JPH08222497A

JPH08222497A - 反射型マスク

Info

Publication number: JPH08222497A
Application number: JP2186395A
Authority: JP
Inventors: Motohide Kageyama; 元英影山; Katsuhiko Murakami; 勝彦村上
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1995-02-09
Filing date: 1995-02-09
Publication date: 1996-08-30

Abstract

(57)【要約】【目的】高反射率を確保した状態で厳密な形状精度及
び面精度の両方を満たしその結果、歪曲や像面歪曲を補
正することが可能な曲面形状の反射マスク面を有する反
射型マスクを提供すること。【構成】曲面３を有する基板１の該曲面３に、反射率
分布を有する反射部材２を接合し曲面形状のマスクパタ
ーン反射面４を形成してなる反射型マスク。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、曲面形状の反射マスク
面を有する反射型マスクに関するものであり特にＸ線光
学系に用いて好適な反射型マスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路素子の微細化に伴
い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を
向上させるために、従来の紫外線に代わって、これより
波長の短いＸ線を使用した投影リソグラフィー技術が開
発されている。この技術に使用されるＸ線縮小投影露光
装置は、主としてＸ線発生器１３、Ｘ線照明光学系１
４、マスク１５、Ｘ線結像光学系１６、レジスト付きウ
ェハー１７のステージ等により構成される（図４参
照）。

【０００３】Ｘ線発生器１３には、放射光光源やレーザ
ープラズマＸ線源等が使用される。Ｘ線照明光学系１４
は、反射面に斜め方向から入射したＸ線を反射させる斜
入射ミラー、反射面が多層膜により形成される多層膜ミ
ラー、および所定波長のＸ線のみを反射または透過させ
るフィルター等により構成され、マスク１５上を所望の
波長のＸ線で照明する。

【０００４】マスク１５には透過型マスクと反射型マス
クとがある。透過型マスクは、Ｘ線が透過しやすい物質
からなる厚さ１μｍ以下の薄い自立膜（メンブレン）上
にＸ線を吸収しやすい物質を所定形状に設けることによ
ってパターンを形成したものである。一方、反射型マス
クは、例えば、Ｘ線を反射する多層膜上に反射率の低い
部分を所定形状に設けることによってパターンを形成し
たものである。

【０００５】透過型マスクは、メンブレンの強度が非常
に弱いため大面積のマスクの製造が困難であり、しかも
照射Ｘ線を受けたときに発生する熱によりメンブレンが
変形しやすいという問題がある。そこで、例えば、図５
に示すような反射型のマスクが提案されている。図５
（ａ）の反射型マスクは、Ｘ線反射多層膜５の一部をエ
ッチング等により除去して所望のマスクパターンを形成
したもの、図５（ｂ）の反射型マスクはＸ線反射多層膜
５の表面にＸ線を吸収しやすい物質からなる吸収層６を
設けて所望のマスクパターンを形成したもの、図５
（ｃ）の反射型マスクは、Ｘ線反射多層膜５の一部７の
周期構造をイオン注入等によって破壊することにより所
望のマスクパターンを形成したものである。

【０００６】反射型マスクは、メンブレンよりも厚くて
強度が大きい基板上にマスクパターンを形成するので、
大面積のマスク製造が容易であり、またマスクが熱によ
り変形しやすいという問題もない。このようなマスク１
５上に形成されたパターンは、複数の多層膜ミラー等で
構成されたＸ線結像光学系１６により、フォトレジスト
が塗布されたウェハー１７上に結像することで該レジス
トに転写される。なお、Ｘ線は大気に吸収されて減衰す
るため、その光路は排気装置１９により所定真空度に維
持された真空容器１８内に配置されている。

【０００７】一般的に、実際の結像光学系においては、
光束の幅が広いか、或いは、光束が光軸に対して大きな
角度で進行する場合が多いので、近軸領域での結像にお
いて成立する第１近似が成立しなくなり、例えば、点状
の物体を結像しても、実際の像は点状の像（理想像）と
ならない。この実際の像と理想像とのズレは収差と呼ば
れ、かかる収差には球面収差、コマ収差、非点収差、像
面歪曲、歪曲の五種類の収差（ザイデルの５収差）があ
る。

【０００８】Ｘ線光学系においては、ザイデルの５収差
のうちの球面収差、コマ収差、及び非点収差を光学設計
の適正化により、比較的容易に除去することができる
が、像面歪曲と歪曲については、除去が困難である。そ
こで、歪曲を低減するために、球面及び非球面の曲面反
射光学系等による光学系の改良が試みられているが、像
面歪曲に対しては、改良が殆どなされていないのが現状
である。

【０００９】ここで、像面歪曲について説明する。真直
な物体をレンズを通して見たとき、その像は必ずしも真
直になるとは限らない。即ち、物体の中心軸上にある物
体部分に対する像位置と、軸外にある物体部分に対する
像位置は、必ずしも同一平面上にあるとは限らない。例
えば、図６において、真直な物体（ＡＰＢ）２０の像２
２が曲がって（Ａ’Ｐ’Ｂ’）形成される。このような
場合、中央部分に結像させると縁部分がぼけるし、縁部
分に結像させると中央部分がぼける。これを像面歪曲と
いう。

【００１０】Ｘ線光学系における像面歪曲を補正する方
法として、図７に示すように、反射マスク面４を予め湾
曲させることで、例えば、真直な物体を真直に結像させ
る方法が提案されている（Andrew M.Hawryluk and Lynn
G.Seppala:J.Vac.Sci.Technol.B6(6),Nov/Dec 1988
参照）が、Ｘ線光学系における反射マスク面には特に高
い（厳密な）形状精度及び面精度が要求されるので、か
かる湾曲した反射マスク面を実際に形成することは、非
常に困難である。

【００１１】図７において、Ｘ線発生器１３は、レーザ
ープラズマＸ線源を用い、２枚のＸ線照明光学系１４，
１４’を通して直接、反射部材２を照明し、２枚のＸ線
結像光学系１６，１６’を通して反射部材の像をレジス
ト付ウェハ１７に投影する。反射部材２は、曲面形状の
反射面４を有しているが、曲面形状の基板に反射面をパ
ターニングするためには、多くの技術的課題の解決を要
する。

【００１２】しかしながら、かかる曲面形状の反射マス
ク面が、その形状精度及び面精度の両方の要求精度を満
たし、しかも高反射率を確保することができるならば、
前述のＸ線投影露光装置の反射型マスクとして使用でき
る。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】従来、反射型マスク
（例えば、Ｘ線光学用反射型マスク）は、主として反射
面が平面のものが加工製作されてきた。これは、従来の
加工製作方法では、厳密な形状精度及び面精度の両方を
満たし、しかも高反射率を確保できる曲面形状の反射マ
スク面を形成することが非常に困難であるためである。

【００１４】そのため、歪曲や像面歪曲を補正できる反
射面を有する反射型マスクを提供できないという問題点
があった。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもの
であり、高反射率を確保した状態で厳密な形状精度及び
面精度の両方を満たし、その結果、歪曲や像面歪曲を補
正することが可能な曲面形状の反射マスク面を有する反
射型マスクを提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に「曲面を有する基板の該曲面に、反射率分布を有する
反射部材を接合し、曲面形状のマスクパターン反射面を
形成してなる反射型マスク（請求項１）」を提供する。
また、本発明は第二に「前記基板と前記反射部材とが陽
極接合法により接合されてなることを特徴とする請求項
１記載の反射型マスク（請求項２）」を提供する。

【００１６】また、本発明は第三に「前記基板の曲面を
球面としたことを特徴とする請求項１または２記載の反
射型マスク（請求項３）」を提供する。また、本発明は
第四に「反射面にＸ線反射多層膜を設けたことを特徴と
する請求項１〜３記載の反射型マスク（請求項４）」を
提供する。

【００１７】

【作用】高反射率を確保した状態で厳密な形状精度及び
面精度の両方を満たし、その結果、歪曲や像面歪曲を補
正することが可能な曲面形状の反射マスク面を有する反
射型マスクは、曲面３を有する基板１の該曲面３に、反
射分布を有する反射部材２を接合し、曲面形状のマスク
パターン反射面４を形成してなる反射型マスク（請求項
１）により実現することができる（図１参照）。

【００１８】本発明の反射型マスクを製造する方法の一
例を示すと、先ず、面精度良好な表面（例えば、最大表
面粗さ0.001 μｍ以下）を有する平行平面の平板状部材
（例えばシリコン単結晶）２ａと、形状精度が良好な曲
面３を有する基板１を用意する（図１参照）。そして、
平板状部材２ａ上に、Ｘ線反射多層膜５とＸ線吸収層６
からなる反射マスク面を設けて、反射分布を有する反射
部材（接合前）２’を作製する（図１Ａ参照）。

【００１９】次に、基板１の曲面３に、反射部材（接合
前）２’を陽極接合法により接合して（図１Ｂ参照）、
曲面３を有する基板１の該曲面３に、反射分布を有する
反射部材２を接合し、曲面形状のマスクパターン反射面
４を形成してなる反射型マスクが完成する（図１Ｃ参
照）。なお、陽極接合法については、後で詳述する。基
板１の曲面３と反射部材（接合前）２’の接合を行うと
き、特に、接合面である基板１の曲面３が凹面の場合に
は、凹面に最近接した部材２’の接合面３’部分から接
合が行われるので、接合部分に空気溜まりができやす
い。

【００２０】そのため、空気溜まりができないように、
空気抜きのための穴を基板１又は部材２’に、或いは両
方に設けることが好ましい（図１参照、基板１に空気抜
き穴８を設けた例）。空気抜きの穴８を基板１に設ける
場合、穴８はその上に位置する反射部材２の反射面部分
の変形に影響を及ぼすので、光学特性が特に要求されな
い反射面部分の下側に位置する基板部分に、必要最小限
の大きさにて設けることが好ましい。また、空気抜きの
穴を反射部材２に設ける場合は、光学特性が特に要求さ
れない反射面部分に穴を設けることが好ましい。

【００２１】従って、反射型マスクの機能に問題がない
場合には、空気抜きの穴８を例えば基板１又は反射部材
２の中心に最小限の大きさにて設けることが好ましい。
以上、本発明の反射型マスクを製造する方法の一例を示
した。本発明の反射型マスクにかかる基板１の曲面３と
反射部材（接合前）２’の接合により基板曲面３の曲面
形状が接合後の反射部材２に転写される。即ち、良好な
面精度を有する部材２’は接合後、基板曲面３にならっ
て変形することで、形状精度が良好な基板曲面３の曲面
形状が接合後の反射部材２の反射マスク面４（面精度良
好）に転写される（図１Ｃ参照）。即ち、反射マスク面
４の形状は、良好な面精度及び形状精度を有する曲面形
状となる。

【００２２】曲面３を有する基板１の該曲面３に、反射
部材（接合前）２’を接合する方法としては、有機系接
着剤、ロウ付又はハンダ付などで用いられる金属系接着
剤、ガラス系接着剤等の接着剤を用いる接合法と、レー
ザー溶接、シーム溶接、超音波溶接等の溶接による接合
法と、さらに陽極接合法をあげることができる。なお、
溶接による接合法には、接合材を介して二つの部材を接
合する方法と接合材を介さないで直接二つの部材を接合
する方法がある。

【００２３】かかる接合法のうち、接着剤又は接合材を
用いる接合法により前記基板曲面３及び部材２’を接合
した場合、基板曲面（基板の接合面）３と部材２’の接
合面３’との間に接着剤層又は接合材層が介在すること
になるが、この層の厚さが大きいと、基板曲面３の形状
を接合後の反射部材２に転写することが困難となる。ま
た、基板曲面（基板の接合面）３と部材２’の接合面
３’との間に接着剤層又は接合材層が介在すると、熱膨
張率や塑性の相違による接合強度の低下という問題や、
経年変化による接合強度の劣化という問題が起こりやす
くなる。

【００２４】接合材を用いない溶接法により、基板１と
部材２’を接合する場合は、基板１又は部材２’をその
融点又は軟化点以上に加熱する必要があるので、形状精
度を保持したまま接合することが困難である。従って、
接合法としては、比較的低温での接合が可能であり、し
かも接合材を用いる必要がなく、そのため、基板曲面３
の形状を接合後の反射部材２に正確に転写することがで
きる陽極接合法が好ましい（請求項２）。

【００２５】また、曲面３の形状を球面にすると、像面
歪曲を補正する上で特に効果的な反射面を有する反射型
マスクとすることができるので好ましい（請求項３）。
陽極接合法は、接合を行う２部材間に直流電圧を印加す
ることにより、本来（直流電圧を印加しない場合）の接
合温度よりも低い温度での接合を可能とする接合法であ
り、誘電体（例えば、ガラスやセラミックス）と金属類
（単位金属、合金、半導体）の接合に適用できる。

【００２６】陽極接合を行う場合、先ず、接合される誘
電体及び金属類の各接合面を研磨して平滑化することが
好ましい。この平滑化により、接合強度増大の効果が得
られる。例えば、0.05μｍ以下の最大表面粗さにするこ
とが好ましい。陽極接合においては、両材料の接合面を
重ね合わせて、誘電体の軟化点及び金属類の融点よりも
低い温度で加熱し、比較的高い直流電圧を両材料間に印
加することで、両者の接合がなされる。このときの極性
は、金属類側を＋、誘電体側を−にする。

【００２７】加熱温度は、材料の組み合わせや接合面の
平滑度に依存するが、３００〜６００°Ｃの場合が多
い。接合面の平滑度が良い程、また誘電体の硬度が小さ
い程、より低い加熱温度での接合が可能となる。印加す
る電圧は直流電圧であり、交流電圧の場合には接合はな
されない。また極性は金属類側を必ず＋にする。印加電
圧の大きさは、材料の組み合わせ、接合面の平滑度、加
熱温度に依存するが、２００〜２０００Ｖの場合が多
く、一般には１０００Ｖ前後が適当である。上限値は、
スパークによる破壊を起こさない上限の値となる。

【００２８】電圧の印加時間（接合が完了する時間）
は、加熱温度及び印加電圧に依存するが、加熱温度が高
い程、印加電圧が高い程、短時間となり、一般には数分
程度である。陽極接合は、一般には空気中で行われる
が、酸素、スチーム、窒素、水素、アルゴン、真空、ホ
ーミングガスの雰囲気下でも行うことができる。

【００２９】陽極接合による接合強度を増大するため
に、被接合材料である誘電体と金属類の熱膨張率の差が
小さい組み合わせを選択することが好ましい。例えば、
熱膨張率の差が５０％以下の組み合わせが好ましい。陽
極接合に好適な誘電体としては、例えば、軟質ガラス
（例えば、ホウケイ酸ガラス）、硬質ガラス、光学ガラ
ス、セラミック（例えば、βアルミナセラミックス）、
溶融石英、サファイア、磁器類などがあり、またこれら
の誘電体それぞれとの組み合わせとして好適な金属類と
しては、例えば、コバール、クロム合金、タンタル、シ
リコン、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、Ｇ
ａＡｓなどがある。

【００３０】前記好適な誘電体と、該誘電体との熱膨張
率の差が５０％よりも大きい金属類との組み合わせの場
合でも、金属類を薄膜状にすれば、接合強度の増大が可
能である。このような金属類としては、例えば、銅、
鉄、ニッケル、鉄−ニッケル合金、クロム、アルミニウ
ム、マグネシウム、チタン、ベリリウムなどがある。以
上の材料の組み合わせのうち、陽極接合に特に好適なも
のは、汎用性と加工精度の点から、ホウケイ酸ガラスと
シリコンの組み合わせである。この組み合わせによる陽
極接合では、比較的低い接合温度で、しかも短時間で接
合を行うことができる。

【００３１】本発明にかかる反射型マスクの反射面にＸ
線反射多層膜５を設けると、Ｘ線光学用反射型マスクと
して使用できる（請求項４）が、かかるＸ線反射用多層
膜としては、例えば、Ｍｏ／Ｓｉ、Ｍｏ／Ｓｉ化合物、
Ｒｕ／Ｓｉ、Ｒｕ／Ｓｉ化合物、Ｒｈ／Ｓｉ、Ｒｈ／Ｓ
ｉ化合物、Ｗ／Ｃ、Ｗ／Ｓｉ、Ｎｉ／Ｃ、Ｃｒ／Ｃ、Ｍ
ｏ／Ｂ₄Ｃ、Ｍｏ／ＳｉＣ、Ｒｕ／Ｂ₄Ｃ、Ｎｉ／Ｖ₂
Ｏ₅、Ｃｒ／Ｖ₂Ｏ₅の組み合わせのうち、いずれか一
つの組み合わせで、交互に複数回積層したものが使用で
きる。

【００３２】ところが、前述したように陽極接合におい
て、加熱（例えば、３００〜６００°Ｃ）の工程がある
ので、部材２’に設けたＸ線反射用多層膜５も加熱され
ることになる。Ｘ線反射用多層膜５を加熱すると、周期
構造の劣化や周期長の変化を生じて、反射率が大きく低
下することがある。そこで、本発明にかかるＸ線反射用
多層膜５としては、耐熱性のよい組み合わせが好まし
く、例えば、Ｍｏ／ＳｉＣ、Ｎｉ- Ｃｒ／Ｖ₂Ｏ₅、Ｍ
ｏ／ＳｉＯ₂／Ｓｉ／ＳｉＯ₂等の交互多層膜が特に好
ましい。

【００３３】本発明にかかる反射型マスクは、各種露光
装置のマスクとして用いることができる。さらに、多層
膜５を設けた反射型マスクは、Ｘ線リソグラフィー装置
のマスクとして用いることができる。また、本発明の反
射型マスクを製造する方法はマスクだけでなく各種機械
系要素の製造にも適用できる。以下、本発明を実施例に
より更に具体的に説明するが、本発明はこれらの例に限
定されるものではない。

【００３４】

【実施例１】図１は本実施例の反射型マスクを製造する
方法を示す工程図であり、図１Ｃは完成した反射型マス
クの概略側面図である。以下、本実施例の反射型マスク
を作製する手順を示す。先ず、面精度の良好な表面（最
大表面粗さ0.001 μｍ以下）を有する平行平面の平板状
部材（例えば、厚さ0.5 ｍｍのシリコン単結晶）２ａ
と、形状精度が良好な曲面３及び空気抜きの穴８を有す
る基板（ホウケイ酸ガラス）１を用意した（図１参
照）。なお、曲面３は、像面歪曲を効果的に補正できる
ように、球面とした。

【００３５】次に、部材２ａの表面に、Ｘ線反射多層膜
５とその上に部分的に設けたＸ線吸収層６からなる反射
マスク面を形成した。即ち、Ｘ線吸収層６を設けていな
いＸ線反射多層膜５部分（高反射率部分）とＸ線吸収層
６を設けた部分（低反射率部分）が形成された、反射率
分布を有する反射部材（接合前）２’を作製した。ここ
で、Ｘ線反射多層膜５には、Ｍｏ／ＳｉＣの交互多層膜
（５０〜１００ペア）を、Ｘ線吸収層６には、タングス
テンを用いた。なお、Ｘ線吸収層６としては、融点が陽
極接合を行う際の加熱温度より高く、Ｘ線を吸収しやす
いものであればよい。

【００３６】陽極接合を行う前に、基板１及び接合され
る部材２’の各接合面３，３’を研磨して平滑化（0.05
μｍ以下の最大表面粗さ）した。陽極接合は、Ｍｏ／Ｓ
ｉＣの耐熱温度が約６００°Ｃであることを考慮して、
部材２’及び基板１を約４００℃に加熱した状態にお
き、部材２’側電極９の極性を＋、基板１側電極９’の
極性を−にして、直流電圧約７００Ｖを印加して行った
（図１Ｂ参照）。

【００３７】約１０分で接合が完了し、球面形状の曲面
３を有する基板１の該曲面３に、反射率分布を有する反
射部材（接合後）２を接合し、球面形状のマスクパター
ン反射面４を形成してなる反射型マスクが完成した（図
１Ｃ参照）。なお、基板１の曲面３と部材２’の接合を
行うとき、接合面である基板１の曲面３が凹面であるの
で、凹面に最近接した部材２’の接合面３’部分から接
合が行われるので、接合部分に空気溜まりができやす
い。

【００３８】そのため、空気溜まりができないように、
空気抜きのための穴８を基板１に設けた。また、空気抜
きの穴８は、その上に位置する反射部材２の反射面部分
の変形に影響を及ぼすので、光学特性が特に要求されな
い反射面部分の下側に位置する基板部分、即ち基板１の
中心に最小限の大きさにて設けた。基板１の曲面３と部
材２’の接合により基板曲面３の球面形状が接合後の反
射部材２に転写された。即ち、良好な面精度を有する部
材２’は接合後、基板曲面３にならって変形すること
で、形状精度が良好な基板曲面３の球面形状が接合後の
反射部材２の反射面４（面精度良好）に転写された（図
１Ｃ参照）。即ち、反射面４の形状は良好な面精度及び
形状精度を有する球面の反射面形状であった。

【００３９】

【実施例２】図２は本実施例の反射型マスクの概略側面
図である。該光学素子は、形状精度が良好な球面形状の
曲面３を有する基板（ステンレス）１の該曲面３に誘電
体層（ホウケイ酸ガラス層、厚さ0.4 μｍ）１１を設
け、該誘電体層１１を介して、面精度の良好な表面（最
大表面粗さ0.001 μｍ以下）及び平行面を有する反射部
材２（Ｘ線反射多層膜５とＸ線吸収層６からなる反射マ
スク面を設けた単結晶シリコン）と、基板１とを陽極接
合して、球面形状の反射面４を形成してなる反射型マス
クである。

【００４０】

【実施例３】図３は本実施例の反射型マスクの概略側面
図である。該光学素子は、接合前の平行平面の平板状部
材（Ｘ線反射多層膜５とＸ線吸収層６からなる反射マス
ク面を設けたホウケイ酸ガラス）２’にシリコン層（厚
さ0.4 μｍ）１２を設け、該シリコン層１２を介して、
面精度良好な表面（最大表面粗さ0.001 μｍ以下）及び
平行面を有する反射部材２と、形状精度が良好な球面形
状の曲面３を有する基板１を陽極接合して、球面形状の
反射面４を形成してなる反射型マスクである。

【００４１】以上の実施例における、Ｘ線反射多層膜の
成膜には、イオンビームスパッタ装置やマグネトロンス
パッタ装置等の成膜装置を用いた。また、実施例の反射
型マスクは、Ｘ線反射光学素子として使用することがで
きしかも、そのマスク反射面が、高反射率を確保した状
態で厳密な形状精度及び面精度の両方を満たし、その結
果、歪曲や像面歪曲を補正することが可能となったの
で、歪曲や特に像面歪曲を良好に補正することができ、
Ｘ線露光領域を大幅に拡大することができた。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の反射型マ
スクは、そのマスク反射面が、高反射率を確保した状態
で厳密な形状精度及び面精度の両方を満たし、その結
果、歪曲や像面歪曲を補正することが可能となったの
で、高い光学性能が要求される光学系に使用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】は、実施例１の反射型マスクを製造する方法を
示す工程図である。

【図２】は、実施例２の反射型マスクの概略側面図であ
る。

【図３】は、実施例３の反射型マスクの概略側面図であ
る。

【図４】は、Ｘ線縮小投影露光装置（一例）の構成図で
ある。

【図５】は、Ｘ線反射型マスクの例を示す概略断面図で
ある。

【図６】は、像面歪曲の説明図である。

【図７】は、Ｘ線光学系における像面歪曲の補正例を示
す説明図である。

【主要部分の符号の説明】

１・・・基板２・・・反射部材（基板１に接合された後のもの）２ａ・・平行平面を有する平板状部材２’・・反射部材（基板１に接合される前のもの）３・・・基板の曲面３’・・反射部材２’の接合面４・・・曲面形状の反射面５・・・Ｘ線反射多層膜６・・・Ｘ線吸収膜７・・・周期構造が破壊されたＸ線反射多層膜８・・・空気抜き穴９・・・反射部材２’側電極９’・・基板１側電極１０・・・直流電源１１・・・誘電体（ホウケイ酸ガラス）層１２・・・シリコン層１３・・・Ｘ線発生器１４，１４’・・・Ｘ線照明光学系１５・・・マスク１６，１６’・・・Ｘ線結像光学系１７・・・レジスト付きウェハ１８・・・真空容器１９・・・排気装置２０・・・物体面２１・・・レンズ２２・・・像面２３・・・主光線２４・・・瞳２５・・・曲率中心以上

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】曲面を有する基板の該曲面に、反射率分
布を有する反射部材を接合し、曲面形状のマスクパター
ン反射面を形成してなる反射型マスク。
【請求項２】前記基板と前記反射部材とが陽極接合法
により接合されてなることを特徴とする請求項１記載の
反射型マスク。
【請求項３】前記基板の曲面を球面としたことを特徴
とする請求項１または２記載の反射型マスク。
【請求項４】反射面にＸ線反射多層膜を設けたことを
特徴とする請求項１〜３記載の反射型マスク。