JP2017191283A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フレキシブル基板を有する表示装置において、フレキシブル基板の光学密度を大きくして、製造工程におけるキャリア基板とフレキシブル基板の分離を容易にする。【解決手段】湾曲可能な基板１００にアレイ層５０が形成された表示装置であって、前記基板１００は樹脂で形成され、光学密度（ＯＤ）が２以上であることを特徴とする表示装置である。フレキシブル表示装置は、製造工程においては、例えばガラスであるキャリア基板２０に形成され、完成後、キャリア基板２０から基板１００を剥離する必要があるが、ランプ５００を用いることによって、基板１００とキャリア基板２０の剥離を効果的に行うことができる。【選択図】図９

Description

本発明は表示装置に係り、特に基板を湾曲させることができるフレキシブル表示装置に関する。

有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置は表示装置を薄くすることによって、フレキシブルに湾曲させて使用することができる。この場合、素子を形成する基板を薄いガラスあるいは薄い樹脂によって形成する。有機ＥＬ表示装置は、バックライトを使用しないので、薄型化にはより有利である。反射型液晶表示装置についても同様である。

フレキシブル表示装置を形成するためには、基板を薄くしなければならない。しかし、基板を薄くすると、製造プロセスを通すことが困難になる。そこで、製造プロセスにおいては、比較的厚いガラス等のキャリア基板を用い、マザー基板完成後、キャリア基板を除去し、代わりにフレキシブルな、薄い基板で貼りかえることが行われている。

特許文献１には、ガラス基板と透明な樹脂基板の間に金属等の熱交換層を配置し、この熱交換層をランプで加熱することによって、キャリアガラスと透明樹脂基板を分離する構成が記載されている。

特許文献２には、支持体、すなわち、キャリア基板とフレキシブル基板との間に金属等の剥離層を配置し、この剥離層を電磁誘導によって加熱し、支持体とフレキシブル基板を分離する構成が記載されている。

特許文献３には、ガラス基板の上に金属酸化物とフレキシブル基板となるポリイミド系樹脂の積層物を形成し、赤外線を照射することによって、金属酸化物を加熱させてフレキシブル基板とガラス基板を分離する構成が記載されている。

特許文献４には、樹脂とフィラーからなる熱伝導性樹脂を支持体に塗布し、この熱伝導性樹脂の上にデバイス層を形成し、その後、支持体と熱伝導性樹脂を剥離する構成が記載されている。

特開２０１３−１４５８０８号公報 特開２０１４−８６４５１号公報 特開２０１５−１７４３７９号公報 特開２０１５−１９７９７３号公報

フレキシブル表示装置の製造を可能にするために、ガラス等のキャリア基板にフレキシブル基板を形成し、その上にデバイス層を形成し、その後、キャリア基板とフレキシブル基板とを分離することが行われている。キャリア基板とフレキシブル基板を分離するために、キャリア基板とフレキシブル基板の界面を加熱するが、この時、フレキシブル基板の上に形成された、ＴＦＴや有機ＥＬ層が熱によってダメージを受ける。

また、キャリア基板とフレキシブル基板の界面の加熱をキャリア基板側からレーザービーム等のコリメートされた光で加熱することによって剥離しようとすると、キャリア基板に異物が存在したような場合、その部分が分離できないという課題が存在する。

本発明は、以上のような課題を解決し、表示性能の高いフレキシブル表示装置を歩留まりよく形成することを可能にものである。

本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。

（１）湾曲可能な基板にアレイ層が形成された表示装置であって、前記基板は樹脂で形成され、光学密度（ＯＤ）が２以上であることを特徴とする表示装置。

（２）湾曲可能な基板にアレイ層が形成された表示装置であって、
前記基板は複数の樹脂層で形成され、前記複数の樹脂層の内の第１の層の光学密度（ＯＤ）は２以上であることを特徴とする表示装置。

（３）湾曲可能で光学密度（ＯＤ）が２以上である基板にアレイ層が形成された表示装置の製造方法であって、第１のキャリア基板に非透明な樹脂を塗布し、焼成することによって前記基板を形成し、前記基板にアレイ層を形成し、前記アレイ層を第２のキャリア基板で覆い、前記第１のキャリア基板側からランプからの光を照射することによって、前記基板と前記第１のキャリア基板を分離することを特徴とする表示装置の製造方法。

（４）湾曲可能で光学密度（ＯＤ）が２以上である基板にアレイ層が形成された表示装置の製造方法であって、第１のキャリア基板に金属酸化物を形成し、前記金属酸化物の上に非透明な樹脂を塗布し、焼成することによって前記基板を形成し、前記基板にアレイ層を形成し、前記アレイ層を第２のキャリア基板で覆い、前記第１のキャリア基板側からランプからの光を照射することによって、前記基板と、前記金属酸化物が形成された前記第１のキャリア基板を分離することを特徴とする表示装置の製造方法。

フレキシブル表示装置の平面図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。 マザー基板の平面図である。 第１キャリア基板の上にフレキシブル基板を形成した断面図である。 第１キャリア基板の上のフレキシブル基板の上にアレイ層を形成し、第２キャリア基板で覆ってマザー基板を形成した状態を示す断面図である。 第１キャリア基板側から、剥離のためのレーザービームをスキャンしている状態を示す断面図である。 第１キャリア基板側から、剥離のためのレーザービームをスキャンしている状態を示す他の断面図である。 第１キャリア基板側から、剥離のためのランプからの光を照射している状態を示す断面図である。 キセノンランプのスペクトルの例である。 第１キャリア基板が剥離された状態を示すマザー基板の断面図である。 フレキシブル基板に粘着材を介して有機ＥＬセル毎に支持基板を貼り付けた状態を示すマザー基板の断面図である。 マザー基板から有機ＥＬセルを分離した状態を示す断面図である。 有機ＥＬセルから第２キャリア基板を剥離した状態を示す断面図である。 有機ＥＬセルに偏光板を貼り付けて有機ＥＬ表示装置にした状態を示す断面図である。 フレキシブル基板の他の形態を示す断面図である。 フレキシブル基板のさらに他の形態を示す断面図である。 フレキシブル基板のさらに他の形態を示す断面図である。 実施例２の製造工程を示す断面図である。 実施例２のマザー基板を示す断面図である。 マザー基板からＩＴＯが付着した第１キャリア基板を剥離した状態を示す断面図である。

以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。

図１は本発明が適用されるフレキシブル基板１００を有する有機ＥＬ表示装置の平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ断面図である。図１および図２において、フレキシブル基板１００の上にＴＦＴや有機ＥＬ層等を含むアレイ層５０が形成され、これを偏光板２００が覆っている。なお、アレイ層５０が表示領域になっている。図１および図２において、フレキシブル基板１００が偏光板２００に覆われていない部分は端子部１５０となっている。端子部１５０にはアレイ層５０から配線が引き出され、端子部１５０の端部において、フレキシブル配線基板３００と接続している。フレキシブル配線基板３００からは、有機ＥＬ表示装置へ電源、信号等が供給される。

フレキシブル基板１００は厚さ１０μｍ乃至２０μｍの樹脂、例えばポリイミドで形成されている。本発明の特徴は、このフレキシブル基板１００が吸光性の基板であるということである。これによって本発明では、フレキシブル基板１００を、キャリア基板側からの光の照射によってガラス等のキャリア基板から分離する際、光がフレキシブル基板１００の上に形成されたＴＦＴや有機ＥＬ等の電子素子に照射されて、これらの素子がこの光による熱等によって劣化することを防止することができる。

フレキシブル表示装置は、フレキシブル基板１００が１０μｍ乃至２０μｍのポリイミド等の樹脂で形成されているので、機械的に弱く、また、形状が安定しない。そのために、フレキシブル基板１００の下側に表示領域の形状を安定化するための支持基板１０を接着している。支持基板１０はガラスでもよいし、樹脂でもよい。厚さは０．１ｍｍ程度であるが、用途によって、種々の厚さにすることができる。なお、この支持基板１０は、製造工程で使用されるキャリア基板とは別物である。

図２の支持基板１０は平面であるが、フレキシブル表示装置の表示面に曲面をつけたい場合、曲面を有する支持基板を用いることができる。すなわち、フレキシブル表示装置は、フレキシブルに湾曲するので、支持基板の曲率に容易に沿わせることができる。さらに、端子部を湾曲させることによって、フレキシブル表示装置の平面外形を小さくすることも可能である。

図３は、図２の表示領域の断面図である。図３はトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。図３において、厚さ１０μｍ乃至２０μｍのフレキシブル基板１００はポリイミドで形成されている。なお、フレキシブル基板１００は、ポリイミドに限らず、他の樹脂あるいはガラスでもよい。本発明はフレキシブル基板が吸光性であることが特徴である。

フレキシブル基板１００の上には、基板側バリア層１０１が形成されている。バリア層１０１の目的は、主に、ポリイミド側からの水分の遮断である。基板側バリア層１０１は、ＳｉＯおよびＳｉＮの積層体で形成されている。基板側バリア層１０１は、例えば、基板側から、厚さ５０ｎｍのＳｉＯ、厚さ５０ｎｍのＳｉＮ、厚さ３００ｎｍのＳｉＯの３層で形成されている場合もある。なお、ＳｉＯはＳｉＯｘの場合を含み、ＳｉＮはＳｉＮｘの場合を含んでいる。

基板側バリア層１０１の上には半導体層１０２が形成されている。半導体層１０２は当初はＣＶＤによってａ−Ｓｉを形成し、これをエキシマレーザによってＰｏｌｙ−Ｓｉに変換したものである。

半導体層１０２を覆ってＣＶＤを用いたＴＥＯＳ（テトラエトシキシラン）によるＳｉＯによってゲート絶縁膜１０３を形成する。ゲート絶縁膜１０３の上にゲート電極１０４を形成する。その後、イオンインプランテーションによって、半導体層１０２に対しゲート電極１０４に対応する以外の部分を導電層とする。半導体層１０２において、ゲート電極１０４に対応する部分がチャンネル部１０２１になる。

ゲート電極１０４を覆って層間絶縁膜１０５をＣＶＤによるＳｉＮによって形成する。その後、層間絶縁膜１０５およびゲート絶縁膜１０３にスルーホールを形成し、ドレイン電極１０６およびソース電極１０７を接続する。図３において、ドレイン電極１０６、ソース電極１０７、層間絶縁膜１０５を覆って有機パッシベーション膜１０８を形成する。有機パッシベーション膜１０８は平坦化膜を兼ねているので、２乃至３μｍと、厚く形成される。有機パッシベーション膜１０８は例えばアクリル樹脂によって形成する。

有機パッシベーション膜１０８の上に、反射電極１１０を形成し、その上に陽極となる下部電極１１０をＩＴＯ等の透明導電膜によって形成する。反射電極１０９は反射率の高いＡｌ合金によって形成する。反射電極１０９は、ＴＦＴのソース電極１０７と、有機パッシベーション膜１０８に形成されたスルーホールを介して接続する。

下部電極１１０の周辺にはアクリル等によるバンク１１１が形成される。バンク１１１を形成する目的は、次に形成される発光層を含む有機ＥＬ層１１２や上部電極１１３が段切れによって導通不良となることを防ぐことである。バンク１１１は、アクリル樹脂等の透明樹脂を全面にコートし、下部電極１１０に対応する部分に有機ＥＬ層からの光を取り出すホールを形成することによって形成される。

図３において、下部電極１１０の上に有機ＥＬ層１１２が形成される。有機ＥＬ層１１２は、例えば電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層等で形成される。有機ＥＬ層１１２の上には、カソードとしての上部導電層１１３が形成される。上部導電層は、透明導電膜であるＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等によって形成されるほか、銀等の金属の薄膜で形成される場合もある。

その後、上部電極１１４側からの水分の侵入を防止するために、上部電極１１３の上に表面バリア層１１４を、ＣＶＤを用いてＳｉＮによって形成する。有機ＥＬ層１１２は熱に弱いために、表面バリア層１１４を形成するためのＣＶＤは１００℃程度の低温ＣＶＤによって形成される。

トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、反射電極１１０が存在しているために、画面は、外光を反射してコントラストが低下する。これを防止するために、表面に偏光板２００を配置して、外光による反射を防止している。偏光板２００は、一方の面に粘着材２０１を有しており、表面バリア層１１４に圧着することによって、有機ＥＬ表示装置に接着させている。粘着材２０１の厚さは３０μｍ程度であり、偏光板２００の厚さは１００μｍ程度である。図１及び図２に示すように、偏光板２００および粘着材２０１は、アレイ層周辺をも覆うように形成されている。

図３において、フレキシブル基板１００は１０乃至２０μｍのポリイミドで形成されているので、機械的に弱く、また、フレキシブル表示装置の形状が安定しない。フレキシブル表示装置の形状を安定させるために、フレキシブル基板１００の背面に粘着材１１を介して支持基板１０が貼り付けられている。支持基板１０の材料、厚さ、形状は、フレキシブル表示装置の用途等によって種々の構成を選択することができる。フレキシブル表示装置の形状は、この支持基板１０の形状によって規定することができる。

有機ＥＬ表示装置は1個1個製造したのでは効率が悪いので、マザー基板に多数の有機ＥＬセルを形成し、マザー基板が完成後1個1個の有機ＥＬ表示装置に分離する。図４はマザー基板４００の例を示す平面図である。図４において、７×５＝３５個の有機ＥＬセル４１０が配置され、マザー基板４００が完成した後、分離線４２０において個々の有機ＥＬセル４１０に分離され、有機ＥＬ表示装置が形成される。

マザー基板４００を構成する基板は第１のキャリア基板である。第１のキャリア基板は、マザー基板がプロセスを通過することができるように、例えば、厚さ０．５ｍｍ程度のガラス基板等で形成されている。第１キャリア基板は、図２で示す支持基板１０とは異なる。なお、製造工程において、有機ＥＬセルの表面側に第２のキャリア基板が配置されるので、第１のキャリア基板、第２のキャリア基板というように区別している。なお、第２キャリア基板は、一般にはガラス以外の材料で形成される。

図５は、第１のキャリア基板２０にフレキシブル基板１００となるポリイミド材料を主体とした樹脂を厚さ１０μｍ乃至２０μｍで塗布した状態を示す断面図である。ポリイミド材料の塗布には、例えば、スリットコーターを用いることができる。塗布した後、焼成して、イミド化し、ポリイミド基板１００にする。このような基板は薄いので、極めてフレキシブルである。

ポリイミドを主体とした樹脂には、黒色顔料を混入して、光に対して非透過としている。黒色顔料としては、例えば、酸窒化チタン（チタンブラック）、黒色酸化チタン粉末、カーボンブラック等が挙げられる。なお、ポリイミド用ブラック分散液等も市販されている。このような顔料は、ポリイミドに限らず、他の樹脂にも用いて光学密度（ＯＤ）を大きくすることができる。

非透過のレベルは吸光度、あるいは光学密度ＯＤ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）によって評価することができる。ある波長の光に対する光学密度（ＯＤ）は、
ＯＤ＝−ｌｏｇ_１０（Ｉ/Ｉ_０）
で表すことができる。ここで、Ｉは入射光の強度で、Ｉ_０は出射光の強度である。ＯＤが２であるとは、入射光に対して出射光が１／１００になるということである。

本発明は、後工程において、フレキシブル基板１００と第１キャリア基板２０とをランプからの光による加熱で分離する際、フレキシブル基板１００のＯＤを大きくすることによって、ランプからの光によって、半導体層や有機ＥＬ層が加熱されて特性が劣化することを防止することに特徴がある。したがって、フレキシブル基板１００のＯＤ値は重要である。このためには、フレキシブル基板１００のＯＤは２以上であることが望ましく、３以上がさらに望ましく、４以上であればさらに望ましい。なお、このＯＤ値は、波長５５０ｎｍの緑光に対するものである。

また、フレキシブル基板１００があまり薄いとフレキシブル基板のＯＤ値を大きくても、熱伝導によってアレイ層に熱が到達するので、フレキシブル基板１００の厚さは、１０μｍ以上であることが好ましい。

その後、図６に示すように、フレキシブル基板１００の上にアレイ層５０を形成し、その上を第２キャリア基板３０で覆う。図６に示すアレイ層５０の詳細は、図３に示す、ＴＦＴ、有機ＥＬ層、電極層、絶縁層等を含む構成である。但し、図３における偏光板２００はまだ存在しておらず、代わりに第２キャリア基板３０がアレイ層５０を覆っている。第２キャリア基板３０は例えば、樹脂基板で、比較的接着力の弱い粘着材によって、アレイ層５０に接着している。アレイ層５０は有機ＥＬセル毎に形成され、マザー基板が完成した後、点線４２０で示す分離線に沿って各有機ＥＬセルに分離される。

このようにしてマザー基板が完成した後、第１キャリア基板２０側から光を当ててフレキシブル基板１００と第１キャリア基板２０の界面を加熱し、フレキシブル基板１００と第１キャリア基板２０を剥離する。図７および図８はレーザービームをスキャンしながら照射する例である。図７および図８において、ＬＳはレーザービームを示している。レーザービームＬＳは、第１キャリア基板２０を、図７および図８の矢印のように、左側から右側にスキャンしながら照射される。

レーザービームＬＳは高度にコリメートされた光である。また、正確に位置制御することができる。しかしながら、図８に示すように、キャリア基板２０に異物等が存在している場合、レーザービームＬＳは高度にコリメートされているために、異物４５０によってレーザービームＬＳが遮られ、この部分においては、フレキシブル基板１００と第１キャリア基板２０の界面が加熱されず、第１キャリア基板２０をフレキシブル基板１００から分離できないことになる。

本発明では、図９に示すように、例えば、ランプ５００からの光を、マザー基板に対して第１キャリア基板側から照射することによって、フレキシブル基板１００を加熱する。図９において、光源には、複数のキセノンランプ５００が用いられている。ランプの背面には、反射板５１０が配置され、光の利用効率を上げている。

図９に示すように、ランプ５００からの光はコリメートされていないので、矢印のように、種々の方向に光が照射され、異物４５０が存在しても、光が回り込むために、異物４５０の影響を除去することができる。また、ランプ５００は、大面積を一括して照射することができるので、プロセス時間も短縮することができる。照射の時間は、数十ミリ秒である。なお、ランプは、１個であっても、種々の方向に光を放射するので、同様な効果を得ることができる。

図１０は、キセノンランプを光源とした場合のスペクトルである。図１０に示すように、ランプは近紫外線、可視光、赤外線にわたる広い範囲の光を放射する。特に４００ｎｍから１０００ｎｍの可視光から近赤外線において強いスペクトルを示す。つまり、キセノンランプを用いることによって、広い範囲の波長を熱源として使用することができる。

本発明では、フレキシブル基板１００はＯＤが２以上であるので、図９に示すように、光は、フレキシブル基板１００において、第１キャリア基板２０の近傍で吸収され、熱に変換される。表１は、ガラス、ポリイミド、ＩＴＯについて、比熱および熱伝導率を示す表である。

表１に示すように、ポリイミドの熱伝導率は、第１キャリア基板を構成するガラスの半分程度である。したがって、ポリイミドにおいて吸収された光によって発生した熱は、アレイ層５０には伝導しずらく、ガラスとポリイミド等で形成されたフレキシブル基板１００の境界部分にとどまって、この部分のポリイミド１００を加熱するので、第１キャリア基板２０とフレキシブル基板１００との剥離を効率よく行うことができる。

図１１は、このようにして、第１キャリア基板２０がフレキシブル基板１００から分離された状態のマザー基板を示す断面図である。図１１において、フレキシブル基板１００の上に、個々の液晶セル毎にアレイ層５０が形成され、これを第２キャリア基板３０が覆っている。図１１の状態では、まだ、個々の有機ＥＬセルには分離していない。

図１２は、フレキシブル基板１００の背面に、個々の有機ＥＬセル毎に粘着材１１を介して支持基板１０をフレキシブル基板１００に接着した状態を示す断面図である。図１２の状態は、支持基板１０のみが有機ＥＬセル毎に分離している状態であり、フレキシブル基板１００、第２キャリア基板３０は一体となっている。

図１２の状態において、点線で示す分離線４２０に沿って、マザー基板から各有機ＥＬセルを分離する。この分離には、レーザービームを使用することができる。あるいは、機械刃による分離でもよい。

図１３は、分離線４２０にそって分離された有機ＥＬセルの断面図である。フレキシブル基板１００の背面には、粘着材１１を介して支持基板１０が接着している。また、フレキシブル基板１００の上面には、アレイ層５０が形成され、アレイ層５０を覆って、有機ＥＬセル毎に分離された第２キャリア基板３０が存在している。

図１４は、第２キャリア基板を剥離した状態を示す有機ＥＬセルの断面図である。第２キャリア基板は、弱い粘着材を介してアレイ層あるいはフレキシブル基板１００に接着しているので、容易に剥離することができる。その後、図１５に示すように、粘着材２０１を介してアレイ層５０を覆うように、偏光板２００を接着する。図１５の表示領域の詳細断面図が図３である。

このように、本発明は、光学密度の大きい、つまり、ＯＤ値が大きいフレキシブル基板１００を使用することによって、フレキシブル基板１００とガラス等で形成された第１キャリア基板２０との剥離を効率的に行うことができる。さらに、フレキシブル基板１００と第１キャリア基板２０との界面を加熱するための光源としてランプを使用するので、第１キャリア基板上の異物等による影響を受けにくくすることが出来る。

図１６は本発明におけるフレキシブル基板１００の他の形態を示す断面図である。図１６において、第１キャリア基板２０の上にフレキシブル基板１００が形成されているが、このフレキシブル基板１００のＯＤ値は、第１キャリア基板２０とのの境界において最も大きく、第１キャリア基板２０から遠くなるにしたがって小さくなっている。

ランプからの光は、第１キャリア基板２０とフレキシブル基板１００との界面で最も多く吸収されるため、アレイ層５０に近い側のＯＤ値はそれほど重要でない。図１６のようなフレキシブル基板１００は、例えば、ＯＤ値の異なるポリイミド材料を層状に積層して塗布することによって得ることができる。

図１７は本発明におけるフレキシブル基板のさらに他の形態を示す断面図である。図１７において、第１キャリア基板２０の上にフレキシブル基板１００が形成されているが、フレキシブル基板は同じＯＤ値のポリイミドを第１層１００１と第２層１００２の２層に分けて塗布している。フレキシブル基板１００が厚い場合は、２層に分けた方が均一に塗布できる場合がある。また、２層に塗り分けることによって、全体として膜欠陥を少なくすることができる場合がある。

図１８は本発明におけるフレキシブル基板のさらに他の形態を示す断面図である。図１８において、第１キャリア基板２０の上にフレキシブル基板１００が形成されているが、フレキシブル基板１００はＯＤ値が大きい第１層１００１と、透明である第２層１００２に分けて塗布している。ランプからの光は、第１キャリア基板２０付近のＯＤ値の大きい第１層のポリイミド１００１によって吸収されるので、アレイ側の第２層のポリイミド１００２は、透明でも、フレキシブル基板１００と第１キャリア基板２０の剥離効果は維持することができる。

ＯＤ値の大きいポリイミドが透明なポリイミドよりも塗布や製膜が難しい場合に、このような構成を用いることによって製造歩留まりを向上できる場合がある。

以上の説明では、フレキシブル基板１００は絶縁物であるとして説明した。しかし、フレキシブル基板１００を導電膜とすることによって、製造工程における帯電防止の効果を得ることができる。すなわち、マザー基板には多くの配線が形成され、かつ、マザー基板は大面積なので、蓄積する静電気量も多い。この静電気による配線間の絶縁破壊は深刻な問題になる場合がある。

本発明においては、例えば、樹脂中にカーボン等を分散させることによって、ＯＤ値を大きくするとともに、フレキシブル基板に導電性を持たせることができる。このような導電性のフレキシブル基板は、図５等に示すように、フレキシブル基板が１層で形成されている場合は、層全体に導電性をもたせても良い。また、図１７、図１８のように、フレキシブル基板が複数の層から構成されている場合は、いずれかの層に対して導電性を持たせても良い。つまり、ＯＤ値の大きいフレキシブル基板を形成するために、カーボン等の導電性顔料を用いれば、ＯＤ値の増大と導電性付与の双方の効果を得ることができる。

図１９は本発明の実施例２を示す断面図である。図１９において、ガラス等で形成された第１キャリア基板２０に金属酸化物２１がスパッタリング等によって形成されている。金属酸化物２１としては、使用実績の多い、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）が好適である。その後、黒色材料を分散したポリイミド材料をスリットコーター等によって塗布する。この場合も、焼成したポリイミドのＯＤ値は、２以上、このましくは３以上、さらに好ましくは４以上であることが好ましい。

その後、図２０に示すように、フレキシブル基板１００の上にアレイ層５０を形成し、さらに、第２キャリア基板３０によってアレイ層５０を覆う。この工程は、実施例１と同様である。図２０のマザー基板に対し、第１キャリア基板２０側からランプによる光を照射する。ＩＴＯ２１は透明であり、フレキシブル基板１００のＯＤ値が大きいので、光はＩＴＯ２１とフレキシブル基板１００との界面で主として熱に変換される。

表１に示すように、ＩＴＯの比熱は小さく、かつ、熱伝導率はポリイミドの１／１０程度なので、フレキシブル基板１００とＩＴＯ２１の界面で発生した熱はＩＴＯ側に移動し、そして、第１キャリア基板２０側で吸収される。つまり、ランプからの光によって加熱した熱は、フレキシブル基板１００とＩＴＯ２１の界面において、ポリイミドを蒸発させ、その後、第１キャリア基板２０側に移動するので、フレキシブル基板１００の反対側に形成されているアレイ層５０には熱が移動しにくい。したがって、アレイ層５０に形成された、ＴＦＴや有機ＥＬ層を熱から保護することができる。ＩＴＯ２１は、熱を第１キャリア基板２０側に移動させるのが目的であるから、厚さは５０ｎｍ以上あれば効果を上げることができる。

図２１は、ランプを照射した後、フレキシブル基板１００が第１キャリア基板２０から分離した状態を示す断面図である。図２１に示すように、剥離は、ＩＴＯ２１とフレキシブル基板１００の界面において、ポリイミドが蒸発することによって生ずるので、ＩＴＯ２１は、ガラス等で形成された第１キャリア基板２０と同時に剥離する。

その後の工程は、実施例１における図１２乃至図１５で説明したのと同様である。また、実施例１において、図１６乃至図１８で説明した、フレキシブル基板の構成も実施例２に適用することができる。

このように、実施例２では、ポリイミドとの界面で発生した熱をＩＴＯを用いることによって、効率的に第１キャリア基板側に移動させることができるので、ＴＦＴや有機ＥＬ等のアクティブ素子を保護することができる。

以上の説明では、表示領域を覆って偏光板が配置されている場合を説明した。しかし、反射防止のためには、偏光板には限らず、透過率の低い光学シートを貼り付けても良い。すなわち、外光の反射光は、光学シートを２回通過するが、発光素子からの光は、光学シートを１回通過するだけなので、光学シートの光透過率を低くすることによって、外光によるコントラストの劣化を防止することができる。本発明は、このような構成の場合にも適用することができる。

以上は、主として有機ＥＬ表示装置について説明した。一方、反射型液晶表示装置は、基板が不透明であっても表示に影響は無い。したがって、以上で説明した本発明は、フレキシブル基板を用いた反射型液晶表示装置にも適用することができる。

１０…支持基板、 １１…支持基板用粘着材、 ２０…第１キャリア基板、 ２１…金属酸化物、ＩＴＯ、 ３０…第２キャリア基板、 ５０…アレイ層、 １００…フレキシブル基板、 １０１…基板側バリア層、 １０２…半導体層、 １０３…ゲート絶縁膜、 １０４…ゲート電極、 １０５…層間絶縁膜、 １０６…ドレイン電極、 １０７…ソース電極、 １０８…有機パッシベーション膜、 １０９…反射電極、 １１０…下部電極、 １１１…バンク、 １１２…有機ＥＬ層、 １１３…上部電極、 １１４…表面バリア層、 １５０…端子部、 １６０…異方性導電膜（ＡＣＦ）、 １７０…酸化物導電膜、 ２００…偏光板、 ２０１…偏光板用粘着材、 ３００…フレキシブル配線基板、 ４００…マザー基板、 ４１０…有機ＥＬセル、 ４２０…分離線、 ４５０…異物、 ５００…ランプ、 ５１０…反射板、 １００１…第１層、 １００２…第２層、 ＬＳ…レーザービーム

Claims (20)

1. 湾曲可能な基板にアレイ層が形成された表示装置であって、
   前記基板は樹脂で形成され、光学密度（ＯＤ）が２以上であることを特徴とする表示装置。
2. 前記基板の前記光学密度は４以上であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記基板はポリイミドで形成され、前記ポリイミドには、黒色顔料が分散されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記基板はポリイミドで形成され、前記ポリイミドには、チタンブラックが分散されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 前記基板はポリイミドで形成され、前記ポリイミドには、カーボンが分散されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 前記基板には黒色顔料が分散され、前記基板の断面方向の前記黒色顔料の密度は、前記アレイ層と反対側の面における密度が前記アレイ側の密度よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
7. 前記基板の厚さは１０μｍ乃至２０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
8. 前記基板と前記アレイ層との間には、無機絶縁膜によるバリア層が形成され、前記基板は導電性であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
9. 前記表示装置は有機ＥＬ表示装置であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
10. 前記表示装置は反射型液晶表示装置であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
11. 湾曲可能な基板にアレイ層が形成された表示装置であって、
    前記基板は複数の樹脂層で形成され、前記複数の樹脂層の内の第１の層の光学密度（ＯＤ）は２以上であることを特徴とする表示装置。
12. 前記第１の層は、前記アレイ側の層とは反対側の層に形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記第１の層はポリイミドで形成され、前記ポリイミドには、黒色顔料が分散されていることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
14. 前記第１の層はポリイミドで形成され、前記ポリイミドには、チタンブラックが分散されていることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
15. 前記第１の層は導電性であることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
16. 湾曲可能で光学密度（ＯＤ）が２以上である基板にアレイ層が形成された表示装置の製造方法であって、
    第１のキャリア基板に非透明な樹脂を塗布し、焼成することによって前記基板を形成し、
    前記基板にアレイ層を形成し、
    前記アレイ層を第２のキャリア基板で覆い、
    前記第１のキャリア基板側からランプからの光を照射することによって、前記基板と前記第１のキャリア基板を分離することを特徴とする表示装置の製造方法。
17. 前記第１のキャリア基板はガラスであることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
18. 湾曲可能で光学密度（ＯＤ）が２以上である基板にアレイ層が形成された表示装置の製造方法であって、
    第１のキャリア基板に金属酸化物を形成し、
    前記金属酸化物の上に非透明な樹脂を塗布し、焼成することによって前記基板を形成し、
    前記基板にアレイ層を形成し、
    前記アレイ層を第２のキャリア基板で覆い、
    前記第１のキャリア基板側からランプからの光を照射することによって、前記基板と、前記金属酸化物が形成された前記第１のキャリア基板を分離することを特徴とする表示装置の製造方法。
19. 前記金属酸化物はＩＴＯであることを特徴とする請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
20. 前記第１のキャリア基板はガラスであることを特徴とする請求項１８に記載の表示装置の製造方法。

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