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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht.
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In
der Halbleitertechnologie spielen photolithographische Verfahren
zur Erzeugung integrierter Schaltungen auf einem Halbleitersubstrat
eine zentrale Rolle. Dabei wird eine strahlungsempfindliche Resistschicht
auf der Oberfläche
der zu strukturierenden Schicht eines Substrats aufgebracht und
in ausgesuchten Bereichen mit Licht geeigneter Wellenlängen bestrahlt.
Anschließend
wird beispielsweise nur der bestrahlte Bereich der Photoresistschicht durch
einen geeigneten Entwickler von dem Substrat entfernt. Dabei entspricht
das so in der Photoresistschicht erzeugte Muster dem Muster, das
in einem weiteren Prozessschritt, z.B. einer Ätzung oder einer Ionenimplantation,
in die unter der Photoresistschicht liegende, zu strukturierende
Substratschicht übertragen
werden soll. In diesem anschließenden
Prozessschritt dient die entwickelte Photoresistschicht somit als
Maske, die eine Materialveränderung,
z.B. einen Materialabtrag, in den durch sie abgedeckten Bereichen
der Substratschicht verhindert. Nach dem strukturierenden Prozessschritt
wird die Photoresistmaske wieder entfernt, die somit nicht Bestandteil
der integrierten Schaltung wird.
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Als
Photolacke bzw. Photoresists haben sich dabei Lacke aus der Klasse
der chemisch verstärkten Resists
(chemical amplification resist; CAR) besonders bewährt. Chemisch
verstärkte
Resists sind dadurch charakterisiert, dass sie einen Photosäuregenerator,
d.h. eine photosensitive Verbindung, beinhalten, der bei Bestrahlung
mit Licht eine Protonensäure
generiert. Diese Protonensäure
löst dann,
gegebenenfalls unter thermischer Behandlung des Resists, säure-katalysierte
Reaktionen in dem Basispolymer des Resists aus. Durch die Präsenz des
Photosäuregenerators
wird die Sensitivität
des Photoresist verglichen mit konventionellen Photoresist wesentlich
erhöht.
Eine Übersicht
zu diesem Thema gibt H.Ito in Solid State Technology, Juli 1996
S. 164 ff.
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Das
Prinzip der chemischen Verstärkung
hat sowohl bei den naß entwickelbaren
Einlagenresists als auch bei den ganz oder teilweise trocken entwickelbaren
Zweilagenresistsystemen breite Anwendung gefunden. Im Falle der
Positivresists wird die unterschiedliche Löslichkeit des belichteten und
des unbelichteten Photoresists mittels dem Prinzip der säurekatalysierten
Spaltung bewerkstelligt. Dabei wird aus einer unpolaren Molekülgruppe
des schichtbildenden Polymers, z.B. einer Carbonsäure-tert.-butylestergruppe,
in Gegenwart einer photolytisch erzeugten Säure, gegebenenfalls in einem
Heizschritt, eine polare Molekülgruppe,
beispielsweise eine Carbonsäuregruppe,
gebildet. Weitere Beispiele für
unpolare „blockierte" Gruppen, die durch
säurekatalysierte
Reaktionen in korrespondierende polare Gruppen umgewandelt werden
können,
sind die tert.-Butoxycarbonyloxy- (tBOC) oder Acetalgruppen. Durch die
Umwandlung der unpolaren Gruppe in die korrespondierende polare
Gruppe erfährt
der Resist in den zuvor bestrahlten Bereichen eine Änderung
in der Polarität,
wodurch dieser in dem polaren, wässrig-alkalischen
Entwickler löslich
werden. Dadurch können die
belichteten Bereiche des Photoresists selektiv durch den Entwickler
entfernt wird. Die Lackreste in den unbelichteten, unpolaren Bereichen
definieren somit geometrisch ein Resistprofil, bzw. eine Resiststruktur,
auf dem Substrat, das in folgenden Prozessschritten als Maske zur
Oberflächenstrukturierung dient.
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Aufgrund
der immer höher
werdenden Integrationsdichte in der Halbleitertechnologie ist die
Genauigkeit, mit der das Resistprofil nach der Entwicklung auf einer
zu strukturierenden Oberfläche
erzeugt werden kann, von entscheidender Bedeutung. Das Resistprofil
wird zum einen während
der Belichtung durch die Lichtverteilung physikalisch eindeutig vordefiniert.
Zum anderen wird es durch die Verteilung der durch die Belichtung
photochemisch erzeugten Komponenten chemisch in die Resistschicht übertragen.
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Aufgrund
der physikalisch-chemischen Eigenschaften der Resistmaterialien
ist jedoch eine völlig
unverfälschte Übertragung
des durch die Lithographiemaske vorgegebenen Musters in das Resistprofil
nicht möglich.
Hier spielen insbesondere Interferenzeffekte und Lichtstreuung in
dem Photoresist eine große
Rolle. Aber auch die der Belichtung folgenden Schritte, wie z.B.
die Entwicklung, haben zusätzlich
einen großen
Einfluß auf
die Qualität
der Resistprofile. Die Qualität
der Resistprofile wird wesentlich durch die Profilflanken bestimmt.
Um in den nachfolgenden Prozeßschritten
eine möglichst
präzise
Oberflächenstrukturierung
zu erzielen, wäre
es ideal, wenn nach der Entwicklung des Photoresists nahezu senkrechte,
glatte Profilflanken im Resistprofil erhalten werden könnten.
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Negativ
auf die zu erreichende Steilheit der Profilflanken wirkt sich das
Lichtintensitätsprofil
aus, das sich bei der Belichtung im Photolack einstellt. Dieses
charakteristische Intensitätsprofil,
das auch „areal
image" genannt wird,
ist auf die im Lack bei der Belichtung auftretende Lichtstreuung
und Lichtabsorbtion zurückzuführen. Da
der Photolack einen gewissen Anteil der einfallenden Strahlung absorbiert, nimmt
die beobachtete Strahlungsintesität mit zunehmender Schichtdicke
im Photolack ab. Folglich sind die oberflächennahen Bereiche der Photoresistschicht
stärker
belichtet. Im Falle eines Positivresists sind somit die oberflächennahen
Bereiche stärker löslich als
die oberflächenfernen
Bereiche. Die unterschiedliche Löslichkeit
innerhalb eines belichteten Bereichs des Resists führt bei
Positivresists oft zu einer Abflachung und nur unscharfen Definition
der Profilflanken. Das Lichtintensitätsprofil im Photolack beschreibt
die Verteilung einer photochemisch verändeten Spezies, z.B. bei einem
Positivresist die Verteilung der photolytisch erzeugten Säure im Photolack.
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Für den Strukturtransfer
von der Photomaske in die darunterliegende, zu strukturierende Schicht ist
die Qualität
und die Steilheit der Resistprofile von entscheidender Bedeutung.
Ein bekannter Lösungsansatz,
um die Qualität
von Resistprofilen in Positivresists zu verbessern, ist in der europäischen Patentanmeldung
EP-0,962,825A1 beschrieben. Dort wird eine verbesserte Steilheit
der Resistflanken dadurch erreicht, dass dem Photoresist zwei photochemisch aktive
Additive zugesetzt werden, die durch Strahlung in jeweils unterschiedlichen
Wellenlängenbereichen
aktiviert werden.
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Zum
einen enthält
der Photoresist einen Photosäuregenerator,
der, wie oben bereits beschrieben, bei Bestrahlung mit Licht eines
definierten Wellenlängenbereichs
eine Säure
freisetzt, die dann die Reaktion der umwandelbaren unpolaren Gruppen des
schichtbildenenden Polymers des Photoresists zu Carbonsäuregruppen
katalysiert und somit die Löslichkeit
des Photoresists in dem polaren Entwickler bewirkt.
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Zum
anderen enthält
der Photoresist als zweites photochemisches Additiv ein Quervernetzungsreagenz,
das eine Erniedrigung der Löslichkeit des
Photoresist bewirkt. Dieses Quervernetzungsreagenz wird ebenfalls
durch Strahlung aktiviert, wobei die dazu verwendete Strahlung von
der zur Aktivierung des Photosäuregenerators
verwendeten Strahlung verschieden ist.
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In
einem ersten Strukturierungsbelichtungschritt wird in diesem Verfahren
der Photosäuregenerator
in den durch das Maskenlayout festgelegten Bereichen aktiviert.
In einem anschließenden,
zweiten Flutbelichtungsschritt wird die gesamte Photoresistschicht
ohne Verwendung einer Photomaske belichtet und somit das Quervernetzungsreagenz über die gesamte
Fläche
der Photoresistschicht photochemisch aktiviert. Durch die damit
ausgelöste
chemische Quervernetzung des Photoresists wird dessen Löslichkeit
reduziert. Da die oberflächennahen
Bereiche des Photoresists stärker
belichtet werden, sind diese stärker
quervenetzt und damit unlöslicher
als die oberflächenfernen
Bereiche. Durch diese selektive Löslichkeitsmodifikation in dem
Photoreist wird eine erhöhte
Entwicklerselektivität
im wäßrigen Entwickler
erreicht, wodurch steilere Resistprofilflanken erreicht werden.
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Allerdings
weist dieser Lösungsansatz
einen entscheidenden Nachteil auf, da die Quervernetzungsreaktion
zur Bildung eines dreidimensionalen Netzpolymers insbesondere in
den oberflächennahen
Bereichen des Photoresist führt.
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Dieses
Netzpolymer weist ein gegenüber dem
ursprünglichen,
linearen schichtbildenden Polymer ein verändertes Entwicklungsverhalten
auf, was zu "rauhen", d.h. ungenau definierten,
z.B. ausgefransten Profilflanken führt. Diese Rauhigkeit erschwert
die nachfolgenden Prozessschritte, wie z.B. die Substratätzung. Darüber hinaus
erfordert dieses Verfahren den Einsatz zweier unterschiedlicher
photochemisch aktiver Verbindungen, die sowohl aufeinander als auch
auf das Basispolymer abgestimmt werden müssen.
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Daneben
offenbart die US Patentschrift 6,218,082 B1 ein Verfahren zur Strukturierung
einer ein Photolackschicht, bei dem ein Substrat mit einer darauf
befindlichen Schicht eines chemisch verstärkten Photolacks bereitgestellt
wird. Dabei basiert der chemisch verstärkte Photolack (Photoresist)
auf einem Novolack-Harz. Novolacke verkörpern Phenol-Formaldeyd-Polymere, deren Verwendung
sich in der Mikroelektronik als sog. Photoresiste etabliert hat.
Daneben enthält
der chemisch verstärkte
Photoresist einen Photosäuregenerator,
einen Sensibilisator sowie einen Lösungsinhibitor.
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Nach
der Belichtung der Photolackschicht in den gewünschten Teilbereichen wird
diese mit einer gasförmigen
Base (Ammoniak) in Kontakt gebracht, erhitzt und anschließend entwickelt.
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Der
Nachteil dieses Verfahrens besteht somit darin, dass der Photoresist – wie oben
beschrieben – mehrere
Komponenten enthält,
die bei ihrer Verwendung aufeinander abgestimmt werden müssen.
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Der
vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
zur Strukturierung einer Photolackschicht bereitzustellen, welches
die oben beschriebenen Nachteile verringert bzw. ganz vermeidet.
Insbesondere ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein
Verfahren bereitzustellen, mit dem eine hohe Übertragungsgenauigkeit der durch
die Lithographiemaske vorgegeben Struktur in eine Photolackschicht
erreicht wird.
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Diese
Aufgabe wird von dem Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
gemäß dem Patentanspruch
1 gelöst.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen,
Ausgestaltungen und Aspekte der vorliegenden Erfindung ergeben sich
aus den abhängigen
Patentansprüchen
und der Beschreibung.
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Erfindungsgemäß wird ein
Verfahren zum Strukturieren einer Photolackschicht bereitgestellt, das
die folgenden Schritte umfaßt:
Ein Substrat wird bereitgestellt, auf dem zumindest in Teilbereichen eine
Photolackschicht aufgebracht ist. Die Photolackschicht umfaßt ein filmbildendes
Polymer, das Molekülgruppen
aufweist, die durch sauer katalysierte Abspaltungsreaktionen in
alkalilösliche
Gruppen überführt werden
können.
Weiterhin umfaßt
das Polymer einen Photosäuregenerator,
der bei Bestrahlung mit Licht aus einem definierten Wellenlängenbereich eine
Säure freisetzt.
Die Photolackschicht wird in Teilbereichen mit Licht aus dem definierten
Wellenbereich bestrahlt. Die Photolackschicht wird über einen bestimmten
Zeitraum mit einem eine Base umfassenden Gas in Kontakt gebracht,
wobei die Base in die Photolacklackschicht diffundiert und wobei
die Base ausgewählt
ist aus der Gruppe umfassend Ammoniak, Methylamin, Ethylamin, Dimethylamin und/oder
Diethylamin. Dabei ist es unerheblich, ob die Photolackschicht nach
der Bestrahlung mit der Base in Kontakt gebracht wird, oder ob dies
vor der Bestrahlung erfolgt. Anschließend wird die Photolackschicht
auf eine Temperatur erhitzt, bei der die durch die photolytisch
erzeugte Säure
katalysierte Abspaltungsreaktion erfolgt. Anschließend wird
die Photolackschicht entwickelt.
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Der
Begriff „alkalilösliche Gruppen" umfaßt im Rahmen
dieser Erfindung alle Gruppen, welche die Löslichkeit des filmbildenden
Polymers in alkalischen Lösungen
erhöhen.
Unter diesen Begriff fallen somit insbesondere polare, funktionelle
Gruppen, wie z.B. Carboxyl-, Hydroxyl- und Carboxamidgruppen, oder
Gruppen, die diese funktionellen Gruppen aufweisen.
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Weiterhin
sind unter diesem Begriff solche Gruppen zu verstehen, die nicht
nur zu einer erhöhten
Alkalilöslichkeit
des Polymers beitragen, sondern auch solche, die zusätzlich noch
die Transparenz des Polymers – und
damit der Photolackschicht – für Licht mit
sehr kurzen Wellenlängen
erhöhen.
Dies kann dadurch erreicht werden, dass diese Gruppen teilweise
oder ganz fluoriert sind. Eine geeignete Gruppe ist z.B. die 1,1,1,3,3,3,-Hexaflouro-2-hydroxyisopropylgruppe,
durch die die Transparenz des Polymers bei einer Wellenlänge von
157 nm erhöht
wird.
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Unter
Molekülgruppen,
die durch sauer katalysierte Abspaltungsreaktionen in alkalilöslichen Gruppen überführt werden
können,
sind säurelabile Gruppen
zu verstehen, die eine nur geringe Alkalilöslichkeit besitzen und durch
die Einwirkung von Säuren,
gegebenenfalls bei gleichzeitiger Temperaturbehandlung, ein Molekülfragment
abspalten, wobei die alkalilöslichen
Gruppen am oder in dem Polymer freigesetzt werden. Unter diesen
Begriff fallen somit säurelabile
Schutzgruppen wie sie regelmäßig bei
Positivresists zum Einsatz kommen. Dabei können alle gängigen säurelabilen Schutzgruppen zum
Einsatz kommen, wie z.B. Ettergruppen, Ethergruppen, cyclische oder
acyclische Acetalgruppen, cyclische oder acyclische Ketalgruppen,
Silylether oder auch Cyanhydrine. Beispiele geeigneter Schutzgruppen
sind z.B. in den US-Patentschriften 5,932,391 A oder 6,114,086 A
aufgeführt.
In diesem Sinn ist auch der Begriff „durch die photolytisch erzeugte
Säure katalysierte
Abspaltungsreaktion" zu
verstehen, d.h. daß die
Abspaltungsreaktion unter Einwirkung der photolytisch freigesetzten
Säure erfolgt.
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Besonders
bevorzugte Molekülgruppen
in der vorliegenden Erfindung sind Ethergruppen ausgewählt aus
der Gruppe bestehend aus tert.-Alkylethern, insbesondere tert.-Butylether; Tetrahydrofuranylether
und/oder Tetrahydropyranylether. Weiterhin bevorzugt ist die Verwendung
von Carboxylsäureestern
ausgewählt
aus der Gruppe bestehend aus tert.-Alkylcarbonsäureestern, bzw. Carbonsäure-tert.-Alkylester,
insbesondere tert.-Butylcarbonsäureester,
bzw. Carbonsäure-tert.-Butylester,
Tetrahydrofuranylcarbonsäureester,
bzw. Carbonsäuretetrahydrofuranylester
und/oder Tetrahydropyranylcarbonsäureester, bzw. Carbonsäuretetrahydropyranylester.
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Ebenfalls
bevorzugt ist die Verwendung von Polymeren umfassend Molekülgruppen
gemäß Formel
II
wobei R
1 ausgewählt ist
aus der Gruppe bestehend aus tert.-Alkyl-, insbesondere tert.-Butyl-,
Tetrahydrofuranyl-, Tetrahydropyranyl-, tert.-Butoxycarbonyloxy-
oder Acetalgruppen.
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In
einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens
sind die Molekülgruppen
in dem Polymer, welche die sauer katalysierten Abspaltungsreaktionen
eingehen können,
Gruppen mit der Struktur gemäß Formel
III, IV oder V
wobei R
1,
R
2, und R
3 unabhängig voneinander
ausgewählt
sind aus der Gruppe umfassend Methyl, Ethyl, Propyl und Butyl und
vorzugsweise R
1, R
2 und
R
3 Methyl sind und R
4,
R
5 und R
6 unabhängig voneinander ausgewählt sind
aus der Gruppe umfassend Wasserstoff, Methyl, Ethyl, Propyl und
Butyl, mit der Bedingung, dass nur R
4 oder
R
5 Wasserstoff sein kann und R
6 nicht
Wasserstoff ist.
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Neben
den säurelabilen
Gruppen können weitere
Gruppen im Polymer vorhanden sein, welche die lithographischen Eigenschaften
oder die Ätzresistenz
des Photolacks verbessern. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung weist das Polymer zusätzlich noch weitere reaktive
Gruppen, wie z.B. Anhydrid- oder Succinanhydridgruppen, auf. Diese
reaktiven Gruppen ermöglichen
eine nachträgliche
chemische Behandlung der Resiststrukturen.
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Für die vorliegende
Erfindung ist die Natur der Hauptkette des filmbildenden Polymers
von geringer Bedeutung. In Frage kommen somit alle regelmäßig in Photoresists
zum Einsatz kommenden Polymertypen. Geeignet sind z.B. Polymere
mit reinen Kohlenstoffhauptketten, die z.B. durch Polymerisation
von ungesättigten
Monomeren wie Styrolen, Acrylaten oder Methacrylaten erhalten werden
können.
Ebenfalls geeignet sind Polymere mit Heteroatomen in den Hauptketten,
wie z.B. Polysiloxane, Polyether oder Polyester. Die Hauptkette
kann dabei zur Verbesserung der Transparenz des Polymers bei niedrigen
Wellenlängen
teilweise oder ganz aus fluorierten Bausteinen aufgebaut sein.
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In
einer vorteilhaften Ausführungsform
der Erfindung wird die Photolackschicht dadurch auf dem Substrat aufgebracht,
dass eine Lösung
umfassend ein Lösemittel,
das filmbildende Polymer und den Photosäuregenerator auf das Substrat
aufgetragen und anschließend
das Lösungsmittel
zumindest teilweise verdampft wird. In einer besonders bevorzugten
Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens
wird die Photolackschicht auf das Substrat aufgeschleudert. Als
Lösemittel
können
alle gängigen
Photolacklösemittel
oder deren Gemische verwendet werden, die in der Lage sind, die
Resistkomponenten in einer klaren, partikelfreien und lagerstabilen
Lösung
aufzunehmen und bei der Beschichtung des Substrats eine gute Schichtqualität zu gewährleisten.
Besonders bevorzugt für
das erfindungsgemäße Verfahren
sind Lösemittel
ausgewählt
aus der Gruppe bestehend aus 1-Methoxy-2-propylacetat, Cyclopentanon, Cyclohexanon,
Butyrolacton, Ethylacetat oder Mischungen aus mindestens zwei der
vorgenannten Lösemittel.
Besonders bevorzugt ist 1-Methoxy-2-propylacetat als Lösemittel.
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Das
Lösemittel
wird vorzugsweise bei Temperaturen zwischen 60 bis 160 °C verdampft.
In diesem sogenannten „Prebake"-Heizschritt wird
das Lösemittel
vorzugsweise vollständig
aus dem Photolack getrieben.
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Zum
Aufbringen der Photolackschicht auf das Substrat werden in vorteilhaften
Varianten der vorliegenden Erfindung Lösungen verwendet, die 1 bis
50 Gew.-%, vorzugsweise 3 bis 20 Gew.-%, filmbildendes Polymer,
0,01 bis 10 Gew.-%, vorzugsweise 0,1 bis 1 %, Photosäuregenerator
und 50 bis 99 Gew.-%, vorzugsweise 88 bis 96 Gew.-%, Lösemittel umfassen.
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Als
weitere Komponenten kann die Lösung weitere
Additive enthalten, mit denen regelmäßig in Photolackschichten,
bzw. deren Lösungen,
eine Verbesserung der Lagerstabilität, des Standzeitverhaltens,
der Filmbildung, der Auflösung,
der Strahlungsempfindlichkeit oder anderer produkt- oder prozessverbessernder
Eigenschaften erreicht werden kann.
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Entscheidend
für das
erfindungsgemäße Verfahren
ist, dass die Photolackschicht vor dem Entwickeln und gegebenenfalls
vor einem zusätzlichen Heizschritt,
in dem die photolytisch erzeugte Säure die Abspaltungsreaktion
auslöst,
mit einem eine Base umfassenden Gas über einen bestimmten Zeitraum
in Kontakt gebracht wird, wobei die Base ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend
Ammoniak, Methylamin, Ethylamin, Dimethylamin und/oder Diethylamin.
Dabei kann das Gas nur aus der Base selbst bestehen oder zusammen
mit einem inertem Trägergas
verwendet werden. Zum Beispiel kann als Trägergas ein Edelgas, z.B. Helium
oder Argon, oder Stickstoff verwendet werden. Die Verwendung des basenhaltigen
Gases ermöglicht
eine besonders einfache Prozessführung,
da bei ihr das in Kontakt bringen der Photolackschicht mit der Base
durch einen einfachen Wechsel von einer Inertatmosphäre zu einer
basenhaltigen Atmosphäre
erreicht werden kann. Dies ist apparativ besonders einfach zu bewerkstelligen.
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Ohne
daran gebunden sein zu wollen, wird vermutet, daß sich die Base durch Diffusion
im wesentlichen in den oberflächennahen
Bereichen der Photolackschicht anreichert. Die Photolackschicht weist
somit über
ihre Dicke hinweg einen Konzentrationsgradient an Base auf, wobei
die Konzentration der Base mit zunehmender Schichttiefe abnimmt. Der
Zeitraum, über
den hinweg die Photolackschicht mit der Base in Kontakt gehalten
wird, ist dabei so zu wählen,
dass die photolytisch erzeugte oder erst noch zu erzeugende Säure durch
die Base zumindest teilweise, aber nicht vollständig, neutralisiert wird. Eine
Restlöslichkeit
der belichteteten oberflächennahen Bereiche
des Photoresists gegenüber dem
Entwickler muß noch
gegeben sein. Dabei kann die Diffusionsgeschwindigkeit der Base
in die Photolackschicht, die Konzentration des Photosäuregenerators
in der Photolackschicht, die Intensität der Bestrahlung, die Quantenausbeute
mit der der Zerfall des Photosäuregenerators
erfolgt und/oder die Diffusionsgeschwindigkeit der freigesetzten
Säure zur Resistoberfläche berücksichtigt
werden. Diese Faktoren können
aufeinander abgestellt werden. Die Base wirkt somit dem durch das
Absorptionsvermögen
des Photolacks verursachten Säuregradienten
in der Photolackschicht entgegen. In den oberflächennahen Bereichen der Photolackschicht
wird der Überschuß an Säure durch
die Base neutralisiert.
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Durch
diese selektive Neutralisationsreaktion wird für Positivresists das latente
Bild in der noch nicht entwickelten Photolackschicht verbessert,
d.h. die Verteilung der photochemisch erzeugten Säure entlang
der Belichtungskanten wird aufgesteilt. Dadurch wird nach dem Entwickeln
zum einen eine deutliche Aufsteilung der Resistprofile erreicht,
zum anderen wird die „Rauhigkeit" der Reisitflanken,
wie sie bei der zusätzlichen
Quervernetzung der oberflächennahen
Bereiche von Negativresists nach dem Entwickeln beobachtet wird,
vermieden.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens
wird die Photolackschicht nach der Belichtung und Basenbehandlung einem
Heizschritt unterzogen, bei dem die Photolackschicht auf eine Temperatur
erhitzt wird, bei der die durch die photolytisch erzeugte Säure katalysierte
Abspaltungsreaktion erfolgt. Vorzugsweise wird die Photolackschicht
auf eine Temperatur von 80 bis 250 °C erhitzt. Bei diesem Heizschritt
kann die freigesetzte Säure
mit den säurelabilen
Molekülgruppen
in dem filmbildenden Polymer reagieren und dadurch die alkalilöslichen
Gruppen an dem Polymer freisetzen. Dadurch nimmt die Löslichkeit
des Polmers gegenüber
alkalischen Lösungen
zu.
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Zum
Aktivieren des Photosäuregenerators, wird
die Photolackschicht in dem erfindungsgemäßen Verfahren vorzugsweise
mit Licht mit einer Wellenlänge
zwischen 150 bis 300 nm bestrahlt. Mit dieser DUW- bzw. VUV-Strahlung
(deep-ultra-violet
bzw. vacuum-ultra-violet) können
besonders feine Strukturen in der Photolackschicht erzeugt werden.
Alternativ kann aber auch längerwelliges
Licht eingesetzt werden, z.B. mit einer Wellenlänge von 300 bis 450 nm, vorzugsweise
350 bis 450 nm (near-ultra-violet). In beiden Fällen ist es besonders bevorzugt,
dass das Polymer eine der Bestrahlung zwischen 150 und 450 nm angepaßte Absorption
aufweist, so dass die Effektivität
des Photosäuregenerators
weiter erhöht wird.
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Als
Photosäuregeneratoren
können
prinzipiell alle Verbindungen eingesetzt werden, die bei Bestrahlung
eine Säure
freisetzten können.
Dabei ist in vorteilhaften Ausführungsformen
des erfindungsgemäßen Verfahrens
die Verwendung von Photosäuregeneratoren
ausgewählt
aus der Gruppe umfassend Oniumverbindungen, insbesondere Diphenyliodoniumtriflat
und Trisulfoniumnonasulfat, Nitrobenzylester, insbesondere 4-Nitrobenzyl-9,10-dimethoxyantracen-2-sulfonat,
Sulfone, insbesondere Phenylacylphenylsulfon, Phosphate, insbesondere
Triarylphosphate, N-Hydroxyimidsulfonate, insbesondere N-Hydroxyphtalimidmethansulfonat
und/oder Diazonaphtochinone, insbesondere 1-Oxo-2-Diazonaphtochinon-5-Arylsulfonat, bevorzugt.
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Zum
Entwickeln der belichteten Photolackschicht werden vorzugsweise
alkalische Lösungen verwendet.
Als Lösemittel
kommt hier vorzugsweise Wasser zum Einsatz. In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens
wird als Entwicklerlösung
eine Lösung
von 2,38 Gew.-% Tetramethylammoniumhydroxid in Wasser verwendet.
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Im
folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren
anhand eines Ausführungsbeispiels
verdeutlicht.
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Die
Photolackschicht vom Typ chemisch verstärkt wird auf das zu strukturierende
Substrat aufgeschleudert und in einem nachfolgenden Heizschritt (zwischen
60 und 160°C),
bei dem das Lösemittel verdampfen
kann, getrocknet. In der so erhaltenen festen Photolackschicht wird
anschließend
durch Bestrahlung der Photolackschicht mit Licht einer definierten
Wellenlänge
ein latentes Bild erzeugt. Die Strukturbelichtung erfolgt bei einer
Wellenlänge
von 248 nm durch eine Lithographiemaske.
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Durch
diese Belichtung wird die Säure
aus dem Photosäuregenerator
freigesetzt. Aufgrund der absorptionsbedingten Abschwächung der
Lichtintensität
innerhalb der Photolackschicht entsteht die unerwünschte Säureverteilung
innerhalb der Lackschicht. D.h. die Konzentration der Säure nimmt
mit zunehmendem Abstand zur Oberfläche der Photolackschicht kontinuierlich
ab.
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Um
dem entgegenzuwirken, wird die Photolackschicht anschließend mit
einem basenhaltigen Gas ausgesetzt, wobei die Base ausgewählt ist
aus der Gruppe umfassend Ammoniak, Methylamin, Ethylamin, Dimethylamin
und/oder Diethylamin. Dazu wird die bestehende Inertgasatmosphäre gegen
ein basenhaltiges Milieu ausgetauscht. Die Base diffundiert aus
dem Gas in die Photolackschicht ein. Dadurch stellt sich innerhalb
der Photolackschicht ein Basengradient ein, bei dem die Konzentration
der Base zur Oberfläche
der Photolackschicht hin zunimmt. Als Folge dessen wird die photolytisch
freigesetzte Säure
im oberflächennahen
Bereichen der Photolackschicht zu einem größeren Anteil neutralisiert
als in den tieferliegenden Bereichen dieser Schicht.
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Im
folgenden Heizschritt, dem sogenannten „Post-Exposure-Bake (PEB)", dessen Temperatur über der des ersten Heizschrittes
liegt (80 bis 250°C), werden
einerseits durch die bei der Strukturbelichtung erzeugte Säure die
funktionellen Schutzgruppen in dem filmbildenden Polymer gespalten,
andererseits wird die Säure
durch die Base neutralisiert. Zusätzlich wird durch den Heizschritt
die Diffusion der Base in die Polymerschicht erleichtert.
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In
den belichteten Bereichen wird der Resist somit gegenüber dem
alkalischen Entwickler löslich. Anschließend wird
die Photolackschicht z.B. mit einer 2,38 Gew.-%-igen wässrigen
Tetramethylammoniumhydroxid-Lösung
behandelt, wodurch die belichteten Bereiche der Photolackschicht
gelöst
und entfernt werden. Dadurch wird ein positives Reliefmuster in
der Photolackschicht erzeugt, d.h. die belichteten Bereiche der
Photolackmaske werden entfernt, während die unbelichteten Bereiche
zurückbleiben und
in einem folgenden Strukturierungschritt als schützende Maske dienen können.