WO2019049235A1 - 表示デバイスの製造方法及び表示デバイスの製造装置 - Google Patents

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WO2019049235A1
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真由子 坂本
哲憲 田中
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シャープ株式会社
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    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • a laser beam is applied to the lower surface of a PI layer of a laminate in which a PI (polyimide, polyimide) layer, a base coat layer, a TFT (Thin Film Transistor, thin film transistor) layer and a light emitting element layer are stacked on a translucent substrate.
  • the present invention relates to a method of manufacturing a display device including a peeling step of irradiating and peeling a substrate from a PI layer, and a display device manufacturing apparatus.
  • a laser beam is irradiated to the lower surface of a PI layer of a laminate in which a PI layer, a base coat layer, a TFT layer, and a light emitting element layer are stacked on a carrier glass substrate.
  • the glass substrate is peeled off from the PI layer, and a lower surface film made of PET (Poly Ethylene Terephthalate, etc.) is attached to the lower surface of the PI layer.
  • the laser beam By blocking, a non-irradiated area not irradiated with the laser beam is generated on the lower surface of the PI layer. Then, in the delamination step of peeling the carrier glass substrate from the PI layer, the carrier glass substrate in close contact with the PI layer is mechanically peeled in the non-irradiated region. For this reason, a tear etc. arise in PI layer, and a possibility that a crack etc. may be transmitted to a layered product arises. Therefore, the TFT element formed in the TFT layer and the OLED (Organic Light Emitting Diode) element formed in the light emitting element layer may be defective to affect the display of the display device.
  • LLO Laser Lift Off
  • An aspect of the present invention aims to provide a method of manufacturing a display device and a manufacturing apparatus of a display device capable of satisfactorily peeling a substrate from a PI layer.
  • a resin layer is formed on a translucent substrate, a base coat layer is formed to cover the resin layer, and a TFT layer and the base coat layer are formed.
  • the exposing step of exposing the end face of the resin layer, and the exposing step. And exfoliating the substrate by exfoliating the substrate from the resin layer.
  • the substrate can be peeled well from the PI layer.
  • FIG. 5 is a flowchart showing a method of manufacturing an EL device according to Embodiment 1.
  • A is a cross-sectional view of an EL device on a carrier glass substrate for explaining a glass dividing step of the method of manufacturing an EL device
  • (b) to (d) are cross-sectional views of its modified examples. It is a top view of EL device on the above-mentioned carrier glass substrate.
  • (A) is a schematic cross section of an EL device on a carrier glass substrate for explaining the LLO step for manufacturing the EL device, and (b) is a carrier glass for explaining the LLO step according to a comparative example. It is a schematic cross section of EL device on a substrate.
  • FIG. 7 is a plan view of an EL device on a carrier glass substrate according to Embodiment 2.
  • FIG. 10 is a plan view of an EL device on a carrier glass substrate according to Embodiment 3.
  • (A) and (b) are cross-sectional views for explaining a PI layer according to Embodiment 4.
  • FIG. 1 is a flowchart showing a method of manufacturing an EL device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 (a) is a cross-sectional view of the EL device on the carrier glass substrate 2 for explaining the glass dividing step of the method of manufacturing the EL device, and (b) to (d) are cross-sectional views of the modified example. It is.
  • FIG. 3 is a plan view of the EL device on the carrier glass substrate 2.
  • a PI layer 3 (resin layer) is formed on a translucent carrier glass substrate 2 (substrate). Then, the base coat layer 4 is formed to cover the PI layer 3 (step S1).
  • the TFT layer 5 is formed on the base coat layer 4, and the insulating film 24 is formed between the TFT layers 5 (step S2).
  • the light emitting element layer 6 including the OLED element is formed on the TFT layer 5 by vapor deposition (step S3).
  • the light emitting element layer 6 may include an inorganic light emitting diode or a QLED (Quantum dot Light Emitting Diode).
  • a sealing layer 7 for sealing the TFT layer 5 and the light emitting element layer 6 is formed on the insulating film 24 in order to prevent the permeation of moisture and oxygen (step S4).
  • the sealing layer 7 may be configured to cover the insulating film 24 and be in direct contact with the base coat layer 4. In the OLED panel manufacturing process, the sealing layer 7 is often formed to become thinner toward the edge of the carrier glass substrate 2 as shown in FIGS. 2 (a) to 2 (d).
  • Step S5 the base coat layer 4, the PI layer 3, and the carrier glass substrate 2 are cut by a blade along four dividing planes 10 along the periphery of the carrier glass substrate 2 as shown in FIG. (Step S5).
  • the end faces of the carrier glass substrate 2, the PI layer 3, and the base coat layer 4 are exposed. Therefore, moisture in the air penetrates the PI layer 3 through the end face of the PI layer 3.
  • top sheet 8 (FIG. 4A) is attached onto the sealing layer 7 in the first lamination step.
  • the insulating film 24, the base coat layer 4, the PI layer 3, and the carrier glass substrate 2 may be cut as shown in FIG. 2 (b), or as shown in FIG. 2 (c).
  • the sealing layer 7, the insulating film 24, the base coat layer 4, the PI layer 3, and the carrier glass substrate 2 may be cut. Further, as shown in FIG. 2D, the sealing layer 7, the base coat layer 4, the PI layer 3, and the carrier glass substrate 2 may be cut.
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view of the EL device on the carrier glass substrate 2 for explaining the LLO step for manufacturing the EL device
  • FIG. 4B is for explaining the LLO step according to the comparative example.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an EL device on a carrier glass substrate 2;
  • the laser beam 13 is often irradiated from the upper side.
  • the carrier glass substrate 2 is on the upper side (the carrier glass substrate 2 is attracted to a stage (not shown) disposed above), and the cutter 23 There is a way to make the OLED panel fall on the stage 22 placed under its own weight by inserting.
  • FIG. 4A is a simplified cross-sectional view.
  • the actual cross section includes the wiring, the contact hole, and the flattening film layer, and the TFT layer 5 and the light emitting element layer 6 have a more complicated structure.
  • the scale of the film thickness of each layer shown in FIG. 4 (a) is different from the actual scale. The same applies to FIG. 4 (b).
  • the stage 22 with an adsorption mechanism adsorbs the top sheet 8 attached on the sealing layer 7.
  • the laser beam 13 (peeling laser beam) is irradiated to the interface between the PI layer 3 and the carrier glass substrate 2.
  • a part of laser beam 13 is blocked by foreign matter 14.
  • a non-irradiated area 15 not irradiated with the laser beam 13 is generated on the lower surface of the PI layer 3 corresponding to the position of the foreign matter 14 present on the back surface of the carrier glass substrate 2.
  • the cutter 23 is inserted along the horizontal direction into the interface between the carrier glass substrate 2 and the PI layer 3 to make the carrier glass substrate 2 PI. It was peeled off from layer 3.
  • the base coat layer 4 is configured to cover the PI layer 3.
  • the carrier glass substrate 2 is peeled off from the PI layer 3 by the LLO step, but the base coat layer 4 is in close contact with the carrier glass substrate 2 in the region where the PI layer 3 is not present.
  • the cutter 23 is inserted so as to slide to the interface between the top sheet 8 and the carrier glass substrate 2, and the cutter 23 is Slide around.
  • the cutter 23 can not be inserted into the interface between the top sheet 8 and the carrier glass substrate 2 well, and the carrier glass substrate 2 can not be peeled off. Then, by sliding the cutter 23, a crack is generated in any of the base coat layer 4, the TFT layer 5, the light emitting element layer 6, and the sealing layer 7, which may cause a display defect of the display device.
  • FIG. 5A is a cross-sectional view for explaining a peeling state of the carrier glass substrate 2 from the PI layer 3, and FIG. 5B is for explaining another peeling state from the PI layer 3 of the carrier glass substrate 2.
  • FIG. 7C is a cross-sectional view for explaining yet another peeling state from the PI layer 3 of the carrier glass substrate 2.
  • PI carbides 25 are generated between the carrier glass substrate 2 and the PI layer 3.
  • the PI carbides 25 adhere to the surface of the PI layer 3 after peeling, and also adhere to the surface of the carrier glass substrate 2 after peeling.
  • the carrier glass substrate 2 When the adhesion strength between the PI layer 3 and the carrier glass substrate 2 is small, as shown in FIG. 5A, the carrier glass substrate 2 is peeled from the PI layer 3 without the PI layer 3 being broken. Thus, even if foreign matter or the like is present on the back surface of the carrier glass substrate 2 and a non-irradiated area of the laser beam is generated, the carrier glass substrate is used if the adhesion strength between the PI layer 3 and the carrier glass substrate 2 is small. On the basis of the stress generated in the PI layer 3 by the pulling of the PI layer 3 due to 2, no breakage failure of the PI layer 3 or failure due to propagation of a crack to the base coat layer 4 occurs.
  • the winding portion 19 is formed to be recessed.
  • the cutter 23 since the end face of the PI layer 3 is exposed before the delamination step, the cutter 23 is not necessary when the carrier glass substrate 2 is peeled off. Therefore, the defect caused by the conventional delamination process using the cutter 23 can be avoided.
  • the lower surface film is attached to the lower surface of the PI layer 3 from which the carrier glass substrate 2 has been peeled off (step S6).
  • carrier glass substrate 2 is divided into a plurality of cell regions 11 arranged in PI region 12 of carrier glass substrate 2 to form a plurality of EL devices (display devices) (step S7). Then, electronic components required for each EL device are mounted (step S8).
  • FIG. 6 is a graph showing the relationship between the adhesion strength ratio between the carrier glass substrate 2 and the PI layer 3 and the elapsed time.
  • the horizontal axis indicates the time elapsed since the end face of the PI layer 3 was exposed.
  • the ordinate represents the adhesion strength ratio when the initial adhesion between the carrier glass substrate 2 and the PI layer 3 is 100%.
  • Curve C1 shows the change in adhesion strength according to the elapsed time when the thickness of the PI layer 3 is 10 ⁇ m.
  • Curve C2 shows the change in adhesion strength in accordance with the elapsed time when the thickness of the PI layer 3 is 20 ⁇ m.
  • the adhesion strength continues to decrease for a certain elapsed time (for example, about 8 hours) after the end face of the PI layer 3 is exposed. Thereafter, the adhesion strengths of the curves C1 and C2 become substantially constant with respect to the elapsed time.
  • the LLO step of the flexing step (FIG. 1, step S6) is preferably performed after 4 hours or more since the end face of the PI layer 3 is exposed in the glass cutting step (FIG. 1, step S5), It is more preferable to carry out after the passage of time or more.
  • the adhesion strength of the curve C2 decreases more than the adhesion strength of the curve C1 as time passes. As described above, as the film thickness of the PI layer 3 is larger, the adhesion strength decreases more as time passes. The manner in which the adhesion strength changes with time varies depending on the type of the PI layer 3, but the phenomenon that the adhesion strength decreases more greatly as the film thickness is larger is the same regardless of the type of the PI layer 3.
  • the area of the end face of the PI layer 3 is increased by forming the film thickness of the PI layer 3 at the portion corresponding to the dividing surface 10 thicker than the film thickness of the PI layer 3 at the portion not corresponding to the dividing surface 10 Therefore, moisture in the air can be easily absorbed into the PI layer 3. As a result, the adhesion strength between the carrier glass substrate 2 and the PI layer 3 can be further reduced.
  • the carrier glass substrate 2 or the like may be cut by irradiating a laser beam (exposure laser beam).
  • a laser beam exposure laser beam
  • the steps up to the sealing step are performed in the first factory, and the steps after the LLO step (FIG. 1, step S6) are located at a remote place far away from the first factory.
  • the glass parting process which concerns on this embodiment in a 1st factory.
  • Sufficient time passes while the carrier glass substrate 2 is transported from the first plant to the second plant, and moisture in the air sufficiently infiltrates from the end face of the PI layer 3 exposed in the first plant. This is because the adhesion strength between the layer 3 and the carrier glass substrate 2 is considered to be sufficiently reduced.
  • this invention is not limited to this. It may be cut so that at least a part of the end face of the PI layer 3 is exposed. For example, cutting may be performed from the sealing layer 7 to the PI layer 3, and the carrier glass substrate 2 may not be cut.
  • FIG. 7 is a plan view of an EL device on a carrier glass substrate 2 according to a second embodiment.
  • Embodiment 1 mentioned above showed the example which cut
  • step S7 since step S7 has already been divided in step S5, implementation becomes unnecessary.
  • FIG. 8 is a plan view of the EL device on the carrier glass substrate 2 according to the third embodiment.
  • Embodiment 1 mentioned above showed the example which cut
  • the carrier glass substrate 2 or the like may be cut along a cross section 10 along one side of the carrier glass substrate 2.
  • the film thickness of the PI layer 3 at a location along the left and right sides of the carrier glass substrate 2 shown in FIG. 8 may be formed thicker than the film thickness of the PI layer 3 at a location other than the locations along the left and right sides preferable. This is because the area of the end face of the PI layer 3 cut along the cross section 10 along one side of the carrier glass substrate 2 is increased, and thus moisture in the air is easily absorbed into the PI layer 3.
  • FIGS. 9A and 9B are cross-sectional views for explaining a PI layer according to the fourth embodiment.
  • the PI layer 3 and the base coat layer 4 form the PI layer 3 on the carrier glass substrate 2 as shown in FIG. 9A, and the base coat layer 4 is coated on the carrier glass substrate 2 so as to cover the PI layer 3. It may be formed in
  • the thickness t1 of the PI layer 3 is 10 to 20 ⁇ m.
  • a PI layer 3A (first resin portion, resin layer) is formed on the carrier glass substrate 2, and the intermediate inorganic film layer 4A is made of carrier glass so as to cover the PI layer 3A.
  • the base coating layer 4B is formed on the substrate 2 so as to cover the PI layer 3B by forming the PI layer 3B (second resin portion, resin layer) on the intermediate inorganic film layer 4A.
  • the base coat layer 4B, the PI layer 3B, the intermediate inorganic film layer 4A, the PI layer 3A, and the carrier glass substrate 2 may be cut along the cross section 10.
  • the thickness t2 of the PI layer 3A is about 6 ⁇ m
  • the thickness t3 of the PI layer 3B is also about 6 ⁇ m.
  • the moisture in the air entering the PI layer 3A through the end face of the exposed PI layer 3A reduces the adhesion strength between the PI layer 3A and the carrier glass substrate 2.
  • the base coat layer 4B, the PI layer 3B, the intermediate inorganic film layer 4A, the PI layer 3A, and the carrier glass substrate 2 need not all be cut, and the PI layer 3A in close contact with the carrier glass substrate 2 It is sufficient if a part of the end face is exposed. Therefore, for example, after cutting the base coat layer 4B, the PI layer 3B, and the intermediate inorganic film layer 4A, at least a part of the PI layer 3A may be cut.
  • a resin layer is formed on a translucent substrate, a base coat layer is formed to cover the resin layer, and a TFT layer and a light emitting element layer are formed on the base coat layer.
  • the exposing step cuts the resin layer with a blade in order to expose the end face of the resin layer.
  • the exposing step irradiates the resin layer with an exposing laser beam for exposing the end face of the resin layer.
  • the exposing step cuts the resin layer simultaneously with the substrate to expose the end face of the resin layer.
  • the resin layer is formed such that the film thickness of the portion corresponding to the end face exposed in the exposing step is thicker than the film thickness of the portion not corresponding to the end face.
  • the resin layer is formed such that a film thickness of a portion corresponding to a pair of opposing sides of the substrate is thicker than a film thickness of a portion other than the portion corresponding to the pair of sides. Forming an exposed end face of the resin layer corresponding to one of the pair of sides;
  • the exposing step exposes the end face of the resin layer along the peripheral edge of the substrate.
  • the substrate has a plurality of cell regions, and the exposing step exposes the end face of the resin layer along the periphery of each cell region.
  • the laminating step includes a sealing step of forming a sealing layer for sealing the TFT layer and the light emitting element layer, and the upper surface is formed on the sealing layer before the peeling step.
  • the method further includes a lamination step of attaching a sheet, and the exposure step is performed after the sealing step and before the peeling step.
  • the peeling step peels the substrate from the resin layer while adsorbing the top sheet.
  • the peeling step is performed after four hours or more have passed since the exposure step was performed.
  • the blade cuts the base coat layer and the middle of reaching the substrate of the resin layer.
  • the resin layer includes a first resin portion and a second resin portion disposed on the opposite side of the substrate with respect to the first resin portion, and the blade includes the base coat layer. After cutting the second resin portion, the first resin portion is cut until it reaches the substrate.
  • the exposing step exposes the end face of the base coat layer, the resin layer, and the substrate.
  • the laminating step forms an insulating layer disposed between the TFT layers on the base coat layer
  • the exposing step includes the insulating layer, the base coat layer, the resin layer, and the insulating layer. Expose the edge of the substrate.
  • the laminating step includes a sealing step of forming a sealing layer for sealing the TFT layer and the light emitting element layer
  • the exposing step includes the sealing layer, the insulating layer, The base coat layer, the resin layer, and the end face of the substrate are exposed.
  • the laminating step includes a sealing step of forming a sealing layer for sealing the TFT layer and the light emitting element layer
  • the exposing step includes the sealing layer, the base coat layer, The resin layer and the end face of the substrate are exposed.
  • a resin layer is formed on a translucent substrate, a base coat layer is formed to cover the resin layer, and a TFT layer and a light emitting element layer are formed on the base coat layer.
  • a peeling mechanism for peeling the substrate from the resin layer on the lower surface of the resin layer whose end face is exposed by the laminating mechanism formed in this order, the exposure mechanism which exposes the end face of the resin layer, and the exposure mechanism And a peeling mechanism for peeling the substrate from the resin layer.

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Abstract

表示デバイスの製造方法は、キャリアガラス基板（２）上にＰＩ層（３）を形成し、ＰＩ層（３）を覆うようにベースコート層（４）を形成し、ベースコート層（４）の上にＴＦＴ層（５）及び発光素子層（６）を形成する積層工程と、ＰＩ層（３）の端面を露出させる露出工程と、ＰＩ層（３）の下面にレーザ光線を照射してキャリアガラス基板（２）をＰＩ層（３）から剥離する剥離工程とを包含する。

Description

表示デバイスの製造方法及び表示デバイスの製造装置
　本発明は、透光性の基板の上にＰＩ（polyimide、ポリイミド）層、ベースコート層、ＴＦＴ（Thin Film Transistor、薄膜トランジスタ）層及び発光素子層を積層した積層体のＰＩ層の下面にレーザ光線を照射して基板をＰＩ層から剥離する剥離工程を包含する表示デバイスの製造方法及び表示デバイスの製造装置に関する。
　ガラスフィルムが貼り付けられた保持シートからガラスフィルムを剥離するために、ガラスフィルムを厚み方向に貫通する切込み線をガラスフィルムに形成する構成が知られている（特許文献１）。
日本国公開特許公報「特開2015-223708号（2015年12月14日公開）」
　ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）デバイスの製造プロセスでは、キャリアガラス基板の上にＰＩ層、ベースコート層、ＴＦＴ層及び発光素子層を積層した積層体のＰＩ層の下面にレーザ光線を照射してキャリアガラス基板をＰＩ層から剥離し、ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate、ポリエチレンテレフタート）等で構成される下面フィルムをＰＩ層の下面に取り付ける。
　このＰＩ層とキャリアガラス基板との間の界面にレーザ光線を照射するレーザーリフトオフ（ＬＬＯ、Laser Lift Off）工程において、キャリアガラス基板の裏面に異物や欠陥などが存在すると、当該異物等によってレーザ光線が遮断されることにより、レーザ光線が照射されない未照射領域がＰＩ層の下面に生じる。そうすると、ＰＩ層からキャリアガラス基板を剥離するデラミネーション工程において、未照射領域では、ＰＩ層に密着しているキャリアガラス基板を機械的に剥離することになる。このため、ＰＩ層に破れなどが生じ、積層体へクラック等が伝達されるおそれが生じる。従って、ＴＦＴ層に形成されたＴＦＴ素子、発光素子層に形成されたＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）素子に不具合が生じ、表示デバイスの表示に影響を与える懸念がある。
　本発明の一態様は、ＰＩ層から基板を良好に剥離することができる表示デバイスの製造方法及び表示デバイスの製造装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る表示デバイスの製造方法は、透光性の基板の上に樹脂層を形成し、前記樹脂層を覆うようにベースコート層を形成し、前記ベースコート層の上にＴＦＴ層及び発光素子層をこの順番に形成する積層工程と、前記樹脂層の端面を露出させる露出工程と、前記露出工程により端面が露出された樹脂層の下面に、前記基板を前記樹脂層から剥離するための剥離レーザ光線を照射して前記基板を前記樹脂層から剥離する剥離工程とを包含する。
　本発明の一態様によれば、ＰＩ層から基板を良好に剥離することができる。
実施形態１に係るＥＬデバイスの製造方法を示すフローチャートである。 （ａ）は上記ＥＬデバイスの製造方法のガラス分断工程を説明するためのキャリアガラス基板上のＥＬデバイスの断面図であり、（ｂ）～（ｄ）はその変形例の断面図である。 上記キャリアガラス基板上のＥＬデバイスの平面図である。 （ａ）は上記ＥＬデバイスを製造するためのＬＬＯ工程を説明するためのキャリアガラス基板上のＥＬデバイスの模式断面図であり、（ｂ）は比較例に係るＬＬＯ工程を説明するためのキャリアガラス基板上のＥＬデバイスの模式断面図である。 （ａ）はキャリアガラス基板のＰＩ層からの剥離状態を説明するための断面図であり、（ｂ）はキャリアガラス基板のＰＩ層からの他の剥離状態を説明するための断面図であり、（ｃ）はキャリアガラス基板のＰＩ層からのさらに他の剥離状態を説明するための断面図である。 キャリアガラス基板とＰＩ層との間の密着強度比と経過時間との間の関係を示すグラフである。 実施形態２に係るキャリアガラス基板上のＥＬデバイスの平面図である。 実施形態３に係るキャリアガラス基板上のＥＬデバイスの平面図である。 （ａ）（ｂ）は実施形態４に係るＰＩ層を説明するための断面図である。
　（実施形態１）
　図１は実施形態１に係るＥＬデバイスの製造方法を示すフローチャートである。図２（ａ）はは上記ＥＬデバイスの製造方法のガラス分断工程を説明するためのキャリアガラス基板２上のＥＬデバイスの断面図であり、（ｂ）～（ｄ）はその変形例の断面図である。図３はキャリアガラス基板２上のＥＬデバイスの平面図である。
　ＥＬデバイスを製造するためには、まず、透光性のキャリアガラス基板２（基板）の上にＰＩ層３（樹脂層）が形成される。そして、ＰＩ層３を覆うようにベースコート層４が形成される（ステップＳ１）。
　次に、ベースコート層４の上にＴＦＴ層５が形成され、ＴＦＴ層５の間に絶縁膜２４が形成される（ステップＳ２）。その後、ＯＬＥＤ素子を含む発光素子層６がＴＦＴ層５の上に蒸着により形成される（ステップＳ３）。なお、発光素子層６は、無機発光ダイオード、ＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を含んでもよい。
　そして、水分や酸素が透過しないようにするために、ＴＦＴ層５及び発光素子層６を封止するための封止層７が絶縁膜２４の上に形成される（ステップＳ４）。
　なお、封止層７は、絶縁膜２４を覆ってベースコート層４と直接接触するように構成してもよい。ＯＬＥＤパネル製造工程において、封止層７は、図２（ａ）～（ｄ）に示すように、キャリアガラス基板２のエッジに向かって薄くなっていくように形成されることが多い。
　次に、キャリアガラス基板２の周縁に沿った４本の分断面１０に沿って、図２（ａ）に示すように、ベースコート層４、ＰＩ層３、及びキャリアガラス基板２が刃物により切断される（ステップＳ５）。この結果、キャリアガラス基板２、ＰＩ層３、及びベースコート層４の端面が露出する。このため、ＰＩ層３の端面を通って空気中の水分がＰＩ層３に侵入する。
　その後、ファーストラミネーション工程において上面シート８（図４（ａ））が封止層７の上に貼り付けられる。
　なお、図２（ｂ）に示すように、絶縁膜２４、ベースコート層４、ＰＩ層３、及びキャリアガラス基板２を切断するように構成してもよいし、図２（ｃ）に示すように、封止層７、絶縁膜２４、ベースコート層４、ＰＩ層３、及びキャリアガラス基板２を切断するように構成してもよい。また、図２（ｄ）に示すように、封止層７、ベースコート層４、ＰＩ層３、及びキャリアガラス基板２を切断するように構成してもよい。
　図４（ａ）はＥＬデバイスを製造するためのＬＬＯ工程を説明するためのキャリアガラス基板２上のＥＬデバイスの模式断面図であり、（ｂ）は比較例に係るＬＬＯ工程を説明するためのキャリアガラス基板２上のＥＬデバイスの模式断面図である。実際のＯＬＥＤ製造プロセスにおいて、図４（ａ）に示すように、レーザ光線１３は上側から照射されることが多い。また、図４（ｂ）に示すように、デラミミネーション工程の際には、キャリアガラス基板２を上側にして（キャリアガラス基板２は上方に配置された図示しないステージに吸着させる）、刃物２３を挿入することにより、ＯＬＥＤパネルが自重で下側に配置されたステージ２２に落ちるようにする方法がある。
　なお、図４（ａ）は簡略化された断面図である。実際の断面は配線、コンタクトホール、平坦化膜層を含み、ＴＦＴ層５及び発光素子層６はより複雑な構造を有する。そして、図４（ａ）に示される各層の膜厚の縮尺は、実際の縮尺とは異なる。図４（ｂ）も同様である。
　ＬＬＯ工程において、図４（ａ）に示すように、吸着機構付きのステージ２２が、封止層７の上に貼り付けられた上面シート８を吸着する。そして、ＰＩ層３とキャリアガラス基板２との界面にレーザ光線１３（剥離レーザ光線）が照射される。このとき、キャリアガラス基板２の裏面に異物１４や欠陥などが存在すると、レーザ光線１３の一部が異物１４により遮断される。この結果、キャリアガラス基板２の裏面に存在する異物１４の位置に対応して、レーザ光線１３が照射されない未照射領域１５がＰＩ層３の下面に生じる。
　従来のデラミネーション工程では、図４（ｂ）に示すように、刃物２３をキャリアガラス基板２とＰＩ層３との間の界面に水平方向に沿って挿入することにより、キャリアガラス基板２をＰＩ層３から剥離していた。ベースコート層４はＰＩ層３を覆うように構成されている。ＬＬＯ工程によって、キャリアガラス基板２はＰＩ層３から剥離されるが、ＰＩ層３が存在しない領域ではベースコート層４がキャリアガラス基板２に密着している。この領域も含めてキャリアガラス基板２を完全に剥離するため、従来のデラミネーション工程では、刃物２３を上面シート８とキャリアガラス基板２との間の界面にスライドさせるように挿入し、刃物２３を周囲にスライドさせる。
　このような従来の方法では、下記のような懸念がある。まず、上面シート８とキャリアガラス基板２との間の界面にうまく刃物２３を挿入できず、キャリアガラス基板２を剥離することができない。そして、刃物２３をスライドさせることにより、ベースコート層４、ＴＦＴ層５、発光素子層６、及び封止層７のいずれかにクラックが生じ、表示デバイスの表示不良が発生する可能性がある。
　図５（ａ）はキャリアガラス基板２のＰＩ層３からの剥離状態を説明するための断面図であり、（ｂ）はキャリアガラス基板２のＰＩ層３からの他の剥離状態を説明するための断面図であり、（ｃ）はキャリアガラス基板２のＰＩ層３からのさらに他の剥離状態を説明するための断面図である。
　キャリアガラス基板２とＰＩ層３との間の界面にレーザ光線が照射されると、キャリアガラス基板２とＰＩ層３との間にＰＩ炭化物２５が生じる。このＰＩ炭化物２５は、剥離後のＰＩ層３の表面に付着し、剥離後のキャリアガラス基板２の表面にも付着している。
　ＰＩ層３とキャリアガラス基板２との間の密着強度が小さいときは、図５（ａ）に示すように、ＰＩ層３が破れることなく、ＰＩ層３からキャリアガラス基板２が剥がれる。このように、キャリアガラス基板２の裏面に異物などが存在してレーザ光線の未照射領域が生じたとしても、ＰＩ層３とキャリアガラス基板２との間の密着強度が小さい場合、キャリアガラス基板２によりＰＩ層３が引っ張られることによりＰＩ層３に生じる応力に基づいて、ＰＩ層３の破れ不良、ベースコート層４へのクラックの伝播による不良は発生しない。
　しかしながら、ＰＩ層３とキャリアガラス基板２との間の密着強度が中程度である場合、ＰＩ層３からキャリアガラス基板２を剥がす際に、図５（ｂ）に示すように、ＰＩ層３がキャリアガラス基板２により引っ張られて破れる。そして、破れ部１６がキャリアガラス基板２と密着したままＰＩ層３と分離される。破れ部１６に対応するＰＩ層３の箇所には引っ張られ部１７が盛り上がるように形成される。ベースコート層４にはクラック２０が生じる。
　また、ＰＩ層３とキャリアガラス基板２との間の密着強度が大きい場合、図５（ｃ）に示すように、破れ部１８がキャリアガラス基板２と密着したままＰＩ層３と分離される場合もある。破れ部１８に対応するＰＩ層３の箇所には抉れ部１９が凹むように形成される。
　これに対して、本実施形態では、ＰＩ層３の端面を露出させるので、ＰＩ層３の端面を通って空気中の水分がＰＩ層３に侵入している。従って、キャリアガラス基板２とＰＩ層３との間の密着強度がＰＩ層３に侵入した水分により低下している。このため、キャリアガラス基板２の裏面に異物などが存在してレーザ光線の未照射領域が生じても、上面シート８が吸着された状態で、キャリアガラス基板２をＰＩ層３から、図４（ｂ）に示すような刃物２３も使用することなく、容易に剥離することができる。
　このように、本実施形態では、デラミネーション工程よりも前に、ＰＩ層３の端面を露出しておくため、キャリアガラス基板２の剥離時に刃物２３が必要ない。そのため、刃物２３を用いる従来のデラミネーション工程によって生じる不良を回避することができる。
　次に、セカンドラミネーション工程において、キャリアガラス基板２が剥離されたＰＩ層３の下面に下面フィルムが貼り付けられる（ステップＳ６）。
　その後、キャリアガラス基板２のＰＩ領域１２の中に配置される複数のセル領域１１ごとにキャリアガラス基板２が分断されて複数のＥＬデバイス（表示デバイス）が形成される（ステップＳ７）。そして、各ＥＬデバイスに必要な電子部品が実装される（ステップＳ８）。
　図６はキャリアガラス基板２とＰＩ層３との間の密着強度比と経過時間との間の関係を示すグラフである。横軸は、ＰＩ層３の端面が露出されてからの経過時間を示す。縦軸は、キャリアガラス基板２とＰＩ層３との間の初期の密着力を１００％としたときの密着強度比を示す。曲線Ｃ１は、ＰＩ層３の厚みが１０μｍのときの経過時間に応じた密着強度の変化を示す。曲線Ｃ２は、ＰＩ層３の厚みが２０μｍのときの経過時間に応じた密着強度の変化を示す。
　曲線Ｃ１・Ｃ２は、図６に示すように、ＰＩ層３の端面が露出されてから一定経過時間（例えば約８時間）の間、密着強度が低下を続ける。その後、曲線Ｃ１・Ｃ２の密着強度は経過時間に対して概ね一定となる。フレキ化工程（図１、ステップＳ６）のＬＬＯ工程は、ガラス分断工程（図１、ステップＳ５）でＰＩ層３の端面が露出されてから４時間以上経過した後に実施されることが好ましく、８時間以上経過した後に実施されることがより好ましい。
　曲線Ｃ２の密着強度は、時間が経過するに従って、曲線Ｃ１の密着強度よりも大きく低下している。このように、ＰＩ層３の膜厚が厚い方が、時間の経過に従って密着強度がより大きく低下する。密着強度の経時変化の態様はＰＩ層３の種類により異なるが、膜厚が厚い方が時間の経過に従って密着強度がより大きく低下する現象は、ＰＩ層３の種類によらず同じである。
　よって、分断面１０に対応する箇所のＰＩ層３の膜厚を、分断面１０に対応しない箇所のＰＩ層３の膜厚よりも厚く形成することにより、ＰＩ層３の端面の面積が大きくなるので、空気中の水分をＰＩ層３の中に吸収しやすくなる。この結果、キャリアガラス基板２とＰＩ層３との間の密着強度をより一層低下させることができる。
　前述の例では、キャリアガラス基板２等を刃物により切断する例を示したが、本発明はこれに限定されない。レーザ光線（露出レーザ光線）を照射してキャリアガラス基板２等を切断してもよい。但し、レーザ光線による熱とＰＩ層３の端面への水分の侵入のしやすさとの間の関係の観点から、刃物により切断することが好ましい。
　封止工程（図１、ステップＳ４）までの工程を第１工場で実施し、ＬＬＯ工程（図１、ステップＳ６）以降の工程は、上記第１工場から遠く離れた遠隔の地に立地する第２工場で実施する場合、本実施形態に係るガラス分断工程は第１工場で実施することが好ましい。キャリアガラス基板２が第１工場から第２工場まで運搬される間に十分な時間が経過し、第１工場で露出されたＰＩ層３の端面から空気中の水分が十分に侵入して、ＰＩ層３とキャリアガラス基板２との間の密着強度が十分低下すると考えられるからである。
　また、キャリアガラス基板２、ＰＩ層３、ベースコート層４、及び封止層７を切断する例を示したが、本発明はこれに限定されない。ＰＩ層３の端面の少なくとも一部が露出するように切断すればよい。例えば、封止層７からＰＩ層３に到達するまで切断すればよく、キャリアガラス基板２は切断しなくてもよい。
　（実施形態２）
　本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図７は実施形態２に係るキャリアガラス基板２上のＥＬデバイスの平面図である。前述した実施形態１では、キャリアガラス基板２の周縁に沿った４本の分断面１０に沿ってキャリアガラス基板２等を切断する例を示したが、本発明はこれに限定されない。図７に示すように、分断面２１に沿って複数のセル領域１１毎に分断するようにキャリアガラス基板２等を切断してもよい。
　この場合、各セル領域１１毎に、図１のステップＳ６のファーストラミネーション工程、ＬＬＯ工程、デラミネーション工程、セカンドラミネーション工程が実施される。そして、ステップＳ７は、既にステップＳ５で分断済みであるため、実施不要となる。
　（実施形態３）
　本発明のさらに他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図８は実施形態３に係るキャリアガラス基板２上のＥＬデバイスの平面図である。前述した実施形態１では、キャリアガラス基板２の周縁に沿った４本の分断面１０に沿ってキャリアガラス基板２等を切断する例を示したが、本発明はこれに限定されない。図８に示すように、キャリアガラス基板２の一辺に沿った分断面１０に沿ってキャリアガラス基板２等を切断してもよい。図８に示されるキャリアガラス基板２の左右の辺に沿った箇所のＰＩ層３の膜厚は、左右の辺に沿った箇所以外の箇所のＰＩ層３の膜厚よりも厚く形成することが好ましい。キャリアガラス基板２の一辺に沿った分断面１０に沿って切断したＰＩ層３の端面の面積が大きくなるので、空気中の水分をＰＩ層３の中に吸収しやすくなるからである。
　（実施形態４）
　本発明のさらに他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図９（ａ）（ｂ）は実施形態４に係るＰＩ層を説明するための断面図である。ＰＩ層３及びベースコート層４は、図９（ａ）に示すように、キャリアガラス基板２の上にＰＩ層３を形成し、ＰＩ層３を覆うようにベースコート層４をキャリアガラス基板２の上に形成してもよい。ＰＩ層３の厚みｔ１は１０～２０μｍである。
　また、図９（ｂ）に示すように、キャリアガラス基板２の上にＰＩ層３Ａ（第１樹脂部、樹脂層）を形成し、ＰＩ層３Ａを覆うように中間無機膜層４Ａをキャリアガラス基板２の上に形成し、さらに、中間無機膜層４Ａの上にＰＩ層３Ｂ（第２樹脂部、樹脂層）を形成し、ＰＩ層３Ｂを覆うようにベースコート層４Ｂを中間無機膜層４Ａの上に形成し、分断面１０に沿ってベースコート層４Ｂ、ＰＩ層３Ｂ、中間無機膜層４Ａ、ＰＩ層３Ａ、及びキャリアガラス基板２を切断してもよい。ＰＩ層３Ａの厚みｔ２は約６μｍであり、ＰＩ層３Ｂの厚みｔ３も約６μｍである。
　この場合、露出したＰＩ層３Ａの端面を通ってＰＩ層３Ａに侵入する空気中の水分により、ＰＩ層３Ａとキャリアガラス基板２との間の密着強度が低減される。
　また、ベースコート層４Ｂ、ＰＩ層３Ｂ、中間無機膜層４Ａ、ＰＩ層３Ａ、及びキャリアガラス基板２のすべてを切断しなくてもよく、キャリアガラス基板２に密着している方のＰＩ層３Ａの端面の一部が露出すればよい。従って、例えば、ベースコート層４Ｂ、ＰＩ層３Ｂ、及び、中間無機膜層４Ａを切断した後、ＰＩ層３Ａの少なくとも一部を切断してもよい。
　〔まとめ〕
　態様１の表示デバイスの製造方法は、透光性の基板の上に樹脂層を形成し、前記樹脂層を覆うようにベースコート層を形成し、前記ベースコート層の上にＴＦＴ層及び発光素子層をこの順番に形成する積層工程と、前記樹脂層の端面を露出させる露出工程と、前記露出工程により端面が露出された樹脂層の下面に、前記基板を前記樹脂層から剥離するための剥離レーザ光線を照射して前記基板を前記樹脂層から剥離する剥離工程とを包含する。
　態様２では、前記露出工程が、前記樹脂層の端面を露出させるために、刃物により前記樹脂層を切断する。
　態様３では、前記露出工程が、前記樹脂層の端面を露出させるための露出レーザ光線を前記樹脂層に照射する。
　態様４では、前記露出工程が、前記樹脂層を前記基板と同時に切断して前記樹脂層の端面を露出させる。
　態様５では、前記積層工程は、前記露出工程により露出される端面に対応する箇所の膜厚が前記端面に対応しない箇所の膜厚よりも厚くなるように前記樹脂層を形成する。
　態様６では、前記積層工程は、前記基板の互いに対向する一対の辺に対応する箇所の膜厚が前記一対の辺に対応する箇所以外の箇所の膜厚よりも厚くなるように前記樹脂層を形成し、前記露出工程が、前記一対の辺の何れか一方の辺に対応する前記樹脂層の端面を露出させる。
　態様７では、前記露出工程が、前記基板の周縁に沿って前記樹脂層の端面を露出させる。
　態様８では、前記基板が複数のセル領域を有し、前記露出工程が、各セル領域の周縁に沿って前記樹脂層の端面を露出させる。
　態様９では、前記積層工程が、前記ＴＦＴ層及び前記発光素子層を封止するための封止層を形成する封止工程を含み、前記剥離工程の前において、前記封止層の上に上面シートを貼り付けるラミネーション工程をさらに包含し、前記露出工程は、前記封止工程の後であって前記剥離工程の前に実施される。
　態様１０では、前記剥離工程が、前記上面シートを吸着しながら前記基板を前記樹脂層から剥離する。
　態様１１では、前記剥離工程が、前記露出工程を実施してから４時間以上経過した後に実施される。
　態様１２では、前記刃物が、前記ベースコート層と、前記樹脂層の前記基板に到達する途中までとを切断する。
　態様１３では、前記樹脂層が、第１樹脂部と、前記第１樹脂部に対して前記基板の反対側に配置される第２樹脂部とを含み、前記刃物が、前記ベースコート層と、前記第２樹脂部とを切断した後、前記第１樹脂部の前記基板に到達する途中までを切断する。
　態様１４では、前記露出工程が、前記ベースコート層、前記樹脂層、及び前記基板の端面を露出させる。
　態様１５では、前記積層工程が、前記ＴＦＴ層の間に配置される絶縁層を前記前記ベースコート層の上に形成し、前記露出工程が、前記絶縁層、前記ベースコート層、前記樹脂層、及び前記基板の端面を露出させる。
　態様１６では、前記積層工程が、前記ＴＦＴ層及び前記発光素子層を封止するための封止層を形成する封止工程を含み、前記露出工程が、前記封止層、前記絶縁層、前記ベースコート層、前記樹脂層、及び前記基板の端面を露出させる。
　態様１７では、前記積層工程が、前記ＴＦＴ層及び前記発光素子層を封止するための封止層を形成する封止工程を含み、前記露出工程が、前記封止層、前記ベースコート層、前記樹脂層、及び前記基板の端面を露出させる。
　態様１８の表示デバイスの製造装置は、透光性の基板の上に樹脂層を形成し、前記樹脂層を覆うようにベースコート層を形成し、前記ベースコート層の上にＴＦＴ層及び発光素子層をこの順番に形成する積層機構と、前記樹脂層の端面を露出させる露出機構と、前記露出機構により端面が露出された樹脂層の下面に、前記基板を前記樹脂層から剥離するための剥離レーザ光線を照射して前記基板を前記樹脂層から剥離する剥離機構とを備える。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　１　ＥＬデバイス（表示デバイス）
　２　キャリアガラス基板（基板）
　３　ＰＩ層（樹脂層）
３Ａ　ＰＩ層（第１樹脂部、樹脂層）
３Ｂ　ＰＩ層（第２樹脂部、樹脂層）
　４　ベースコート層
４Ａ　中間無機膜層
４Ｂ　ベースコート層
　５　ＴＦＴ層
　６　発光素子層
　７　封止層
　８　上面シート
１０　分断面
１１　セル領域
１２　ＰＩ領域
１３　レーザ光線
１４　異物
１５　未照射領域
１６　破れ部
１７　引っ張られ部
１８　破れ部
１９　抉れ部
２０　クラック

Claims (18)

  1. 　透光性の基板の上に樹脂層を形成し、前記樹脂層を覆うようにベースコート層を形成し、前記ベースコート層の上にＴＦＴ層及び発光素子層をこの順番に形成する積層工程と、
    　前記樹脂層の端面を露出させる露出工程と、
    　前記露出工程により端面が露出された樹脂層の下面に、前記基板を前記樹脂層から剥離するための剥離レーザ光線を照射して前記基板を前記樹脂層から剥離する剥離工程とを包含する表示デバイスの製造方法。
  2. 　前記露出工程が、前記樹脂層の端面を露出させるために、刃物により前記樹脂層を切断する請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  3. 　前記露出工程が、前記樹脂層の端面を露出させるための露出レーザ光線を前記樹脂層に照射する請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  4. 　前記露出工程が、前記樹脂層を前記基板と同時に切断して前記樹脂層の端面を露出させる請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  5. 　前記積層工程は、前記露出工程により露出される端面に対応する箇所の膜厚が前記端面に対応しない箇所の膜厚よりも厚くなるように前記樹脂層を形成する請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  6. 　前記積層工程は、前記基板の互いに対向する一対の辺に対応する箇所の膜厚が前記一対の辺に対応する箇所以外の箇所の膜厚よりも厚くなるように前記樹脂層を形成し、
    　前記露出工程が、前記一対の辺の何れか一方の辺に対応する前記樹脂層の端面を露出させる請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  7. 　前記露出工程が、前記基板の周縁に沿って前記樹脂層の端面を露出させる請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  8. 　前記基板が複数のセル領域を有し、
    　前記露出工程が、各セル領域の周縁に沿って前記樹脂層の端面を露出させる請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  9. 　前記積層工程が、前記ＴＦＴ層及び前記発光素子層を封止するための封止層を形成する封止工程を含み、
    　前記剥離工程の前において、前記封止層の上に上面シートを貼り付けるラミネーション工程をさらに包含し、
    　前記露出工程は、前記封止工程の後であって前記剥離工程の前に実施される請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  10. 　前記剥離工程が、前記上面シートを吸着しながら前記基板を前記樹脂層から剥離する請求項９に記載の表示デバイスの製造方法。
  11. 　前記剥離工程が、前記露出工程を実施してから４時間以上経過した後に実施される請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  12. 　前記刃物が、前記ベースコート層と、前記樹脂層の前記基板に到達する途中までとを切断する請求項２に記載の表示デバイスの製造方法。
  13. 　前記樹脂層が、第１樹脂部と、前記第１樹脂部に対して前記基板の反対側に配置される第２樹脂部とを含み、
    　前記刃物が、前記ベースコート層と、前記第２樹脂部とを切断した後、前記第１樹脂部の前記基板に到達する途中までを切断する請求項２に記載の表示デバイスの製造方法。
  14. 　前記露出工程が、前記ベースコート層、前記樹脂層、及び前記基板の端面を露出させる請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  15. 　前記積層工程が、前記ＴＦＴ層の間に配置される絶縁層を前記前記ベースコート層の上に形成し、
    　前記露出工程が、前記絶縁層、前記ベースコート層、前記樹脂層、及び前記基板の端面を露出させる請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  16. 　前記積層工程が、前記ＴＦＴ層及び前記発光素子層を封止するための封止層を形成する封止工程を含み、
    　前記露出工程が、前記封止層、前記絶縁層、前記ベースコート層、前記樹脂層、及び前記基板の端面を露出させる請求項１５に記載の表示デバイスの製造方法。
  17. 　前記積層工程が、前記ＴＦＴ層及び前記発光素子層を封止するための封止層を形成する封止工程を含み、
    　前記露出工程が、前記封止層、前記ベースコート層、前記樹脂層、及び前記基板の端面を露出させる請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  18. 　透光性の基板の上に樹脂層を形成し、前記樹脂層を覆うようにベースコート層を形成し、前記ベースコート層の上にＴＦＴ層及び発光素子層をこの順番に形成する積層機構と、
    　前記樹脂層の端面を露出させる露出機構と、
    　前記露出機構により端面が露出された樹脂層の下面に、前記基板を前記樹脂層から剥離するための剥離レーザ光線を照射して前記基板を前記樹脂層から剥離する剥離機構とを備える表示デバイスの製造装置。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009010356A (ja) * 2007-05-31 2009-01-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2009049387A (ja) * 2007-07-23 2009-03-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｓｏｉ基板の製造方法
JP2015012289A (ja) * 2013-06-26 2015-01-19 友達光電股▲ふん▼有限公司ＡＵ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ フレキシブル電子デバイス
JP2015536555A (ja) * 2012-11-30 2015-12-21 エルジー・ケム・リミテッド フレキシブル基板を含む有機発光素子およびその製造方法
WO2016046997A1 (ja) * 2014-09-26 2016-03-31 住友ベークライト株式会社 素子積層フィルムの製造方法、素子積層フィルムおよび表示装置
JP2017183717A (ja) * 2016-03-24 2017-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法、および剥離装置
JP2017191283A (ja) * 2016-04-15 2017-10-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101456673B1 (ko) * 2007-09-11 2014-11-03 삼성전자주식회사 테입 구조물 및 이를 이용한 웨이퍼 분리 방법 및 장치
JP6218038B2 (ja) 2014-05-26 2017-10-25 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルムを含む積層体、ガラスフィルムを含む積層体の製造方法、及びガラス物品の製造方法
JP6345611B2 (ja) * 2015-02-04 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム、および情報記憶媒体
JP6637766B2 (ja) * 2016-01-04 2020-01-29 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
WO2018179216A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 Ｅｌデバイスの製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009010356A (ja) * 2007-05-31 2009-01-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2009049387A (ja) * 2007-07-23 2009-03-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｓｏｉ基板の製造方法
JP2015536555A (ja) * 2012-11-30 2015-12-21 エルジー・ケム・リミテッド フレキシブル基板を含む有機発光素子およびその製造方法
JP2015012289A (ja) * 2013-06-26 2015-01-19 友達光電股▲ふん▼有限公司ＡＵ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ フレキシブル電子デバイス
WO2016046997A1 (ja) * 2014-09-26 2016-03-31 住友ベークライト株式会社 素子積層フィルムの製造方法、素子積層フィルムおよび表示装置
JP2017183717A (ja) * 2016-03-24 2017-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法、および剥離装置
JP2017191283A (ja) * 2016-04-15 2017-10-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法

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