JP2008185756A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置の製造装置 - Google Patents

電気光学装置の製造方法、電気光学装置の製造装置 Download PDF

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Abstract

【課題】素子基板上の端子部にほとんど損傷を与えることなく対向基板の一部を除去することが可能な電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置を提供すること。
【解決手段】第1マザー基板11と第2マザー基板12とをシール材53を介して貼り合わせ、第1マザー基板11と第2マザー基板12との間に液晶54が配置されたウェハ10を製造する。次に、第2マザー基板12を、平行な2つのダイシングライン14a,14bに沿ってダイシングする。次に、ダイシングライン14a,14bに挟まれた小片17の、ダイシングによって形成された2つの側面のうちの一方である側面16にブローノズル35から気体を吹き付ける(a)。さらに、小片17吸引ノズル36によって吸引し、ウェハ10から小片17を除去する(b,c)。最後に、ウェハ10をスクライブ・ブレイクして液晶パネル50を得る(d)。
【選択図】図8

Description

本発明は、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置に関する。
上記電気光学装置としての液晶装置の製造方法の一つに、液晶滴下法(ODF:One Drop Fill)を用いたものがある(特許文献1参照)。これは、素子基板に液晶を滴下した後に、枠状のシール材を介して素子基板と対向基板とを貼り合わせることにより、素子基板、対向基板、及びシール材によって囲まれた空間に液晶を封入する方法である。この方法においては、素子基板、対向基板はいずれも、複数の液晶装置の構成要素を含んだ大板の状態で貼り合わされるのが一般的である。このため、貼り合わせ工程の後には、素子基板上の端子部を露出させるために、対向基板のうち、端子部を覆う部位を除去する必要がある。このように対向基板の一部を除去する方法としては、例えば対向基板をスクライブ・ブレイクし、上記部位をその他の部分と切り離してから、人の手で除去する方法がある。
特開2002−107740号公報
しかしながら、素子基板と対向基板の間隔は数μm程度しかないため、上記のような除去方法では、上記部位の除去の際に当該部位によって素子基板上の端子部を傷つけやすいという問題点がある。
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の奏する効果の一つにより、素子基板上の端子部にほとんど損傷を与えることなく対向基板の一部を除去することが可能となる。
本発明の電気光学装置の製造方法は、シール材を介して貼り合わされた一対のマザー基板をパネル形成領域毎に切断し、一対の基板間に電気光学物質を狭持してなる電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、一方の前記マザー基板の少なくとも2つの切断予定線に沿って溝を形成する工程と、一方の前記マザー基板の前記溝により挟まれた領域の一方の側面に気体を吹き付ける工程と、一方の前記マザー基板の前記溝により挟まれた前記領域の他方の側面から吸引することにより、当該溝により挟まれた領域を除去する工程とを有することを特徴とする。
このような方法によれば、まず、一方のマザー基板のうち除去されるべき上記領域の側面に気体を吹き付けることにより、当該領域に圧力を印加することができる。これにより、溝が形成された位置において、当該領域を一方のマザー基板の他の部分から遊離させることができる。そして、当該領域を吸引することにより、当該部位を一方のマザー基板から除去することができる。このとき、上記領域は他方のマザー基板とは反対側に吸引されるので、当該領域は他方のマザー基板とは接触しにくい。したがって、他方のマザー基板及び他方のマザー基板上の構成要素をほとんど傷つけることなく一方のマザー基板の上記領域を除去することができる。なお、気体を吹き付ける工程と、吸引により上記領域を除去する工程とは、同時に行ってもよい。このようにすれば、より効率良く上記領域を除去することができるとともに、常に上記領域に他方のマザー基板とは反対側へ向かう力がかかるため、当該領域と他方のマザー基板とをより接触しにくくすることができる。
上記電気光学装置の製造方法において、前記溝を形成する工程は、一方の前記マザー基板に、ダイシングにより当該一方の前記マザー基板の厚みより小さい深さの切り込みを入れる工程であることが好ましい。このようにすれば、溝を形成する際にダイシングブレード又は一方のマザー基板の破片によって他方のマザー基板上の構成要素が損傷してしまう不具合を回避することができる。
上記電気光学装置の製造方法においては、前記溝を形成する工程の前に、前記2つの切断予定線のうちの1つに沿って前記マザー基板をスクライブ・ブレイクする工程を有していてもよい。このようにすれば、一方のマザー基板と、除去されるべき領域との接続強度を低減させることができる。このため、気体を吹き付ける工程において上記領域を一方のマザー基板の他の部分から容易に遊離させることができる。
上記電気光学装置の製造方法において、前記気体を吹き付ける工程は、前記スクライブ・ブレイクがされた側の側面から前記気体を吹き付ける工程であることが好ましい。このようにすれば、除去される領域は、気体を吹き付けられる側において、予めスクライブ・ブレイクにより一方のマザー基板から遊離した状態となっているため、気体の吹き付けによる圧力によって上記領域をより容易に一方のマザー基板から遊離させることができる。
上記電気光学装置の製造方法において、前記電気光学装置は、前記一対の基板として、画素電極並びに該画素電極に電気的に接続された回路素子が形成された素子基板と、前記画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板とを備え、前記一方のマザー基板は、前記対向基板を複数含んでおり、前記他方のマザー基板は、前記素子基板を複数含んでいてもよい。
本発明の電気光学装置の製造装置は、シール材を介して貼り合わされ、電気光学物質を狭持してなる一対のマザー基板において、一方の前記マザー基板に形成された2つの溝により挟まれた領域を除去する電気光学装置の製造装置であって、他方の前記マザー基板を支持するステージと、一方の前記マザー基板の前記溝により挟まれた前記領域の一方の側面に気体を吹き付けるブローノズルと、一方の前記マザー基板の前記溝により挟まれた前記領域の他方の側面から吸引することにより、当該溝により挟まれた領域を除去する吸引ノズルとを有することを特徴とする。
このような構成によれば、まず、一方のマザー基板のうち除去されるべき上記領域の側面にブローノズルから気体を吹き付けることにより、当該領域に圧力を印加することができる。これにより、溝が形成された位置において、当該領域を一方のマザー基板の他の部分から遊離させることができる。この際に当該領域を吸引ノズルによって吸引することにより、当該領域を一方のマザー基板から除去することができる。このとき、上記領域は他方のマザー基板とは反対側に吸引されるので、当該領域は他方のマザー基板とは接触しにくい。したがって、他方のマザー基板及び他方のマザー基板上の構成要素をほとんど傷つけることなく一方のマザー基板の上記領域を除去することができる。
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
(電気光学装置の製造装置)
図1は、本発明における電気光学装置の製造装置としての小片除去装置1の斜視図である。小片除去装置1は、図2に示すウェハ10から小片17を除去するための装置である。
ここで、図2を用いて本発明における複合基板としてのウェハ10について説明する。図2(a)は、ウェハ10の平面図であり、図2(b)は、ウェハ10の側面図である。ウェハ10は、石英基板を基体とする略円盤状の第1マザー基板11と第2マザー基板12とが対向して貼り合わされた構成を有している。第1マザー基板11は、本発明における他方のマザー基板に、また第2マザー基板12は、本発明における一方のマザー基板に、それぞれ対応する。
ウェハ10は、電気光学装置としての液晶パネル50(図3)の製造工程における流動基板の一形態である。第1マザー基板11及び第2マザー基板12は、液晶パネル50(図3)の構成要素を含んだパネル形成領域を複数有している。図2(a)には、液晶パネル50の製造工程においてスクライブ・ブレイクが行われるスクライブライン13,15と、ダイシングが行われるダイシングライン14a,14bが実線で描かれている。ウェハ10の第2マザー基板12から小片17を除去した後、碁盤目状のスクライブライン13,15に沿ってウェハ10を切断することによって、液晶パネル50を製造することができる。ここで、小片17は、平行な2つのダイシングライン14a,14bに挟まれた部位のうち幅の狭い方の部位をいう。ダイシングライン14a,14bは、本発明における「切断予定線」に対応する。また、小片17は、本発明における「溝により挟まれた領域」に対応する。
図3(a)は、ウェハ10から得られる液晶パネル50の平面図であり、図3(b)は、図3(a)中のA−A線において液晶パネル50を切断したときの断面図である。液晶パネル50は、矩形の素子基板11aと、素子基板11aより小さな矩形の対向基板12aとが、枠状のシール材53を介して貼り合わされた構成を有している。素子基板11aは第1マザー基板11を切断することによって得られ、対向基板12aは第2マザー基板12を切断することによって得られる。素子基板11a、対向基板12a、シール材53によって囲まれた空間には、電気光学物質としての液晶54が封入されている。液晶54の層の厚さは、数μm程度である。したがって、素子基板11aと対向基板12aとは、数μm程度の間隔をおいて対向していることとなる。液晶54は、その配向状態に応じて透過光の偏光状態を変えることができる。液晶パネル50は、液晶54の偏光変換機能を用いて表示を行う電気光学装置である。液晶パネル50は、例えば、電子機器としてのプロジェクタに、ライトバルブとして搭載して用いることができる。
素子基板11aの液晶54側表面には、液晶54に駆動電圧を印加するための画素電極(不図示)と、当該電極に接続された回路素子(不図示)及び端子52が形成されている。また、対向基板12aの液晶54側表面には、上記画素電極に対向する対向電極(不図示)が形成されている。素子基板11a上の端子52は、端子部51にまで延設されている。ここで、端子部51は、枠状のシール材53の外部に設けられた領域であって、素子基板11a上に対向基板12aが存在しない領域である。したがって、上記端子52は、端子部51において外部に露出している。端子52には、ドライバIC等に接続されたFPC(Flexible Printed Circuit)等の外部回路が実装される。対向基板12aのうち、端子部51に対応する部位(すなわち液晶パネル50において除去されている部位)が、図2に示された小片17に相当する。
ウェハ10は、小片除去装置1においては、図4に示すようなリング付きウェハ20の状態で取り扱われる。図4(a)は、当該リング付きウェハ20の平面図、図4(b)は、図4(a)中のB−B線でリング付きウェハ20を切断したときの断面図である。リング付きウェハ20は、金属のダイサーリング21と、ダイサーリング21の内側に弛みなく張られた、弾性を有するダイシングテープ22と、ダイシングテープ22の表面に貼り付けられたウェハ10とを有して構成される。
図1に戻り、小片除去装置1の構成について説明する。小片除去装置1は、ウェハカセット31、カセット支柱32、一対のガイドレール33、赤外線センサ34、ブローノズル35、吸引ノズル36、ステージ41、チャック42、ステージ支持部43、ステージ支柱44、スライダ45を有している。
ウェハカセット31は、リング付きウェハ20を複数収納可能なカセットである。ウェハカセット31からは、図中のY軸方向にリング付きウェハ20を引き出すことができる。ウェハカセット31は、Z軸方向に延びたカセット支柱32に支持されている。
ウェハカセット31のY軸方向に沿った前面には、リング付きウェハ20を導く一対のガイドレール33がY軸に沿って配置されている。2本のガイドレール33の間隔は、ダイサーリング21の直径と略等しくなっており、ガイドレール33は、ダイサーリング21を支持することでリング付きウェハ20の全体を支持することができる。リング付きウェハ20は、ガイドレール33上において、図1と図4の座標軸が一致するような方向を保って支持される。すなわち、リング付きウェハ20は、図4に示された小片17のX軸方向の列が、図1におけるX軸と平行となるような方向を保って支持される。
ガイドレール33の近傍には、赤外線センサ34が設置されている。赤外線センサ34は、X軸方向に赤外線を射出する射出部と、当該赤外線の有無を検出可能な受光部とが対になっており、射出部と受光部との間における遮蔽物の有無を検出することができる。
ガイドレール33の下方(すなわち−Z軸方向)には、Y軸に沿って延設されたスライダ45が配置されている。スライダ45には、Z軸方向に延びたステージ支柱44が取り付けられており、ステージ支柱44は、スライダ45上をY軸に沿って移動することができる。
ステージ支柱44には、ステージ支持部43、ステージ41、チャック42が取り付けられている。ステージ支持部43、ステージ41、チャック42は、互いに位置関係が固定されており、全体がステージ支柱44に沿ってZ軸方向に移動することができるとともに、ステージ支柱44とともにスライダ45に沿ってY軸方向にも移動することができる。
チャック42は、リング付きウェハ20のダイサーリング21を把持することができる。チャック42がリング付きウェハ20のダイサーリング21を把持した状態でステージ支柱44をスライダ45に沿ってY軸方向に移動させることで、リング付きウェハ20をウェハカセット31から引き出し、ガイドレール33に沿って移動させることができる。
ステージ41は、ステージ支持部43に取り付けられた円盤状の部材であり、ウェハ10のうちの第1マザー基板11を吸着保持することができる。ステージ41は、ステージ支持部43に、Z軸を中心に回転可能な状態に取り付けられている。
ガイドレール33の上方(すなわち+Z軸方向)には、ブローノズル35、吸引ノズル36が配置されている。ブローノズル35は、ステージ41上のウェハ10に対して圧縮空気を吹き付けることができる。吸引ノズル36は、図示しない集塵機に接続されており、ウェハ10から遊離した小片17を+Z軸方向に吸引して除去することができる。ブローノズル35及び吸引ノズル36は、X軸方向に延びた線状のノズルを有している。このため、ブローノズル35は、図2に示すウェハ10において、X軸方向に沿った小片17の1つの列に対して一度に圧縮空気を吹き付けることができる。また、吸引ノズル36は、上記1つの列に対応する小片17を一度に吸引して除去することができる。
(電気光学装置の製造方法)
続いて、図5から図9を参照しながら、小片除去装置1を用いた電気光学装置としての液晶パネル50の製造方法について説明する。図5は、液晶パネル50の製造方法を示すフローチャートである。図6は、図5中の小片除去工程(工程S4)に含まれる詳細な工程を示すフローチャートである。図7及び図8は、製造工程における液晶パネル50の断面図である。図9は、製造工程における小片除去装置1及びリング付きウェハ20の断面図である。以下、図5のフローチャートに沿って説明する。
工程S1では、第1マザー基板11と第2マザー基板12とを貼り合わせてウェハ10を製造する。より詳しくは、まず、端子52及び回路素子が形成された第1マザー基板11上に、枠状のシール材53を塗布する。続いて、第1マザー基板11上のうちのシール材53に囲まれた領域に適量の液晶54を滴下し(図7(a))、第2マザー基板12を貼り合わせる(図7(b))。その後シール材53を乾燥させる。こうして、第1マザー基板11と第2マザー基板12との間に液晶54が配置されたウェハ10が完成する。なお、シール材53は第2マザー基板12に塗布してもよく、また液晶54を第2マザー基板12に滴下してから第1マザー基板11を貼り合わせるようにしてもよい。
次に、工程S2では、第2マザー基板12をスクライブライン13に沿ってスクライブ・ブレイクする(図7(c))。より詳しくは、第2マザー基板12の表面にダイヤモンドカッター等でスクライブを行い、その後、第1マザー基板11側から圧力を印加することによって第2マザー基板12をブレイクする。この状態では、ブレイクされた第2マザー基板12は、シール材53によって第1マザー基板11に接着されているため、ウェハ10からは遊離しない。スクライブライン13は、図2及び図7(c)から分かるように、除去されるべき小片17を挟む2つの線分のうち、+Z軸方向から見て端子52に重ならない方の線分に設けられる。このため、スクライブ・ブレイクによって、端子52が損傷を受けることはない。
工程S3では、第2マザー基板12をダイシングライン14a,14bに沿ってダイシングする(図7(d))。より詳しくは、まずウェハ10をダイシングテープ22に貼り付けてリング付きウェハ20の状態とし、その後、ダイシングライン14a,14bに沿って、第2マザー基板12に、当該第2マザー基板12の厚さよりも深さの小さい切り込みを入れる。このようにすれば、ダイシングブレード又は第2マザー基板12の破片によって第1マザー基板11及び第1マザー基板11上の端子52を損傷する不具合を回避することができる。ここで、ダイシングライン14a,14bは、図2及び図7(d)に示すように、除去されるべき小片17を挟む線分に沿って設定される。換言すれば、この工程S3におけるダイシングによって、除去されるべき部位(小片17)が規定される。なお、ダイシングライン14aは、上記スクライブライン13と同一のラインである。この工程S3は、本発明における「溝を形成する工程」に対応する。
本実施形態では、ダイシングされた領域のY軸方向に沿った幅は約0.3mmである。また、小片17のY軸方向の幅(すなわちダイシングライン14a,14bの間隔)は約1.5mm、また第2マザー基板12の厚さは約1.1mmである。
次に、工程S4では、第2マザー基板12のうちの小片17をウェハ10から除去する。この工程S4は、図6に示す工程S41から工程S46までを含んでいる。以下、図6のフローチャートに沿って詳述する。
まず、工程S41では、ダイシングが終了したウェハ10を含むリング付きウェハ20を、ウェハカセット31からロードする(図9(a))。詳しくは、まずステージ支柱44をスライダ45に沿ってY軸方向に移動させるとともに、チャック42をステージ支柱44に沿ってZ軸方向に移動させ、チャック42をウェハカセット31内のリング付きウェハ20の位置に移動させる。そして、チャック42によってリング付きウェハ20のダイサーリング21を把持させ、この状態でステージ支柱44をスライダ45に沿って+Y軸方向に移動させることでリング付きウェハ20をガイドレール33(図1)に沿ってロードする。なお、図9(a)では、ガイドレール33の図示を省略している。
次に、工程S42では、ウェハ10をステージ41に載置する(図9(b))。詳しくは、以下のようにして行う。すなわち、まず、チャック42によるリング付きウェハ20の把持を解除した後に、ステージ41をステージ支柱44に沿ってZ軸方向に移動させるとともにステージ支柱44をスライダ45に沿ってY軸方向に移動させて、ステージ41をリング付きウェハ20の下部に位置させる。続いて、ステージ41をステージ支柱44に沿って+Z軸方向に移動させて、ウェハ10の第1マザー基板11と、ダイシングテープ22を介して接触させる。このとき、ウェハ10がダイサーリング21より上方に位置するまでウェハ10を+Z軸方向に押し上げる。さらに、ステージ41によってウェハ10を吸着保持する。
続く工程S43では、ウェハ10の位置のアライメントを行う。アライメントは、ウェハ10が吸着されたステージ41をステージ支持部43によってZ軸を中心に回転させるとともに、ステージ41の位置をX−Y平面内で微調整させて行う。
続いて、工程S44では、第2マザー基板12の小片17に対し、ブローノズル35による圧縮空気の吹き付け(エアブロー)と、吸引ノズル36による吸引を行う(図9(b))。すなわち、図8(a)に示すように、まず工程S3におけるダイシングによって小片17に形成された2つの側面のうち、工程S2においてスクライブ・ブレイクがされた側の側面16に、ブローノズル35によって圧縮空気を吹き付ける。つまり、2つのダイシングライン14a,14bのうち、ダイシングライン14aの側から、小片17に圧縮空気を吹き付けて、小片17に圧力を印加する。このエアブローと同時に、吸引ノズル36によって、第1マザー基板11の反対側から(すなわち+Z軸方向から)吸引を行う。
ここで、小片17のダイシングライン14a側は、上記スクライブ・ブレイクによって隣接部分と分断されているので、小片17は、当該分断された部位において風圧によって変位する。当該変位は、吸引ノズル36による吸引がされていることより、図8(a)中の上方、すなわち+Z軸方向の変位となる。換言すれば、小片17は、図8(a)において、ダイシングライン14bの根元を中心に時計回りに回転する力を受け、図8(b)に示すように変位する。すなわち、ブローノズル35からの圧縮空気の吹き付けと吸引ノズル36による吸引の力によって、ダイシングライン14bにおいてダイシングされずに残っていた部位が折れ、小片17が第2マザー基板12から遊離する。この状態で引き続き吸引ノズル36による吸引を行うことで、小片17を除去することができる(図8(c))。吸引は、ブローノズル35により圧縮空気が吹き付けられる側面とは反対側の側面から行うことが好ましい。
小片17が第2マザー基板12から遊離して除去される際には、吸引ノズル36の吸引によって継続的に+Z軸方向への力が印加されているため、小片17が−Z軸方向へ変位しにくく、ひいては第1マザー基板11と接触しにくい。このため、工程S44においては、第1マザー基板11と第2マザー基板12との間隔が数μm程度と非常に近接しているにも関わらず、第1マザー基板11の端子52を小片17によって傷つける不具合を回避しながら小片17を除去することができる。また、エアブローを行いながら吸引することで、小片17をより容易に除去することができるとともに、吸引だけでは除去が困難な状態の小片17であってもこれに接触することなく除去することができる。例えば、ウェハ10の周辺部にダミーシールが設けられており、小片17が当該ダミーシールによって第1マザー基板11と接着されている場合であっても、容易に小片17を除去することができる。
また、上記工程S44では、図2(a)に示すウェハ10の複数の小片17うち、X軸方向に沿った1つの列に対応する小片17を一度に除去することができる。このように一度に広い範囲の小片17を除去することで、液晶パネル50の生産性を向上させることができる。当該1つの列の小片17が全て除去されたかどうかは、図1に示す赤外線センサ34を用いて判断する。具体的には、赤外線センサ34を、除去されるべき小片17の列と同一の線状に、かつ当該列を挟むように対向配置させて、赤外線の検出を行う。このとき、上記列の全ての小片17が除去されていれば、赤外線を遮る小片17がないため赤外線が検出される。一方、いずれかの小片17が除去されずに残っていれば、赤外線が当該小片17によって遮られるため、赤外線が検出されないか、又は検出強度が減少する。このようにして、ある列の小片17が全て除去されたかどうかを確認することができる。
次に、工程S45では、図2(a)に示すウェハ10において、X軸方向のすべての列の小片17が除去されたか否かを判断する。いずれかの列の小片17の除去がまだ行われていない場合は、工程S43に戻り、アライメント及びエアブロー・吸引を行って小片17の除去を行う。全ての列の小片17が除去されている場合には、工程S46に進む。
工程S46では、小片17の除去が終了したウェハ10を含むリング付きウェハ20を、ウェハカセット31にアンロード(収納)する。詳しくは、まずステージ41によるウェハ10の吸着を解除する。続いて、工程S41のロードと同様に、チャック42によってリング付きウェハ20のダイサーリング21を把持させ、この状態でステージ支柱44をスライダ45に沿って+Y軸方向に移動させることでリング付きウェハ20をウェハカセット31にアンロードする。
以上により、工程S41から工程S46を含む小片除去工程(工程S4)が終了する。
図5に戻り、工程S5では、ウェハ10をスクライブ・ブレイクして液晶パネル50を製造する(図8(d))。より詳しくは、まずウェハ10をダイシングテープ22から剥がし、図2(a)に示すスクライブライン13,15に沿って第1マザー基板11及び第2マザー基板12をスクライブ・ブレイクする。これにより、図3及び図8(d)に示す液晶パネル50が得られる。このとき、工程S4において小片17が除去されていることによって、端子部51において端子52が露出した状態の液晶パネル50が得られる。
以上の工程を経て、電気光学装置としての液晶パネル50が製造される。このような製造方法によれば、小片17の除去の際に端子52が損傷を受けにくいため、表示欠陥等のない高品位な表示を行うことが可能な液晶パネル50を、高い歩留りで製造することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
(変形例1)
上記実施形態は、本発明を電気光学装置としての液晶パネル50に適用したものであるが、これに限定する趣旨ではなく、有機EL(Electro Luminescence)装置をはじめとする種々の電気光学装置にも適用することができる。
電気光学装置の製造装置としての小片除去装置の斜視図。 (a)は、ウェハの平面図、(b)は、ウェハの側面図。 (a)は、液晶パネルの平面図、(b)は、(a)中のA−A線において液晶パネルを切断したときの断面図。 (a)は、リング付きウェハの平面図、(b)は、(a)中のB−B線でリング付きウェハを切断したときの断面図。 液晶パネルの製造方法を示すフローチャート。 図5中の小片除去工程に含まれる詳細な工程を示すフローチャート。 (a)から(d)は、製造工程における液晶パネルの断面図。 (a)から(d)は、製造工程における液晶パネルの断面図。 製造工程における小片除去装置及びリング付きウェハの断面図。
符号の説明
1…電気光学装置の製造装置としての小片除去装置、10…一対のマザー基板としてのウェハ、11…第1マザー基板、11a…素子基板、12…第2マザー基板、12a…対向基板、13,15…スクライブライン、14a,14b…切断予定線としてのダイシングライン、16…側面、17…「溝により挟まれた領域」としての小片、20…リング付きウェハ、21…ダイサーリング、22…ダイシングテープ、31…ウェハカセット、32…カセット支柱、33…ガイドレール、34…赤外線センサ、35…ブローノズル、36…吸引ノズル、41…ステージ、42…チャック、43…ステージ支持部、44…ステージ支柱、45…スライダ、50…電気光学装置としての液晶パネル、51…端子部、52…端子、53…シール材、54…液晶。

Claims (6)

  1. シール材を介して貼り合わされた一対のマザー基板をパネル形成領域毎に切断し、一対の基板間に電気光学物質を狭持してなる電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
    一方の前記マザー基板の少なくとも2つの切断予定線に沿って溝を形成する工程と、
    一方の前記マザー基板の前記溝により挟まれた領域の一方の側面に気体を吹き付ける工程と、
    一方の前記マザー基板の前記溝により挟まれた前記領域の他方の側面から吸引することにより、当該溝により挟まれた領域を除去する工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  2. 請求項1に記載の電気光学装置の製造方法であって、
    前記溝を形成する工程は、一方の前記マザー基板に、ダイシングにより当該一方の前記マザー基板の厚みより小さい深さの切り込みを入れる工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  3. 請求項2に記載の電気光学装置の製造方法であって、
    前記溝を形成する工程の前に、前記2つの切断予定線のうちの1つに沿って前記マザー基板をスクライブ・ブレイクする工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  4. 請求項3に記載の電気光学装置の製造方法であって、
    前記気体を吹き付ける工程は、前記スクライブ・ブレイクがされた側の側面から前記気体を吹き付ける工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  5. 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
    前記電気光学装置は、前記一対の基板として、画素電極並びに該画素電極に電気的に接続された回路素子が形成された素子基板と、前記画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板とを備え、
    前記一方のマザー基板は、前記対向基板を複数含んでおり、
    前記他方のマザー基板は、前記素子基板を複数含んでいる
    ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  6. シール材を介して貼り合わされ、電気光学物質を狭持してなる一対のマザー基板において、一方の前記マザー基板に形成された2つの溝により挟まれた領域を除去する電気光学装置の製造装置であって、
    他方の前記マザー基板を支持するステージと、
    一方の前記マザー基板の前記溝により挟まれた前記領域の一方の側面に気体を吹き付けるブローノズルと、
    一方の前記マザー基板の前記溝により挟まれた前記領域の他方の側面から吸引することにより、当該溝により挟まれた領域を除去する吸引ノズルとを有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
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