JP4595548B2 - マスク基板及びマイクロレンズの製造方法 - Google Patents

マスク基板及びマイクロレンズの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4595548B2
JP4595548B2 JP2005007795A JP2005007795A JP4595548B2 JP 4595548 B2 JP4595548 B2 JP 4595548B2 JP 2005007795 A JP2005007795 A JP 2005007795A JP 2005007795 A JP2005007795 A JP 2005007795A JP 4595548 B2 JP4595548 B2 JP 4595548B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
gray scale
resist
microlens
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005007795A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006195252A (ja
Inventor
和之 滝沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2005007795A priority Critical patent/JP4595548B2/ja
Publication of JP2006195252A publication Critical patent/JP2006195252A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4595548B2 publication Critical patent/JP4595548B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明は、グレースケールマスクを有するマスク基板、及びこのマスク基板を使用したマイクロレンズの製造方法に関するものである。
シリンドリカルレンズアレイ、マイクロレンズアレイ、フライアイレンズ等の光学素子は、ディジタルカメラ、光通信分野を中心に実用化され、益々使用範囲が拡大しており、エキシマレーザを光源とする露光装置の光源用のインテグレータとしても使用されている。従来、このようなマイクロレンズの製造方法として、特開平9−008266号公報(特許文献1)に開示されているような、光リソグラフィを使用した方法が知られている。
これらの方法においては、通常のフォトマスクを用い、マスクにマイクロレンズに対応するパターンを形成し、光学基材表面に塗布されたレジストを感光させて現像することにより、レジストの立体矩形パターンを製作する。そして、このレジストの立体矩形パターンを熱フローによりレンズ(曲面)形状に変形させてマイクロレンズを形成するものである。さらに、必要に応じ、このレンズ形状となったレジストを光学基材と共にエッチングすることにより、レンズ形状のレジストのパターンを光学基材に転写し、光学基材からなるマイクロレンズを形成している。
近年、これとは全く別の原理に基づくマイクロレンズの製造方法が開発され、特開2003−107209号公報(特許文献2)に開示されている。これは、グレースケールマスク(アナログ的とみなせる光透過率の変化を有するマスク)を使用して光学基材の表面に形成されたレジストを感光させ、レジストを現像することによって、グレースケールに応じた形状の、立体的なレジストパターンを形成し、それをマイクロレンズとするか、あるいは前述のように、さらにレンズ形状となったレジストを光学基材と共にエッチングすることにより、レンズ形状のレジストのパターンを光学基材に転写し、光学基材からなるマイクロレンズを形成するものである。
なお、光学素子の中には、レジストの形状に光学的な機能を持たせたものも存在する。このような光学素子は、レンズ形状となったレジストを光学基材と共にエッチングする前の工程で完成品とするものである。このような光学素子はフォトレジスト光学素子と呼ばれ、レンズはフォトレジストレンズと呼ばれている。後に述べるように、本発明は、このようなものをも対象とするものである。
特開平9−008266号公報 特開2003−107209号公報
以上説明したようなグレースケールマスクを使用して製造したフォトレジストレンズ、又はグレースケールマスクを使用してフォトレジストを所定の形状に形成し、エッチングによりその形状を基板に転写して製造したレンズに要求される性能は益々厳しくなってきている。
このようなフォトレジストレンズ、及びその形状を基板に転写して形成されたレンズの製造に用いられるグレースケールマスクは、製造したいマイクロレンズ形状に対応した露光量分布をレジスト上に作り出す役目を負う。その一例として、図4のように多数のマイクロドット開口を設け、そのドットの大きさを当該露光量分布が得られるように計算・配置したものがある。ドット径の大きな部分ほど露光量が多くなるため、図4のように、中心部のドット径が小さく、周辺に向かってドット径が大きくなるマスクの場合、現像後は凸型のレジストレンズ形状が得られる(ポジ型レジストを使った場合)。
しかし、グレースケールマスク製作工程に存在するばらつきにより、毎回同一条件で製作を行っても、でき上がったグレースケールマスクのドットサイズが全体的に一様に大き目、小さ目になることは避けられない。これは、グレースケールマスクを製造する工程で使用されるレジストの感光感度のばらつきや、現像感度のばらつき、サイドエッチング量のばらつきに起因するものと考えられる。
前記フォトレジストレンズの形状は、グレースケールマスクのドットサイズに非常に敏感である。グレースケールマスクの設計においては、ドットサイズを、製造したいマイクロレンズ形状に対応した露光量分布が得られるように計算・配置するが、前述のように、グレースケールマスクの製造工程において、そのドットサイズが設計値に対して全体的に一様に大き目、小さ目になることが避けられず、これに起因して、得られるマイクロレンズの形状が変わってしまうという問題点がある。
さらに、同一のグレースケールマスクを使用しても、マイクロレンズを製造する基板のロットによって、製造されるマイクロレンズの形状が異なる場合がある。これは、ロット間のレジストの感光感度のばらつきや現像感度のばらつきに起因するものと考えられる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、目的とする形状のレンズを得ることが可能なマスク基板、およびこれを使用したマイクロレンズの製造方法を提供することを課題とする。
前記課題を解決するための第1の手段は、露光装置に用いられるマスク基板であって、1枚のマスク基板上に複数のグレースケールマスクエリアが形成され、各グレースケールマスクエリアに形成されるパターンは同一のパターンデータに基づいて製作され、各グレースケールマスクエリア間では、前記パターンの要素であるドットの分布が同一であるが、対応するドットの大きさが異なることを特徴とするマスク基板(請求項1)である。
本手段においては、1枚のマスク基板に複数のグレースケールマスクエリアが形成されている。そして、各グレースケールマスクエリアに形成されるドットの分布が同一である。すなわち、各ドットの中心点は、各グレースケールマスクエリアにおいて同一に分布する。各クレースケールマスクエリアは、同一のパターンデータに基づいて製作されるが、各グレースケールマスクエリアにおいては、対応するドット、すなわちグレースケールマスクエリア内において同じ位置に位置するドットの大きさが異なっている。
本手段においては、各グレースケールマスクエリアを使用して露光を行った場合、形成されるマイクロレンズの形状が僅かに異なってくる。よって、マイクロレンズを製造するための、レジストを塗布した基板のロットに応じて、最適な形状が得られるようなグレースケールマスクエリアを選択して使用することにより、複数枚のマスク基板を用意しなくても正確な形状のマイクロレンズを製造することができる。
前記課題を解決するための第2の手段は、露光装置に用いられるマスク基板であって、1枚のマスク基板上に複数のグレースケールマスクエリアが形成され、各グレースケールマスクエリアのパターンは、同一のマスターマスクから、露光時間を変えてフォトリソグラフィにより露光転写して形成されたものであることを特徴とするマスク基板(請求項2)である。
同じマスターマスクから露光時間を変えて、一つのマスク基板に複数のグレースケールマスクエリアを形成すると、前記第1の手段とほぼ同様なマスク基板が得られる。このようなマスク基板の各グレースケールマスクエリアを使用して露光を行った場合、露光光の強度分布形状が、各グレースケールマスクエリア毎にわずかに異なる。よって、マイクロレンズを製造するための、レジストを塗布した基板のロットに応じて、最適な形状が得られるようなグレースケールマスクエリアを選択して使用することにより、複数枚のマスク基板を用意しなくても正確な形状のマイクロレンズを製造することができる。
前記課題を解決するための第3の手段は、露光装置に用いられるマスク基板であって、1枚のマスク基板上に複数のグレースケールマスクエリアが形成され、各グレースケールマスクエリアのパターンは、同一のパターンデータに基づいて、描画装置のビーム強さを変えて描画して形成されたものであることを特徴とするマスク基板(請求項3)である。
同じパターンデータに基づいて描画を行った場合でも、描画装置のビーム強さを変えて描画すると、前記第1の手段とほぼ同様なマスク基板が得られる。このようなマスク基板の各グレースケールマスクエリアを使用して露光を行った場合、露光光の強度分布形状が、各グレースケールマスクエリア毎にわずかに異なる。よって、マイクロレンズを製造するための、レジストを塗布した基板のロットに応じて、最適な形状が得られるようなグレースケールマスクエリアを選択して使用することにより、複数枚のマスク基板を用意しなくても正確な形状のマイクロレンズを製造することができる。
前記課題を解決するための第4の手段は、基板の上にレジストを塗布し、グレースケールマスクのパターンを前記レジストに露光して前記レジストを感光させ、その後レジストを現像することにより、レンズの形状をしたレジストパターンを形成する工程を含むマイクロレンズの製造方法であって、前記第1の手段から第3の手段のうちいずれかのマスク基板を使用し、前記複数のグレースケールマスクエリアの一つを、適宜選択して使用し、前記レジストの露光に使用することを特徴とするマイクロレンズの製造方法(請求項4)である。
本手段においては、最適なマイクロレンズの形状が得られるようなグレースケールマスクエリアを選択し、それを使用して露光を行うので、複数のグレースケールマスク基板を用意する必要が無い。なお、特許請求の範囲、及び本欄で言うマイクロレンズには、レジストそのものにレンズ特性を持たせたフォトレジストマイクロレンズを含む。
本発明によれば、目的とする形状のレンズを得ることが可能なマスク基板、およびこれを使用したマイクロレンズの製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態の例である、マイクロレンズアレイ、及びフォトレジストマイクロレンズアレイの製造方法を示す図である。
石英からなる基板1の上にレジスト2を塗布する(a)。この場合、レジストとしてはポジ型のものを使用している。そして、グレースケールマスク3を通して光をレジスト2上に照射する(b)。図においてハッチングを施してある部分がグレースケールとなっており、ハッチング部の中心に行くほど光の透過率が低くなっている。ハッチングを施していない部分は、透明な部分である。
このようにして露光されたレジスト2を現像すると、強く光の照射を受けた部分は多く除去され、弱く光の照射を受けた部分は除去量が少なくなって、(c)に示すように、レジスト2にマイクロレンズアレイのパターンが形成される。
このような状態で、レジスト2と基板1を同時にドライエッチングすると、レジスト2に形成されたマイクロレンズのパターンが基板1に転写され、レジスト2が無くなった状態で、基板1の表面にマイクロレンズアレイが形成される。レジスト2と基板1のエッチングレートの違いにより、レジスト2に形成されたマイクロレンズのパターンと基板1の表面に形成されたマイクロレンズのパターンはその凹凸度が異なるが、所望の凹凸を有するマイクロレンズのパターンが基板1の表面に形成されるように、予め、レジスト2に形成されるマイクロレンズのパターンの形状を決定しておけばよい。又、レジスト2を残し、その形状により所望の光学特性を持たせるフォトレジスト光学素子の場合は、(c)の工程で最終製品とすればよい。
このような方法によれば、マイクロレンズのみならす、マイクロシリンドリカルレンズ、及びこれらのアレイ、回折格子、フレネルレンズ等の種々の光学素子や、その他、光学素子以外の目的に使用される、表面に所定のパターンを有する基板を製造することができる。
なお、(c)の工程の後に、形成された表面形状を滑らかにするために加熱処理や、薬品による溶解処理が行われることがある。
以上の方法は、従来の方法と基本的に変わるところはないが、本実施の形態においては、使用するグレースケールマスク3が異なっており、これをマスク基板5と称する。図2にマスク基板5の1例を示す。
このマスク基板5には、4つのグレースケールマスク6、7、8、9が形成されているが、これらのグレースケールマスクは、マスク基板5の上に遮光膜を形成し、その上にレジストを塗布し、同一のマスターマスク基板に形成されたパターンを、レジスト上に、露光時間を変えて露光転写し、その後レジストを現像して、残ったレジストをマスクとして前記遮光膜をエッチングして除去し、その後レジストを除去することにより形成されたものである。よって、各グレースケールマスク6、7、8、9間では、ドットパターンの配列は同じであるが、露光時間の違いに応じて、ドットパターンの大きさが異なっている。
図1(b)の工程で露光を行うとき、各グレースケールマスク6、7、8、9の各々を使用して、サンプルとしてのマイクロレンズを製造し、その中で出来上がったマイクロレンズの形状が目標値に一番近いものを製造するのに使用したグレースケールマスクを、その後のマイクロレンズの製造に使用することにする。
このようにして、1枚のマスク基板5上に、ドットパターンの寸法が少しずつ異なるグレースケールマスク6、7、8、9を、予め形成しておき、そのうち最適なものを選んで使用することにより、複数のグレースケールマスク3を用意することが不要になり、又、出来上がったマイクロレンズの形状を見て、グレースケールマスク3を作り直すことも必要でなくなる。
前述のような方法で、図2に示すようなマスク基板5を製造した。グレースケールマスク6、7、8、9を製造するときの露光時間は、それぞれ290ms、320ms、350ms、380msとした。
このグレースケールマスクを使用して、図1に示すような工程によりフォトレジストマイクロレンズを製作した。製作したフォトレジストマイクロレンズについて、その形状を測定した結果を図3に示す。図3は、得られたフォトレジストマイクロレンズ形状と理想形状(設計形状)の差を表している。図3のグラフは、上から、290ms、320ms、350ms、380msの露光時間で露光を行って製造したグレースケールマスクを使用した場合の結果を示している。
図3から、グレースケールマスクによって、得られるフォトレジストマイクロレンズの形状誤差が異なることが分かる。即ち、グレースケールマスクの全体的なドットサイズの出来具合によって、得られるフォトレジストマイクロレンズ形状が異なることになる。
このフォトレジストマイクロレンズの有効径は680μmであり、このデータから誤差の大きさ及び誤差曲線のスムーズさからグレースケールマスク7を用いて製造したフォトレジストマイクロレンズ形状が最も良いと判断される。結果的に、グレースケールマスク7のドットサイズが最も設計ドットサイズに近いものであった。
この例のグレースケールマスクでは、グレースケールマスク7が最も設計ドット径に近かったが、マスク製作工程のばらつきにより、どのグレースケールマスクが最も設計ドット径に近くなるかは不定である。出来上がったマスクのドット径をSEM(走査型電子顕微鏡)等を用いて実測し、最適なグレースケールマスクを見つけ出して使用することになる。
また、この例と異なり、場合によっては設計ドット径から外れたドット径を有するグレースケールマスクで最も良好なマイクロレンズ形状が得られる可能性もある。よって、全てのグレースケールマスクを使用してマイクロレンズをテスト的に製作し、その形状比較を行って最適なグレースケールマスクを選択するのが最も良い方法である。例えば、このマイクロレンズの有効径が500μmだった場合は、図3の結果から、グレースケールマスク9を選択するのが最も適当である。
以上の実施例は、露光装置を用いてグレースケールマスクを製造したものであるが、電子線描画装置等の描画装置を用いて、同じ設計データに基づき、描画のビーム強さを変えて、グレースケールマスクを製造した場合でも、同様の結果が得られる。
本発明の実施の形態の例である、マイクロレンズアレイ、及びフォトレジストマイクロレンズアレイの製造方法を示す図である。 本発明の実施の形態の1例であるマスク基板の概要を示す図である。 図2に示すマスク基板において、各グレースケールマスクを使用して製造したフォトレジストマイクロレンズについて、その形状を測定した結果を示す図である。 グレースケールマスクの例を示す図である。
符号の説明
1…基板、2…レジスト、3…グレースケールマスク、5…マスク基板、6〜9…グレースケールマスク

Claims (4)

  1. 露光装置に用いられるマスク基板であって、1枚のマスク基板上に複数のグレースケールマスクエリアが形成され、各グレースケールマスクエリアに形成されるパターンは同一のパターンデータに基づいて製作され、各グレースケールマスクエリア間では、前記パターンの要素であるドットの分布が同一であるが、対応するドットの大きさが異なることを特徴とするマスク基板。
  2. 露光装置に用いられるマスク基板であって、1枚のマスク基板上に複数のグレースケールマスクエリアが形成され、各グレースケールマスクエリアのパターンは、同一のマスターマスクから、露光時間を変えてフォトリソグラフィにより露光転写して形成されたものであることを特徴とするマスク基板。
  3. 露光装置に用いられるマスク基板であって、1枚のマスク基板上に複数のグレースケールマスクエリアが形成され、各グレースケールマスクエリアのパターンは、同一のパターンデータに基づいて、描画装置のビーム強さを変えて描画して形成されたものであることを特徴とするマスク基板。
  4. 基板の上にレジストを塗布し、グレースケールマスクのパターンを前記レジストに露光して前記レジストを感光させ、その後レジストを現像することにより、レンズの形状をしたレジストパターンを形成する工程を含むマイクロレンズの製造方法であって、請求項1から請求項3のうちいずれか1項に記載のマスク基板を使用し、前記複数のグレースケールマスクエリアの一つを、適宜選択して使用し、前記レジストの露光に使用することを特徴とするマイクロレンズの製造方法。

JP2005007795A 2005-01-14 2005-01-14 マスク基板及びマイクロレンズの製造方法 Active JP4595548B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005007795A JP4595548B2 (ja) 2005-01-14 2005-01-14 マスク基板及びマイクロレンズの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005007795A JP4595548B2 (ja) 2005-01-14 2005-01-14 マスク基板及びマイクロレンズの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006195252A JP2006195252A (ja) 2006-07-27
JP4595548B2 true JP4595548B2 (ja) 2010-12-08

Family

ID=36801373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005007795A Active JP4595548B2 (ja) 2005-01-14 2005-01-14 マスク基板及びマイクロレンズの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4595548B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107561023A (zh) * 2017-09-04 2018-01-09 四川中核艾瑞特工程检测有限公司 一种核设备目视检测专用18%灰卡制作方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009086385A (ja) * 2007-09-29 2009-04-23 Hoya Corp フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法
JP2013044970A (ja) * 2011-08-24 2013-03-04 V Technology Co Ltd マイクロレンズアレイの製造方法及びマイクロレンズアレイ
JP6953109B2 (ja) * 2015-09-24 2021-10-27 ウシオ電機株式会社 基板上構造体の製造方法
JP6686462B2 (ja) * 2016-01-21 2020-04-22 大日本印刷株式会社 階調露光用テストマスク

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04179248A (ja) * 1990-11-14 1992-06-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003107209A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Nikon Corp マイクロレンズの製造方法、グレースケールマスク、グレースケールマスクの製造方法、物品の製造方法、および、マイクロレンズアレイの製造方法
JP2003107721A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Nikon Corp マイクロレンズの製造方法、物品の製造方法、レジスト層の加工方法、および、マイクロレンズ
JP2003149596A (ja) * 2001-11-12 2003-05-21 Ricoh Opt Ind Co Ltd オプチカル・ホモジナイザー、及びオプチカル・ホモジナイザーを製造するための濃度分布マスク
JP2004226962A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Samsung Electronics Co Ltd マイクロレンズの製造方法
JP2004310077A (ja) * 2003-03-25 2004-11-04 Nikon Corp マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ及び露光装置
JP2005258387A (ja) * 2003-07-29 2005-09-22 Sony Corp 露光用マスクおよびマスクパターンの製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04179248A (ja) * 1990-11-14 1992-06-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003107209A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Nikon Corp マイクロレンズの製造方法、グレースケールマスク、グレースケールマスクの製造方法、物品の製造方法、および、マイクロレンズアレイの製造方法
JP2003107721A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Nikon Corp マイクロレンズの製造方法、物品の製造方法、レジスト層の加工方法、および、マイクロレンズ
JP2003149596A (ja) * 2001-11-12 2003-05-21 Ricoh Opt Ind Co Ltd オプチカル・ホモジナイザー、及びオプチカル・ホモジナイザーを製造するための濃度分布マスク
JP2004226962A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Samsung Electronics Co Ltd マイクロレンズの製造方法
JP2004310077A (ja) * 2003-03-25 2004-11-04 Nikon Corp マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ及び露光装置
JP2005258387A (ja) * 2003-07-29 2005-09-22 Sony Corp 露光用マスクおよびマスクパターンの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107561023A (zh) * 2017-09-04 2018-01-09 四川中核艾瑞特工程检测有限公司 一种核设备目视检测专用18%灰卡制作方法
CN107561023B (zh) * 2017-09-04 2019-11-26 四川中核艾瑞特工程检测有限公司 一种核设备目视检测专用18%灰卡制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006195252A (ja) 2006-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7473500B2 (en) Binary half tone photomasks and microscopic three-dimensional devices and method of fabricating the same
JP2006258930A (ja) マイクロレンズの製造方法、及びマイクロレンズ用の型の製造方法
JP2009200510A (ja) リソグラフィックテンプレート
EP0671024A1 (en) Method and apparatus for fabricating microlenses
US20030138706A1 (en) Binary half tone photomasks and microscopic three-dimensional devices and method of fabricating the same
JP4595548B2 (ja) マスク基板及びマイクロレンズの製造方法
US20030209819A1 (en) Process for making micro-optical elements from a gray scale etched master mold
JP5310065B2 (ja) 凹凸形状の形成方法、光学素子アレイの製造方法、光学素子アレイ、及びマイクロレンズアレイ
KR20080062154A (ko) 마이크로 렌즈 제조방법 및 마이크로 렌즈용 마스터제조방법
JP4366121B2 (ja) 素子の製造方法
JPH06148861A (ja) フォトマスク及びその製造方法
JP2006305800A (ja) 成形用型、及び樹脂成形体の製造方法
US7056628B2 (en) Mask for projecting a structure pattern onto a semiconductor substrate
JP2008116606A (ja) マイクロレンズの製造方法
JP2007333926A (ja) マイクロレンズの製造方法
JP2006227609A (ja) 露光方法、凹凸状パターンの形成方法、及び光学素子の製造方法
TWI512387B (zh) A microlenses for micro lens manufacturing, a microlens manufacturing method using the same, and an image pickup device
WO1994027187A1 (en) Fabrication of microcomponents
JP2005156818A (ja) グレースケールマスクの設計方法、グレースケールマスク、及び基板の製造方法
JP2001092147A (ja) レジストパターン形成方法およびレジストパターン形成装置およびレジストパターンおよびマイクロレンズ
JP2005189371A (ja) グレースケールマスク、光学素子の製造方法、基板の製造方法、及びグレースケールマスクの製造方法
JP6638493B2 (ja) 多段構造体を有するテンプレートの製造方法
JP6701924B2 (ja) フォトマスクにおけるパターンデータの生成方法及びそのためのプログラム並びにそれを用いたフォトマスク及びマイクロレンズの製造方法
JP2006003493A (ja) 形状転写方法
KR101095053B1 (ko) 마스크 레이아웃 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070904

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080729

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100802

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100824

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100906

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4595548

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250