−イソプロポキシカルボニルエチル基、１−ｎ−ブトキシカルボニルエチル基、１−ｔ−ブトキシカルボニルエチル基等を挙げることができる。
また、前記１−分岐アルキル基としては、例えば、ｉ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基等を挙げることができる。
また、前記１−置換プロピル基としては、１−メトキシプロピル基、１−エトキシプロピル基等を挙げることができる。
また、前記シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、ｉ−プロピルジメチルシリル基、メチルジ−ｉ−プロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、メチルジ−ｔ−ブチルシリル基、トリ−ｔ−ブチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等を挙げることができる。
また、前記ゲルミル基としては、例えば、トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル基、メチルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、ｉ−プロピルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｉ−プロピルゲルミル基、トリ−ｉ−プロピルゲルミル基、ｔ−ブチルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｔ−ブチルゲルミル基、トリ−ｔ−ブチルゲルミル基、フェニルジメチルゲルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリフェニルゲルミル基等を挙げることができる。
また、前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。
前記アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、ｐ−トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げることができる。
さらに、前記環式酸解離性基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、４−メトキシシクロヘキシル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロチオピラニル基、３−テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド基等を挙げることができる。
【０１０２】
これらの酸解離性基のうち、ｔ−ブチル基、１−メトキシメチル基、１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−エトキシプロピル基、１−プロポキシエチル基、トリメチルシリル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が好ましい。
【０１０３】
樹脂（Ｃ）中における酸解離性基の導入率（樹脂（Ｃ）中の酸性官能基と酸解離性基との合計数に対する酸解離性基の数の割合）は、酸解離性基や該基が導入されるアルカリ可溶性樹脂の種類により一概には規定できないが、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは１５〜１００％である。
樹脂（Ｃ）のＭｗは、好ましくは１，０００〜１５０，０００、さらに好ましくは３，０００〜１００，０００である。
樹脂（Ｃ）は、例えば、予め製造したアルカリ可溶性樹脂に１種以上の酸解離性基を導入することによって製造することができ、また酸解離性基を有する１種以上の単量体の（共）重合、酸解離性基を有する１種以上の重縮合成分の（共）重縮合等によって製造することができる。
【０１０４】
−添加剤−
本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて、酸拡散制御剤、界面活性剤、増感剤等の各種の添加剤を配合することができる。
前記酸拡散制御剤は、露光によってジアゾジスルホン化合物（１）等の酸発生剤から生成された酸のレジスト被膜中での拡散現象を制御し、未露光領域での好ましくない化学反応を抑制する目的で、樹脂組成物に配合される成分である。かかる酸拡散制御剤を使用することにより、パターンの形状やマスク寸法に対する寸法忠実度等をさらに改良することができる。
酸拡散制御剤としては、例えば、レジストパターンの形成工程における露光後あるいは加熱後においても塩基性を保持しうる窒素化合物が好ましい。
このような窒素化合物の具体例としては、アンモニア、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、トリ−ｎ−ドデシルアミン、ジメチルｎ−ドデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン、ジフェニルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピロリドン、ピペリジン、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、チアベンダゾール、ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−ベンジルピリジン、４−ベンジルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、１−メチル−４−フェニルピリジン、２−（１’−エチルプロピル）ピリジン、２−ベンジルピリジン、ニコチン酸アミド、ジベンゾイルチアミン、四酪酸リボフラミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、２，２−ビス（４’−アミノフェニル）プロパン、２−（３''−アミノフェニル）−２−（４''' −アミノフェニル）プロパン、２−（４’−アミノフェニル）−２−（３''−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４' −アミノフェニル）−２−（４''−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス［１' −（４''−アミノフェニル）−１' −メチルエチル］ベンゼン、１，３−ビス［１' −（４''−アミノフェニル）−１' −メチルエチル］ベンゼン等を挙げることができる。
これらの酸拡散制御剤のうち、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ドデシルアミン、ジメチルｎ−ドデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、ベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、２−ベンジルピリジン、４−ベンジルピリジン、４−フェニルピリジン、ニコチン酸アミド、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル等が好ましい。
前記酸拡散制御剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
酸拡散制御剤の配合量は、その種類、ジアゾジスルホン化合物（１）や他の酸発生剤の種類等に応じて変わるが、樹脂組成物中の全樹脂成分１００重量部当り、通常、１０重量部以下、好ましくは５重量部以下である。この場合、酸拡散制御剤の配合量が１０重量部を超えると、レジストとしての感度や露光部の現像性が低下する傾向がある。
【０１０５】
前記界面活性剤は、感放射線性樹脂組成物の塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す。このような界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系あるいは両性のいずれでも使用することができるが、好ましい界面活性剤はノニオン系界面活性剤である。
ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類等のほか、以下商品名で、ＫＰ（信越化学工業製）、ポリフロー（共栄社油脂化学工業製）、エフトップ（トーケムプロダクツ製）、メガファック（大日本インキ化学工業製）、フロラード（住友スリーエム製）、アサヒガード、サーフロン（旭硝子製）等の各シリーズを挙げることができる。
これらの界面活性剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
界面活性剤の配合量は、樹脂組成物中の全樹脂成分１００重量部当たり、界面活性剤の有効成分として、通常、２重量部以下である。
前記増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを感放射線性酸形成剤に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を示すもので、感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。
好ましい増感剤は、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等である。
これらの増感剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。増感剤の配合量は、樹脂組成物中の全樹脂成分１００重量部当たり、通常５０重量部以下、好ましくは３０重量部以下である。
また、染料あるいは顔料を配合することにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和でき、接着助剤を配合することにより、基板との接着性を改善することができる。
さらに、他の添加剤としては、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、形状改良剤等、具体的には４−ヒドロキシ−４’−メチルカルコン等を挙げることができる。
【０１０６】
組成物溶液
本発明の感放射線性樹脂組成物は、その使用に際して、通常、固形分濃度が例えば１〜５０重量％となるように溶剤に溶解したのち、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過することによって、組成物溶液として調製される。
前記溶剤としては、例えば、エーテル類、エステル類、エーテルエステル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム類、ラクトン類、（ハロゲン化）炭化水素類等、より具体的には、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エステル類、乳酸エステル類、アルコキシ酢酸エステル類、アセト酢酸エステル類、ピルビン酸エステル類、プロピオン酸エステル類、酪酸エステル類、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エステル類、３−アルコキシプロピオン酸エステル類、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸エステル類、非環式もしくは環式のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミド類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアセトアミド類、Ｎ−アルキルピロリドン類、γ−ラクトン類、（ハロゲン化）脂肪族炭化水素類、（ハロゲン化）芳香族炭化水素類等を挙げることができる。
このような溶剤の具体例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、イソプロペニルプロピオネート、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロペニル、酢酸ｎ−ブチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、ヒドロキシ酢酸エチル、乳酸エチル、エトキシ酢酸エチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、トルエン、キシレン等を挙げることができる。
これらの溶剤のうち、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、乳酸エステル類、３−アルコキシプロピオン酸エステル類等が好ましい。
前記溶剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
さらに前記溶剤には、必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を１種以上添加することもできる。
【０１０７】
レジストパターンの形成
本発明の感放射線性樹脂組成物は、酸解離性のアセタール基等（ｂ）を有する樹脂成分を含有し、露光によりジアゾジスルホン化合物（１）等の酸発生剤から発生した酸の作用によりアセタール基等（ｂ）が解離して、フェノール性水酸基を形成し、それにより該樹脂成分がアルカリ可溶性となる結果、ポジ型のレジストパターンを形成するものである。 本発明の感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを形成する際には、前述のようにして調製された組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の手段によって、例えば、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆されたウエハー等の基板上に塗布することにより、レジスト被膜を形成したのち、加熱処理（以下、「ＰＢ」という。）を行い、次いで所定のマスクパターンを介して該レジスト被膜に露光する。その際に使用することができる放射線は、水銀灯の輝線スペクトル（波長２５４ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）等の遠紫外線が好ましいが、他の酸発生剤の種類によっては、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒子線等を使用することもできる。また、放射線量等の露光条件は、樹脂組成物の配合組成、添加剤の種類等に応じて、適宜選定される。
露光後、レジストのみかけの感度を向上させるために、加熱処理（以下、「ＰＥＢ」という。）を行うことが好ましい。その加熱条件は、樹脂組成物の配合組成、添加剤の種類等により変わるが、通常、３０〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃である。
その後、アルカリ現像液で現像することにより、所定のレジストパターンを形成させる。
アルカリ現像液としては、例えば、アルカリ金属水酸化物、アンモニア水、アルキルアミン類、アルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類、コリン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン等のアルカリ性化合物の１種以上を、通常、５〜１０重量％、好ましくは２〜５重量％の濃度となるように溶解したアルカリ性水溶液が使用される。特に好ましいアルカリ現像液は、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類の水溶液である。
また、前記アルカリ性水溶液からなる現像液には、例えば、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤や界面活性剤等を適量添加することもできる。
なお、このようにアルカリ性水溶液からなる現像液を使用した場合には、一般に、現像後、水洗する。
【０１０８】
【発明の実施の形態】
以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。
合成例１
〔５−ｔ−ブトキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エンおよび８−ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10．] ドデカ−３−エンの合成〕
ジシクロペンタジエン３６０ｇ、アクリル酸ｔ−ブチル７００ｇおよびトルエン２５００ｇの混合物に、濃度が５０００ｐｐｍとなる量の２，６−ジ−ｔ−ブチルカテコールを加え、窒素ガス雰囲気中、１４０℃で５時間反応させたのち、さらに１７０℃で５時間反応させて、ディールス・アルダー反応を行った。次いで、反応液を冷却後、反応原料、トリシクロペンタジエン、５−ｔ−ブトキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−５−エン（ＮＢＡ）および８−ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10．] ドデカ−３−エン（ＤＮＢＡ）等の混合物である反応生成物から、精密蒸留装置を用い各成分を分離して、ＮＢＡおよびＤＮＢＡをそれぞれ２００ｇ得た。
【０１０９】
合成例２
〔５−メチル−５−ｔ−ブトキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エンおよび８−メチル−８−ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10．] ドデカ−３−エンの合成〕
アクリル酸ｔ−ブチル７００ｇに替えて、メタクリル酸ｔ−ブチル７００ｇを用いた以外は、合成例１と同様にして、５−メチル−５−ｔ−ブトキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−５−エン（ＮＭ）および８−メチル−８−ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10．] ドデカ−３−エン（ＤＮＭ）をそれぞれ２００ｇ得た。
【０１１０】
合成例３
〔２−メルカプト−５−ｔ−ブトキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプタンの合成〕
５−ｔ−ブトキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン１０００ｇに、０〜５℃で、チオ酢酸５００ｇを３０分かけて滴下し、室温で３時間反応させたのち、２０〜３０℃で、水酸化カリウム５００ｇ、水１５０ｇおよびメタノール１５００ｇの混合物を加え、さらに７０℃で３時間反応させた。次いで、反応液を減圧濃縮して、メタノールのみを留去したのち、分液処理を行い、得られた有機層を水洗し、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。次いで、溶媒を留去し、得られた濃縮物を１０１〜１０５℃／７Ｔｏｒｒの条件下で減圧蒸留して、２−メルカプト−５−ｔ−ブトキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプタン（ＮＢＡ−ＳＨ）７６０ｇを無色油状物として得た。このＮＢＡ−ＳＨのＩＲスペクトルを、図１に示す。
【０１１１】
合成例４
〔２−メルカプト−８−ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10．] ドデカンの合成〕
ＤＮＢＡ５２ｇをメタノール３０ｇに溶解したのち、０〜５℃で、チオ酢酸１７．５ｇを２０分かけて滴下し、室温で２時間反応させたのち、２０〜３０℃で、水酸化カリウム１３．５ｇ、水５ｇおよびメタノール４０ｇの混合物を加え、さらに７０℃で２時間反応させた。次いで、反応液を減圧濃縮して、メタノールのみを留去したのち、分液処理を行い、得られた有機層を水洗し、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。次いで、溶媒を留去し、得られた濃縮物を１４８〜１５２℃／２Ｔｏｒｒの条件下で減圧蒸留して、２−メルカプト−８−ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10．] ドデカン（ＤＮＢＡ−ＳＨ）４７ｇを無色油状物として得た。このＤＮＢＡ−ＳＨのＩＲスペクトルを、図２に示す。
【０１１２】
合成例５
〔２−メルカプト−５−メチル−５−ｔ−ブトキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプタンの合成〕
ＮＭ１００ｇをメタノール３００ｇに溶解したのち、２０〜３０℃で、硫化水素ガスを２時間吹き込んで反応させたのち、溶媒を留去し、得られた濃縮物を９０〜９３℃／６Ｔｏｒｒの条件下で減圧蒸留して、２−メルカプト−５−メチル−５−ｔ−ブトキシカルボニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプタン（ＮＭ−ＳＨ）６０ｇを無色油状物として得た。このＮＭ−ＳＨのＩＲスペクトルを、図３に示す。
【０１１３】
合成例６
〔ジアゾジスルホン化合物（１）の合成〕
炭酸カリウム２３．５ｇ（０．１７モル）を水５０ミリリットルに溶解した溶液に、合成例３で得たＮＢＡ−ＳＨ３２．３ｇ（０．１４モル）を塩化メチレン５０ミリリットルに溶解した溶液を滴下したのち、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド２．３ｇを加え、攪拌下で還流しつつ５時間反応させた。その後、室温まで放置冷却し、２層に分離した反応液から有機層を取り出して、数回水洗し、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥したのち、無水硫酸マグネシウムをろ別し、溶媒を留去して、ビスチオメタン化合物２５．８ｇを無色油状物として得た。
次いで、このビスチオメタン化合物１６．５ｇ（０．０３５モル）を、メタノール４０ミリリットルに溶解し、酢酸アンモニウム１．０ｇとタングステン酸ナトリウム１５０ｍｇを加えたのち、４０〜５０℃で、３０重量％過酸化水素水２２．１ｇ（０．１９５モル）を滴下して、同温度で１時間、さらに７５±５℃で７時間、攪拌下で反応させた。その後、反応液を減圧濃縮し、油状の残渣を酢酸エチル１００ミリリットルに溶解し、数回水洗したのち、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。その後、無水硫酸マグネシウムをろ別し、溶媒を留去したのち、ｎ−ヘキサンと酢酸エチルの混合溶媒を用い、シリカゲルカラムにより精製し、溶媒を留去して、ビススルホニルメタン化合物５．５ｇを、白色結晶として得た。このビススルホニルメタン化合物の ¹Ｈ−ＮＭＲ測定（CDCl₃)による化学シフト（ｐｐｍ）は、１．１６〜３．２０（３６H ，ｍ, C(CH ₃ )₃×２；ノルボルナン環 CH ₂ ×６；ノルボルナン環 CH ×６) 、３．５７〜３．８９（２H ，ｍ, ノルボルナン環 CH ×６) 、４．２０〜４．４７（２H ，ｍ, CH ₂ ）であった。
次いで、このビススルホニルメタン化合物０．７５ｇ（１．４ミリモル）をアセトニトリル３ミリリットルに溶解したのち、室温で、トリエチルアミン０．４２ｇ（４．２ミリモル）を滴下し、さらにｐ−トルエンスルホニルアジド０．３０ｇ（１．５ミリモル）をアセトニトリル３ミリリットルに溶解した溶液を加え、同温度で３時間攪拌しつつ反応させた。その後、反応液を減圧濃縮し、油状の残渣を、ｎ−ヘキサンと酢酸エチルの混合溶媒を用い、シリカゲルカラムにより精製したのち、溶媒を留去して、前記式（16−７）（但し、ｊ＝ｋ＝０）で表されるジアゾジスルホン化合物（１）０．５５ｇを無色半固形物として得た。この化合物のＩＲスペクトルを、図４に示す。
【０１１４】
合成例７
〔ジアゾジスルホン化合物（１）の合成〕
合成例６において、ＮＢＡ−ＳＨ３２．３ｇ（０．１４モル）に替えて、合成例４で得たＤＮＢＡ−ＳＨ４３．３ｇ（０．１４モル）を用いた以外は、合成例６と同様にして、前記式（16−７）（但し、ｊ＝ｋ＝１）で表されるジアゾジスルホン化合物（１）０．６２ｇを無色半固形物として得た。この化合のＩＲスペクトル（KBr)は、２１１８ｃｍ^-1（CN₂)、１７２４ｃｍ^-1および１１５５ｃｍ^-1の各波数に吸収を示した。
【０１１５】
合成例８
〔ジアゾジスルホン化合物（１）の合成〕
合成例６において、ＮＢＡ−ＳＨ３２．３ｇ（０．１４モル）に替えて、合成例５で得たＮＭ−ＳＨ２７．６ｇ（０．１４モル）を用いた以外は、合成例６と同様にして、前記式（16−８）（但し、ｊ＝ｋ＝０）で表されるジアゾジスルホン化合物（１）０．３ｇを無色半固形物として得た。この化合物のＩＲスペクトルを、図５に示す。
【０１１６】
合成例９
〔ジアゾジスルホン化合物（１）の合成〕
４Ｍ−塩酸／１，４−ジオキサン混合液（アルドリッチ社製）５５ミリリットルに、パラホルムアルデヒド４．４ｇを加えたのち、合成例５で得たＮＭ−ＳＨ２２ｇ（０．１１モル）を加え、室温で３０分攪拌した。その後、水６００ミリリットルを加えたのち、ジエチルエーテルで反応生成物を抽出し、得られたエーテル溶液を１０重量％炭酸ナトリウム水溶液で洗浄したのち、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。その後、無水硫酸マグネシウムをろ別し、溶媒を室温減圧下で除去して、下記式（24) で表される化合物を得た。
【０１１７】
【化５３】

【０１１８】
次いで、この化合物１２ｇをそのままエタノール５０ミリリットルに溶解し、攪拌下で、水酸化カリウム２．３ｇ、シクロヘキサンチオール４．５ミリリットルおよびメタノール３０ミリリットルの混合溶液を、２０分かけて滴下して反応させ、下記式（25）で表されるビスチオメタン化合物１１ｇを得た。
【０１１９】
【化５４】

【０１２０】
次いで、このビスチオメタン化合物１０ｇをエタノール２００ミリリットルに溶解して、酢酸で溶液のｐＨを約７に調整し、酢酸アンモニウム５．０ｇとタングステン酸ナトリウム０．７２ｇを加えたのち、室温で攪拌しつつ、３１重量％過酸化水素水２４ｇ（０．２２モル）を滴下した。その後、反応温度を８０℃に上げて、５時間攪拌しつつ反応させ、さらに３１重量％過酸化水素水２４ｇ（０．２２モル）を滴下して、５時間反応させたのち、室温に戻して、水３００ミリリットルを加えた。その後、２層に分離した有機層を取り出して、ジクロロメタン１００ミリリットルに溶解し、１０重量％炭酸ナトリウム水溶液２００ミリリットルで洗浄したのち、室温で真空乾燥して、下記式（26）で表されるビススルホニルメタン化合物８ｇを得た。
【０１２１】
【化５５】

【０１２２】
次いで、このビススルホニルメタン化合物２．６ｇを、ｐ−カルボキシベンゼンスルホニルアジド２．５ｇをトリエチルアミン５ミリリットルとアセトニトリル３０ミリリットルの混合溶媒に溶解した溶液に加え、室温で４時間攪拌したのち、水２５０ミリリットルを加え、析出した有機層を取り出して、溶媒を減圧留去した。その後、１０重量％炭酸ナトリウム水溶液１００ミリリットルで洗浄し、室温で減圧濃縮して、全量を１０ミリリットルとしたのち、シリカゲルカラムを用いて精製し、室温で一晩減圧乾燥して、前記式（10−15）（但し、ｉ＝０）で表されるジアゾジスルホン化合物（１）１ｇを無色半固形物として得た。この化合物のＩＲスペクトルを、図６に示す。
【０１２３】
実施例１〜１３、比較例１〜２
表１（但し、部は重量に基づく。）に示す各成分を混合して均一溶液としたのち、孔径０．２μｍのテフロン製メンブレンフィルターでろ過して、組成物溶液を調製した。
次いで、各組成物溶液を、シリコンウエハー上に回転塗布したのち、表２に示す温度と時間にてＰＢを行って、膜厚１．０μｍのレジスト被膜を形成した。このレジスト被膜に、（株）ニコン製ＫｒＦエキシマレーザー照射装置（商品名ＮＳＲ−２００５ ＥＸ８Ａ）を用い、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）を、マスクパターンを介し露光量を変えて露光した。また、一部の実施例では、ＫｒＦエキシマレーザーに替えて、簡易型の電子線直描装置（５０ＫｅＶ）を用いて電子線を露光量を変えて露光した。露光後、表２に示す温度と時間にてＰＥＢを行った。次いで、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現像液として用い、２３℃で６０秒間現像したのち、水で３０秒間洗浄し、乾燥して、レジストパターンを形成させた。
各実施例および比較例の評価結果を、表３に示す。ここで、各レジストの評価は、下記の要領で実施した。
【０１２４】
感度
シリコンウエハー上に形成したレジスト被膜に露光量を変えて露光したのち、直ちに露光後ベークを行い、次いでアルカリ現像したのち、水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成したとき、線幅０．２５μｍのライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を１対１の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度とした。
解像度
最適露光量で露光したときに解像されるレジストパターンの最小寸法（μｍ）を解像度とした。
パターン形状
シリコンウエハー上に形成した線幅０．２５μｍの１Ｌ１Ｓの方形状断面の下辺の寸法Ｌa と上辺の寸法Ｌb とを、走査型電子顕微鏡を用いて測定して、
０．８５≦Ｌb ／Ｌa ≦１
を満足するものを、パターン形状が「良」であるとし、この条件を満たさないものを、パターン形状が「不可」であるとした。
裾引き
最適露光量で露光してシリコンウエハー上に形成した線幅０．２５μｍの１Ｌ１Ｓのパターン形状が「良」となる組成物について、窒化シリコン基板を用いて同様にしてレジストパターンを形成し、得られた線幅０．２５μｍの１Ｌ１Ｓの方形状断面を走査型電子顕微鏡を用いて観察して、図７に示すＬｃとＬｄを測定し、
Ｌｃ／Ｌｄ＜０．０５
を満足するものを、裾引きが「良」とし、この条件を満たさないものを、裾引きが「不可」であるとした。
【０１２５】
各実施例および比較例で用いた各成分は、下記の通りである。
ジアゾジスルホン化合物（１）
Ａ-1：前記式（16−７）（但し、ｊ＝ｋ＝０）で表される化合物（合成例６）
Ａ-2：前記式（16−７）（但し、ｊ＝ｋ＝１）で表される化合物（合成例７）
Ａ-3：前記式（16−８）（但し、ｊ＝ｋ＝０）で表される化合物（合成例８）
Ａ-4：前記式（10−15）（但し、ｉ＝０）で表される化合物（合成例９）
【０１２６】
他の酸発生剤
α-1：トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート
α-2：ビス（４−t −ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート
α-3：Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド
α-4：ビス（シクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタン
【０１２７】
樹脂（Ｂ）
Ｂ-1：ポリ（４−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の３４モル％が１−エトキシエチル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝９，０００）
Ｂ-2：ポリ（４−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の１５モル％が１−エトキシエチル基で置換され、１８モル％が１−エトキシプロピル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１０，０００）
Ｂ-3：ポリ（４−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の２５モル％が１−エトキシエチル基で置換され、８モル％がｔ−ブトキシカルボニル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１０，０００）
Ｂ-4：ポリ（４−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の２３モル％が１−エトキシエチル基で置換され、１０モル％がｔ−ブチル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１２，０００）
Ｂ-5：４−ヒドロキシスチレン／スチレン共重合体（共重合モル比＝９０／１０）中のフェノール性水酸基の水素原子の２５モル％が１−シクロヘキシルオキシエチル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１８，０００）
Ｂ-6：４−ヒドロキシスチレン／アクリル酸ｔ−ブチルとの共重合体（共重合モル比＝９０：１０）中のフェノール性水酸基の水素原子の２５モル％が１−エトキシエチル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１８，０００）
【０１２８】
樹脂（Ｃ）
Ｃ-1：ポリ（４−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の２６モル％がｔ−ブトキシカルボニル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝９，０００）
Ｃ-2：ポリ（４−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の２５モル％がｔ−ブトキシカルボニルメチル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝２５，０００）
Ｃ-3：４−ヒドロキシスチレン／スチレン／アクリル酸ｔ−ブチル共重合体（共重合モル比＝６０：２０：２０、Ｍｗ＝１２，５００）
【０１２９】
酸拡散制御剤
γ-1：ジメチルｎ−ドデシルアミン
γ-2：トリ−ｎ−オクチルアミン
γ-3：２−ベンジルピリジン
溶剤
δ-1：乳酸エチル
δ-2：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
δ-3：２−ヘプタノン
【０１３０】
【表１】

【０１３１】
【表２】

【０１３２】
【表３】

【０１３３】
【発明の効果】
本発明のジアゾジスルホン化合物（１）は、各種の放射線、特にＫｒＦエキシマレーザーあるいはＡｒＦエキシマレーザー等に代表される遠紫外線に対して、高感度（低露光エネルギー量）で効率よく酸を発生でき、かつ保存安定性に優れ、しかも化学増幅型レジストにおける酸発生剤として用いたとき、優れた解像性能およびパターン形状をもたらしうる化合物であり、微細加工に有用な化学増幅型レジストにおける酸発生剤として極めて好適に使用することができる。
また、ジアゾジスルホン化合物（１）および樹脂（Ｂ）を含有する本発明の感放射線性樹脂組成物は、高感度（低露光エネルギー量）であり、かつ優れた解像性能およびパターン形状をもたらすことができ、特に、今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイス製造用の化学増幅型レジストとして極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】合成例３で得た化合物のＩＲスペクトルを示す図である。
【図２】合成例４で得た化合物のＩＲスペクトルを示す図である。
【図３】合成例５で得た化合物のＩＲスペクトルを示す図である。
【図４】合成例６で得たジアゾジスルホン化合物（１）のＩＲスペクトルを示す図である。
【図５】合成例８で得たジアゾジスルホン化合物（１）のＩＲスペクトルを示す図である。
【図６】合成例９で得たジアゾジスルホン化合物（１）のＩＲスペクトルを示す図である。
【図７】裾引きの評価要領を説明する図である。

Claims (4)

1. 下記式（１−１）で表されるジアゾジスルホン化合物。
   

   

   〔式（１−１）において、Ｒ¹ はｔ−ブチル基を示し、Ｒ² はメトキシカルボニル基またはｔ−ブトキシカルボニル基を示し、Ｒ ³ は水素原子を示し、ｉは０または１である。〕
2. 下記式（１−２）で表されるジアゾジスルホン化合物。
   

   

   〔式（１−２）において、Ｒ ¹ はシクロヘキシル基を示し、Ｒ ² はメトキシカルボニル基またはｔ−ブトキシカルボニル基を示し、Ｒ ³ は水素原子またはメチル基を示し、ｉは０または１である。〕
3. 下記式（１−３）で表されるジアゾジスルホン化合物。
   

   

   〔式（１−３）において、Ｒ ¹ は下記式（５）で表される基
   

   

   （但し、Ｒ ² はメトキシカルボニル基またはｔ−ブトキシカルボニル基を示し、Ｒ ³ は水素原子またはメチル基を示し、ｊは０または１である。）を示し、Ｒ ² はメトキシカルボニル基またはｔ−ブトキシカルボニル基を示し、Ｒ ³ は水素原子またはメチル基を示し、ｋは０または１であり、式（１−３）中に２つ存在するＲ ² およびＲ ³ は、それぞれ相互に同一でも異なってもよい。〕
4. （Ａ）請求項１〜３の何れかに記載のジアゾジスルホン化合物の単独または２種以上の混合物、並びに
   （Ｂ）下記式（３）で表される繰返し単位と下記式（４）で表される繰返し単位とを有する樹脂、
   

   

   〔式（３）において、Ｒ⁷ は水素原子またはメチル基を示す。〕
   

   

   〔式（４）において、Ｒ⁸ およびＲ⁹ は相互に独立に水素原子またはメチル基を示し、
   Ｒ¹⁰は炭素数１〜４の直鎖状のアルキル基または炭素数３〜６の分岐状のアルキル基を示し、Ｒ¹¹は炭素数１〜６の直鎖状のアルキル基、炭素数３〜６の分岐状のアルキル基または炭素数５〜８の環状のアルキル基を示す。〕
   を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。

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