DE10054121B4 - Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht - Google Patents

Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht Download PDF

Info

Publication number
DE10054121B4
DE10054121B4 DE10054121A DE10054121A DE10054121B4 DE 10054121 B4 DE10054121 B4 DE 10054121B4 DE 10054121 A DE10054121 A DE 10054121A DE 10054121 A DE10054121 A DE 10054121A DE 10054121 B4 DE10054121 B4 DE 10054121B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
photoresist layer
acid
groups
base
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10054121A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10054121A1 (de
Inventor
Michael Sebald
Ernst Richter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE10054121A priority Critical patent/DE10054121B4/de
Priority to US09/999,323 priority patent/US6746821B2/en
Publication of DE10054121A1 publication Critical patent/DE10054121A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10054121B4 publication Critical patent/DE10054121B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0395—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking

Abstract

Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht, umfassend die Schritte:
a) ein Substrat wird bereitgestellt, auf dem -zumindest in Teilbereichen eine Photolackschicht aufgebracht ist, wobei die Photolackschicht
aa) ein filmbildendes Polymer enthält, das Molekülgruppen umfaßt, die durch sauer katalysierte Abspaltungsreaktionen in alkalilösliche Gruppen überführt werden können, und
ab) einen Photosäuregenerator enthält, der bei Bestrahlung mit Licht aus einem definierten Wellenlängenbereich eine Säure freisetzt,
b) die Photolackschicht wird in Teilbereichen mit Licht aus dem definierten Wellenbereich bestrahlt,
c) die Photolackschicht wird über einen bestimmten Zeitraum mit einer Base in Kontakt gebracht, wobei die Base in die Photolacklackschicht diffundiert,
d) die Photolackschicht wird auf eine Temperatur erhitzt, bei der die durch die photolytisch erzeugte Säure, katalysierte Abspaltungsreaktion erfolgt,
e) die Photolackschicht wird entwickelt.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht.
  • In der Halbleitertechnologie spielen photolithographische Verfahren zur Erzeugung integrierter Schaltungen auf einem Halbleitersubstrat eine zentrale Rolle. Dabei wird eine strahlungsempfindliche Resistschicht auf der Oberfläche der zu strukturierenden Schicht eines Substrats aufgebracht und in ausgesuchten Bereichen mit Licht geeigneter Wellenlängen bestrahlt. Anschließend wird nur der bestrahlte Bereich der Photoresistschicht durch einen geeigneten Entwickler von dem Substrat entfernt. Dabei entspricht das so in der Photoresistschicht erzeugte Muster dem Muster, das in einem weiteren Prozessschritt, z.B. einer Ätzung oder einer Ionenimplantation, in die unter der Photoresistschicht liegende, zu strukturierende Substratschicht übertragen werden soll. In diesem anschließenden Prozessschritt dient die entwickelte Photoresistschicht somit als Maske, die eine Materialveränderung, z.B. einen Materialabtrag, in den durch sie abgedeckten Bereichen der Substratschicht verhindert. Nach dem strukturierenden Prozessschritt wird die Photoresistmaske wieder entfernt, die somit nicht Bestandteil der integrierten Schaltung wird.
  • Als Photolacke bzw. Photoresists hat sich dabei die Klasse der chemisch verstärkten Resists (chemical amplification resist; CAR) besonders bewährt. Chemisch verstärkte Resists sind dadurch charakterisiert, dass sie einen Photosäuregenerator, d.h. eine photosensitive Verbindung, beinhalten, der bei Bestrahlung mit Licht eine Protonensäure generiert. Diese Protonensäure löst dann, gegebenenfalls unter thermischer Behandlung des Resists, säure-katalysierte Reaktionen in dem Basispolymer des Resists aus. Durch die Präsenz des Photosäuregenerators wird die Sensitivität des Photoresist verglichen mit konventionellen Photoresist wesentlich erhöht. Eine Übersicht zu diesem Thema gibt H.Ito in Solid State Technology, Juli 1996 S. 164 ff.
  • Das Prinzip der chemischen Verstärkung hat sowohl bei den naß entwickelbaren Einlagenresists als auch bei den ganz oder teilweise trocken entwickelbaren Zweilagenresistsystemen breite Anwendung gefunden. Im Falle der Positivresists wird die unterschiedliche Löslichkeit des belichteten und des unbelichteten Photoresists mittels dem Prinzip der säurekatalysierten Spaltung bewerkstelligt. Dabei wird aus einer unpolaren chemischen Gruppe des schichtbildenden Polymere, z.B. einer Carbonsäure-tert.-butylestergruppe, in Gegenwart einer photolytisch erzeugten Säure, gegebenenfalls in einem Heizschritt, eine polare Carbonsäuregruppe gebildet. Weitere Beispiele für unpolare „blockierten" Gruppen, die durch säurekatalysierte Reaktion in korrespondierende polare Gruppen umgewandelt werden können sind die tert.-Butoxycarbonyloxy-(tBOC) oder Acetalgruppen. Durch die Umwandlung der unpolaren Gruppe in die korrespondierende polare Gruppe erfährt der Resist in den zuvor bestrahlten Bereichen eine Änderung in der Polarität, wodurch diese in dem polaren, wässrig-alkalischen Entwickler löslich werden. Dadurch können die belichteten Bereiche des Photoresists selektiv durch den Entwickler entfernt werden. Die Lackreste in den unbelichteten, unpolaren Bereichen definieren somit geometrisch ein Resistprofil bzw. eine Resiststruktur auf dem Substrat, das in folgenden Prozessschritten als Maske zur Oberflächenstrukturierung dient.
  • Aufgrund der immer höher werdenden Integrationsdichte in der Halbleitertechnologie ist die Genauigkeit, mit der das Resistprofil nach der Entwicklung auf einer zu strukturierenden Oberfläche erzeugt werden kann von entscheidender Bedeutung. Das Resistprofil wird zum einen während der Belichtung durch die Lichtverteilung physikalisch eindeutig vordefiniert. Zum anderen wird es durch die Verteilung der durch die Belichtung photochemisch erzeugten Komponenten chemisch in die Resistschicht übertragen.
  • Aufgrund der physikalisch chemischen Eigenschaften der Resistmaterialien ist eine völlig unverfälschte Übertragung des durch die Lithographiemaske vorgegebenen Musters zum Resistprofil jedoch nicht eindeutig möglich. Hier spielen insbesondere Interferenzeffekte und Lichtstreuung in dem Photoresist eine große Rolle. Aber auch die der Belichtung folgenden Schritte, wie z.B. die Entwicklung, haben zusätzlich einen großen Einfluß auf die Qualität der Resistprofile. Die Qualität der Resistprofile wird wesentlich durch die Profilflanken bestimmt. Um in den nachfolgenden Prozeßschritten eine möglichst präzise Oberflächenstrukturierung zu erzielen, wäre es ideal, wenn nach der Entwicklung des Photoresists nahezu senkrechte, glatte Profilflanken im Resistprofil erhalten werden könnten.
  • Negativ auf die zu erreichende Steilheit der Profilflanken wirkt sich das bei der Belichtung im Photolack einstellende Lichtintensitätsprofil aus. Dieses charakteristische Intensitätsprofil, das auch „areal image" genannt wird, ist auf die im Lack bei der Belichtung auftretende Lichtstreuung und Lichtabsorbtion zurückzuführen. Da der Photolack einen gewissen Anteil der einfallenden Strahlung absorbiert, nimmt die beobachtete Strahlungsintesität mit zunehmender Schichtdicke im Photolack ab. Folglich sind die oberflächennahen Bereiche der Photoresistschicht stärker belichtet. Im Falle eines Positivresists sind somit die oberflächennahen Bereiche stärker löslich als die oberflächenfernen Bereiche. Die unterschiedliche Löslichkeit innerhalb eines belichteten Bereichs des Resists führt bei Positivresists oft zu einer Abflachung und nur unscharfen Definition der Profilflanken. Das Lichtintensitätsprofil im Photolack beschreibt die Verteilung einer photochemisch verändeten Spezies, z.B. bei einem Positivresist die Verteilung der photolytisch erzeugten Säure im Photolack.
  • Für den Strukturtransfer von der Photomaske in die darunterliegende, zu strukturierende Schicht ist die Qualität und die Steilheit der Resistprofile von entscheidender Bedeutung. Ein bekannter Lösungsansatz, um die Qualität von Resistprofilen in Positivresists zu verbessern, ist in der europäischen Patentanmeldung EP-0,962,825 beschrieben. Dort wird eine verbesserte Steilheit der Resistflanken dadurch erreicht, dass dem Photoresist zwei photochemisch aktive Additive zugesetzt werden, die durch Strahlung in jeweils unterschiedlichen Wellenlängenbereichen aktiviert werden.
  • Zum einen enthält der Photoresist einen Photosäuregenerator, der, wie oben bereits beschrieben, bei Bestrahlung mit Licht eines definierten Wellenlängenbereichs eine Säure freisetzt, die dann die Reaktion der umwandelbaren unpolaren Gruppen des schichtbildenenden Polymers des Photoresists zu Carbonsäuregruppen katalysiert und somit die Löslichkeit des Photoresists in dem polaren Entwickler bewirkt.
  • Zum anderen enthält der Photoreist als zweites photochemisches Additiv ein Quervernetzungsreagenz, das eine Erniedrigung der Löslichkeit des Photoresist bewirkt. Dieses Quervernetzungsreagenz wird ebenfalls durch Strahlung aktiviert, wobei die dazu verwendete Strahlung von der zur Aktivierung des Photosäuregenerators verwendeten Strahlung verschieden ist.
  • In einem ersten Strukturierungsbelichtungschritt wird in diesem Verfahren der Photosäuregenerator in den durch das Maskenlayout festgelegten Bereichen aktiviert. In einem anschließenden, zweiten Flutbelichtungsschritt wird die gesamte Photoresistschicht ohne Verwendung einer Photomaske belichtet und somit das Quervernetzungsreagenz über die gesamte Fläche der Photoresistschicht photochemisch aktiviert. Durch die damit ausgelöste chemische Quervernetzung des Photoresists wird dessen Löslichkeit reduziert. Da die oberflächennahen Bereiche des Photoresists stärker belichtet werden, sind diese stärker quervenetzt und damit unlöslicher als die oberflächenfernen Bereiche. Durch diese selektive Löslichkeitsmodifikation in dem Photoreist wird eine erhöhte Entwicklerselektivität im wäßrigen Entwickler erreicht, wodurch steilere Resistprofilflanken erreicht werden.
  • Allerdings weist dieser Lösungsansatz einen entscheidenden Nachteil auf, da die Quervernetzungsreaktion zur Bildung eines dreidimensionalen Netzpolymers insbesondere in den oberflächennahen Bereichen des Photoresist führt. Dieses Netzpolymer weist ein gegenüber dem ursprünglichen, linearen schichtbildenden Polymer ein verändertes Entwicklungsverhalten auf, was zu "rauhen", d.h. ungenau definierten, z.B. ausgefransten Profilflanken führt. Diese Rauhigkeit erschwert die nachfolgenden Prozessschritte, wie z.B. die Substratätzung. Darüber hinaus erfordert dieses Verfahren den Einsatz zweier unterschiedlicher photochemisch aktiver Verbindungen, die sowohl aufeinander als auch auf das Basispolymer abgestimmt werden müssen.
  • Dokument US 6057084 A beschreibt einen Prozess, bei dem die Schrumpfung von in einem Photoresist geformten photolithographischer Strukturen verringert werden soll. Zu diesem Zweck wird der Photoresist nach einem strukturerzeugenden Entwicklungsschritt einem Material ausgesetzt, das aus der Gruppe bestehend aus zumindest einem Amin, zumindest einem Amid, zumindest einem Aldehyd und Stickstoff ausgewählt ist.
    •
  • Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht bereitzustellen, welches die oben beschriebenen Nachteile verringert bzw. ganz vermeidet. Insbesondere ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren bereitzustellen, mit dem eine hohe Übertragungsgenauigkeit der durch die Lithographiemaske vorgegeben Struktur in eine Photolackschicht erreicht wird.
  • Diese Aufgabe wird von dem Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht gemäß dem Patentanspruch 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen, Ausgestaltungen und Aspekte der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Patentansprüchen und der Beschreibung.
  • Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zum Strukturieren einer Photolackschicht bereitgestellt, das die folgenden Schritte umfaßt: Ein Substrat wird bereitgestellt, auf dem zumindest in Teilbereichen eine Photolackschicht aufgebracht ist. Die Photolackschicht umfaßt ein filmbildendes Polymer, das Molekülgruppen aufweist, die durch sauer katalysierte Abspaltungsreaktionen in alkalilösliche Gruppen überführt werden können. Weiterhin umfaßt das Polymer einen Photosäuregenerator, der bei Bestrahlung mit Licht aus einem definierten Wellenlängenbereich eine Säure freisetzt. Die Photolackschicht wird in Teilbereichen mit Licht aus dem definierten Wellenbereich bestrahlt und über einen bestimmten Zeitraum mit einer in der Photolackschicht löslichen Base in Kontakt gebracht. Dabei ist es unerheblich, ob die Photolackschicht nach der Bestrahlung mit der Base in Kontakt gebracht wird, oder ob dies vor der Bestrahlung erfolgt. Anschließend wird die Photolackschicht auf eine Temperatur erhitzt, bei der die durch die photolytisch erzeugte Säure katalysierte Abspaltungsreaktion erfolgt. Anschließend wird die Photolackschicht entwickelt.
  • Der Begriff „alkalilösliche Gruppen" umfaßt im Rahmen dieser Erfindung alle Gruppen, welche die Löslichkeit des filmbildenden Polymers in alkalischen Lösungen erhöht. Unter diesen Begriff fallen somit insbesondere polare, funktionelle Gruppen wie z.B. Carboxyl-, Hydroxyl- und Carboxamidgruppen oder Gruppen, die diese funktionellen Gruppen aufweisen. Weiterhin sind unter diesem Begriff solche Gruppen zu verstehen, die nicht nur zu einer erhöhten Alkalilöslichkeit des Polymers beitragen, sondern auch solche, die zusätzlich noch die Transparenz des Polymers – und damit der Photolackschicht – für Licht mit sehr kurzen Wellenlängen erhöhen. Dies kann dadurch erreicht werden, das diese Gruppen teilweise oder ganz fluoriert sind. Eine geeignete Gruppe ist z.B. die 1,1,1,3,3,3,-Hexaflouro-2-hydroxyisopropylgruppe, durch die die Transparenz des Polymers bei einer Wellenlänge von 157 nm erhöht wird.
  • Unter Molekülgruppen, die durch sauer katalysierte Abspaltungsreaktionen in alkalilöslichen Gruppen überführt werden können, sind säurelabile Gruppen zu verstehen, die eine nur geringe Alkalilöslichkeit besitzen und durch die katalytische Einwirkung von Säuren, gegebenenfalls bei gleichzeitiger Temperaturbehandlung, ein Molekülfragment abspalten, wobei die alkalilöslichen Gruppen am oder in dem Polymer freigesetzt werden. Unter diesen Begriff fallen somit säurelabile Schutzgruppen wie sie regelmäßig bei Posistivresists zum Einsatz kommen. Dabei können alle gängigen säurelabilen Schutzgruppen zum Einsatz kommen, wie z.B. Estergruppen, Ethergruppen, cyclische oder acyclische Acetalgruppen, cyclische oder acyclische Ketalgruppen, Silylether oder auch Cyanhydrine. Beispiele geeigneter Schutzgruppen sind z.B. in den US-Patentschriften 5,932,391 oder 6,114,086 aufgeführt.
  • Besonders bevorzugte Molekülgruppen in der vorliegenden Erfindung sind Ethergruppen, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus tert.-Alkylethern, insbesondere tert.-Butylether, Tetrahydrofuranylether und/oder Tetrahydropyranylether. Weiterhin bevorzugt ist die Verwendung von Carboxylsäureestern, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus tert.-Alkylcarbonsäureestern, insbesondere tert.-Butylcarbonsäureester, Tetrahydrofuranylcarbonsäureester und/oder Tetrahydropyranylcarbonsäureester.
  • Ebenfalls bevorzugt ist die Verwendung von Polymeren umfassend Molekülgruppen gemäß Formel II,
    Figure 00090001
    wobei R5 ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus tert.-Alkyl-, insbesondere tert.-Butyl-, Tetrahydrofuranyl-, Tetrahydropyranyl-, tert.-Butoxycarbonyloxy- oder Acetalgruppen.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens sind die Molekülgruppen in dem Polymer, welche die sauer katalysierten Abspaltungsreaktionen eingehen können, Gruppen mit der Struktur gemäß Formel III, IV oder V,
    Figure 00100001
    wobei R6, R7 und R8 unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe umfassend Methyl, Ethyl, Propyl und Butyl und vorzugsweise R6, R7 und R8 Methyl sind.
  • Neben den säurelabilen Gruppen können weitere Gruppen im Polymer vorhanden sein, die die lithographischen Eigenschaften oder die Ätzresistenz des Photolacks verbessern. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist das Polymer zusätzlich noch weitere reaktive Gruppen, wie z.B. Anhydrid- oder Succinanhydridgruppen, auf. Diese reaktiven Gruppen ermöglichen eine nachträgliche chemische Behandlung der Resiststrukturen.
  • Für die vorliegende Erfindung ist die Natur der Hauptkette des filmbildenden Polymers von geringer Bedeutung. In Frage kommen somit alle regelmäßig in Photoresist zum Einsatz kommenden Polymertypen. Geeignet sind z.B. Polymere mit reinen Kohlenstoffhauptketten, die z.B. durch Polymerisation von ungesättigten Monomeren wie Styrolen, Acrylaten oder Methacrylaten erhalten werden können. Ebenfalls geeignet sind Polymere mit Heteroatomen in den Hauptketten wie z.B. Polysiloxane, Polyester oder Polyester. Die Hauptkette kann dabei zur Verbesserung der Transparenz des Polymers bei niedrigen Wellenlängen teilweise oder ganz aus fluorierten Bausteinen aufgebaut sein.
    •
  • In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung wird die Photolackschicht dadurch auf dem Substrat aufgebracht, das eine Lösung umfassend ein Lösungsmittel, das filmbildende Polymer und den Photosäuregenerator auf das Substrat aufgetragen wird und anschließend das Lösungsmittel zumindest teilweise verdampft wird. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Photolackschicht auf das Substrat aufgeschleudert. Als Lösemittel können alle gängigen Photolacklösemittel oder deren Gemische verwendet werden, die in der Lage sind, die Resistkomponenten in einer klaren, partikelfreien und lagerstabilen Lösung aufzunehmen und bei der Beschichtung des Substrats eine gute Schichtqualität zu gewährleisten. Besonders bevorzugt für das erfindungsgemäße Verfahren sind Lösemittel ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus 1-Methoxy-2-propylacetat, Cyclopentanon, Cyclohexanon, Butyrolacton, Ethylacetat oder Mischungen aus mindestens zwei der vorgenannten Lösemittel. Besonders bevorzugt ist 1-Methoxy-2-propylacetat als Lösemittel.
  • Das Lösemittel wird vorzugsweise bei Temperaturen zwischen 60 bis 160 °C verdampft. In diesem sogenannten „Prebake"-Heizschritt wird das Lösemittel vorzugsweise vollständig aus dem Photolack getrieben.
  • Zum Aufbringen der Photolackschicht auf das Substrat werden in vorteilhaften Varianten der vorliegenden Erfindung Lösungen verwendet, die 1 bis 50 Gew.-%, vorzugsweise 3 bis 20 Gew.-% filmbildendes Polymer, 0,01 bis 10 Gew.-%, vorzugsweise 0,1 bis 1 % Photosäuregenerator und 50 bis 99 Gew.-%, vorzugsweise 88 bis 96 Gew.-% Lösemittel umfassen.
  • Als weitere Komponenten kann die Lösung weitere Additive enthalten, mit denen regelmäßig in Photolackschichten, bzw. deren Lösungen, eine Verbesserung der Lagerstabilität, des Standzeitverhaltens, der Filmbildung, der Auflösung, der Strahlungsempfindlichkeit oder anderer produkt- oder prozessverbessernder Eigenschaften erreicht werden kann.
  • Entscheidend für das erfindungsgemäße Verfahren ist, dass die Photolackschicht vor dem Entwickeln und gegebenenfalls vor einem zusätzlichen Heizschritt, in dem die photolytisch erzeugte Säure die Abspaltungsreaktion auslöst, mit einer Base über einen bestimmten Zeitraum in Kontakt gebracht wird. Prinzipiell kann jede Methode des in Kontakt bringens verwendet werden, bei der das Eindiffundieren der Base in die Photolackschicht ermöglicht wird. Beispielsweise kann die Photolackschicht einem basenhaltigen Gas ausgesetzt werden. Dabei kann das Gas nur aus der Base selbst bestehen oder zusammen mit einem inertem Trägergas verwendet werden.
  • Zum Beispiel kann als Trägergas ein Edelgas, z.B. Helium oder Argon, oder Stickstoff verwendet werden. In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Photolackschicht mit einer Flüssigkeit benetzt, die die Base umfaßt. Dabei kann die Flüssigkeit die Base selbst oder eine Lösung der Base in einem oder mehreren Lösemitteln sein. Dabei kommen als Base all jene Verbindungen in Betracht, die in die jeweils verwendete Photolackschicht eindiffundieren können, d.h. in dieser löslich sind, und die photolytisch erzeugte Säure neutralisieren können. Vorzugsweise sind das solche Basen, die in dem Resistlösemittel löslich sind. Besonders bevorzugt ist die Verwendung von flüssigen Basen ohne zusätzliche Lösemittel. Hierbei sind als Basen insbesondere primäre, sekundäre oder tertiäre Amine bevorzugt, wobei sowohl Mono-, Di-, Tri- oder Polyamine eingesetzt werden können. Die Amine können dabei substituierte oder unsubstituierte alphatische oder cyclische Alkyl- oder Aralkylgruppen, Aryl- oder Silylgruppen als Substituenten tragen. Ebenso können substituierte oder unsubstituierte cyclische oder heterocyclische Amine zum Einsatz kommen. Besonders bevorzugt für das erfindungsgemäße Verfahren ist die Verwendung einer oder mehrerer Basen ausgewählt aus der Gruppe umfassend Hexylamin, Tripentylamin, 1,5-Diaminopentan, N-Methyl-2-pyrrolidon und/oder 1,1,1,3,3,3-Hexamethyldisilazan.
  • Wenn die Base flüssigkeitsgetragen mit der Photolackschicht in Kontakt gebracht wird, dann kann in einer weiteren bevorzugten Variante der erfindungsgemäßen Verfahrens als Base ein Salz mit der allgemeinen Struktur gemäß Formel I verwendet werden,
    Figure 00140001
    wobei R1, R2, R3 und R4 unabhängig voneinander aus der Gruppe umfassend Wasserstoff, Methyl, Ethyl, Propyl und Butyl ausgewählt sind. Besonders bevorzugt ist hier die Verwendung von Tetramethylammoniumhydroxid als Base. Die Ammoniumbasen Basen werden vorzugsweise zusammen mit einem ausreichend polaren Lösemittel, insbesondere Wasser eingesetzt.
  • Durch die Diffusion der Base in die Photolackschicht, reichert sich die Base in den oberflächennahen Bereichen der Photolackschicht an. Die Photolackschicht weist somit über ihre Dicke hinweg einen Konzentrationsgradient an Base auf, wobei die Konzentration der Base mit zunehmender Schichttiefe abnimmt. Der Zeitraum, über den hinweg die Photolackschicht mit der Base in Kontakt gehalten wird, ist dabei so zu wählen, dass die photolytisch erzeugte oder erst noch zu erzeugende Säure durch die Base zumindest teilweise, aber nicht vollständig neutralisiert wird. Eine Restlöslichkeit der belichteteten oberflächennahen Bereiche des Photoresists gegenüber dem Entwickler muß noch gegeben sein. Die Base wirkt somit dem durch das Absorptionsvermögen des Photolacks verursachten Säuregradienten in der Photolackschicht entgegen. In den oberflächennahen Bereichen der Photolackschicht wird der Überschuß an Säure durch die Base neutralisiert.
  • Durch diese selektive Neutralisationsreaktion wird für Positivresists das latente Bild in der noch nicht entwickelten Photolackschicht verbessert, d.h. die Verteilung der photochemisch erzeugten Säure entlang der Belichtungskanten wird aufgesteilt. Dadurch wird nach dem Entwickeln zum einen eine deutliche Aufsteilung der Resistprofile erreicht, zum anderen wird die „Rauhigkeit" der Reisitflanken, wie sie bei der zusätzlichen Quervernetzung der oberflächennahen Bereiche von Negativresists nach dem Entwickeln beobachtet wird, vermieden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Photolackschicht nach der Belichtung und Basenbehandlung einem Heizschritt unterzogen, bei dem die Photolackschicht auf eine Temperatur erhitzt wird, bei der die durch die photolytisch erzeugte Säure katalysierte Abspaltungsreaktion erfolgt. Vorzugsweise wird die Photolackschicht auf eine Temperatur von 80 bis 250 °C erhitzt. Bei diesem Heizschritt kann die freigesetzte Säure mit den säurelabilen Molekülgruppen in dem filmbildenden Polymer reagieren und dadurch die alkalilöslichen Gruppen an dem Polymer freisetzen. Dadurch nimmt die Löslichkeit des Polmers gegenüber alkalischen Lösungen zu.
  • Zum Aktivieren des Photosäuregenerators, wird die Photolackschicht in dem erfindungsgemäßen Verfahren vorzugsweise mit Licht mit einer Wellenlänge zwischen 150 bis 300 nm bestrahlt. Mit dieser DUV- bzw. VUV-Strahlung (deep-ultra-violet bzw. vacuum-ultra-violet) können besonders feine Strukturen in der Photolackschicht erzeugt werden. Alternativ kann aber auch längerwelliges Licht eingesetzt werden, z.B. mit einer Wellenlänge von 300 bis 450 nm, vorzugsweise 350 bis 450 nm (near-ultra-violet). In beiden Fällen ist es besonders bevorzugt, daß das Polymer eine der Bestrahlung zwischen 150 und 450 nm angepaßte Absorption aufweist, so daß der Photosäuregenerator photochemisch aktiviert werden kann.
  • Als Photosäuregeneratoren können prinzipiell alle Verbindungen eingesetzt werden, die bei Bestrahlung eine Säure freisetzten können. Dabei ist in vorteilhaften Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens die Verwendung von Photosäuregeneratoren ausgewählt aus der Gruppe umfassend Oniumverbindungen, insbesondere Diphenyliodoniumtriflat und Trisulfoniumnonasulfat, Nitrobenzylester, insbesondere 4-Nitrobenzyl-9,10-dimethoxyantracen-2-sulfonat, Sulfone, insbesondere Phenylacylphenylsulfon, Phosphate, insbesondere Triarylphosphate, N-Hydroxyimidsulfonate, insbesondere N-Hydroxyphtalimidmethansulfonat und/oder Diazonaphtochinone, insbesondere 1-Oxo-2-Diazonaphtochinon-5-Arylsulfonat, bevorzugt. Weitere geeignete Photosäuregeneratoren sind in der deutschen Patentanmeldung mit der Anmeldenummer 19820477.9 veröffentlicht.
  • Zum Entwickeln der belichteten Photolackschicht werden vorzugsweise alkalische, Lösungen verwendet. Als Lösemittel kommt hier vorzugsweise Wasser zum Einsatz. In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird als Entwicklerlösung eine Lösung von 2,38 Gew.-% Tetramethylammoniumhydroxid in Wasser verwendet.
  • Im folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand eines schematischen Ausführungsbeispieles verdeutlicht.
  • Die Photolackschicht vom Typ chemisch verstärkt wird auf das zu strukturierende Substrat aufgeschleudert und in einem nachfolgenden Heizschritt (zwischen 60 und 160°C), bei dem das Lösemittel verdampfen kann, getrocknet. In der so erhaltenen festen Photolackschicht wird anschließend durch Bestrahlung der Photolackschicht mit Licht einer definierten Wellenlänge ein latentes Bild erzeugt. Die Strukturbelichtung erfolgt bei einer Wellenlänge von 248 nm durch eine Lithographiemaske.
  • Durch diese Belichtung wird die Säure aus dem Photosäuregenerator freigesetzt. Aufgrund der absorptionsbedingten Abschwächung der Lichtintensität innerhalb der Photolackschicht entsteht die unerwünschte Säureverteilung innerhalb der Lackschicht. D.h. die Konzentration der Säure nimmt mit zunehmenden Abstand zur Oberfläche der Photolackschicht kontinuierlich ab.
  • Um dem entgegenzuwirken, wird die Photolackschicht anschließend mit einer basischen Flüssigkeit benetzt, wobei die Base in die Photolackschicht einzudiffundieren beginnt. Dadurch stellt sich innerhalb der Photolackschicht ein Basengradient ein, bei dem die Konzentration der Base zur Oberfläche der Photolackschicht hin zunimmt. Als Folge dessen wird die photolytisch freigesetzte Säure im oberflächennahen Bereichen der Photolackschicht zu einem größeren Anteil neutralisiert, als in den tieferliegenden Bereichen dieser Schicht.
  • Im folgenden Heizschritt, dem sogenannten „Post-Exposure-Bake, PEB" dessen Temperatur über der des ersten Heizschrittes liegt (80 bis 250°C), werden einerseits durch die bei der Strukturbelichtung erzeugte Säure die funktionellen Schutzgruppen in dem filmbildenen Polymer gespalten, andererseits wird die Säure durch die Base neutralisiert. Zusätzlich wird durch den Heizschritt die Diffusion der Base in die Polymerschicht erleichtert.
  • In den belichteten Bereichen wird der Resist somit gegenüber dem alkalischen Entwickler löslich. Anschließend wird die Photolackschicht z.B. mit einer 2,38 Gew.-%-igen wässrigen Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung behandelt, wodurch die belichteten Bereiche der Photolackschicht gelöst und entfernt werden. Dadurch wird ein positives Reliefmuster in der Photolackschicht erzeugt. D.h. die belichteten Bereiche der Photolackmaske werden entfernt, während die unbelichteten Bereiche zurückbleiben und in einem folgenden Strukturierungschritt als schützende Maske dienen können.

Claims (22)

  1. Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht, umfassend die Schritte: a) ein Substrat wird bereitgestellt, auf dem -zumindest in Teilbereichen eine Photolackschicht aufgebracht ist, wobei die Photolackschicht aa) ein filmbildendes Polymer enthält, das Molekülgruppen umfaßt, die durch sauer katalysierte Abspaltungsreaktionen in alkalilösliche Gruppen überführt werden können, und ab) einen Photosäuregenerator enthält, der bei Bestrahlung mit Licht aus einem definierten Wellenlängenbereich eine Säure freisetzt, b) die Photolackschicht wird in Teilbereichen mit Licht aus dem definierten Wellenbereich bestrahlt, c) die Photolackschicht wird über einen bestimmten Zeitraum mit einer Base in Kontakt gebracht, wobei die Base in die Photolacklackschicht diffundiert, d) die Photolackschicht wird auf eine Temperatur erhitzt, bei der die durch die photolytisch erzeugte Säure, katalysierte Abspaltungsreaktion erfolgt, e) die Photolackschicht wird entwickelt.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Photolackschicht zum in Kontakt bringen mit der Base mit einer Flüssigkeit überschichtet wird, die die Base umfaßt.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Photolackschicht zum in Kontakt bringen einem Gas ausgesetzt wird, das die Base umfaßt.
  4. Verfahren gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas ein inertes Trägergas ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Edelgasen, insbesondere Helium oder Argon, und Stickstoff, umfaßt.
  5. Verfahren gemäß Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Base ausgewählt ist aus der Gruppe der Amine, vorzugsweise aus der Gruppe umfassend Hexylamin, Tripentylamin, 1,5-Diaminopentan, N-Methyl-2-pyrrolidon und/oder 1,1,1,3,3,3-Hexamethyldisilazan.
  6. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Base ein Salz mit der allgemeinen Struktur gemäß Formel I verwendet wird,
    Figure 00200001
    wobei R1, R2, R3 und R4 unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe umfassend Wasserstoff, Methyl, Ethyl, Propyl und Butyl.
  7. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Base Tetramethylammoniumhydroxid verwendet wird.
  8. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Photolackschicht in Schritt d) auf eine Temperatur zwischen 80 bis 250°C erhitzt wird.
  9. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Säure aus dem Photosäuregenerator durch Bestrahlung der Photolackschicht mit UV-Licht einer Wellelänge zwischen 150 bis 300 nm freigesetzt wird.
  10. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Säure aus dem Photosäuregenerator durch Bestrahlung der Photolackschicht mit UV-Licht einer Wellelänge zwischen 300 bis 450 nm, vorzugsweise 350 bis 450 nm freigesetzt wird.
  11. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Polymer im Wellenlängenbereich zwischen 150 bis 450 nm eine angepaßte Absorption aufweist, so daß der Photosäuregenerator photochemisch aktiviert werden kann.
  12. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Photosäuregenerator ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend Oniumverbindungen, insbesondere Diphenyliodoniumtriflat und Trisulfoniumnonasulfat, Nitrobenzylester, insbesondere 4-Nitrobenzyl-9,10-dimethoxyantracen-2-sulfonat, Sulfone, insbesondere Phenylacylphenylsulfon, Phosphate, insbesondere Triarylphosphate, N-Hydroxyimidsulfonate, insbesondere N-Hydroxyphtalimidmethansulfonat und/oder Diazonaphtochinone, insbesondere 1-Oxo-2-Diazonaphtochinon-5-Arylsulfonat.
  13. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Molekülgruppen in dem Polymer, welche die sauer katalysierten Abspaltungsreaktionen eingehen können, Carboxylsäureester sind, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus tert.-Alkylcarbonsäureestern, Tetrahydrofuranylcarbonsäureester und/oder Tetrahydropyranylcarbonsäureester.
  14. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Molekülgruppen in dem Polymer, welche die sauer katalysierten Abspaltungsreaktionen eingehen können, Ethergruppen sind, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus tert.-Alkylether, insbesondere tert.-Butylether, Tetrahydrofuranylether und/oder Tetrahydropyranylether.
  15. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Molekülgruppen in dem Polymer, welche die sauer katalysierten Abspaltungsreaktionen eingehen können, cyclische oder acyclische Ketale oder cyclische oder acyclische Acetale sind.
  16. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Molekülgruppen in dem Polymer, welche die sauer katalysierten Abspaltungsreaktionen eingehen können, Gruppen mit der Struktur gemäß Formel II sind,
    Figure 00240001
    wobei R5 ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus tert.-Alkyl-, insbesondere tert.-Butyl-, Tetrahydrofuranyl-, Tetrahydropyranyl-, tert.-Butoxycarbonyloxy-, oder Acetalgruppen, oder Gruppen mit der Struktur gemäß Formel III, IV oder V sind,
    Figure 00240002
    wobei R6, R7 und R8 unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe umfassend Methyl, Ethyl, Propyl und Butyl, und vorzugsweise R6, R7 und R8 Methyl sind.
  17. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das filmbildende Polymer Anhydrid- oder Succinanhydridstrukturen enthält.
  18. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen der Photolackschicht auf dem Substrat dadurch erfolgt, daß eine Lösung umfassend ein Lösemittel, das filmbildende Polymer und den Photosäuregenerator auf das Substrat aufgebracht wird und anschließend das Lösemittel zumindest teilweise verdampft wird.
  19. Verfahren gemäß Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß das Lösemittel ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus 1-Methoxy-2-propylacetat, Cyclopentanon, Cyclohexanon, Butyrolacton, Ethylacetat oder aus Mischungen aus mindestens zwei der vorgenannten Lösungsmittel.
  20. Verfahren gemäß Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß das Lösungsmittel bei Temperaturen zwischen 60 bis 160 °C verdampft wird.
  21. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 18 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung 1 bis 50 Gew.-%, vorzugsweise 3 bis 20 Gew.-% filmbildendes Polymer-, 0,01 bis 10 Gew.-%, vorzugsweise 0,1 bis 1 % Photosäuregenerator und 50 bis 99 Gew.-%, vorzugsweise 88 bis 96 Gew.-% Lösemittel umfaßt.
  22. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zum Entwickeln eine Lösung von 2,38 Gew.-% Tetramethylammoniumhydroxid in Wasser verwendet wird.
DE10054121A 2000-10-31 2000-10-31 Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht Expired - Fee Related DE10054121B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10054121A DE10054121B4 (de) 2000-10-31 2000-10-31 Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
US09/999,323 US6746821B2 (en) 2000-10-31 2001-10-31 Method of structuring a photoresist layer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10054121A DE10054121B4 (de) 2000-10-31 2000-10-31 Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10054121A1 DE10054121A1 (de) 2002-05-16
DE10054121B4 true DE10054121B4 (de) 2006-06-14

Family

ID=7661773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10054121A Expired - Fee Related DE10054121B4 (de) 2000-10-31 2000-10-31 Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10054121B4 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10120659B4 (de) * 2001-04-27 2007-04-19 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
DE10120676B4 (de) * 2001-04-27 2005-06-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
DE10120675B4 (de) * 2001-04-27 2005-07-21 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
DE10120674B4 (de) 2001-04-27 2005-06-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
DE10120673B4 (de) * 2001-04-27 2007-01-25 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
CN110501875B (zh) * 2019-08-29 2023-05-16 合肥鑫晟光电科技有限公司 光刻胶组合物、制作方法、基板及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0494383A1 (de) * 1990-12-20 1992-07-15 Siemens Aktiengesellschaft photoresist
DE4207263A1 (de) * 1992-03-07 1993-09-09 Hoechst Ag Niedermolekulare saeurespaltbare verbindungen mit 2,2-bis-trifluormethyl-oxaethano-brueckengliedern und deren verwendung
DE4410441A1 (de) * 1993-03-26 1994-09-29 Fuji Photo Film Co Ltd Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung
US5358599A (en) * 1992-01-23 1994-10-25 Micron Technology, Inc. Process for etching a semiconductor device using an improved protective etching mask
WO1997014079A1 (en) * 1995-10-13 1997-04-17 Martinex R & D Inc. Water-processable, chemically amplified resist compositions and processes
US6057084A (en) * 1997-10-03 2000-05-02 Fusion Systems Corporation Controlled amine poisoning for reduced shrinkage of features formed in photoresist

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0494383A1 (de) * 1990-12-20 1992-07-15 Siemens Aktiengesellschaft photoresist
US5358599A (en) * 1992-01-23 1994-10-25 Micron Technology, Inc. Process for etching a semiconductor device using an improved protective etching mask
DE4207263A1 (de) * 1992-03-07 1993-09-09 Hoechst Ag Niedermolekulare saeurespaltbare verbindungen mit 2,2-bis-trifluormethyl-oxaethano-brueckengliedern und deren verwendung
DE4410441A1 (de) * 1993-03-26 1994-09-29 Fuji Photo Film Co Ltd Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung
WO1997014079A1 (en) * 1995-10-13 1997-04-17 Martinex R & D Inc. Water-processable, chemically amplified resist compositions and processes
US6057084A (en) * 1997-10-03 2000-05-02 Fusion Systems Corporation Controlled amine poisoning for reduced shrinkage of features formed in photoresist

Also Published As

Publication number Publication date
DE10054121A1 (de) 2002-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10120676B4 (de) Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
DE4111060B4 (de) Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung
DE60129024T2 (de) Zur bilderzeugung mit tiefer uv-strahlung geeignete photoresistzusammensetzung und diese verwendendes bilderzeugungsverfahren
DE69832352T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Vorrichtung unter Benutzung eines strahlungsempfindlichen Resistmaterials
EP0650608B1 (de) Positiv-arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes aufzeichnungsmaterial
DE112004000021T5 (de) Positiv-Photoresist-Zusammensetzung vom chemisch verstärkten Typ und Methode zur Bildung eines Resistmusters
EP0292821A2 (de) Verfahren zur Bildumkehr von normalerweise positiv arbeitenden Photoresistmaterialien
DE19958966A1 (de) Erzeugung von Resiststrukturen
DE3817011A1 (de) Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
DE10120673B4 (de) Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
DE10134162A1 (de) Neuartiges Copolymeres, Photoresistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung eines Photoresistmusters mit hohem Seitenverhältnis
DE10120660B4 (de) Verfahren zur Strukurierung einer Photolackschicht
EP0955562A1 (de) Chemisch verstärkter Resist
DE10054121B4 (de) Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
EP0525625A1 (de) Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial
EP0540965B1 (de) Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefmustern
DE10238038A1 (de) Photosensitives Polymer und Photoresistverbindung daraus
DE10120661A1 (de) Photolackzusammensetzung und Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
DE10120674B4 (de) Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
DE10134163A1 (de) Neuartiges Copolymeres, Photoresistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung eines Photoresistmusters mit hohem Seitenverhältnis
DE10118976B4 (de) Photoresist-Zusammensetzung für ein Resist-Fließverfahren und Verfahren zur Bildung eines Kontaktlochs unter Verwendung desselben
DE10120675B4 (de) Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
DE10120659B4 (de) Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
DE10131144B4 (de) Verstärkung von Resiststrukturen aus fluorierten Resistpolymeren durch strukturelles Aufwachsen der Strukturen mittels gezieltem chemischem Anbinden von fluorierten Oligomeren
DE19843089A1 (de) Auflösungsinhibitor eines chemisch verstärkten Photoresists und diesen enthaltende Photoresistzusammensetzung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: G03F 738

8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee