TWI433625B - 軟性電子元件的製法 - Google Patents

軟性電子元件的製法 Download PDF

Info

Publication number
TWI433625B
TWI433625B TW100147906A TW100147906A TWI433625B TW I433625 B TWI433625 B TW I433625B TW 100147906 A TW100147906 A TW 100147906A TW 100147906 A TW100147906 A TW 100147906A TW I433625 B TWI433625 B TW I433625B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
flexible substrate
carrier
flexible
electronic component
rigid carrier
Prior art date
Application number
TW100147906A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201304644A (zh
Inventor
Kuang Jung Chen
Isaac Wing-Tak Chen
Original Assignee
Ind Tech Res Inst
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ind Tech Res Inst filed Critical Ind Tech Res Inst
Priority to TW100147906A priority Critical patent/TWI433625B/zh
Priority to CN201210041695.9A priority patent/CN102869203B/zh
Priority to US13/529,820 priority patent/US8557637B2/en
Publication of TW201304644A publication Critical patent/TW201304644A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI433625B publication Critical patent/TWI433625B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

軟性電子元件的製法
本揭露係有關於一種電子元件之製法，且特別是有關於一種軟性電子元件之製法。
隨著科技日新月異的進步，消費性電子產品的應用也越來越多樣化，許多電子產品以輕、薄、短、小為主流，因此，軟性電子元件的研發成為一種趨勢。
於軟性電子元件製作的過程中，軟性電子元件形成於軟性基板上，且需要玻璃作為硬質載板，之後，再將軟性電子元件從硬質載板上取下。
美國專利US 7,466,390揭露一種製作薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)顯示器於軟性基板上的方法，其於塑膠基板與玻璃載板之間形成非晶矽離形層(a-Si release layer)，藉由照雷射光使離形層溶融而使塑膠基板與玻璃載板分離。
美國專利US 7,566,950揭露一種製作軟性顯示元件的方法，其於玻璃載板之上依序形成離形層、高分子薄膜與電子陣列，其中玻璃載板與離形層之間的黏著力高於離形層與高分子薄膜之間的黏著力，藉由一熟化製程(curing process)可使高分子薄膜與玻璃基板分離。
然而，當軟性電子元件藉由片對片製程(sheet-to-sheet process)製作時，軟性電子元件形成於兩硬質載板之間，如何對軟性電子元件的表面進行加工處理以及如何將軟性電子元件取出成為一個新的挑戰，因此，業界亟需發展一種軟性電子元件的製法，此製法能簡易地將軟性電子元件從兩硬質載板中取出。
本揭露提供一種軟性電子元件的製法，包括以下步驟：提供一第一硬質載板與相對設置之一第二硬質載板，其中至少一軟性電子元件形成於該第一硬質載板與該第二硬質載板之間，且複數個第一離形區域、一第一軟性基板、該些軟性電子元件、一第二軟性基板、複數個第二離形區域、該第二硬質載板依序形成於該第一硬質載板之上；進行一第一切割步驟，以切斷該些第一離形區域，使該些第一離形區域分成一第一部份與一第二部份，其中該些第一離形區域之第一部份上具有該軟性電子元件；分離該第一硬質載板與該些第一離形區域之第一部份；移除該第一硬質載板，以暴露出該些第一離形區域之第一部份；進行一第二切割步驟，以切斷該些第二離形區域，以使該些第二離形區域分成一第三部份與一第四部份，其中該些第二離形區域之第三部份上具有該軟性電子元件；分離該第二硬質載板與該些第二離形區域之第三部份；以及移除該第二硬質載板。
本揭露另提供一種軟性電子元件的製法，包括以下步驟：提供一第一硬質載板與相對設置之一第二硬質載板，其中至少一軟性電子元件形成於該第一硬質載板與該第二硬質載板之間，且複數個第一離形區域、一第一軟性基板、該些軟性電子元件、一第二軟性基板、複數個第二離形區域、該第二硬質載板依序形成於該第一硬質載板之上；進行一切割步驟，以切斷該些第一離形區域與該些第二離形區域，使該些第一離形區域分成一第一部份與一第二部份，該些第二離形區域分成第三部份與第四部份，其中該些第一離形區域之第一部份上具有該軟性電子元件，該些第二離形區域之第三部份上具有該軟性電子元件；分離該第二硬質載板與該些第二離形區域之第三部份；移除該第二硬質載板，以暴露出該些第二離形區域第三部份；分離該第一硬質載板與該些第一離形區域之第一部份；以及移除該第一硬質載板。
本揭露另包括一種軟性電子元件的製法，包括以下步驟：提供一第二硬質載板，其中至少一第二離形區域、一第二軟性基板與一特定功能層依序形成於該第二硬質載板之上；進行一第一切割步驟，以切斷該第二離形區域與該第二軟性基板，使該第二離形區域分成一第一部份與一第二部份，使該第二軟性基板分成一第一部份與一第二部份；提供一第一硬質載板，其中至少一第一離形區域、一第一軟性基板與複數個軟性電子元件依序形成於該第一硬質載板之上；組裝該第一硬質載板與該第二硬質載板；進行一第二切割步驟，以切斷該第一軟性基板，使該第一軟性基板分成第三部份與第四部份，其中該第一軟性基板第三部份之上具有該些軟性電子元件；進行一第三切割步驟，以切割第一硬質載板與該第二硬質載板；進行一裂片步驟，以形成單一電子元件於該第一硬質載板與該第二硬質載板之間；分離該第二離形區域與該第二軟性基板，以暴露出該第二軟性基板第一部份之表面；進行一第四切割步驟，以切斷該第一離形區域；以及分離第一離形區域與第一軟性基板之第三部份。
本揭露又提供一種軟性電子元件的製法，包括以下步驟：提供一第一硬質載板，其中至少一第一離形區域、一第一軟性基板與複數個軟性電子元件依序形成於該第一硬質載板之上；進行一第一切割步驟，以切斷該第一離形區域與該第一軟性基板，使該第一離形區域分成一第一部份與一第二部份，使該第一軟性基板分成一第一部份與一第二部份；提供一第二硬質載板，其中至少一第二離形區域、一第二軟性基板依序形成於該第二硬質載板之上組裝該第一硬質載板與該第二硬質載板；進行一第二切割步驟，以切斷該第二軟性基板，使該第二軟性基板分成一第三部份與一第四部份，其中該第二軟性基板之第三部份之上具有該些軟性電子元件；進行一第三切割步驟，以切割該第一硬質載板與該第二硬質載板；進行一裂片步驟，以形成單一電子元件於該第一硬質載板與該第二硬質載板之間；分離該第一離形區域與該第一軟性基板，以暴露出該第一軟性基板之第一部份之表面；進行一第四切割步驟，以切斷該第二離形區域；以及分離該第二離形區域與該第二軟性基板。
為讓本揭露之特徵能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
本揭露提供一種軟性電子元件的製法，第1A圖、第1C圖~第1F圖顯示本揭露第一實施例之軟性電子元件之製程步驟。請參見第1A圖，首先提供第一載板102與相對設置之第二載板202，且於第一載板102之上依序形成各層，各層分別為複數個第一離形區域104、第一軟性基板106、至少一軟性電子元件301、第二軟性基板206、複數個第二離形區域204與第二硬質載板202。須注意的是，軟性電子元件301可以是一個或多個電子元件，其形成於第一載板102與第二載板202之間，也形成於第一軟性基板106與第二軟性基板206之間。此外，由於複數個第一離形區域104與第二離形區域204構成不連續的片段，因此，部份的第一軟性基板106形成於第一離形區域104之間，部份的第二軟性基板206形成於第二離形區域204之間。
上述第一硬質載板102、第二硬質載板202各自包括玻璃基板、矽基板、石英基板或藍寶石基板。於一較佳實施例中，第一硬質載板102與第二硬質載板202較佳為透明載板，例如兩者皆為玻璃基板。
上述第一軟性基板106、第二軟性基板206為塑膠基材，各自包括聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate,PA)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyetheretherketone,PEEK)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚亞醯胺(polyetherimide,PEI)。於一較佳實施例中，第一軟性基板106與第二軟性基板206皆使用聚亞醯胺(polyimide,PI)。
上述軟性電子元件301例如薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)、電子觸控元件、太陽能電池(solar cell)、有機發光二極體(organic light emitting diode,OLED)、電子感應器(electronic sensor)等等。然而，本揭露之軟性電子元件301不限於特定的電子元件，只要適合形成於軟性基板之上的電子元件皆在本揭露所保護的範圍內。
接著繼續參見第1A圖，進行第一切割步驟15，以切斷第一離形區域104與第一軟性基板106，使第一離形區域104分成第一部份104a與第二部份104b，且第一軟性基板106亦分成第一部份106a與第二部份106b，其中第一離形區域104之第一部份104a上具有軟性電子元件301，以及第一軟性基板106之第一部份106a上具有軟性電子元件301。此外，進行第一切割步驟15之後，會得到區域10，後續第1C-1F圖會針對區域10作說明。
第一切割步驟15包括穿過第一硬質載板102對第一離形區域104與第一軟性基板106照射雷射光。於一實施例中，第一切割步驟15可使用二氧化碳(CO2 )雷射，雷射波長為10640 nm；功率≦50瓦；速度為約10 mm/s~60 mm/s。
於另一實施例中，第一切割步驟15可使用紅外線(IR)雷射，雷射波長為810 nm；功率0.9-10瓦；速度為約0.2 mm/s~15 mm/s；或者採用雷射波長為1064 nm，功率1-20瓦；或者採用雷射波長為532 nm，功率1-10瓦；或者採用雷射波長為355 nm，功率0.1-10瓦；或者採用雷射波長為266 nm，功率0.1-10瓦等。
另外，第1B圖顯示第1A圖之俯視圖，第1A圖為第1B圖中沿著AA’切線所得之剖面圖，為簡化說明，圖中僅顯示軟性電子元件301與第一離形區域104之位置。於第1B圖中顯示第一切割步驟15之實際切割路徑150，亦即雷射光所經過的切割道(scribe line)。須注意的是，經過第一切割步驟15之後，第一硬質載板102被分離移除，但複數個電子元件301仍形成於第二硬質載板202之上，亦即，複數個電子元件301仍與第二硬質載板202相連，而為了簡化說明，第1C-1F圖僅顯示一個軟性電子元件301。
之後，將第1A圖中的區域10進行後續步驟，請參見第1C圖，分離第一硬質載板102與第一離形區域104之第一部份104a。第一硬質載板102、第二硬質載板202或上述兩者為可微彎曲(bendable)之載板。須注意的是，於一較佳實施例中，第一硬質載板102為可微彎曲之硬質載板，因此，只要施加些許外力，即可輕易分離第一硬質載板102。
須注意的是，於一實施例中，本揭露第一離形區域104與第二離形區域204可為有形的薄膜(tangible film)，例如聚對二甲苯(parylene)、含氟系高分子(fluoro-containing polymer)等。於另一實施例中，第一離形區域104與第二離形區域204可為無形的薄膜(intangible film)，例如利用物理處理之表面，例如用蝕刻(etching)、噴砂(sand blast)、研磨(polishing)等方式表面粗化(surface roughening)第一硬質載板102與第二硬質載板202，或者是用化合物(例如用三甲基氯基矽烷(Trimethylchlorosilane)、氯亞硫醯(Thionyl chloride等)表面改質第一硬質載板102與第二硬質載板202。因此，當第一離形區域104與第二離形區域204為有形的薄膜時，在與第一硬質載板102與第二硬質載板202分離時，第一離形區域104與第二離形區域204可留在與第一硬質載板102與第二硬質載板202同側，或者留在與第一基板106與第二基板206同側。
接著，請參見第1D圖，移除第一硬質載板102，以暴露出第一離形區域104之第一部份104a，之後，表面加工處理第一離形區域104之第一部份104a，表面加工處理包括貼上特定功能層108、110於第一離形區域104之第一部份104a暴露的表面上，特定功能層108、110例如阻障層(barrier layer)、偏光膜(polarizer)、抗反射膜(anti reflectance coating)、抗刮膜(anti-scratch protective film)、觸控面板(touch panel)等。特定功能層108、110並不以兩層為限，本領域人士可依據實際應用之需求，決定特定功能層之層數。
須注意的是，雖然第1D圖中之第一硬質基板102已被移除，但是第二硬質載板202仍存在，因此，第二硬質載板202仍支撐軟性電子元件301，以輔助第一離形區域104之第一部份104a進行表面加工處理。
之後，請參見第1E圖，進行第二切割步驟17，以切斷第二離形區域204與第二軟性基板206，以使第二離形區域204分成第三部份204a與第四部份204b，第二軟性基板206分成第三部份206a與第四部份206b，其中第二離形區域204之第三部份204a上具有軟性電子元件301，第二軟性基板206之第三部份206a上具有軟性電子元件301。
第二切割步驟17包括以雷射或刀輪切割第二離形區域204與第二軟性基板206。
最後，請參見第1F圖，分離第二硬質載板202與第二離形區域204之第三部份204a，再移除第二硬質載板202，即可完成軟性電子元件301之表面加工與取出。
另外，本揭露第一實施例之變化實施例中，第一硬質載板102或第二硬質載板202兩者其中之一為不透明載板，另一為透明載板，不透明載板例如金屬、不鏽鋼等材質。
須注意的是，當第一硬質載板102或第二硬質載板202兩者其中之一為不透明載板，另一為透明載板時，進行第一切割步驟時，要選擇從透明載板的方向進行雷射切割。
第2A圖~第2H圖顯示本發明第二實施例之軟性電子元件之製程步驟。第二實施例與第一實施例相同之元件使用相同的標號表示，兩實施例之差別在於，第二實施例將複數個軟性電子元件切割裂片為單一軟性電子元件303於第一硬質載板102與第二硬質載板202之間。另一差別在於，第二實施例中，於第一軟性基板106之上尚包括接腳(pin)120，接腳120之作用係將軟性電子元件303之訊號傳輸到外界。
首先，請參見第2A圖，首先沿著單一軟性電子元件303之外圍，以雷射11切斷第一軟性基板106與第二軟性基板206，以使第一軟性基板104具有第一斷裂開口25，第二軟性基板206具有第二斷裂開口27。
須注意的是，於第2A圖中，雷射11僅穿過第一軟性基板106與第二軟性基板206，而不穿過第一離形區域104與第二離形區域106，因此，於後續步驟中，需搭配第一切割步驟15(請參見第2D圖)與第二切割步驟17(請參見第2G圖)，以分次移除第一硬質載板102與第二硬質載板202。
之後，請參見第2B圖，沿著第一斷裂開口25與第二斷裂開口27之垂直方向，以刀輪13切割第一硬質載板102與第二硬質載板202；以及進行一裂片步驟，以形成單一軟性電子元件303於第一硬質載板102與第二硬質載板202之間(如第2C圖所示)。
接著，請繼續參見第2C圖，於第一軟性基板106之上尚包括接腳(pin)120。須注意的是，於裂片步驟之後，接腳120之表面暴露出來，因此，可進行可撓式印刷電路板接合(flexible printed circuit board bonding,FPC bonding)122，以將單一軟性電子元件303之訊號傳輸到外界。
之後，請參見第2D圖，進行第一切割步驟15，以切斷第一離形區域104與第一軟性基板106，使第一離形區域104分成第一部份104a與第二部份104b，且第一軟性基板106亦分成第一部份106a與第二部份106b，其中第一離形區域104之第一部份104a上具有單一軟性電子元件303，第一軟性基板106之第一部份106a上具有單一軟性電子元件303。
第一切割步驟15包括穿過第一硬質載板102對第一離形區域104與第一軟性基板106照射雷射光。
請參見第2E圖，分離第一硬質載板102與第一離形區域104之第一部份104a。於一較佳實施例中，第一載板102為可微彎曲之硬質載板，因此，只要施加些許外力，即可輕易分離第一硬質載板102。
接著，請參見第2F圖，移除第一硬質載板102，以暴露出第一離形區域104之第一部份104a，之後，表面加工處理第一離形區域104之第一部份104a，表面加工處理包括貼上特定功能層108、110於第一離形區域104之第一部份104a暴露的表面上，特定功能層108、110同上所述，在此不再贅述。
之後，請參見第2G圖，進行第二切割步驟17，以切斷第二離形區域204與第二軟性基板206，以使第二離形區域204分成第三部份204a與第四部份204b，第二軟性基板206分成第三部份206a與第四部份206b，其中第二離形區域204之第三部份204a上具有單一軟性電子元件303，第二軟性基板206之第三部份206a上具有單一軟性電子元件303。
第二切割步驟17包括以雷射或刀輪切割第二離形區域204與第二軟性基板206。
最後，請參見第2H圖，分離第二硬質載板202與第二離形區域204之第三部份204a，再移除第二硬質載板202，即可完成單一軟性電子元件303之表面加工與取出。
另外，本揭露第二實施例之變化實施例中，第一硬質載板102或第二硬質載板202兩者其中之一為不透明載板，另一為透明載板，不透明載板例如金屬、不鏽鋼等材質。須注意的是，當第一硬質載板102或第二硬質載板202兩者其中之一為不透明載板，另一為透明載板時，進行第一切割步驟時，要選擇從透明載板的方向進行雷射切割。
第3A圖~第3D圖顯示本揭露第三實施例之軟性電子元件之製程步驟。第三實施例與第一實施例相同之元件使用相同的標號表示。
請參見第3A圖，進行切割步驟15，以切斷第一離形區域104、第一軟性基板106、第二離形區域204與第二軟性基板206，使第一離形區域104分成第一部份104a與第二部份104b，第一軟性基板106分成第一部份106a與第二部份106b，第二離形區域204分成第三部份204a與第四部份，第二軟性基板206分成第三部份206a與第四部份206b，其中第一離形區域104之第一部份104a上具有軟性電子元件301，第一軟性基板106之第一部份106a上具有軟性電子元件301，第二離形區域204之第三部份204a上具有軟性電子元件，第二軟性基板206之第三部份206a上具有軟性電子元件。
第一切割步驟15可以是如圖3A所繪示的由第二硬質載板處切割，也可以是分別由第一硬質載板及第二硬質載板處切割。
之後，請參見第3B圖，分離第二硬質載板202與第二離形區域204之第三部份204a。
須注意的是，於第三實施例中，由於第一切割步驟15穿過第一離形區域104、第一軟性基板106、第二離形區域106與第二軟性基板206，且第二硬質載板202為可微彎曲之硬質載板，第二硬質載板202之離形力大(peel strength)於第一硬質載板102之離形力，其中兩硬質載板之離形力差值大小為約≧5 g/inch，因此，只要施加些許外力，即可輕易分離第二硬質載板202。
於另一實施例中，若第一硬質載板102為可微彎曲之硬質載板，則同樣可先分離第一硬質載板102。
接著，請參見第3C圖，移除第二硬質載板202，以暴露出第二離形區域204之第三部份204a。之後，表面加工處理第二離形區域204之第三部份204a，表面加工處理包括貼上特定功能層208、210於第二離形區域204之第三部份204a暴露的表面上，特定功能層208、210同上所述，在此不再贅述。
最後，請參見第3D圖，分離第一硬質載板102與第一離形區域104之第一部份104a，再移除第一硬質載板102，即可完成軟性電子元件301之表面加工與取出。
另外，本揭露第三實施例之變化實施例中，第一硬質載板102或第二硬質載板202兩者其中之一為不透明載板，另一為透明載板，不透明載板例如金屬、不鏽鋼等材質。須注意的是，當第一硬質載板102或第二硬質載板202兩者其中之一為不透明載板，另一為透明載板時，進行切割步驟15時，要選擇從透明載板的方向進行雷射切割。
第4A圖~第4E圖顯示本揭露第四實施例之軟性電子元件之製程步驟。第四實施例與第三實施例相同之元件使用相同的標號表示，兩實施例之差別在於，第四實施例將複數個軟性電子元件303切割裂片為單一軟性電子元件303於第一硬質載板102與第二硬質載板202之間。
請參見第4A圖，首先沿著單一軟性電子元件303之外圍，以雷射11切斷第一離形區域104、第一軟性基板106、第二離形區域204與第二軟性基板206，以使第一離形區域104分成第一部份104a與第二部份104b，第一軟性基板106分成第一部份106a與第二部份106b，第二離形區域204分成第三部份204a與第四部份，第二軟性基板206分成第三部份206a與第四部份206b，其中第一離形區域104之第一部份104a上具有單一軟性電子元件303，第一軟性基板106之第一部份106a上具有單一軟性電子元件303，第二離形區域204之第三部份204a上具有軟性電子元件，第二軟性基板206之第三部份206a上具有軟性電子元件。
接著，請參見第4B圖，沿著第一離形區域104之第一部份104a與第二部份104b之間的垂直方向，第二離形區域204之第三部份204a與第四部份204b之間的垂直方向，以刀輪13切割第一硬質載板102與第二硬質載板202；以及進行一裂片步驟，以形成單一軟性電子元件303於第一硬質載板102與第二硬質載板202之間(如第4C圖所示)。
請參見第4C圖，分離第二硬質載板202與第二離形區域204之第三部份204a。於一較佳實施例中，第二載板202為可微彎曲之硬質載板，因此，只要施加些許外力，即可輕易分離第二硬質載板202。
須注意的是，於第二實施例的第2A圖中，雷射11僅穿過第一軟性基板106與第二軟性基板206，而不穿過第一離形區域104與第二離形區域106，因此，還需要後續搭配第一切割步驟15與第二切割步驟17，以分次移除第一硬質載板102與第二硬質載板202。
然而，於第四實施例第4A圖中，雷射11穿過第一離形區域104、第一軟性基板106、第二離形區域106與第二軟性基板206，且第二硬質載板202之離形力大(peel strength)於第一硬質載板102之離形力，且兩硬質載板之離形力差值大小為約≧5 g/inch，因此，於第4C圖中，只要施加些許外力，即可輕易分離第二硬質載板202。
接著，請參見第4D圖，移除第二硬質載板202，以暴露出第二離形區域204之第三部份204a。之後，表面加工處理第二離形區域204之第三部份204a，表面加工處理包括貼上特定功能層208、210於第二離形區域204之第三部份204a暴露表面上，特定功能層208、210同上所述，在此不再贅述。
之後，請參見第4E圖，分離第一硬質載板102與第一離形區域104之第一部份104a，再移除第一硬質載板102，即可完成單一軟性電子元件303之表面加工與取出。
第5A圖~第5K圖顯示本揭露第五實施例之軟性電子元件之製程步驟。第五實施例與第一實施例相同之元件使用相同的標號表示。
請參見第5A圖，提供第二硬質載板202，其中至少一第二離形區域204、第二軟性基板206與特定功能層208依序形成於第二硬質載板202之上，其中特定功能層208例如彩色濾光片、偏光膜(polarizer)等。
請參見第5B圖，進行第一切割步驟15，以切斷第二離形區域204與第二軟性基板206，使第二離形區域204分成第一部份204a與第二部份204b，使第二軟性基板206分成第一部份206a與第二部份206b。第一切割步驟15包括以雷射或刀輪切割第二離形區域204與第二軟性基板206。
請參見第5C圖，提供第一硬質載板102，其中至少一第一離形區域104、第一軟性基板106與複數個軟性電子元件301依序形成於第一硬質載板102之上。之後，組裝第一硬質載板102與第二硬質載板202。
須注意的是，於第5C圖中，於第二離形區域204第一部份204a與第二軟性基板206之第一部份206a之上具有軟性電子元件301。
請參見第5D圖，進行第二切割步驟17，以切斷第一軟性基板106，使第一軟性基板106分成第三部份106a與第四部份106b，其中第一軟性基板106之第三部份106a之上具有軟性電子元件301。進行第二切割步驟17包括穿過第二硬質載板202對第一軟性基板106照射雷射光。
請參見第5E圖，進行第三切割步驟19，以切割第一硬質載板102與第二硬質載板202。第三切割步驟19包括以雷射或刀輪切割第一硬質載板102與第二硬質載板202。
請參見第5F圖，進行裂片步驟，以形成單一電子元件301於第一硬質載板102與第二硬質載板202之間。
請參見第5G圖，分離第二離形區域204與第二軟性基板206，以暴露出第二軟性基板206第一部份206a之表面。
於進行下一個步驟之前，請參見第5H圖，尚包括表面加工處理第二軟性基板206之第一部份206a之表面，形成特定功能層210於第二軟性基板206第一部份206a之表面，例如觸控薄膜(touch film)或偏光膜(polarizer)等。
此外，於本實施例中，於第5C圖中，形成接腳(pin)120於第一軟性基板106之上，接腳120的作用在於將軟性電子元件301之訊號傳輸到外界。於第5I圖時，電性連接接腳120與可撓式印刷電路板接合(flexible printed circuit board bonding,FPC bonding) 122。於另一實施例中，亦可不形成接腳120，直接進行第5J圖之步驟。
請參見第5J圖，進行第四切割步驟21，以切斷第一離形區域104。
請參見第5K圖，分離第一離形區域104與第一軟性基板106之第三部份106a，即可完成軟性電子元件301之表面加工與取出。
第6A圖~第6J圖顯示本揭露第六實施例之軟性電子元件之製程步驟。第六實施例與第一實施例相同之元件使用相同的標號表示。
請參見第6A圖，提供第一硬質載板102，其中至少一第一離形區域104、第一軟性基板106與複數個軟性電子元件301依序形成於第一硬質載板102之上。
接著，進行第一切割步驟15，以切斷第一離形區域104與第一軟性基板106，使第一離形區域104分成第一部份104a與第二部份104b，使第一軟性基板106分成第一部份106a與第二部份106b。第一切割步驟15包括對第一離形區域104與第一軟性基板106照射雷射光。
須注意的是，於第一離形區域104之第一部份104a與第一軟性基板106之第一部份106a之上具有軟性電子元件301。
請參見第6B圖，提供第二硬質載板202，其中至少一第二離形區域204、第二軟性基板206依序形成於第二硬質載板202之上。
之後，組裝第一硬質載板102與第二硬質載板202。
請參見第6C圖，進行第二切割步驟17，以切斷第二軟性基板206，使第二軟性基板206分成第三部份206a與第四部份206b，其中第二軟性基板206之第三部份206a之上具有軟性電子元件301。第二切割步驟17包括穿過該第二硬質載板202對第二軟性基板206照射雷射光。
請參見第6D圖，進行第三切割步驟19，以切割第一硬質載板102與第二硬質載板202。第三切割步驟19包括以雷射或刀輪切割第一硬質載板102與第二硬質載板202。
請參見第6E圖，進行裂片步驟，以形成單一電子元件301於第一硬質載板102與第二硬質載板202之間。
此外，於此實施例中，於第6A圖中，形成接腳(pin)120於第一軟性基板106之上，接腳120的作用在於將軟性電子元件301之訊號傳輸到外界。於第6F圖時，電性連接接腳120與可撓式印刷電路板接合(flexible printed circuit board bonding,FPC bonding) 122。於另一實施例中，亦可不形成接腳120，直接進行第6G圖之步驟。
請參見第6G圖，分離第一離形區域104與第一軟性基板106，以暴露出第一軟性基板106之第一部份106a之表面。
此外，於進行下個步驟之前，請參見第6H圖，尚包括表面加工處理第一軟性基板106之第一部份106a之表面，形成特定功能層208於第一軟性基板106之第一部份106a之表面，例如觸控薄膜(touch film)或偏光膜(polarizer)等。
請參見第6I圖，進行第四切割步驟21，以切斷第二離形區域204。第四切割步驟21包括穿過第二硬質載板202對第二軟性基板206之第三部份206a照射雷射光。
請參見第6J圖，分離第二離形區域204與第二軟性基板206，即可完成軟性電子元件301之表面加工與取出。。
綜上所述，本揭露提供一種軟性電子元件之製法，此製法可進行單邊切割步驟(如第一、二實施例)，或者雙邊切割步驟(如第三、四實施例)，以達到軟性電子元件的表面加工與取出。
此外，亦可先將複數個軟性電子元件切割裂片為單一軟性電子元件(如第二、四實施例)再進行後續的表面加工處理與取出。
再者，可以先分別製作第一載板或第二載板上的元件，再組裝第一載板與第二載板(如第五、六實施例)，之後再進行切割與表面加工處理。
雖然本揭露已以數個較佳實施例說明如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10．．．區域
11．．．雷射
13．．．刀輪
15．．．第一切割步驟
17．．．第二切割步驟
19．．．第三切割步驟
21．．．第四切割步驟
25．．．第一斷裂開口
27‧‧‧第二斷裂開口
102‧‧‧第一硬質載板
104‧‧‧第一離形區域
104a‧‧‧第一離形區域之第一部份
104b‧‧‧第一離形區域之第二部份
106‧‧‧第一軟性基板
106a‧‧‧第一軟性基板之第一部份
106b‧‧‧第一軟性基板之第二部份
108、110‧‧‧特定功能層
120‧‧‧接腳
122‧‧‧可撓式印刷電路板接合(flexible printed circuit board bonding,FPC bonding)
150‧‧‧切割路徑
202‧‧‧第二硬質載板
204‧‧‧第二離形區域
204a‧‧‧第二離形區域之第三部份
204b‧‧‧第一離形區域之第四部份
206‧‧‧第二軟性基板
206a‧‧‧第二軟性基板之第三部份
206b‧‧‧第二軟性基板之第四部份
208、210‧‧‧特定功能層
301‧‧‧軟性電子元件
303‧‧‧單一軟性電子元件
第1A、1C-1F圖為一系列剖面圖，用以本揭露第一實施例之軟性電子元件的製法。
第1B圖為一俯視圖，用以本揭露第一實施例之軟性電子元件之俯試圖。
第2A~2H圖為一系列剖面圖，用以說明本揭露第二實施例之軟性電子元件的製法。
第3A~3D圖為一系列剖面圖，用以揭露本發明第三實施例之軟性電子元件的製法。
第4A~4E圖為一系列剖面圖，用以揭露本發明第四實施例之軟性電子元件的製法。
第5A~5K圖為一系列剖面圖，用以揭露本發明第五實施例之軟性電子元件的製法。
第6A~6J圖為一系列剖面圖，用以揭露本發明第六實施例之軟性電子元件的製法。
10．．．區域
15．．．第一切割步驟
102．．．第一硬質載板
104．．．第一離形區域
106．．．第一軟性基板
202．．．第二硬質載板
204．．．第二離形區域
206．．．第二軟性基板
301．．．軟性電子元件

Claims (23)

  1. 一種軟性電子元件的製法，包括以下步驟：提供一第一硬質載板與相對設置之一第二硬質載板，其中至少一軟性電子元件形成於該第一硬質載板與該第二硬質載板之間，且複數個第一離形區域、一第一軟性基板、該些軟性電子元件、一第二軟性基板、複數個第二離形區域、該第二硬質載板依序形成於該第一硬質載板之上；進行一第一切割步驟，以切斷該些第一離形區域，使該些第一離形區域分成一第一部份與一第二部份，其中該些第一離形區域之第一部份上具有該軟性電子元件，其中該第一切割步驟包括：穿過該第一硬質載板對該些第一離形區域與該第一軟性基板照射一雷射光，但不損壞該第一硬質載板；分離該第一硬質載板與該些第一離形區域之第一部份；移除該第一硬質載板，以暴露出該些第一離形區域之第一部份；進行一第二切割步驟，以切斷該些第二離形區域，以使該些第二離形區域分成一第三部份與一第四部份，其中該些第二離形區域之第三部份上具有該軟性電子元件；分離該第二硬質載板與該些第二離形區域之第三部份；以及移除該第二硬質載板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之軟性電子元件的製法，其中該第一硬質載板、該第二硬質載板各自包括玻璃 基板、矽基板、石英基板或藍寶石基板。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之軟性電子元件的製法，其中該第一硬質載板、該第二硬質載板皆為透明載板或其一為不透明載板，另一為透明載板。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之軟性電子元件的製法，其中該第一硬質載板、該第二硬質載板或上述兩者為可微彎曲(bendable)之載板。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之軟性電子元件的製法，於進行該第一切割步驟之前，尚包括提供一單一軟性電子元件於該第一硬質載板與該第二硬質載板之間，其中形成該單一軟性電子元件之方法包括以下步驟：沿著該單一軟性電子元件之外圍，以雷射切斷該第一軟性基板與該第二軟性基板，以使該第一軟性基板具有一斷裂開口，該第二軟性基板具有一第二斷裂開口；沿著該第一斷裂開口與該第二斷裂開口之垂直方向，以刀輪切割該第一硬質載板與該第二硬質載板；以及進行一裂片步驟，以形成該單一軟性電子元件於該第一硬質載板與該第二硬質載板之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之軟性電子元件的製法，於進行該第二切割步驟之前，尚包括：表面加工處理該些第一離形區域之第一部份。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之軟性電子元件的製法，其中該第二切割步驟包括：以雷射或刀輪切割該些第二離形區域與該第二軟性基板。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之軟性電子元件的製法，其中該第一切割步驟尚包括：切斷該第一軟性基板，使該第一軟性基板分成一第一部份與一第二部份，且該第一軟性基板之第一部份上具有該軟性電子元件。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之軟性電子元件的製法，其中該第二切割步驟尚包括：切斷該第二軟性基板，使該第二軟性基板分成一第三部份與一第四部份，且該第二軟性基板之第三部份上具有該軟性電子元件。
  10. 一種軟性電子元件的製法，包括以下步驟：提供一第一硬質載板與相對設置之一第二硬質載板，其中至少一軟性電子元件形成於該第一硬質載板與該第二硬質載板之間，且複數個第一離形區域、一第一軟性基板、該些軟性電子元件、一第二軟性基板、複數個第二離形區域、該第二硬質載板依序形成於該第一硬質載板之上；進行一切割步驟，以切斷該些第一離形區域與該些第二離形區域，使該些第一離形區域分成一第一部份與一第二部份，該些第二離形區域分成第三部份與第四部份，其中該些第一離形區域之第一部份上具有該軟性電子元件，該些第二離形區域之第三部份上具有該軟性電子元件，其中該切割步驟包括：對該些第一離形區域、該第一軟性基板、該些第二離形區域與該第二軟性基板照射一雷射光，但不損壞該第一硬質載板與該第二硬質載板；施加外力以分離該第二硬質載板與該些第二離形區域 之第三部份；移除該第二硬質載板，以暴露出該些第二離形區域第三部份；分離該第一硬質載板與該些第一離形區域之第一部份；以及移除該第一硬質載板。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之軟性電子元件的製法，於分離該第一硬質載板與該些第一離形區域之第一部份之前，尚包括：表面加工處理該些第二離形區域第三部份。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之軟性電子元件的製法，其中該第一硬質載板、該第二硬質載板皆為透明載板或其一為不透明載板，另一為透明載板。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之軟性電子元件的製法，其中該第一硬質載板、該第二硬質載板或上述兩者為可微彎曲(bendable)之載板。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之軟性電子元件的製法，其中該切割步驟尚包括僅沿著一單一軟性電子元件之外圍進行切割，包括以下步驟：沿著該些第一離形區域之第一部份與第二部份之間、該些第二離形區域之第三部份與第四部份之間的垂直方向，以刀輪切割該第一硬質載板與該第二硬質載板；進行一裂片步驟，以形成該單一軟性電子元件於該第一硬質載板與該第二硬質載板之間。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之軟性電子元件的製 法，其中該切割步驟尚包括：切斷該第一軟性基板與第二軟性基板，使該第一軟性基板分成一第一部份與一第二部份，該第二軟性基板分成一第三部份與一第四部份，其中該第一軟性基板之第一部份上具有該軟性電子元件，該第二軟性基板之第三部份上具有該軟性電子元件。
  16. 一種軟性電子元件的製法，包括以下步驟：提供一第二硬質載板，其中至少一第二離形區域、一第二軟性基板與一特定功能層依序形成於該第二硬質載板之上；進行一第一切割步驟，以切斷該第二離形區域與該第二軟性基板，使該第二離形區域分成一第一部份與一第二部份，使該第二軟性基板分成一第一部份與一第二部份；提供一第一硬質載板，其中至少一第一離形區域、一第一軟性基板與複數個軟性電子元件依序形成於該第一硬質載板之上；組裝該第一硬質載板與該第二硬質載板；進行一第二切割步驟，以切斷該第一軟性基板，使該第一軟性基板分成第三部份與第四部份，其中該第一軟性基板第三部份之上具有該些軟性電子元件，其中該第二切割步驟包括：穿過該第二硬質載板對該第一軟性基板照射一雷射光，但不損壞該第二硬質載板；進行一第三切割步驟，以切割第一硬質載板與該第二硬質載板；進行一裂片步驟，以形成單一電子元件於該第一硬質 載板與該第二硬質載板之間；施加外力以分離該第二離形區域與該第二軟性基板，以暴露出該第二軟性基板第一部份之表面；進行一第四切割步驟，以切斷該第一離形區域；以及分離第一離形區域與第一軟性基板之第三部份。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之軟性電子元件的製法，其中於分離該第二離形區域與該第二軟性基板之後，尚包括：表面加工處理該第二軟性基板第一部份之表面。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之軟性電子元件的製法，尚包括以下步驟：形成一接腳於該第一軟性基板之上；以及於分離該第二離形區域與該第二軟性基板之後，電性連接該接腳與一可撓式印刷電路板接合(flexible printed circuit board bonding,FPC bonding)。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之軟性電子元件的製法，其中該第一切割步驟包括：以雷射或刀輪切割該第二離形區域與第二軟性基板，以切斷該第二離形區域與該第二軟性基板。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之軟性電子元件的製法，其中該第三切割步驟包括：以雷射或刀輪切割該第一硬質載板與該第二硬質載板。
  21. 一種軟性電子元件的製法，包括以下步驟：提供一第一硬質載板，其中至少一第一離形區域、一 第一軟性基板與複數個軟性電子元件依序形成於該第一硬質載板之上；進行一第一切割步驟，以切斷該第一離形區域與該第一軟性基板，使該第一離形區域分成一第一部份與一第二部份，使該第一軟性基板分成一第一部份與一第二部份，其中該第一切割步驟包括：穿過該第一硬質載板對該些第一離形區域與該第一軟性基板照射一雷射光，但不損壞該第一硬質載板；提供一第二硬質載板，其中至少一第二離形區域、一第二軟性基板依序形成於該第二硬質載板之上；組裝該第一硬質載板與該第二硬質載板；進行一第二切割步驟，以切斷該第二軟性基板，使該第二軟性基板分成一第三部份與一第四部份，其中該第二軟性基板之第三部份之上具有該些軟性電子元件；進行一第三切割步驟，以切割該第一硬質載板與該第二硬質載板；進行一裂片步驟，以形成單一電子元件於該第一硬質載板與該第二硬質載板之間；施加外力以分離該第一離形區域與該第一軟性基板，以暴露出該第一軟性基板之第一部份之表面；進行一第四切割步驟，以切斷該第二離形區域；以及分離該第二離形區域與該第二軟性基板。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之軟性電子元件的製法，尚包括以下步驟：形成一接腳於該第一軟性基板之上；以及 於進行該裂片步驟之後，電性連接該接腳與一可撓式印刷電路板接合(flexible printed circuit board bonding,FPC bonding)。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之軟性電子元件的製法，其中於分離該第一離形區域與該第一軟性基板之後，尚包括：表面加工處理該第二軟性基板第一部份之表面。
TW100147906A 2011-07-04 2011-12-22 軟性電子元件的製法 TWI433625B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100147906A TWI433625B (zh) 2011-07-04 2011-12-22 軟性電子元件的製法
CN201210041695.9A CN102869203B (zh) 2011-07-04 2012-02-20 软性电子组件的制法
US13/529,820 US8557637B2 (en) 2011-07-04 2012-06-21 Method for fabricating the flexible electronic device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100123479 2011-07-04
TW100147906A TWI433625B (zh) 2011-07-04 2011-12-22 軟性電子元件的製法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201304644A TW201304644A (zh) 2013-01-16
TWI433625B true TWI433625B (zh) 2014-04-01

Family

ID=47438897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100147906A TWI433625B (zh) 2011-07-04 2011-12-22 軟性電子元件的製法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8557637B2 (zh)
CN (1) CN102869203B (zh)
TW (1) TWI433625B (zh)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008054288A1 (de) * 2008-11-03 2010-05-06 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines flexiblen Leuchtbands
KR101971202B1 (ko) * 2012-11-22 2019-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
CN103035490A (zh) * 2012-12-11 2013-04-10 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示器件的制备方法
US20140217577A1 (en) * 2013-02-04 2014-08-07 Infineon Technologies Ag Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device
TWI515852B (zh) 2013-05-01 2016-01-01 友達光電股份有限公司 主動元件基板與其之製作方法
TWI518895B (zh) 2013-05-21 2016-01-21 財團法人工業技術研究院 薄膜裝置
JP6224918B2 (ja) 2013-05-31 2017-11-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
US9853243B2 (en) 2013-07-05 2017-12-26 Industrial Technology Research Institute Flexible display and method for fabricating the same
KR102097486B1 (ko) * 2013-08-02 2020-04-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
KR102117054B1 (ko) * 2013-08-14 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치의 제조 방법
TWI524998B (zh) * 2013-09-25 2016-03-11 友達光電股份有限公司 基板之黏結及分離的方法
CN103753944B (zh) * 2014-01-15 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 一种对柔性显示膜进行剥离的方法和装置
JP2015195106A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
TWI589031B (zh) * 2014-10-20 2017-06-21 Playnitride Inc Light-emitting device transfer method
KR102307693B1 (ko) * 2014-12-12 2021-10-06 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조방법
KR102288354B1 (ko) * 2015-08-10 2021-08-11 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
CN106739424B (zh) 2015-11-20 2020-02-14 财团法人工业技术研究院 取下贴合装置及应用此装置的取下方法与贴合方法
CN106793488B (zh) 2015-11-20 2019-04-30 财团法人工业技术研究院 软性电子装置与软性电子装置制作工艺方法
JP6352957B2 (ja) * 2015-12-21 2018-07-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
JP6410282B2 (ja) * 2015-12-28 2018-10-24 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP6637766B2 (ja) * 2016-01-04 2020-01-29 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
CN105428393B (zh) * 2016-01-05 2019-10-18 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板、柔性显示面板的制作方法及相关装置
KR102457246B1 (ko) 2016-01-12 2022-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102457248B1 (ko) * 2016-01-12 2022-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10418237B2 (en) * 2016-11-23 2019-09-17 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Amorphous boron nitride dielectric
KR102665594B1 (ko) * 2016-12-01 2024-05-17 주식회사 탑 엔지니어링 스크라이빙 장치
CN108268159A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 财团法人工业技术研究院 可拉伸感测元件及其感测方法
KR102504133B1 (ko) * 2018-02-20 2023-02-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
US20210029830A1 (en) * 2018-03-26 2021-01-28 Applied Materials, Inc. Method for producing a flexible device, flexible electronic device and flexible arrangement of a plurality of electronic devices
WO2019186893A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイスの製造方法
JP6674591B1 (ja) * 2018-05-09 2020-04-01 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置
US11158804B2 (en) * 2018-05-09 2021-10-26 Sakai Display Products Corporation Method and apparatus for manufacturing flexible light emitting device
CN112042270A (zh) 2018-05-09 2020-12-04 堺显示器制品株式会社 柔性发光器件的制造方法以及制造装置
CN111048549B (zh) * 2018-10-11 2022-08-16 上海和辉光电股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN112420939A (zh) * 2019-08-22 2021-02-26 群创光电股份有限公司 电子装置及其制造方法

Family Cites Families (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4473424A (en) 1981-06-17 1984-09-25 Sorko Ram Paul O Decorative mirrored article
EP0402789A3 (en) 1989-06-10 1991-09-18 Nitto Denko Corporation Process for producing display element, pattern sheet therefor, and process for producing pattern sheet
US5565303A (en) 1990-12-19 1996-10-15 Shaw; Sonya Y. Photosensitive printing plate developed by a peel-apart process
US5374469A (en) 1991-09-19 1994-12-20 Nitto Denko Corporation Flexible printed substrate
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4126747B2 (ja) 1998-02-27 2008-07-30 セイコーエプソン株式会社 ３次元デバイスの製造方法
JP4085459B2 (ja) 1998-03-02 2008-05-14 セイコーエプソン株式会社 ３次元デバイスの製造方法
US6807328B2 (en) 1998-04-17 2004-10-19 John Farah Polished polyimide substrate
TW362266B (en) 1998-05-08 1999-06-21 Mutual Tek Ind Co Ltd Packaging method for economical thin type chip
JP2000238449A (ja) 1999-02-18 2000-09-05 Fuji Photo Film Co Ltd 水なし平版印刷原版
US6517659B1 (en) 1999-11-18 2003-02-11 Active Mfg. Corp. Method for coincidentally cut and fused object
US6343550B1 (en) 2000-01-24 2002-02-05 Douglas W. Feesler Flexographic printing apparatus and method
TW574753B (en) 2001-04-13 2004-02-01 Sony Corp Manufacturing method of thin film apparatus and semiconductor device
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TW546857B (en) 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
US8415208B2 (en) 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP2003109773A (ja) 2001-07-27 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法
TW554398B (en) 2001-08-10 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
TW558743B (en) 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
SG149680A1 (en) 2001-12-12 2009-02-27 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
FR2839917B1 (fr) 2002-05-22 2004-10-08 Arjo Wiggins Article forme a partir d'au moins un jet de matiere fibreuse comportant au moins une zone d'epaisseur nulle et procede de fabrication dudit article
US7144422B1 (en) 2002-11-13 2006-12-05 Advanced Cardiovascular Systems, Inc. Drug-eluting stent and methods of making the same
US7105448B2 (en) 2003-02-28 2006-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for peeling off semiconductor element and method for manufacturing semiconductor device
US20040206953A1 (en) 2003-04-16 2004-10-21 Robert Morena Hermetically sealed glass package and method of fabrication
US7512297B2 (en) 2003-05-02 2009-03-31 John Farah Polymide substrate bonded to other substrate
US7384792B1 (en) 2003-05-27 2008-06-10 Opto Trace Technologies, Inc. Method of fabricating nano-structured surface and configuration of surface enhanced light scattering probe
EP1661149A2 (en) 2003-08-26 2006-05-31 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Ultra-thin flexible inductor
US7229900B2 (en) * 2003-10-28 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing base material
GB0327093D0 (en) 2003-11-21 2003-12-24 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates
US7436032B2 (en) 2003-12-19 2008-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit comprising read only memory, semiconductor device comprising the semiconductor integrated circuit, and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit
US7271076B2 (en) 2003-12-19 2007-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film integrated circuit device and manufacturing method of non-contact type thin film integrated circuit device
US7566010B2 (en) 2003-12-26 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Securities, chip mounting product, and manufacturing method thereof
WO2005069974A2 (en) 2004-01-23 2005-08-04 Children's Hospital Medical Center Microsensor catheter and method for making the same
WO2005076358A1 (en) 2004-02-06 2005-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film integrated circuit, and element substrate
EP1719169A4 (en) 2004-02-20 2015-01-07 Semiconductor Energy Lab METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR COMPONENT AND INTEGRATED CIRCUIT BOARD (IC), INTEGRATED CIRCUIT LABEL, RFID TYPE IDENTIFIER, ANSWERER, INVOICE, TITLES, PASSPORT, ELECTRONIC APPARATUS, BAG AND CLOTHING
US7799699B2 (en) 2004-06-04 2010-09-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling
KR101260981B1 (ko) 2004-06-04 2013-05-10 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 인쇄가능한 반도체소자들의 제조 및 조립방법과 장치
US8217381B2 (en) 2004-06-04 2012-07-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Controlled buckling structures in semiconductor interconnects and nanomembranes for stretchable electronics
US20070270678A1 (en) 2004-06-18 2007-11-22 Fadem Kalford C Wireless Electrode for Biopotential Measurement
US7452786B2 (en) 2004-06-29 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film integrated circuit, and element substrate
JP2006085116A (ja) 2004-08-17 2006-03-30 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性転写材料並びにパターン形成方法及びパターン
US7228968B1 (en) 2004-09-16 2007-06-12 Starliner, Llc Stick-on, flexible, peel and seal package dispenser
TWI279614B (en) 2004-11-19 2007-04-21 Ind Tech Res Inst Method and apparatus for processing a flexible liquid crystal display
JP2006179529A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Sony Corp フレキシブル基板の接続方法
TWI259592B (en) 2005-01-12 2006-08-01 Univ Nat Chunghsing Inorganic light emitting diode display panel having soft substrate
JP2006201538A (ja) 2005-01-21 2006-08-03 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、パターン形成方法、配線パターン形成方法
GB2425401A (en) 2005-04-21 2006-10-25 Stuart Philip Speakman Manufacture of microstructures using peelable mask
US8147640B2 (en) 2005-05-13 2012-04-03 Lg Display Co., Ltd. Fabricating method of flexible display
TWI288493B (en) 2005-09-13 2007-10-11 Ind Tech Res Inst Method for fabricating a device with flexible substrate and method for stripping flexible-substrate
TWI321241B (en) 2005-09-14 2010-03-01 Ind Tech Res Inst Flexible pixel array substrate and method of fabricating the same
TWI265606B (en) 2005-09-19 2006-11-01 Ind Tech Res Inst Method of fabricating flexible thin film transistor array substrate
TWI278694B (en) 2005-09-20 2007-04-11 Ind Tech Res Inst Method for supporting a flexible substrate and method for manufacturing a flexible display
GB0521078D0 (en) 2005-10-17 2005-11-23 T G Eakin Ltd Access port for a medical appliance and method
US20070114366A1 (en) 2005-11-21 2007-05-24 General Electric Company Optical article having a multi-component structure as an anti-theft feature and a system and method for inhibiting theft of same
TWI331885B (en) 2006-01-12 2010-10-11 Ind Tech Res Inst Fabricating method of organic electronic device
US7848379B2 (en) 2006-01-25 2010-12-07 Sensor Electronic Technology, Inc. LED-based optical pumping for laser light generation
US8247908B2 (en) 2006-01-26 2012-08-21 Industrial Technology Research Institute Circuit substrate and method for utilizing packaging of the circuit substrate
JP5688783B2 (ja) 2006-01-31 2015-03-25 独立行政法人産業技術総合研究所 粘土膜及びその製造方法
EP1993781A4 (en) 2006-02-03 2016-11-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd METHOD FOR MANUFACTURING MEMORY ELEMENT, LASER IRRADIATION APPARATUS, AND LASER IRRADIATION METHOD
US8580700B2 (en) 2006-02-17 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7532378B2 (en) 2006-02-21 2009-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, method of laser irradiation, and method for manufacturing semiconductor device
TWI424499B (zh) * 2006-06-30 2014-01-21 Semiconductor Energy Lab 製造半導體裝置的方法
US8168514B2 (en) * 2006-08-24 2012-05-01 Corning Incorporated Laser separation of thin laminated glass substrates for flexible display applications
US20080258457A1 (en) 2006-09-08 2008-10-23 De La Rue International Limited Method of manufacturing a security device
US7982135B2 (en) * 2006-10-30 2011-07-19 Ibiden Co., Ltd. Flex-rigid wiring board and method of manufacturing the same
JP2008126220A (ja) 2006-11-27 2008-06-05 Tokyo Kakoki Kk 表面処理装置のコンベア
US7785301B2 (en) 2006-11-28 2010-08-31 Vadim V Yuzhakov Tissue conforming microneedle array and patch for transdermal drug delivery or biological fluid collection
JP2008137733A (ja) 2006-11-30 2008-06-19 Tokyo Kakoki Kk 表面処理装置のコンベア
TWI320963B (en) 2006-12-06 2010-02-21 Princo Corp Method of manufacturing hybrid structure of multi-layer substrates and hybrid structure thereof
JP4268187B2 (ja) 2006-12-25 2009-05-27 東京化工機株式会社 表面処理装置のコンベア
TW200834033A (en) 2007-02-14 2008-08-16 Univ Nat Formosa A thickness measuring system with astigmatic method for transparent and semi-transparent objects
CN101563184A (zh) 2007-03-16 2009-10-21 夏普株式会社 塑料基板的切割方法及塑料基板的切割装置
US7761966B2 (en) 2007-07-16 2010-07-27 Touchdown Technologies, Inc. Method for repairing a microelectromechanical system
US20090019687A1 (en) 2007-07-19 2009-01-22 Chin-Hsiang Tseng Manufacturing method of planar antenna
TW200920870A (en) 2007-11-14 2009-05-16 Hsiuping Inst Technology Online real-time inspection system for manufacturing process quality of roll-to-roll coating equipment
TW200924229A (en) 2007-11-23 2009-06-01 Gigno Technology Co Ltd LED package module and manufacturing method thereof
TW200929460A (en) 2007-12-28 2009-07-01 Union Optronics Corp Lighting device comprising cooler
TWI438876B (zh) 2007-12-28 2014-05-21 Epistar Corp 發光元件及其製造方法
TWI380115B (en) 2008-01-04 2012-12-21 Prime View Int Co Ltd Method and apparatus for manufacturing electrophoretic display
TWI351245B (en) 2008-02-15 2011-10-21 Zhen Ding Technology Co Ltd Method for manufacturing rigid-flexible printed circuit board
US8182633B2 (en) * 2008-04-29 2012-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating a flexible display device
US8387876B2 (en) 2008-05-13 2013-03-05 Nbcuniversal Media, Llc Activation system and method for activating an optical article
US8473974B2 (en) 2008-05-13 2013-06-25 Nbcuniversal Media, Llc Activation system and method for activating an optical article
US8207473B2 (en) 2008-06-24 2012-06-26 Imec Method for manufacturing a stretchable electronic device
TW201003845A (en) 2008-07-10 2010-01-16 Huang-Chung Cheng A fabrication method for flexible electronic circuit with smart thin film circuit
TWI354854B (en) 2008-09-15 2011-12-21 Ind Tech Res Inst Substrate structures applied in flexible electrica
TWI396947B (zh) 2008-12-03 2013-05-21 Metal Ind Res & Dev Ct No-mask exposure system
TWI404585B (zh) 2008-12-04 2013-08-11 Ind Tech Res Inst 雷射加工裝置
CN101937157A (zh) * 2009-07-01 2011-01-05 元太科技工业股份有限公司 可挠式显示装置的制造方法
TWI377646B (en) 2009-08-03 2012-11-21 Substrate structures applied in flexible electrical devices and fabrication method thereof
JP2011039264A (ja) 2009-08-11 2011-02-24 Sony Chemical & Information Device Corp 積層基板の製造方法
KR101149433B1 (ko) 2009-08-28 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI406207B (zh) * 2009-11-05 2013-08-21 Prime View Int Co Ltd 可撓性顯示裝置的製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102869203B (zh) 2015-03-18
US8557637B2 (en) 2013-10-15
US20130011969A1 (en) 2013-01-10
CN102869203A (zh) 2013-01-09
TW201304644A (zh) 2013-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI433625B (zh) 軟性電子元件的製法
EP2685516B1 (en) Method of manufacturing a display panel
JP6285654B2 (ja) 表示パネルの製造方法
TWI428243B (zh) 可撓式元件的取下方法
US9853243B2 (en) Flexible display and method for fabricating the same
TW201944629A (zh) 無邊框顯示裝置、無邊框顯示面板及其製造方法
WO2016000418A1 (zh) 柔性显示面板母板及柔性显示面板的制作方法
US20170271625A1 (en) Method for forming display substrate for display panel
KR102677473B1 (ko) 원장보호필름의 박리방법, 유기발광 표시장치의 제조방법, 및 유기발광 표시장치
US9923157B2 (en) Method of manufacturing flexible display
JP2010062527A (ja) 薄膜素子の製造方法
TWI596751B (zh) 軟性顯示器與其製法
US10249527B2 (en) Method of manufacturing flexible display device
TWI449486B (zh) 基板剝離製程
JP2009047736A (ja) 表示装置とその製造方法
KR20140113247A (ko) 전자 장치 및 그 제조 방법
KR20200060654A (ko) 원장보호필름의 박리방법 및 유기발광 표시장치의 제조방법
KR20210151910A (ko) 유연성 전자부품을 제조하기 위한 시스템 및 방법
JP2008185756A (ja) 電気光学装置の製造方法、電気光学装置の製造装置
US10334742B2 (en) Method of manufacturing an electric device based on glass substrate
WO2019167266A1 (ja) 表示デバイスの製造方法
JP2019178018A (ja) 薄型ガラス基板製造方法
TW201900401A (zh) 用於處理基板之方法
TWI683397B (zh) 軟性顯示器與承載板漸進式預分離之方法
KR20170079902A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법