KR20170018508A - 고분자 나노 구조체의 제조 방법 - Google Patents

고분자 나노 구조체의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고분자 나노 구조체의 제조 방법에 관한 것으로서, 나노 패턴 구조를 포함하는 마스터 몰드를 준비하는 단계, 광경화성 고분자 수지를 마스터 몰드의 나노 패턴 구조 표면에 도포하여 광경화성 고분자 수지층을 형성하는 단계, 광을 조사하여 상기 경화성 고분자 수지층을 경화하는 단계 및 상기 고분자 수지를 상기 마스터 몰드에서 분리하는 단계를 포함하는 고분자 나노 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 고분자 나노 구조체의 제조 방법은 고분자 수지층의 측면으로 광이 입사하도록 하여 고분자 수지층을 경화하여 나노 패턴 구조에 의한 광의 간섭 없이 고분자 수지를 균일하게 경화하여 정확하고 균일한 고분자 나노 구조체를 제조 할 수 있는 장점이 있다.

Description

고분자 나노 구조체의 제조 방법{manufacturing method of elastomeric nano structure}
본 발명은 고분자 나노 구조체의 제조 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 나노 패턴이 형성된 마스터 몰드에 광경화성 수지층을 형성하고 경화하고 마스터 몰드로부터 분리하여 제조할 수 있는 나노 패턴이 전사된 고분자 나노 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은 종래의 UV-NIL(Nanoimprint lithography) 공정을 나타낸 공정도로서, 1996년 Haisma등에 의하여 세계 최초로 제안되었다. 먼저 나노 구조가 각인된 투명재질의 스탬프를 제작하고 점착방지막을 처리한다. 그리고 기재 상에 프라이머(primer)층을 형성하고 그 위에 UV 경화성 수지를 도포한다. 이후 제작한 스탬프를 도포된 UV 경화 수지층에 완전히 균일하게 가압한 상태에서 UV를 조사하여 광경화 수지를 경화시키게 된다. 최종적으로 임프린트된 고분자 박막에 RIE(Reactive Ion Etching)공정을 거쳐 나노 구조물이 기재에 전사되게 된다. 이 과정을 UV-나노임프린트 리소그래피라고 한다. 하지만, 위 과정에서 한쪽 표면에 요철 모양의 주기적인 격자패턴 나노 구조가 형성된 투명한 UV-NIL 스탬프를 사용하여 빛을 통해 광 경화성 수지를 경화시킬 때 아래와 같은 문제점이 발생한다.
한쪽 표면에 요철 모양의 주기적인 나노 격자 패턴이 형성된 투명한 광학 부품을 위상 마스크(phase mask)라 하며, 이것에 빛을 조사하면 직진 방향으로 투과된 빛 이외에도 특정한 각도를 가지고 진행 모드의 1차, 2차, 및 고차 회절이 발생한다. 이렇게 회절된 빛들은 위상 마스크로부터 먼 거리에선 프라운호퍼 회절(Fraunhofer diffraction)로 수렴되지만, 마스크 표면으로부터 근접장(proximity-field) 이하의 가까운 거리에선 서로 중첩되어 간섭을 일으킨다. 이때 조사되는 빛의 파장이 위상 마스크의 격자 주기와 잘 커플링 되는 경우, 보강간섭 및 상쇄간섭을 통하여 주기적인 3차원적인 빛의 분포가 생기는 현상을 탈봇효과(Talbot effect) 또는 자기집속효과(self-focusing effect)라 한다.
주기적인 3차원 간섭 분포 중 빛의 투과 방향으로 형성된 주기성은 탈봇거리(Talbot distance) Z T 로 정의되며 다음과 같다.
Figure pat00001
이 식에서 λ는 입사하는 빛의 파장이고, p는 위상 마스크의 격자 주기이다. 즉, 탈봇거리는 입사하는 빛의 파장과 위상 마스크의 패턴 주기에 의해서 결정된다.
빛이 투명 재질의 마스터 몰드의 격자패턴 나노 구조를 통과하여 탈봇 효과로 인한 3차원적인 빛의 분포가 형성되기 때문에, 보강간섭으로 빛이 강하게 형성된 부분부터 선택적으로 고분자 재료의 가교반응이 일어나고 상대적으로 빛이 보강되지 않아 약한 부분은 경화시키고자 하는 고분자 재료에 노광량이 충분하지 못한 가교반응이 일어난다.
이와 같이, 광원방향을 기준으로 그 진행방향의 광원과 복제하려는 물질 사이에 투명한 주기적인 격자 패턴의 나노 구조가 형성된 스탬프 또는 마스터 몰드가 위치하는 경우, 탈봇효과 때문에 나노 구조를 균일하고 정확하게 복제할 수 없는 문제점이 있다.
도 2는 종래의 롤스템프를 이용한 나노임프린팅 리소그래피 장치를 나타낸 구성도이다. 투명한 롤형상의 스탬프를 광경화수지가 도포된 웨이퍼와 접촉시켜 회전시킴과 동시에 자외선 광을 조사함으로써 롤스탬프를 투과한 빛이 웨이퍼에 도포된 광경화수지에 조사되어 패턴을 성형토록 하여 대면적의 나노 패턴 성형이 가능하게 하며, 자외선 광을 이용함으로써, 상온, 저압상태에서도 나노 패턴을 성형할 수 있도록 하는 롤스탬프를 이용한 나노임프린팅 리소그래피 장치에 관한 것이다.
하지만, 롤스탬프를 이용한 나노임프린팅 리소그래피에서는 자외선이 선으로 조사되기 때문에 선 부분 이외의 다른 부분에서는 시간차 가교반응이 일어나서 정확하고 균일한 나노 구조 복제가 가능하지 않고, 자외선이 투명한 롤형상의 스탬프에 형성된 나노 구조 패턴을 투과하여 광경화 고분자 재료에 조사되기 때문에 빛의 보강간섭 및 상쇄간섭을 통하여 3차원 빛의 분포가 생기므로 고분자 재료의 국부적인 경화정도가 상이하며 이후 롤형상의 스탬프와 광경화수지의 이형이 제대로 이루어지지 않는 문제점이 있다.
따라서 광의 간섭 없이 고분자 수지를 균일하게 경화하여 정확하고 균일한 고분자 나노 구조체를 제조하는 방법에 관한 기술이 필요한 실정이다.
1. 한국등록특허 제0784826호
1. "UV-나노임프린트 리소그래피", 물리학과 첨단기술, 2-8, (2004)
본 발명은 상기와 같은 필요성에 따라 안출된 것으로서, 경화성 고분자 수지가 적층된 마스터 몰드의 측면으로 광을 입사하여 나노 패턴 구조에 의한 광의 간섭 없이 고분자 수지를 균일하게 경화하여 정확하고 균일한 고분자 나노 구조체를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 고분자 나노 구조체의 제조 방법은 요철 모양의 주기적인 나노 패턴 구조를 포함하는 마스터 몰드를 준비하는 단계, 광경화성 고분자 수지를 상기 마스터 몰드의 나노 패턴 구조 표면에 도포하여 광경화성 고분자 수지층을 형성하는 단계, 광을 조사하여 상기 고분자 수지층을 경화하는 단계 및 상기 고분자 수지층을 상기 마스터 몰드에서 분리하는 단계를 포함하되, 상기 고분자 수지층을 경화하는 단계는, 상기 고분자 수지층의 측면으로 광이 입사하도록 하여 나노 패턴 구조에 의한 광의 간섭 없이 고분자 수지를 균일하게 경화할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 고분자 수지층을 경화하는 단계는, 상기 고분자 수지층의 측면에서 광을 조사할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 고분자 수지층을 경화하는 단계는, 광을 반사시켜 상기 고분자 수지층의 측면에 간접적으로 광을 조사할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 간접적으로 광을 조사하는 단계는, 광원과 상기 마스터 몰드 사이 또는 광원과 상기 고분자 수지층 사이에 반사체를 설치하여 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 마스터 몰드는, 광이 반사되거나 흡수되는 불투명 마스터 몰드일 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 고분자 수지는 아크릴레이트(Acrylate)계, 에폭시(epoxy)계 및 이들의 혼합물중에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 고분자 수지층을 형성하는 단계는 낙하 주조(Drop casting), 닥터블레이드(Doctor blading), 딥 코팅(Dip coating), 스핀 코팅(Spin coating), 스크린 프린팅(Screen printing), 스프레이 코팅(Spray coating) 및 랑미어-블로젯 막(Langmuir-Blodgett film) 중에서 선택되는 적어도 하나에 의해 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 고분자 수지층을 형성하는 단계 이후에, 상기 고분자 수지층이 형성된 마스터 몰드의 상부면과 하부면에 광 차폐층을 설치하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 광 차폐층은, 광 흡수층 또는 광 반사층일 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 고분자 수지층을 형성하는 단계 이후에, 형성된 상기 고분자 수지층의 상부 면에 기판을 적층하여 가압하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 기판은, 광이 반사되거나 흡수되는 불투명 기판또는 투명한 기판 일 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 기판은, 금속, 세라믹, 고분자 또는 이들의 복합재료 일 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 가압하는 단계는 압연(Rolling), 마찰(Rubbing), 라미네이션(Lamination) 및 압착(Pressing) 중에서 선택되는 적어도 하나에 의해 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 고분자 나노 구조체의 제조 방법은 기판에 광경화성 고분자 수지를 도포하는 단계, 요철 모양의 주기적인 나노 패턴 구조를 포함하는 롤 형상의 마스터 몰드를 회전하여 요철면을 상기 기판에 접촉시키는 단계, 상기 요철면의 접촉과 동시에 광을 조사하여 상기 고분자 수지를 경화하는 단계 및 상기 마스터 몰드를 회전함으로써 경화된 상기 고분자 수지로부터 분리시키는 단계를 포함하되, 상기 고분자 수지를 경화하는 단계는, 상기 고분자 수지의 측면으로 광이 입사하도록 하여 나노 패턴 구조에 의한 광의 간섭 없이 고분자 수지를 균일하게 경화할 수 있다.
본 발명의 고분자 나노 구조체의 제조 방법은 마스터 몰드에 형성된 광경화성 고분자 수지층의 측면으로 광을 입사하여 나노 패턴 구조에 의한 광의 간섭 없이 고분자 수지를 균일하게 경화하여 정확하고 균일한 고분자 나노 구조체를 제조 할 수 있다.
또한 본 발명에 따르면 복제하려는 물질 측에서 광을 조사할 수 없는 경우에도 마스터 몰드의 나노 패턴 구조에 의한 광의 간섭 없이 나노 구조를 균일하고 정확하게 복제할 수 있다.
도 1은 종래의 UV-NIL(Nanoimprint lithography) 공정을 나타낸 공정도이다.
도 2는 종래의 롤스템프를 이용한 나노임프린팅 리소그래피 장치를 나타낸 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 고분자 나노 구조체의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 고분자 나노 구조체의 제조 방법을 나타내는 모식도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 차페층을 포함하는 고분자 나노 구조체의 제조 방법을 나타내는 모식도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사체를 포함하는 고분자 나노 구조체의 제조 방법을 나타내는 모식도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 고분자 나노 구조체의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
이하 본 발명의 실시를 위한 구체적인 실시예를 도면을 참고하여 설명한다. 예시된 도면은 발명의 명확성을 위하여 핵심적인 내용만 확대 도시하고 부수적인 것은 생략하였으므로 도면에 한정하여 해석하여서는 아니 된다.
도 3은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 고분자 나노 구조체의 제조 방법을 나타내는 순서도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 고분자 나노 구조체의 제조 방법을 나타내는 모식도이다.
본 발명에 따른 고분자 나노 구조체의 제조 방법은 마스터 몰드 준비단계(S110), 경화성 고분자 수지층 형성단계(S120), 고분자 수지층 경화단계(S130) 및 마스터 몰드 분리단계(S140)를 포함한다.
상기 마스터 몰드 준비단계(S110)는 요철 모양의 주기적인 나노 패턴 구조를 포함하는 마스터 몰드(10)를 준비하는 단계이다.
상기 마스터 몰드(10)는 투명 금속(Transparent metal), 투명 필름(Transparent film), 투명 유리(Transparent glass), 투명 고분자(Transparent polymer), 투명 세라믹(Transparent ceramic) 및 이들의 복합재료 중에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다. 특히, 투명 고분자는 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate; PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate; PEN), 폴리에테르술폰(Polyehtersulfone; PES) 또는 폴리이미드 (Polyimide; PI)와 같은 투명 플라스틱을 포함할 수 있다.
또한 상기 마스터 몰드(10)는, 광이 반사되거나 흡수되는 불투명 마스터 몰드일 수 있다. 상기 불투명 마스터 몰드(10)는, 불투명 금속(Opaque metal), 불투명 필름(Opaque film), 불투명 유리(Opaque glass), 불투명 고분자(Opaque polymer), 불투명 세라믹(Opaque ceramic) 및 이들의 복합재료 중에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다.
본 발명에 따르면 고분자 수지층의 측면으로 광이 입사하도록 함으로써 마스터 몰드가 불투명하여 마스터 몰드 측에서 광을 조사할 없는 경우에도 정확하고 균일한 고분자 나노 구조체를 제조 할 수 있다.
상기 고분자 수지층 형성 단계(S120)는 마스터 몰드의 나노 패턴 구조 표면에 광경화성 고분자 수지(20)를 도포하여 형성하는 단계이다. 상기 고분자 수지(20)는 UV 경화성 수지로서, 아크릴레이트(Acrylate)계, 에폭시(epoxy)계 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다. 특히, 상기 고분자 수지는 베이스 수지 뿐만 아니라 반응성 희석제, 첨가제, 광중합 개시제와 같은 유기물을 추가적으로 포함할 수 있다.
상기 고분자 수지층을 형성하는 단계는 낙하 주조(Drop casting), 닥터블레이드(Doctor blading), 딥 코팅(Dip coating), 스핀 코팅(Spin coating), 스크린 프린팅(Screen printing), 스프레이 코팅(Spray coating) 및 랑미어-블로젯 막(Langmuir-Blodgett film) 중에서 선택되는 적어도 하나에 의해 수행될 수 있다.
특히, 상기 고분자 수지층 형성단계(120) 이후에, 형성된 상기 고분자 수지층(20)의 상부 면에 기판(30)을 적층하여 가압하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 단계는 상기 고분자 수지층(20)의 충진 정도 및 기판의 필요 여부에 따라 생략이 가능하다.
상기 기판(30)은 투명 금속(Transparent metal), 투명 필름(Transparent film), 투명 유리(Transparent glass), 투명 고분자(Transparent polymer), 투명 세라믹(Transparent ceramic) 및 이들의 복합재료 중에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다.
또한 상기 기판(30)은, 광이 반사되거나 흡수되는 불투명 기판일 수 있다. 상기 불투명 기판은, 불투명 금속(Opaque metal), 불투명 필름(Opaque film), 불투명 유리(Opaque glass), 불투명 고분자(Opaque polymer), 불투명 세라믹(Opaque ceramic) 및 이들의 복합재료 중에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다.
본 발명에 따르면 고분자 수지층의 측면으로 광이 입사하도록 함으로써 기판이 불투명하여 기판 측에서 광을 조사할 수 없는 경우에도 정확하고 균일한 고분자 나노 구조체를 제조 할 수 있다.
상기 가압하는 단계는 압연(Rolling), 마찰(Rubbing), 라미네이션(Lamination) 및 압착(Pressing) 중에서 선택되는 적어도 하나에 의해 수행될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 차페층을 포함하는 고분자 나노 구조체의 제조 방법을 나타내는 모식도이다.
상기 고분자 수지층(20)을 형성하는 단계 이후에, 상기 고분자 수지층(20)이 형성된 마스터 몰드의 상부면과 하부면에 광 차폐층(40)을 설치하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 광 차폐층(40)은 경화하고자 하는 상기 고분자 수지층(20) 양쪽 바깥 면에 설치되어 상기 고분자 수지층(20)의 측면 이외로부터 입사하는 빛을 완전히 차폐할 수 있으며, 상기 광 차폐층은 광 흡수층 또는 광 반사층일 수 있다.
상기 고분자 수지 경화 단계(S130)는, 광을 조사하여 상기 고분자 수지층을 경화하는 단계로, 상기 고분자 수지층(20)의 측면으로 광이 입사하도록 할 수 있다.
탈봇효과(Talbot effect) 또는 자기집속효과(self-focusing effect)는 빛이 특정한 주기를 갖춘 돌출부 또는 격자구조를 투과할 때 회절된 빛들 간의 간섭으로 인해 생기는 광 보강, 상쇄패턴을 일컫는다. 탈봇효과로부터 발생하는 3차원 간섭 분포는 투명한 유리판을 통과하여 활성층 안에서 빛이 강하게 집중되는 핫 스팟(hot-spot)을 형성하므로 광원과 경화하고자 하는 고분자 재료 사이에 투명한 주기적인 격자 패턴의 나노 구조가 위치하는 경우 고분자 재료의 경화정도가 상이하여 균일하고 정확한 고분자 나노 구조체를 형성할 수 없는 문제점이 있다.
하지만, 본 발명에 따른 고분자 나노 구조체 제조 방법은 마스터 몰드(10)의 나노 패턴 구조 표면에 형성된 광경화성 고분자 수지층(20)의 측면으로 광이 입사하도록 하여 나노 패턴 구조에 의한 광의 간섭 없이 고분자 수지를 균일하게 경화할 수 있다.
또한, 도 4 및 도 5와 같이, 상기 고분자 수지층(20)의 측면에서 광을 조사할 수 있다. 이때 경화하고자 하는 고분자 수지층(20)의 측면에서 직접 광에 노출 시키므로 도 5(a) 및 (b)와 같이 적층되는 순서가 바뀌어도 고분자 나노 구조체 제조가 가능하다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사체를 포함하는 고분자 나노 구조체의 제조 방법을 나타내는 모식도로서, 상기 고분자 수지층(20)을 경화하는 단계는, 광을 반사시켜 상기 고분자 수지층(20)의 측면에 간접적으로 광을 조사할 수 있다.
이때, 상기 간접적으로 광을 조사하는 단계는, 광원과 상기 마스터 몰드(100 사이 또는 광원과 상기 고분자 수지층(20) 사이에 반사체(50)를 설치하여 수행될 수 있다.
상기 반사체(50)는 상기 마스터 몰드(10)의 상부 또는 하부에 위치한 광원에서 조사한 광의 광로를 변화시켜 상기 고분자 수지층(20)의 측면으로 광을 입사할 수 있으며, 상기 반사체(50)는 거울 또는 금속 등의 빛 반사체를 이용할 수 있다.
특히, 도 6(b)와 같이, 광원과 경화하고자 하는 고분자 재료 사이에 투명한 주기적인 격자 패턴의 나노 구조가 위치하는 경우, 마스터 몰드(10)의 상부에서 광을 조사함으로써 마스터 몰드를 투과하여 광이 고분자 재료에 입사하면 고분자 재료의 경화정도가 상이하여 균일하고 정확한 고분자 나노 구조체를 형성할 수 없다. 하지만, 광이 상기 고분자 수지층(20)의 측면으로 입사하도록 하면, 나노 패턴 구조에 의한 광의 간섭 없이 고분자 수지를 균일하게 경화할 수 있는 장점이 있다.
또한, 상기 마스터 몰드(10) 및/또는 상기 기판(30)이 광이 반사되거나 흡수되는 불투명 재질인 경우에도 광량이 미흡하여 상기 고분자 수지층(20)의 경화가 어렵다. 하지만, 상기 고분자 수지층(20)의 측면으로 광이 입사하도록 하면, 불투명 재질의 마스터 몰드(10) 및/또는 기판(30)이 광 차폐층의 역할을 하여 경화정도가 균일하고 정확한 고분자 나노 구조체를 형성할 수 있다.
상기 마스터 몰드 분리단계(S140)는 상기 고분자 수지층(20)을 상기 마스터 몰드(10)에서 분리하여, 주기적인 나노 패턴 구조의 요철부를 형성하는 단계이다. 이에 따라, 상기 고분자 수지 구조체의 일면은 상기 실리콘 마스터의 요철부에 대응하는 돌출부를 구비할 수 있으며, 이후 분리된 상기 마스터 몰드(10)는 고분자 나노 구조체를 반복 제작하는데 활용될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 고분자 나노 구조체의 제조 방법을 나타내는 순서도이다. 이는 롤 형태의 마스터 몰드를 이용한 고분자 나노 구조체의 제조 방법으로서, 고분자 수지 도포단계(S210), 마스터 몰드 접촉단계(S220), 고분자 수지 경화단계(S230) 및 마스터 몰드 분리단계(S240)를 포함할 수 있다.
상기 고분자 수지 도포 단계(S210)는 기판에 경화성 고분자 수지를 도포하는 단계이고, 상기 마스터 몰드 접촉 단계(S220)는 요철 모양의 주기적인 나노 패턴 구조를 포함하는 롤 형상의 마스터 몰드를 회전하여 요철면을 상기 기판에 접촉시키는 단계이다.
상기 고분자 수지 경화 단계(S230)는 상기 요철면의 접촉과 동시에 광을 조사하여 상기 고분자 수지를 경화하는 단계로서, 상기 경화성 고분자 수지의 측면으로 광이 입사하도록 할 수 있다.
자외선 광이 투명한 롤 형상의 마스터 몰드에 형성된 나노구조 패턴을 투과하여 광 경화수지가 도포된 기판에 조사되는 경우, 빛의 보강간섭 및 상쇄간섭을 통하여 3차원 빛의 분포가 생긴다. 이로 인하여 고분자 재료의 경화정도가 상이하며 이후 롤형상의 스탬프와 광경화수지의 이형이 제대로 이루어지지 않는 문제점이 있다. 따라서 상기 고분자 수지의 측면으로 광이 입사하도록 하여 나노 패턴 구조에 의한 광의 간섭 없이 고분자 수지를 균일하게 경화할 수 있다.
상기 마스터 몰드 분리 단계(S240)는 상기 마스터 몰드를 회전함으로써 경화된 상기 고분자 수지로부터 분리하는 단계이다. 롤 형상의 마스터 몰드를 이용하여 대면적의 나노패턴 성형이 가능한 동시에, 나노 패턴 구조에 의한 광의 간섭 없이 고분자 수지를 균일하게 경화하여 고분자 나노 구조체를 제조할 수 있다.
이상에서는 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10: 마스터 몰드 20: 고분자 수지층
30: 투명 기판 40: 광 차폐층
50: 반사체

Claims (10)

  1. 요철 모양의 주기적인 나노 패턴 구조를 포함하는 마스터 몰드를 준비하는 단계;
    광경화성 고분자 수지를 상기 마스터 몰드의 나노 패턴 구조 표면에 도포하여 광경화성 고분자 수지층을 형성하는 단계;
    광을 조사하여 상기 고분자 수지층을 경화하는 단계; 및
    상기 고분자 수지층을 상기 마스터 몰드에서 분리하는 단계를 포함하되,
    상기 고분자 수지층을 경화하는 단계는, 상기 고분자 수지층의 측면으로 광이 입사하도록 하여 나노 패턴 구조에 의한 광의 간섭 없이 고분자 수지를 균일하게 경화하는 고분자 나노 구조체의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 수지층을 경화하는 단계는, 상기 고분자 수지층의 측면에서 광을 조사하는 고분자 나노 구조체의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 수지층을 경화하는 단계는, 광을 반사시켜 상기 고분자 수지층의 측면에 간접적으로 광을 조사하는 고분자 나노 구조체의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 간접적으로 광을 조사하는 단계는, 광원과 상기 마스터 몰드 사이 또는 광원과 상기 고분자 수지층 사이에 반사체를 설치하여 수행되는 고분자 나노 구조체의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 마스터 몰드는, 광이 반사되거나 흡수되는 불투명 마스터 몰드인 고분자 나노 구조체의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 수지층을 형성하는 단계 이후에,
    상기 고분자 수지층이 형성된 마스터 몰드의 상부면과 하부면에 광 차폐층을 설치하는 단계를 더 포함하는 고분자 나노 구조체의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 광 차폐층은, 광 흡수층 또는 광 반사층인 고분자 나노 구조체의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 수지층을 형성하는 단계 이후에,
    형성된 상기 고분자 수지층의 상부 면에 기판을 적층하여 가압하는 단계를 더 포함하는 고분자 나노 구조체의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기판은, 광이 반사되거나 흡수되는 불투명 기판인 고분자 나노 구조체의 제조 방법.
  10. 기판에 광경화성 고분자 수지를 도포하는 단계;
    요철 모양의 주기적인 나노 패턴 구조를 포함하는 롤 형상의 마스터 몰드를 회전하여 요철면을 상기 기판에 접촉시키는 단계;
    상기 요철면의 접촉과 동시에 광을 조사하여 상기 고분자 수지를 경화하는 단계; 및
    상기 마스터 몰드를 회전함으로써 경화된 상기 고분자 수지로부터 분리시키는 단계를 포함하되,
    상기 고분자 수지를 경화하는 단계는, 상기 고분자 수지의 측면으로 광이 입사하도록 하여 나노 패턴 구조에 의한 광의 간섭 없이 고분자 수지를 균일하게 경화하는 고분자 나노 구조체의 제조 방법.
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