JP6637766B2 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、複数の画素を含む表示装置に関する。特に、有機発光層を含む発光素子を各画素に備えた表示装置に関する。
従来、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）やＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）ディスプレイの製造において、大判のガラス基板に複数のディスプレイを一体形成した後、ガラス基板を切断して個々のディスプレイに分離する方式が採用されている。このとき、ガラス基板の切断には、スクライブカッターを用いた切断方法やレーザー光照射による切断方法が一般的に用いられている。
ＬＣＤやＯＬＥＤディスプレイは、通常２枚のガラス基板を貼り合わせた構造となっており、上述のガラス基板の切断プロセスにおいては、２枚のガラス基板を一括して切断する。しかし、その状態では表示回路等が形成されたアレイ基板上の端子部がガラス基板で覆われた状態となるため、通常は、端子部が形成されていない側のガラス基板のみを切断し、端子部を露出させるプロセスを追加している。
貼り合わされた２枚のガラス基板のうち、片側のガラス基板のみを選択的に切断するための技術として、例えば特許文献１及び特許文献２に記載された技術が公知となっている。特許文献１及び特許文献２は、個々に分離した後の液晶ディスプレイに対し、レーザー光照射により対向基板の一部のみ切断し、アレイ基板側の端子部を露出させる技術が開示されている。また、いずれの文献においても、対向基板を切断する位置の下方に金属膜を設け、レーザー光がアレイ基板を構成するガラス基板に当たらないようにする技術が開示されている。
上述した特許文献１及び特許文献２に開示された技術によれば、端子部を露出させるプロセスは、個々の液晶ディスプレイに分離した後に行わなければならない。つまり、大判のガラス基板から切り出した個々の液晶ディスプレイそれぞれに対し、レーザー光照射のプロセスを実施しなければならず、大量生産する上でスループットを低下させる要因となっていた。
本発明の課題は、簡易な製造プロセスによりスループットの高い表示装置の製造方法を提供することにある。
本発明の一実施形態における表示装置の製造方法は、第１基板の上に、第１樹脂層を形成し、前記第１樹脂層の上に、表示部、端子部及び前記表示部と前記端子部との間に配置された遮光層を含む領域を複数形成し、第２基板の上に、第２樹脂層を形成し、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが互いに向かい合うように、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、前記領域を囲む第１ライン及び第２ラインに沿って、前記第２基板を透過させて前記第１樹脂層及び第２樹脂層に第１レーザー光を照射し、前記遮光層に平行な第３ラインに沿って、前記第２基板を透過させて前記遮光層及び前記第２樹脂層に対して第２レーザー光を照射すること、を含む。
また、本発明の一実施形態における表示装置は、陽極、発光層及び陰極を含む発光素子が配置された表示部、前記表示部に電気的に接続された端子部、並びに前記表示部と前記端子部との間に配置され、前記陽極と同一の層に設けられた遮光層を含む第１樹脂層と、前記第１樹脂層に向かい合うように、前記第１樹脂層に貼り合わせられた第２樹脂層と、を含む。
以下、本発明の各実施の形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
（第１実施形態）
＜表示装置の構成＞
図１は、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置における概略の構成を示す図である。有機ＥＬ表示装置１０は、第１樹脂層１０１、第１樹脂層１０１上に形成された表示部（表示領域）１０２、表示部１０２に対して外部からの信号を供給する端子部１０３、表示部１０２と端子部１０３との間に配置された遮光層１０４、及び第１樹脂層１０１に対して対向して配置された第２樹脂層１０５を有する。遮光層１０４の役割については後述する。
＜表示装置の構成＞
図１は、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置における概略の構成を示す図である。有機ＥＬ表示装置１０は、第１樹脂層１０１、第１樹脂層１０１上に形成された表示部（表示領域）１０２、表示部１０２に対して外部からの信号を供給する端子部１０３、表示部１０２と端子部１０３との間に配置された遮光層１０４、及び第１樹脂層１０１に対して対向して配置された第２樹脂層１０５を有する。遮光層１０４の役割については後述する。
なお、図１では図示していないが、第１樹脂層１０１上には、表示部１０２だけでなく、ゲートドライバ回路、ソースドライバ回路、ロジック回路といった各種回路を設けてもよい。このとき、各種回路は、表示部１０２と同時に薄膜トランジスタで形成してもよいし、外付けの集積回路として設けてもよい。
図２は、第１実施形態による有機ＥＬ表示装置の断面の構成を示す図である。第１樹脂層１０１の上には、前述のとおり、表示部１０２及び端子部１０３が設けられている。表示部１０２と端子部１０３とは、配線１０６によって相互に接続される。配線１０６は、表示部１０２に設けられる複数の画素に信号を伝達する役割を果たし、通常は金属材料で構成される。
ここでは図示しないが、表示部１０２は、複数の画素で構成される。各画素には、複数の薄膜トランジスタが設けられ、画素回路を構成している。これら各画素の配置や構成については、公知の技術を用いることができる。上述した配線１０６は、例えば薄膜トランジスタに電気的に接続される電極または配線と同時に形成することが可能である。
図２において、表示部１０２には、平坦化層として機能する絶縁層１０７が設けられている。絶縁層１０７は、ポリイミドやアクリルなどの樹脂層またはシロキサン系の無機絶縁層で構成することができる。本実施形態による有機ＥＬ表示装置１０では、絶縁層１０７は、表示部１０２だけでなく、表示部１０２と端子部１０３との間にも設けられている。その理由については後述する。ただし、最終的には端子部１０３を露出させるため、端子部１０３の上には絶縁層１０７を設けない構成とすることが好ましい。
表示部１０２において、絶縁層１０７の上には、陽極１０８、発光層を含む有機ＥＬ層１０９及び陰極１１０で構成される、発光素子としての有機ＥＬ素子１１１が設けられる。このとき、絶縁材料で構成されるバンク１１２で囲まれた範囲が画素として機能する。陽極１０８は、各画素に配置される画素電極として機能する。陰極１１０は、各画素に共通の電極であり、表示部１０２の全域にわたって設けられる。
基本的に、陽極１０８、有機ＥＬ層１０９及び陰極１１０の構成については、公知の技術を用いることができるが、陽極１０８には、その一部に金属材料を含む電極を用いることが望ましい。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０では、陽極１０８として、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電層と銀等の金属層とを積層した積層膜を用いる。より具体的には、陽極１０８として、二層の透明導電層で金属層を挟んだ構造の電極を用いている。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０は、陽極１０８の形成と同時に、遮光層１０４を形成する。したがって、遮光層１０４は、陽極１０８と同一の層構造とすることが可能である。本実施形態の場合、例えば遮光層１０４を二層の透明導電層で金属層を挟んだ構造とすることができる。勿論、完全に同一の構造とする必要はなく、陽極１０８の一部の構造を用いて遮光層１０４とすることも可能である。ただし、遮光層１０４の一部に遮光性を有する金属層を含む必要はある。本実施形態の場合、陽極１０８を構成する銀等の金属層が、遮光性を有する金属層として機能する。
また、遮光層１０４を設ける位置には、前述のように、遮光層１０４の下に絶縁層１０７を設けておく必要がある。ここで、図３は、本実施形態による有機ＥＬ表示装置１０を平面から見た構成を示す図である。ただし、図３では、第２樹脂層１０５の図示を省略している。
前述のように、表示部１０２と端子部１０３とは、複数の配線１０６で相互に接続されているため、遮光層１０４は、複数の配線１０６を横切る形となる。したがって、遮光層１０４と複数の配線１０６とが確実に絶縁されていないと、各配線１０６が互いに短絡してしまい、表示不良を招く恐れがある。そこで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０では、図２に示すように、遮光層１０４の下に絶縁層１０７を残し、遮光層１０４と配線１０６との間を絶縁している。
このように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０では、遮光層１０４として有機ＥＬ素子１１１を構成する陽極１０８の一部の金属層を用い、配線１０６として絶縁層１０７より下に配置される導電層を用いることにより、遮光層１０４と配線１０６とを特にプロセスを増加させることなく絶縁することができる。また、絶縁層１０７として誘電率の低い材料（例えば、樹脂材料）を用いた場合、遮光層１０４と配線１０６との間に形成される容量を小さくすることができる。
図２に戻って、有機ＥＬ素子１１１は、保護層１１３で覆われている。保護層１１３としては、例えば窒化シリコン層を用いることができるが、これに限定されるものではない。保護層１１３は、第１樹脂層１０１の全面を覆うように設けられた後、後述するように、その一部がエッチングにより除去される。具体的には、第１樹脂層１０１と第２樹脂層１０５とが平面視で重畳しない領域（端子部１０３が含まれる領域）の保護層１１３が選択的に除去される。後述するように、この除去プロセスは、第２樹脂層１０５をマスクとしたエッチング処理により実行される。
第２樹脂層１０５の上には、カラーフィルタ１１４及びブラックマスク１１５が設けられている。ただし、これらは必須の構成ではなく、適宜カラーフィルタ１１４またはブラックマスク１１５を省略することも可能である。例えば、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０では、有機ＥＬ層１０９として白色発光の有機ＥＬ層を用いるため、カラーフィルタ１１４を設けているが、画素ごとに発光色の異なる有機ＥＬ層を設ける場合には、カラーフィルタ１１４を省略してもよい。なお、カラーフィルタ１１４及びブラックマスク１１５としては、公知の材料を用いることができる。
第１樹脂層１０１と第２樹脂層１０５とは、シール材１１６を介して貼り合わせてある。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０では、シール材１１６として樹脂材料を用いるが、他の公知の材料を用いてもよい。また、ここではシール材１１６を用いて第１樹脂層１０１と第２樹脂層１０５とを貼り合わせた例を示すが、シール材１１６を省略することも可能である。例えば、保護層１１３として、樹脂層を用い、その樹脂層を接着剤として用いて第１樹脂層１０１と第２樹脂層１０５とを貼り合わせることも可能である。
＜表示装置の製造プロセス＞
次に、以上説明した第１実施形態による有機ＥＬ表示装置１０の製造プロセスについて図４〜１５を用いて説明する。
次に、以上説明した第１実施形態による有機ＥＬ表示装置１０の製造プロセスについて図４〜１５を用いて説明する。
まず、図４を用いて、有機ＥＬ表示装置１０のうち表示部を有するアレイ基板（画素アレイが形成される基板）の製造プロセスについて説明する。図４（Ａ）に示すように、第１基板３１の上に第１樹脂層３２を形成する。第１基板３１は、どのような材料を用いても構わないが、本実施形態では、ガラス基板を用いる。また、本実施形態では、第１樹脂層３２として、膜厚が１０〜３０μｍ（典型的には２０μｍ）のポリイミド樹脂を用いる。なお、第１樹脂層３２としては、ポリイミドに限らずアクリル等の他の樹脂を用いても良い。
次に、第１樹脂層３２の上に、表示部３３及び端子部３４を形成する。具体的には、表示部３３には、公知の方法で薄膜トランジスタ（図示せず）を形成し、複数の画素回路を形成する。このとき、本実施形態では、表示部３３を形成する過程で、アルミニウム等の金属材料で構成される配線３５を形成する。図３を用いて説明したように、配線３５の終端部が集合して端子部３４を構成する。さらに、図示しない薄膜トランジスタを形成した後、それらを覆うように絶縁層３６を形成する。本実施形態では、図２及び図３を用いて説明したように、後に遮光層３８を形成する領域にも絶縁層３６を設けておく。
次に、図４（Ｂ）に示すように、絶縁層３６の上に有機ＥＬ素子３７を形成する。図４（Ｂ）では、有機ＥＬ素子３７を１つの層として図示しているが、実際には、各画素に有機ＥＬ素子が形成される。また、有機ＥＬ素子３７の構造は、図２を用いて説明したように、陽極、有機ＥＬ層及び陰極で構成される。
ここで、本実施形態では、有機ＥＬ素子３７の陽極を形成する際、同時に陽極と同一の材料を用いて遮光層３８を形成する。具体的には、ＩＴＯで構成される二層の透明導電層の間に銀で構成される金属層を挟んだ構造の陽極及び遮光層３８を形成する。勿論、遮光層３８の構造は、ここで説明した構造に限定されるものではなく、少なくとも遮光性を有する金属層を含む構造を有していればよい。遮光層３８の具体的な役割については後述する。
次に、有機ＥＬ素子３７を形成したら、第１基板３１の全面を覆うように保護層３９を形成する。本実施形態では、保護層３９として窒化シリコン層を形成する。この時点で有機ＥＬ表示装置１０のうち表示部を有するアレイ基板が完成する。なお、図４においては、単一のアレイ基板が図示されているが、実際には、大判の第１基板１１にアレイ基板となる複数の領域が形成される。つまり、第１基板１１の上には、表示部３３、端子部３４及び表示部３３と端子部３４との間に配置された遮光層３８を含む領域が複数形成される。
次に、図５を用いて、有機ＥＬ表示装置１０のうちアレイ基板に対向して配置される対向基板の製造プロセスについて説明する。
図５（Ａ）に示すように、第２基板４１の上に第２樹脂層４２を形成する。第２基板４１は、ガラス基板や石英基板といった透明基板を用いることができる。本実施形態では、第１基板３１と同様にガラス基板を用いる。また、本実施形態では、第２樹脂層４２として、膜厚が１０〜３０μｍ（典型的には２０μｍ）のポリイミド樹脂を用いる。なお、第２樹脂層４２としては、ポリイミドに限らずアクリル等の他の樹脂を用いても良い。
次に、図５（Ｂ）に示すように、第２樹脂層４２の上にカラーフィルタ４３及びブラックマスク４４を形成する。なお、本実施形態では、カラーフィルタ４３及びブラックマスク４４を設ける例を示しているが、いずれか一方または両方を省略することも可能である。
また、図５（Ｂ）において、カラーフィルタ４３は、１つの領域として図示しているが、具体的には、各画素の発光色に対応した波長の光を透過する複数種類のカラーフィルタが形成される。ブラックマスク４４は、クロム等の金属層を用いて形成してもよいし、黒色顔料を分散させた樹脂層を用いて形成してもよい。カラーフィルタ４３及びブラックマスク４４の具体的な構成については、公知の技術を用いることができる。
この時点で有機ＥＬ表示装置１０のうちアレイ基板に対向して配置される対向基板が完成する。なお、図５においては、単一の対向基板が図示されているが、実際には、大判の第２基板４１に対向基板となる複数の領域が形成される。つまり、第２基板４１の上には、カラーフィルタ４３及びブラックマスク４４を含む領域が複数形成される。
次に、図６に示すように、図４に示した製造プロセスを用いて作製されたアレイ基板５１と図５に示した製造プロセスを用いて作製された対向基板５２とを、シール材４５を用いて貼り合わせる。これにより、複数の有機ＥＬ表示装置１０の原形が完成する。
アレイ基板５１と対向基板５２とを貼り合わせたら、図７及び図８に示すように、第１レーザー光６１を用いて個々の有機ＥＬ表示装置の個片化処理（個々に分離する処理）を行う。なお、図７は、レーザー光照射の様子を断面方向から見た図であり、図８は、レーザー光照射の様子を平面方向から見た図である。
図７に示すように、本実施形態では、ガラス基板で構成される第２基板４１の側から第１レーザー光６１を照射し、第２基板４１を透過した第１レーザー光６１によって第１樹脂層３２、第２樹脂層４２、配線３５、及び保護層３９を選択的に切断する。なお、ここでは第１レーザー光６１を第２基板４１の側から照射する例を示したが、第１基板３１が透明基板であれば、第１基板３１の側から照射しても構わない。
第１レーザー光６１としては、例えばエキシマレーザー光を用いることができるが、これに限定されるものではない。第１レーザー光６１の波長やパワーは、第１基板３１や第２基板４１の材料、切断する対象の材料、第１樹脂層３２や第２樹脂層４２の耐熱温度といった各種パラメータを考慮して適宜選択すればよい。
また、図８に示すように、第１レーザー光６１は、表示部３３、端子部３４及び遮光層３８を含む領域７１（点線で囲まれた領域）を囲む第１ライン６２及び第２ライン６３に沿って照射される。つまり、互いに交差する第１ライン６２及び第２ライン６３に沿って第１レーザー光６１を照射することにより、領域７１が個々に分離される（ただし、図８に示す状態においては、第１基板３１及び第２基板４１によって物理的には繋がっている）。
次に、図９及び図１０に示すように、第２レーザー光６４を用いて第２樹脂層４２を選択的に切断する。なお、図９は、レーザー光照射の様子を断面方向から見た図であり、図１０は、レーザー光照射の様子を平面方向から見た図である。
図９に示すように、本実施形態では、ガラス基板で構成される第２基板４１の側から第２レーザー光６４を照射する。このとき、本実施形態では、遮光層３８によって第２レーザー光６４が遮断されるため、遮光層３８より下に存在する絶縁層３６、配線３５及び第１樹脂層３２には影響を及ぼさない。したがって、第２基板４１を透過した第２レーザー光６４によって第２樹脂層４２を選択的に切断することが可能となる。そのために、第２レーザー光６４のスポット径（照射エリアの径）は、遮光層３８の線幅以下とすることが望ましい。例えば、スポット径が１０μｍであれば、遮光層の線幅は、１５〜３０μｍ（好ましくは、２０〜２５μｍ）とすればよい。
第２レーザー光６４としては、例えばエキシマレーザー光を用いることができるが、これに限定されるものではない。第２レーザー光６４の波長やパワーは、第２基板４１の材料、第２樹脂層４２の材料及び耐熱温度といった各種パラメータを考慮して適宜選択すればよい。
また、図１０に示すように、第２レーザー光６４は、遮光層３８に平行な第３ライン６５に沿って照射される。このように、第２樹脂層４２は、表示部３３と端子部３４との間を横切るラインで切断される。
以上のようにして、第１レーザー光６１を用いた第１樹脂層３２及び第２樹脂層４２の切断プロセスと第２レーザー光６４を用いた第２樹脂層４２の切断プロセスとが完了する。なお、本実施形態では、第１レーザー光６１による切断プロセスと第２レーザー光６４による切断プロセスの順序は逆であってもよい。
次に、図１１に示すように、遮光マスク７３を用いて第２基板４１の側から第３レーザー光６６を照射する。このプロセスにおいては、第３レーザー光６６のパワーを第１レーザー光６１や第２レーザー光６４のパワーよりも抑え、第２基板４１と第２樹脂層４２との間の界面に選択的にエネルギーを与えることにより、その界面の密着性を低下させる。
その後、図１２に示すように、第２基板４１を除去する。その際、第３レーザー光６６が照射された部分では、第２基板４１から第２樹脂層４２が剥離するため、第２樹脂層４２は、そのまま第１基板３１の上に残る。他方、第３レーザー光６６が照射されていない部分では、第２基板４１と共に第２樹脂層４２も除去される。これにより、第２基板４１を除去するだけで、端子部３４の上方にあった第２樹脂層４２を除去することができる。
次に、第２樹脂層４２をマスクとして、自己整合的に保護層３９に対するエッチングを行い、図１３に示すように、配線３５の一部を露出させる。これにより、端子部３４が露出し、有機ＥＬ表示装置１０の端子出しが完了する。保護層３９に対するエッチングは、ドライエッチングで行うことが望ましい。有機ＥＬ素子３７を形成した後であるため、極力水分に曝すことは避けることが望ましいからである。本実施形態では、保護層３９として窒化シリコン層を用いているため、例えばＣＦ4（フッ化炭素）ガスなどを用いた公知のドライエッチングを行えばよい。
なお、本実施形態では、図９を用いて説明したように、遮光層３８の上方において第２樹脂層４２を切断するため、第２樹脂層４２をマスクとしてドライエッチングを行うと、遮光層３８の少なくとも一部が露出する。しかし、本実施形態では、遮光層３８が有機ＥＬ素子３７を構成する陽極と同一構造となっているため、遮光層３８の最上層がＩＴＯ等の透明導電膜となっている。したがって、遮光層３８の一部に銀やアルミニウムなどの遮光性を有する金属層を用いても、それら金属層が露出することはなく、腐食等の問題を最小限に抑えることが可能であるという利点がある。
次に、図１４に示すように、第１基板３１の側から全面に第４レーザー光６７を照射する。このプロセスは、図１１を用いて説明したプロセスと同様に、第４レーザー光６７のパワーを第１レーザー光６１や第２レーザー光６４のパワーよりも抑え、第１基板３１と第１樹脂層３２との間の界面に選択的にエネルギーを与えることにより、その界面の密着性を低下させる。そして、第１樹脂層３２から第１基板３１を剥離させ、第１基板３１を除去することにより、図１５に示す有機ＥＬ表示装置１０が完成する。
このように、本実施形態によれば、有機ＥＬ素子３７を構成する陽極の一部を遮光層３８として活用することにより、特に製造プロセスを増加させることなく、選択的に端子部３４の上の第２樹脂層４２を切断することができる。しかも、第１基板３１及び第２基板４１を切断する前に、必要な第１樹脂層３２及び第２樹脂層４２の切断プロセスを完了できるため、第２基板４１を除去するだけで、各有機ＥＬ表示装置の個片化と端子部３４の上の第２樹脂層４２の除去を一括して行うことができる。これにより、各有機ＥＬ表示装置について端子部３４の露出プロセス（端子出しプロセス）を一括して行うことができる。したがって、簡易な製造プロセスによりスループットの高い表示装置の製造方法を提供することができる。
（第２の実施形態）
図１６は、第２実施形態による有機ＥＬ表示装置２０の断面の構成を示す図である。第１実施形態との違いは、第２実施形態の有機ＥＬ表示装置２０では、シール材の下方の絶縁層をエッチングせずに残した点、及び遮光層をシール材の下にも位置するようにした点である。
図１６は、第２実施形態による有機ＥＬ表示装置２０の断面の構成を示す図である。第１実施形態との違いは、第２実施形態の有機ＥＬ表示装置２０では、シール材の下方の絶縁層をエッチングせずに残した点、及び遮光層をシール材の下にも位置するようにした点である。
図１６に示すように、絶縁層８１は、後に端子部１０３となる領域のみ選択的にエッチングを行い、表示部１０２からシール材１１６の配置される領域まではそのまま残している。このような構造とすると、シール材１１６を構成する材料の使用量を減らすことができ、製造コストを低減することができる。
また、本実施形態では、遮光層８２がシール材１１６の下にも存在するように位置している。このような構造とした場合、遮光層８２がストッパーとして機能し、保護層１１３をエッチングするエッチングガスやレーザー光の表示部１０２への回り込みを抑制することができる。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置２０は、第１実施形態と同様の製造プロセスで作製することが可能であり、製造プロセスに関して前述した第１実施形態による有機ＥＬ表示装置１０と同様の効果を奏することができる。
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
また、上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
１０、２０…有機ＥＬ表示装置
１０１…第１樹脂層
１０２…表示部
１０３…端子部
１０４…遮光層
１０５…第２樹脂層
１０６…配線
１０７…絶縁層
１０８…陽極
１０９…有機ＥＬ層
１１０…陰極
１１１…有機ＥＬ素子
１１２…バンク
１１３…保護層
１１４…カラーフィルタ
１１５…ブラックマスク
１１６…シール材
６１…第１レーザー光
６４…第２レーザー光
６６…第３レーザー光
６７…第４レーザー光
１０１…第１樹脂層
１０２…表示部
１０３…端子部
１０４…遮光層
１０５…第２樹脂層
１０６…配線
１０７…絶縁層
１０８…陽極
１０９…有機ＥＬ層
１１０…陰極
１１１…有機ＥＬ素子
１１２…バンク
１１３…保護層
１１４…カラーフィルタ
１１５…ブラックマスク
１１６…シール材
６１…第１レーザー光
６４…第２レーザー光
６６…第３レーザー光
６７…第４レーザー光
Claims (11)
- 第１基板の上に、第１樹脂層を形成し、
前記第１樹脂層の上に、陽極、発光層及び陰極を含む発光素子を有する表示部、端子部及び前記表示部と前記端子部との間に配置された遮光層を含む領域を複数形成し、
前記発光素子を覆う保護層を形成し、
第２基板の上に、第２樹脂層を形成し、
前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが互いに向かい合うように、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、
前記領域を囲む第１ライン及び第２ラインに沿って、前記第２基板を透過させて前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層に第１レーザー光を照射し、
前記遮光層に平行な第３ラインに沿って、前記第２基板を透過させて前記遮光層及び前記第２樹脂層に対して第２レーザー光を照射し、
前記第２基板から前記第２樹脂層の一部を選択的に剥離した後、前記端子部を覆う前記保護層を除去すること、
を含む表示装置の製造方法。 - 前記陽極と前記遮光層とを同時に形成すること、
を含む請求項１に記載の表示装置の製造方法。 - 前記陽極及び前記遮光層として、金属層と透明導電層との積層膜を用いること、
を含む請求項２に記載の表示装置の製造方法。 - さらに、少なくとも前記端子部をマスクした状態で、前記第２基板を透過させて前記第２樹脂層に第３レーザー光を照射し、
前記第２基板から前記第２樹脂層の一部を選択的に剥離すること、
を含む請求項１に記載の表示装置の製造方法。 - さらに、前記第１基板を透過させて前記第１樹脂層に第４レーザー光を照射し、
前記第１基板から前記第１樹脂層の一部を剥離すること、
を含む請求項１に記載の表示装置の製造方法。 - 前記第２レーザー光のスポット径を、前記遮光層の線幅以下とすること、
を含む請求項１に記載の表示装置の製造方法。 - 陽極、発光層及び陰極を含む発光素子が配置された表示部、前記表示部に電気的に接続された端子部、並びに前記表示部と前記端子部との間に配置された遮光層が設けられた第１樹脂層と、
前記第１樹脂層に向かい合うように、前記第１樹脂層に貼り合わせられた第２樹脂層と、
を含み、
前記発光素子は、保護層で覆われており、
前記保護層は、前記発光素子の上から前記遮光層の上まで延在し、前記遮光層の一部を覆うと共に前記遮光層の一部を露出するように設けられる、表示装置。 - 前記陽極と前記遮光層とは、同一の層構造を有する、
請求項７に記載の表示装置。 - 前記陽極及び前記遮光層は、金属層と透明導電層との積層膜で構成される、
請求項７に記載の表示装置。 - 前記陽極及び前記遮光層は、絶縁層の上に設けられ、前記端子部の上には、当該絶縁層が設けられていない、
請求項７に記載の表示装置。 - 前記遮光層の上に位置する前記保護層の端部は、平面視で前記第２樹脂層の端部と重畳する、請求項７に記載の表示装置。
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