JP2016096218A - 積層基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1は有機EL表示パネルの製造法に関するものであるが、この方法は有機EL素子に限られず、太陽電池や有機半導体といった電子デバイス一般に適用可能である。すなわち、従来の電子デバイスの製造設備において、可撓性基板を有するフレキシブルな電子デバイスを製造しようとする場合、特許文献1と同様に支持基板を使用して製造することが考えられる。
一方で、発光表示パネルを含む電子デバイスの製造工程には、通常、水や有機溶媒等で基板表面を洗浄する洗浄工程や、エアー等のガスの吹き付けや加熱による乾燥工程も含まれる。後に脱着可能なように可撓性基板と支持基板を仮止めした状態では、このような洗浄工程や乾燥工程において、仮止めした領域が部分的に剥離してしまい、製造歩留まりが低下するという問題がある。
本発明は以下を要旨とするものである。
即ち、本発明によれば、支持基板で可撓性基板を支持して電子デバイスを製造するに当たり、電子デバイス素子形成工程においては、可撓性基板が支持基板から剥離しないように可撓性基板を支持基板に安定かつ確実に固定することができ、その後の支持基板剥離工程においては、支持基板を容易に剥離除去して、可撓性基板上に電子デバイス素子が形成された電子デバイスを歩留りよく製造することができる。
また、本発明における「電子デバイス素子」とは、上記電子デバイスの機能を発現させるために必要な層構成すべてを指すものとする。
また、以下において、「側面」とは、積層基板や可撓性基板、支持基板、粘着層の厚み方向の面をさす。
図1は、実施の形態に係る本発明の積層基板の構成例を示す断面図である。
図1に示すように、積層基板10は、支持基板1の一方の板面と可撓性基板3の一方の板面が、粘着層2を介して向き合う状態で固定されたものを指す。図1の積層基板10を形成した後に、積層基板10の可撓性基板3側の表面上に、電子デバイス素子を形成する電子デバイス素子形成工程を経ることで、電子デバイスが製造される。
(支持基板1)
支持基板1は、電子デバイス素子形成工程において搬送等に不具合を生じない程度の剛性を有していればよく、素材としては、ガラス、金属又は樹脂等の材料が挙げられる。また、支持基板1は、可撓性基板3と粘着層2を介して固定されることから、可撓性基板3と同等以上の表面平滑性を有することが好ましい。支持基板1の厚みとしては、電子デバイス素子形成工程において不具合が生じない範囲であればよく、素材にもよるが、通常、0.5〜5mm程度のものが用いられる。このような特徴が求められることから、支持基板1として用いられる素材は、ガラスが好ましい。ガラスの種類としては、ソーダガラス、ホウ酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、石英ガラスなどが挙げられる。上記ガラスの平均熱膨張係数は、好ましくは15ppm/℃以下、より好ましくは10ppm/℃以下である。本発明においては、支持基板1を構成するガラスの種類は特に限定されないが、比較的コストが低いことから、ソーダガラスが好ましい。
本発明の第1の実施態様(以下、適宜「実施態様1」と称す。)における粘着層2は、可撓性基板3を支持基板1に固定可能な粘着材料を含む層である。粘着材料とは、可撓性基板3を支持基板1に保持するための接着剤の役割を果たす材料で、具体的には、シリカ系接着剤、シリコーン系樹脂、シリコーン系エラストマー、天然ゴム系樹脂、天然ゴムラテックス系エラストマー、合成ゴム、でんぷん系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、膠、オレフィン系樹脂、ウレタン系樹脂、エチレン−酢酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、クロロプレンゴム系樹脂、シアノアクリレート系樹脂、スチレン−ブタジエンゴム系樹脂、ニトリルゴム系樹脂、ニトロセルロース系樹脂、フェノール系樹脂、変性シリコーン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリビニルピロリドン系樹脂、ポリビニルブチラール系樹脂、ポリベンズイミダゾール系樹脂、ポリメタクリレート系樹脂、ユリア系樹脂、レゾルシノール系樹脂や、これら樹脂を2種以上混合させた樹脂が挙げられる。中でも、撥液性が良く可撓性基板3と粘着層2との界面に浸透する溶液をはじきやすい観点から、シリコーン系樹脂、シリコーン系エラストマーが好ましい。
これらの材料の加熱時のアウトガス発生量、粘着力、ボールタック、厚みの好適条件については、実施態様1における粘着層2と同様である。
可撓性基板3には、上記粘着層2とは反対側の表面上に電子デバイス素子が形成される。可撓性基板3は、電子デバイス素子とともに電子デバイスを構成する。可撓性基板3は、フレキシブルな電子デバイスとして要求される可撓性により、適宜好ましい材料を選択すればよいが、厚さ200μm以下のガラス板(以下、薄膜ガラスと記載)や、フィルム状の樹脂製基材等が好ましく用いられる。また、可撓性基板3は、電子デバイスの種類によって、要求される強度、ガスバリア性、透明性等が異なるため、これらの要求に応じて適宜材料や設計を選択すればよい。たとえば、フィルム状の樹脂製基材にガスバリア性を付与するために、フィルム状の樹脂製基材上に無機薄膜層を積層形成する方法が挙げられる。
また、薄膜ガラスや、前記薄膜ガラスに上述の樹脂を積層及び/又は被覆させた樹脂積層薄膜ガラス基板、さらに、樹脂積層薄膜ガラスを多重に積層させた基板も可撓性基板3として使用することができる。
次に、本発明の積層基板及び電子デバイスの製造方法の第1の実施態様について、適宜概念図を用いて説明する。
粘着層形成工程では、支持基板1上及び/又は可撓性基板3の板面上に粘着層2を形成する。粘着層2は、支持基板1上、可撓性基板3上のいずれに形成してもよいし、支持基板1と可撓性基板3の両方の基板(以下、単に「両基板」と記載する。)上に形成し、形成した面同士を貼り合せてもよい。以下では支持基板1上に粘着層2を形成する態様について説明する。
積層基板形成工程は、粘着層2が形成された支持基板1の粘着層2側の表面に、可撓性基板3を貼り合せて固定することで、粘着層2を介して支持基板1と可撓性基板3を一体化し、積層基板10を形成する工程である。可撓性基板3の詳細については前述の通りである。この場合、両基板を重ね合せるのみでもよいし、両基板を重ね合せた後にローラーやプレス機等を用いて通常0.05MPa以上、好ましくは0.2MPa以上、より好ましくは0.3MPa以上、さらに好ましくは0.45MPa以上の圧力で加圧してもよい。このような加圧を行うことで、より確実にかつ粘着層2と可撓性基板3の間において剥離しやすい程度に両基板同士を固定することが可能である。この加圧力の上限は、可撓性基板を変形させない観点から5.0MPa以下であることが好ましい。
また、両基板を通常1000Pa以下、好ましくは100Pa以下、より好ましくは50Pa以下の真空中で貼りあわせてもよい。このようにすることで、両基板間に気泡が生じにくくなり、より確実に両基板同士を固定することが可能である。
ただし、後述の電子デバイス素子形成工程後に、積層基板10から支持基板1及び粘着層2を剥離する場合には、後で剥離が可能な程度に固定する必要がある。
上記積層基板形成工程を経て積層基板10が得られるが、この状態で積層基板10の可撓性基板3側の板面に、電子デバイス素子形成工程により電子デバイス素子を形成した場合、前述の通り、例えば、積層基板10の表面の洗浄乾燥処理時に、両基板が部分的に剥離してしまう等の不具合が生じ、電子デバイスを効率よく製造できない可能性がある。このような現象の発生を抑えるため、可撓性基板3の側面の少なくとも一部に剥離抑制層4を設けるのが、本剥離抑制層形成工程である。
図2(b)においては、剥離抑制層4は、可撓性基板3の側面3Aの粘着層2側の一部と、粘着層2の露出している表面を覆うように設けられている。
このような剥離抑制層4を設けることで、電子デバイス素子形成工程において、両基板が部分的に剥離することを抑制することが可能である。そのメカニズムは以下の通りである。
このようなことから、剥離抑制層4は、積層基板10の側面において、少なくとも可撓性基板3と粘着層2との界面を覆うように形成される必要があるが、剥離抑制層4は、可撓性基板3と粘着層2との界面と支持基板1と粘着層2との界面を覆うように、可撓性基板3、粘着層2及び支持基板1にまたがって形成されることが好ましい。
ただし、可撓性基板3の板面には、後述の通り、電子デバイス素子を形成する領域を確保する必要があり、また、後述の通り、剥離抑制層4の除去のために積層基板切断工程で切断して廃棄される材料を少なくする観点からも、上記のように支持基板1や可撓性基板3の板面の端部に回り込んで剥離抑制層4を形成する場合、この回り込み幅は小さい方が好ましく、10mm以下とすることが好ましい。
剥離抑制層4を構成する樹脂材料を適当な溶媒に溶解させた液体(溶解樹脂)、もしくは該樹脂材料そのものの温度を上げて融解した液体(融解樹脂)に積層基板10を浸し込むディッピング法によって、積層基板10の側面に樹脂材料を被着せしめることができる。該液体は、適当な助剤(たとえば界面張力を制御する界面活性剤、酸化防止剤、反応抑制安定剤等)を含んでいてもよい。
この際、樹脂の乾燥もしくは硬化速度に見合う回転速度や回転パターン、雰囲気、温度等を適宜選択して、剥離抑制層4の厚みを制御し、回り込みや液だれを最小に抑えることが可能である。
さらに他の方法として、積層基板10の両面に塗布法によって樹脂をコーティングするか、または、予め別のフィルム等に樹脂を塗布あるいはラミネートしたものから転写するなどの方法によって、積層基板10の側面を含む全面に樹脂を被着させておき、その後、剥離抑制層4に当たる部分以外の余分な樹脂を剥離するという方法によっても剥離抑制層4を形成することが可能である。
該余分な樹脂を剥離する方法としては、機械的に削り落とす方法や、化学的エッチング法(液相エッチング法、UV−O3法、等)及び物理的エッチング法(サンドブラスト法、イオンミリング法、反応性プラズマエッチング法、等)、該樹脂に感光剤を加えてフォトリソグラフィックに剥離領域を形成する方法などが採用可能である。剥離領域を決定するためには、前記エッチング法においてフォトリソグラフィーを利用してもよい。
剥離領域の決定工程やそれに代わる工程においては、例えば、後工程で位置合わせが必要になるときのアライメントマークも同時に形成できる等の利点も生じる。
電子デバイス素子形成工程は、積層基板10の可撓性基板3側の表面(板面)に、電子デバイス素子6を形成する工程である。電子デバイス素子6については、所望の電子デバイスに必要な層構成を公知の方法で適宜形成すればよい。この際、本発明の実施態様1においては、支持基板1を含む積層基板10として本工程を実施するため、可撓性基板3のみで実施するよりも搬送不良等の少ない、効率的な電子デバイスの製造が可能になる。また、剥離抑制層4が形成されていることにより、前述の通り、本工程の途中において可撓性基板3が積層基板10から剥離するような不具合が発生するおそれがなく、効率的に電子デバイスを製造できる。
積層基板切断工程は、電子デバイス素子形成工程を経た積層基板10に対し、積層基板10から、少なくとも剥離抑制層4を含む積層基板10の一部領域を除去するために積層基板10の一部を切断する工程である。ここで、積層基板10から切断により除去される領域は、前述の通り、可撓性基板3の表面において、電子デバイス素子が形成されていない、可撓性基板3の側面近傍の端部である。また、本工程では、可撓性基板3のみを切断してもよいし、可撓性基板3と粘着層2を切断してもよいし、可撓性基板3と粘着層2と支持基板1を切断してもよいし、積層基板10に支持基板1、粘着層2及び可撓性基板3以外の層が形成されている場合にはその層も含めて切断してもよい。
支持基板剥離工程は、積層基板切断工程を経た積層基板10に対し、積層基板10から支持基板1及び粘着層2を剥離することにより(ただし、後述の通り、支持基板1のみを剥離してもよい)、可撓性基板3上に電子デバイス素子6が形成された電子デバイス20を得る工程である。
上記においては、可撓性基板3と粘着層2の間において剥離することを前提とした実施態様について説明したが、以下に示すように、支持基板1と粘着層2の間において剥離し、粘着層2が形成された可撓性基板3を有する電子デバイス20を作製することも可能である。このような電子デバイス20は、可撓性基板3を粘着層2で補強することが可能となるため、フレキシブル性を維持したまま、機械的強度を改善することができる。
次に、本発明の積層基板及び電子デバイスの製造方法の第2の実施態様について、適宜概念図を用いて説明する。
なお、以下において、粘着層2を支持基板1上に形成した場合を例示して各工程を説明するが、本発明の実施態様2においても、本発明の実施態様1と同様、粘着層2は、支持基板1上に形成してもよく、可撓性基板3上に形成してもよく、両基板上に形成してもよい。
粘着層形成工程では、支持基板1上に加熱及び/又は活性エネルギー線の照射により硬化する樹脂材料を含む粘着層2を形成する。支持基板1、粘着層2の詳細については前述の通りである。粘着層2を支持基板1上に形成する方法についても、第1の実施態様と同様である。
特定領域形成工程では、粘着層2の一部の領域に、加熱及び/又は活性エネルギー線照射を行い、特定領域を形成する。
一方で、支持基板1は、特定領域30及び非特定領域40の全面において、粘着層2に強固に固着される。
このため、電子デバイス素子形成工程においては、積層基板10からの可撓性基板3の剥離を防止した上で、支持基板剥離工程では、後述の通り、この非特定領域40を切断して除去した後の積層基板10から、電子デバイス素子6が形成された可撓性基板3を粘着層2及び支持基板1から容易に分離することができるようになる。
積層基板形成工程は、上記特定領域形成工程後に、粘着層2が形成された支持基板1の粘着層2側の表面に、可撓性基板3を貼り合せて固定することで、粘着層2を介して支持基板1と可撓性基板3を一体化し、積層基板10を形成する工程である。可撓性基板3の詳細については前述の通りである。
本工程は、積層基板形成工程後に、粘着層2の少なくとも特定領域以外の領域に、加熱及び/又は活性エネルギー線を照射する工程である。特定領域以外の領域に、加熱及び/又は活性エネルギー線を照射することで、粘着層2が可撓性基板3と密着した状態で硬化することにより、可撓性基板3がより強固に支持基板1に固定されることとなり、後述の電子デバイス素子形成工程において可撓性基板3が積層基板10から剥離してしまうような不具合が発生しにくくなるという効果が生じる。この際、特定領域30は既に硬化されているため、加熱及び/又は活性エネルギー線の照射は積層基板10全体に対して行ってもよい。この積層基板加工工程において、活性エネルギー線を照射する場合、活性エネルギー線は、積層基板10の可撓性基板3側から照射してもよく、支持基板1側から照射してもよく、活性エネルギー線透過性を有する方から照射すればよい。
この後、後述の電子デバイス素子形成工程等を経ることで、好ましくは更に、支持基板切断工程及び支持基板剥離工程を経ることで、本発明の実施態様2の電子デバイスの製造方法が完了する。
電子デバイス素子形成工程については、前述の本発明の実施態様1における電子デバイス素子形成工程と同様に行うことができる。実施態様1の剥離抑制層形成工程の代わりに、特定領域形成工程(更には積層基板加工工程)を行うことで、前述の通り、電子デバイス素子形成工程の途中において可撓性基板3が積層基板10から剥離してしまうような不具合が発生しにくくなり、効率的に電子デバイスを製造することが可能となる。
本発明の実施態様2の電子デバイス形成工程においても、実施態様1の場合と同様、電子デバイス素子を可撓性基板3の表面全域に形成せずに、可撓性基板3の側面近傍の端部において、電子デバイス素子を形成しない領域を設けることが必要である。これは、この後の積層基板切断工程において、非特定領域40を含む積層基板10の端部を切断するためである。好適な電子デバイス素子形成領域については、後述の通りである。
積層基板切断工程は、電子デバイス素子形成工程を経た積層基板10に対し、積層基板10から、少なくとも特定領域30以外の領域、すなわち非特定領域40を除去するために積層基板10の一部を切断する工程である。ここで、積層基板10から切断により除去される領域は、前述の通り、可撓性基板3の表面において、電子デバイス素子6が形成されていない、可撓性基板3の側面近傍の端部であり、非特定領域40を完全に包含する領域である。また、本工程では、可撓性基板3のみを切断してもよいし、可撓性基板3と粘着層2を切断してもよいし、可撓性基板3と粘着層2と支持基板1を切断してもよいし、それ以外の層が形成されていた場合にはその層も含めて切断してもよい。
積層基板切断工程における積層基板10の切断方法は、本発明の実施態様1の場合と同様である。
また、上記の切断位置で非特定領域40を完全に除去すると共に、非特定領域40をある程度の面積以上として、非特定領域40を設けることによる剥離抑制効果を確実に得る観点から、粘着層2に形成される特定領域30と非特定領域40との境界位置、即ち、図5における一点鎖線Q2で示される位置は、支持基板1(又は可撓性基板3)の端部から0.05〜29mm程度の位置、即ち、図5におけるx3=0.05〜29mm程度であって、x1とx3との差は0.05mmより大きな値であることが好ましい。
上記の積層基板切断工程後の支持基板剥離工程については、前述の本発明の実施態様1における支持基板剥離工程と同様に行うことができる。
上記においては、可撓性基板3と粘着層2の間において剥離することを前提とした実施態様について説明したが、実施態様1の変形例において示したように、実施態様2においても、支持基板1と粘着層2の間において剥離し、粘着層2が形成された可撓性基板3を有する電子デバイス20を作製することも可能である。
以下の手順で積層基板の製造と評価を行った。
実施例1は、本発明の実施態様2に相当する。
樹脂材料として、信越化学工業製シリコーン粘着剤X40−3229を20gと触媒CAT−PL−50T0.5gを混合し、さらにトルエン20gを加え、完全に溶解させて粘着層形成用樹脂組成物を調液した。X40−3229の粘着力とボールタックナンバーのメーカー公称値は、厚さ30μmでそれぞれ0.06N/25mm、No.2、である。
厚みが0.7mmで100mm×100mmの正方形のソーダガラスを支持基板1として準備した。該ソーダガラス上に上記粘着層形成用樹脂組成物を滴下して、スピンコート塗布した(スピンコート回転数:800rpmで2秒間、後に1000rpmで60秒間)。その後、80℃のホットプレート上で1分間乾燥し、粘着層2を形成した支持基板1を得た。
次に、130℃のホットプレート上に厚さ30mm、70mm×70mmの正方形のジュラルミン金属板を設置し、その上に、ジュラルミン金属板の中心と、粘着層2を形成した支持基板1の中心とが一致するように、粘着層2がジュラルミン金属板に接触するように上記の乾燥後の支持基板1を載置し、5分間焼成することで、粘着層2の一部(ジュラルミン金属が存在する領域)を加熱により硬化させた粘着層2を形成した支持基板1を得た。すなわち、100mm×100mmの支持基板1上の全面に形成された粘着層2において、中央のおおよそ70mm×70mmの領域が特定領域に相当し、各辺からおおよそ15mmの幅の外周部分が非特定領域に相当する状態とした。この状態における粘着層2の厚みは28μmであった。
上記で得られた粘着層2を形成した支持基板1の粘着層2側の表面に、可撓性基板3として、厚さ75μmで100mm×100mmの正方形のPETフィルム(テイジンデュポン社製テイジンメリネックス)を、ウレタンローラーで加圧しながら貼り合わせ、積層基板10を得た。
上記で得られた積層基板10を130℃のホットプレート上に載置し、非特定領域の粘着層2を硬化させた。
積層基板10の状態で、電子デバイス素子形成工程を想定した以下の洗浄乾燥工程を施した。
洗浄乾燥工程として、超純水による超音波洗浄と、ブロアーによる乾燥を実施した。超音波洗浄は、超純水を貯めたガラス製容器に積層基板10を浸漬し、アズワン製超音波装置を用いて10分間超音波洗浄を行った。このときの波長は28kHzであった。その後、ブロアーを用いてエアーを吹きつけて基板表面に付着した水分を除去した。このとき使用したブロアーはエアガンタイプで、噴射出口径は2mmφ、圧力は0.43MPaの圧縮空気を使用した。
積層基板10に上記洗浄工程を施した後の、可撓性基板3と粘着層2の間における剥離の発生状況を目視により評価した。剥離がない場合は「〇」、少しでも剥離があった場合は「×」とした。実施例1の積層基板10では「○」であった。
ブロアー乾燥後の積層基板10の、中心部50mm角の部分を残すように、積層基板10の外周部分の幅25mmをカッターを用いて切断した。切断後、50mm角の積層基板の端部をピンセットでつまみ、支持基板1であるソーダガラスと粘着層2を、積層基板10から剥離して、可撓性基板3のPETフィルムを得た。
剥離後のPETフィルムを目視で観察し、PETフィルムに変形や破損が発生せずに剥離できた場合を「〇」、剥離時に変形や破損した場合、粘着剤の糊残りがあった場合、もしくは剥離そのものが不可能だった場合を「×」とした。実施例1のPETフィルムでは「○」であった。
以下の手順で積層基板の製造と評価を行った。
実施例2は、本発明の実施態様1に相当する。粘着層形成用樹脂組成物は実施例1と同じものを使用した。
厚みが0.7mmで100mm×100mmの正方形のソーダガラスを支持基板1として準備した。該ソーダガラス上に上記粘着層形成用樹脂組成物を滴下して、スピンコート塗布した(スピンコート回転数:800rpmで2秒間、後に1000rpmで60秒間)。その後、80℃のホットプレート上で1分間乾燥し、更に、130℃のホットプレート上で5分間加熱し、粘着層2を形成した支持基板1を得た。
上記で得られた粘着層2を形成した支持基板1の粘着層2側の表面に、可撓性基板3として、厚さ75μmで100mm×100mmの正方形のPETフィルム(テイジンデュポン社製テイジンメリネックス)を、ウレタンローラーで加圧しながら貼り合わせ、積層基板10を得た。
更に、積層基板10の側面のうち、少なくとも可撓性基板3であるPETフィルムと粘着層2との界面部を側面全周にわたって覆うように、粘着層2に用いた粘着層形成用組成物をシリンジに充填して適量を射出して塗布形成し、80℃のホットプレート上で1分間乾燥し、更に、130℃のホットプレート上で5分間加熱し、図2に示すような剥離抑制層4を形成した積層基板10を得た。この剥離抑制層の厚みは約400μmである。
積層基板10の洗浄乾燥工程実施後の剥離評価については、実施例1と同様に行った。
積層基板切断工程及び支持基板剥離工程については、実施例1と同様に行った。剥離後の評価についても実施例1と同様に行った。
粘着層形成用樹脂組成物として以下のものを使用したこと以外は、実施例1と同様に積層基板10の作製及び評価を行った。実施例3は、本発明の実施態様2に相当する。
樹脂材料として、信越化学工業製シリコーン粘着剤X40−3306を60gと触媒CAT−PL−50T0.3gを混合し、さらにトルエン30gを加え、完全に溶解させて粘着層形成用樹脂組成物を調液した。X40−3306の粘着力のメーカー公称値は、厚さ30μmで0.02N/25mmである。
粘着層形成用樹脂組成物として実施例3と同じものを用いたこと以外は、実施例2と同様に積層基板10の作製及び評価を行った。このときの剥離抑制層の厚みは約100μmであった。実施例4は、本発明の実施態様1に相当する。
特定領域形成工程を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして積層基板10の作製及び評価を行った。
剥離抑制層形成工程を行わなかったこと以外は、実施例2と同様にして積層基板10の作製及び評価を行った。
特定領域形成工程を行わなかったこと以外は、実施例3と同様にして積層基板10の作製及び評価を行った。
剥離抑制層形成工程を行わなかったこと以外は、実施例4と同様にして積層基板10の作製及び評価を行った。
実施例1〜4及び比較例1〜4の評価結果を表1に示す。
一方、比較例1及び3では、洗浄乾燥工程後には剥離が認められなかったものの、支持基板剥離工程において、剥離後の可撓性基板3が変形してしまい、さらに粘着剤の糊が残っていた。また、比較例2及び4では、支持基板剥離工程において、支持基板1及び粘着層2の剥離は問題なく行えたものの、洗浄乾燥工程後に可撓性基板3と粘着層2の間に一部剥離が発生した。
2 粘着層
3 可撓性基板
4 剥離抑制層
6 電子デバイス素子
10 積層基板
20 電子デバイス
30 特定領域
40 非特定領域
60 電子デバイス素子形成領域
Claims (13)
- 電子デバイスの製造用の積層基板の製造方法であって、
該積層基板は、支持基板、可撓性基板及び粘着層を含み、
該支持基板上及び/又は該可撓性基板上に粘着層を形成する粘着層形成工程、
該粘着層を介して該可撓性基板を該支持基板に固定し、該支持基板と該可撓性基板を一体化する積層基板形成工程、及び、
該可撓性基板の側面の少なくとも一部に剥離抑制層を形成する剥離抑制層形成工程、を含むことを特徴とする積層基板の製造方法。 - 電子デバイスの製造用の積層基板の製造方法であって、
該積層基板は、支持基板、可撓性基板及び粘着層を含み、
該支持基板上及び/又は該可撓性基板上に加熱及び/又は活性エネルギー線の照射により硬化する樹脂材料を含む粘着層を形成する粘着層形成工程、
該粘着層の特定領域に、加熱及び/又は活性エネルギー線を照射する特定領域形成工程、及び、
該粘着層を介して該可撓性基板を該支持基板に固定し、該支持基板と該可撓性基板を一体化する積層基板形成工程、を含むことを特徴とする積層基板の製造方法。 - 前記積層基板形成工程後に、前記粘着層の少なくとも前記特定領域以外の領域に、加熱及び/又は活性エネルギー線を照射する積層基板加工工程を含む、請求項2に記載の積層基板の製造方法。
- 前記積層基板形成工程において、前記可撓性基板の端部の少なくとも一部を加圧し、前記粘着層に該端部を埋め込むことを特徴とする請求項2又は3に記載の積層基板の製造方法。
- 前記特定領域形成工程における前記活性エネルギー線が赤外線又は紫外線であることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の積層基板の製造方法。
- 電子デバイスの製造方法であって、
支持基板上及び/又は可撓性基板上に粘着層を形成する粘着層形成工程、
該粘着層を介して該可撓性基板を該支持基板に固定し、該支持基板と該可撓性基板を一体化した積層基板を形成する積層基板形成工程、
該可撓性基板の側面の少なくとも一部に剥離抑制層を形成する剥離抑制層形成工程、及び、
該積層基板の該可撓性基板側表面上に電子デバイス素子を形成する電子デバイス素子形成工程、を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 前記電子デバイス素子形成工程後に、
該積層基板から、少なくとも該剥離抑制層を含む該積層基板の一部領域を除去するために該積層基板の一部を切断する積層基板切断工程、及び、
少なくとも該支持基板を該積層基板から剥離する支持基板剥離工程、を含むことを特徴とする、請求項6に記載の電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
支持基板上及び/又は可撓性基板上に加熱及び/又は活性エネルギー線の照射により硬化する樹脂材料を含む粘着層を形成する粘着層形成工程、
該粘着層の特定領域に、加熱及び/又は活性エネルギー線を照射する特定領域形成工程、
該粘着層を介して該可撓性基板を該支持基板に固定し、該支持基板と該可撓性基板を一体化した積層基板を形成する積層基板形成工程、及び、
該積層基板の該可撓性基板側表面上に電子デバイス素子を形成する電子デバイス素子形成工程、を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 前記電子デバイス素子形成工程後に、
該積層基板から、少なくとも該特定領域以外の領域を除去するために該積層基板の一部を切断する積層基板切断工程、及び、
少なくとも該支持基板を該積層基板から剥離する支持基板剥離工程、を含むことを特徴とする、請求項8に記載の電子デバイスの製造方法。 - 前記積層基板形成工程後であって前記電子デバイス素子形成工程前に、前記粘着層の少なくとも前記特定領域以外の領域に、加熱及び/又は活性エネルギー線を照射する積層基板加工工程を含む、請求項8又は9に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記積層基板形成工程において、前記可撓性基板の端部の少なくとも一部を加圧し、前記粘着層に該端部を埋め込むことを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記特定領域形成工程における前記活性エネルギー線が赤外線又は紫外線であることを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1項に記載の電子デバイスの製造方法。
- 請求項6乃至12のいずれか1項に記載の電子デバイスの製造方法を用いて製造された電子デバイス。
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