JP2017208254A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】水分に対するバリア特性を改善し、かつ、変形の少ないフレキシブル表示装置を実現する。【解決手段】第1の基板100にTFTが形成され、前記TFTの上に有機EL層112が形成された有機EL表示装置であって、前記有機EL層112の上には保護層114が形成され、前記第1の基板100の外側には、AlOx層を含む第1の下地層10が形成されていることを特徴とする有機EL表示装置。【選択図】図8

Description

本発明は表示装置に係り、特に基板を湾曲させることができるフレキシブル表示装置に関する。
有機EL表示装置や液晶表示装置は表示装置を薄くすることによって、フレキシブルに湾曲させて使用することができる。この場合、素子を形成する基板を薄いガラスあるいは薄い樹脂によって形成する。シート状の薄い基板は製造工程に流すのは困難である。例えば、ガラス基板の場合は、工程を流すときは、0.5mm程度の厚い基板で流し、完成後、ガラス基板を研磨して薄い基板を形成してフレキシブル表示装置としている。
一方、基板を樹脂で形成する場合は、ガラス基板上に樹脂シートを形成して、これを表示装置の基板とし、樹脂シートの上にアレイ層、発光層等を形成する。その後、レーザーアブレージョン等によってガラス基板と樹脂基板を剥離して、フレキシブルディスプレイとしている。このような構成は、特許文献1に記載されている。
特開2004−349539号公報
レーザーアブレージョンによって、樹脂と基板を剥離する方法は、ガラス基板と樹脂基板との界面をアブレージョンすることによって、剥離するものであるから、樹脂基板へのダメージが生ずる。樹脂基板がダメージを受けると、外部からの水分等がより侵入しやすくなる。また、剥離時の応力等によって、フレキシブルディスプレイが湾曲する等の問題点もある。
本発明の課題は、完成後、レーザーアブレージョンによって、ガラス基板と樹脂基板を分離する方式で形成するフレキシブルディスプレイにおいて、ディスプレイの湾曲を防止し、かつ、外部からの水分の侵入を抑制して、信頼性の高いフレキシブルディスプレイを実現することである。
本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。
(1)第1の基板にTFTが形成され、前記TFTの上に有機EL層が形成された有機EL表示装置であって、前記有機EL層の上には保護層が形成され、前記第1の基板の外側には、第1の下地層が形成されていることを特徴とする有機EL表示装置。
(2)第1の基板にTFTが形成され、前記TFTの上に有機EL層が形成された有機EL表示装置の製造方法であって、ガラス基板の上に剥離層を形成し、前記剥離層の上に下地層を形成し、前記下地層の上にポリイミドによって第1の基板を形成し、前記第1の基板に前記TFTを形成し、前記TFTの上に有機EL層を形成し、前記有機EL層の上に保護層を形成し、その後、前記ガラス基板を前記剥離層とともに、前記第1の基板から剥離することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。
(3)第1の基板にTFTと画素電極が形成され、前記第1の基板に対向して第2の基板が配置され、前記第1の基板と前記第2の基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記第1の基板の外側に第1の下地層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
(4)第1の基板にTFTと画素電極が形成され、前記第1の基板に対向して第2の基板が配置され、前記第1の基板と前記第2の基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、第1のガラス基板の上に第1の剥離層を形成し、前記第1の剥離層の上に第1の下地層を形成し、前記第1の下地層の上にポリイミドにより第1の基板を形成し、前記第1の基板の上に前記TFTと前記画素電極を形成し、第2のガラス基板の上に第2の剥離層を形成し、前記第2の剥離層の上に第2の下地層を形成し、前記第2の下地層の上にポリイミドにより第2の基板を形成し、前記第1の基板と前記第2の基板の間に液晶を封止し、その後、前記第2のガラス基板を前記第2の剥離層とともに、前記第2の基板から剥離し、前記第1のガラス基板を前記第1の剥離層とともに、前記第1の基板から剥離することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
有機EL表示装置の平面図である。 図1のA−A断面図である。 フレキシブル表示装置の製造方法およびその課題を示す断面図である。 マザー基板の平面図である。 本発明における有機EL表示装置の製造工程例を示すフローチャートである。 本発明における有機EL表示装置の製造工程を示す断面図である。 ガラス基板が付いた状態における有機EL表示装置の断面図である。 ガラス基板を剥離した状態における有機EL表示装置の断面図である。 AlOxの膜応力とスパッタリングにおける水分圧の関係を示すグラフである。 スパッタリングにおける水分圧と、製膜されたAlOxの屈折率の関係を示すグラフである。 TFT基板の外側の構成例を示す断面図である。 TFT基板の外側の構成例の他の例を示す断面図である。 TFT基板の外側の構成例のさらに他の例を示す断面図である。 液晶表示装置の平面図である。 図14のB−B断面図である。 本発明における液晶表示装置の製造工程例を示すフローチャートである。 ガラス基板が付いた状態における液晶表示装置の断面図である。 ガラス基板を剥離した状態における液晶表示装置の断面図である。
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
図1は本発明が適用される有機EL表示装置の平面図である。本発明の有機EL表示装置は、フレキシブルに湾曲させることが出来る表示装置である。図1において、有機EL表示装置は表示領域1000と端子部150を有し、表示領域1000には、反射防止のための偏光板500が貼り付けられている。端子部150には有機EL表示装置に電源や信号を供給するためのフレキシブル配線基板300が接続しており、また、有機EL表示装置を駆動するドライバIC400が接続している。
図2は図1のA−A断面図である。ポリイミド基板100の上に表示領域や端子部が形成されている。ポリイミド基板100は、厚さが10乃至20μmであり、フレキシブルに湾曲することが出来る。ポリイミド基板100は厚さが薄いため、形状が不安定であり、機械的な強度も十分でない場合もあることから、背面に保護フィルム60を貼り付けている。保護フィルム60はPET(ポリエチレンテレフタレート)や、アクリル樹脂で形成され、厚さは0.1mm程度である。
図2において、ポリイミド基板100の上に発光層を有するアレイ層が形成され、これを覆って偏光板500が配置されている。トップエミッション型の有機EL表示装置は反射電極を有しているので、外部からの光を反射する。偏光板500は外光の反射を防止して画面を視やすくするためのものである。なお、図2は、対向基板が存在していないタイプの有機EL表示装置である。
図3は、図1、2に示すような、フレキシブルディスプレイを製作する一般的なプロセスを示す断面図である。図3Aにおいて、ガラス基板1上に樹脂、例えば、ポリイミドの材料となるポリアミド酸を塗布し、乾燥、焼成して樹脂基板100とする。樹脂基板100としては、耐熱性等からポリイミド基板が好適である。以後、樹脂基板100はポリイミド基板であるとして説明するが、本発明における樹脂基板100はポリイミド基板には限らない。
ガラス基板1は、製造プロセスを通ることが出来る強度を持ったものであり、厚さは例えば0.5mmである。ガラス基板1の上に形成されるポリイミド基板100は、厚さが10乃至20μmである。ポリイミド基板100の上に発光層、TFT等を有するアレイ層を形成する。なお、ポリイミド基板にはTFT等が形成されるので、TFT基板100とも呼ぶ。
その後、図3Bに示すように、ポリイミド基板100とガラス基板1の界面に焦点を合わせてレーザーLAを照射し、レーザーアブレージョンを行い、ガラス基板1とポリイミド基板100の接着力を低下させてポリイミド基板100とガラス基板1を分離する。
図3Cはガラス基板1から、アレイ層を有するポリイミド基板100を剥離した状態を示す断面図である。アレイ層が形成されたポリイミド基板100には、製造工程におけるストレスや、レーザーアブレージョン時のストレスが加わっているので、ガラス基板1から分離すると、例えば図3Cに示すように湾曲する。また、レーザーアブレージョンによって、ポリイミド基板100のガラスとの界面が粗面となっており、外部から、水分等が容易に侵入しやすくなっている。したがって、信頼性の問題も生じやすい。本発明は、このような問題を解決するものである。
ところで、有機EL表示装置は、1個ずつ製造したのでは効率が悪いので、マザー基板に複数の有機EL表示装置を形成し、マザー基板が完成後、個々の有機ELセルに分離する。図4は、マザー基板400に7×5=35個の有機ELセル4100を形成する場合である。マザー基板4000が完成した後、分離線4200に沿って個々の有機ELセル4100に分離される。分離は例えば、レーザーカッティングによって行われる。
図5は、有機EL表示装置の製造プロセスを示す例である。有機EL表示装置の製造方法にも種々あるが、図5の方式は、アレイ層が形成されるTFT基板に、対向基板を貼りあわせるタイプの製造方法である。図5においては、TFT基板も対向基板もポリイミド基板で形成されている。つまり、TFT基板も対向基板も当初は、ガラス基板の上に塗布することによって形成され、その後ガラス基板が分離される。
図5において、TFT基板と対向基板がマザー基板の状態で別々に形成される。TFT基板側では、ポリイミド基板形成後、TFTや有機EL層等を含むアレイ層が形成され、さらに、対向基板と接着するための接着材が塗布される。
その後、マザーTFT基板とマザー対向基板を接着し、まず、対向基板側のガラス基板をマザー基板の状態でレーザーアブレージョン等で剥離する。その後、レーザーカッティング等によって個々の有機ELセルに分離し、個々の、有機ELセルにICやフレキシブル配線基板を接続する。その後、TFT基板側からガラス基板をレーザーアブレージョンによって剥離する。その後、偏光板を貼り付けて有機EL表示装置が完成する。
図6は、本発明の特徴を示すプロセス図である。図6Aは、ガラス基板1上に剥離層20としての金属を形成したものである。金属は、Ti、Ni、Cu、Fe、Ag、Au、Cr、Mo、W、あるいは、これらの金属を含む合金の中から選ぶことが出来る。この剥離層20は、後で、レーザーアブレージョンを行うと、ガラス基板1とともに、ポリイミド基板100から剥離される。金属の厚さはレーザーアブレージョンを行う時の、レーザーの波長に対応して選択される。より好ましい波長は YAG 第2高調波(532nm) または第2,第3高調波があげられる。
図6Bは、剥離層20の上にアルミニウム酸化物AlOx(AlOxはAlである場合もある)による下地層10を形成した状態を示している。AlOxは、バリア特性が高いので、30nm〜80nm程度でバリア機能を発揮することが出来る。より好ましい膜厚は50nm程度があげられる。
図6Cは、AlOxの上にポリイミド基板100を形成した状態を示している。ポリイミド基板100は、液体であるポリイミドとなる材料をスリットコーター等で塗布し、その後、乾燥、焼成して形成される。
さらに、図6Dに示すように、ポリイミド基板100の上にTFTや有機EL層を含むアレイ層50が形成され有機ELセルが形成される。アレイ層100の上に対向基板が形成される場合もあるが、図6では省略されている。有機ELセルの詳細な構成は図7に示す。図6Dでは、わかりやすくするために、有機ELセルをTFT基板100で代表して記載している。
その後、図6Dの矢印LAで示すように、金属で形成された剥離層20にレーザーLAを照射し、レーザーアブレージョンによって剥離層20と下地層10の間で剥離をおこなう。図6Eは、このようにして、ガラス基板1を剥離した状態を示す断面図である。この時のレーザーアブレージョンは主に剥離層20において行われ、かつ、ポリイミド基板100と剥離層20の間に下地層10が存在しているので、ポリイミド基板100には大きなダメージは生じない。これが本発明の特徴の一つである。
図7は、レーザーアブレージョンによってガラス基板1を剥離する前の状態を示す有機EL表示装置の断面図である。図7では、図6で省略
されている対向基板200が配置されている。なお、有機EL表示装置の品種によっては対向基板200が存在しない場合もある。
図7は本発明によるトップエミッション型の有機EL表示装置の表示領域の構成を示す断面図である。図7においてガラス基板1に剥離層20が形成され、その上に、AlOx等による下地層10が形成されている。下地層10の上にポリイミド基板100が形成されている。ポリイミド基板100の上には、シリコン酸化物SiOx(SiOxはSiOである場合もある)、シリコン窒化物SiNx(SiNxはSi3N4である場合もある)等による下地膜101が形成されている。下地膜101は、水分等がポリイミド基板100側から侵入するのを阻止して、TFTあるいは有機EL層を保護するためのものである。
下地膜101の上には半導体層102が形成されている。図7における半導体層102は、酸化物半導体で形成される場合もあるし、Poly−Siで形成される場合もある。酸化物半導体は、例えば、a−IGZO(amorphous Indium Gallium Zinc Oxide)があげられる。酸化物半導体はリーク電流が小さいという特徴を有する。図7のTFTをPoly−Si半導体層で形成する場合、半導体層102は当初はCVDによって非晶質Si(a−Si)を形成し、これをエキシマレーザによってPoly−Siに変換することによって形成することが出来る。
半導体層102を覆ってCVDを用いたTEOS(テトラエトシキシラン)によるSiOxによってゲート絶縁膜103を形成する。ゲート絶縁膜103の上にゲート電極104を形成する。その後、イオンインプランテーションによって、半導体層102に対しゲート電極104に対応する以外の部分を導電層とする。半導体層102において、ゲート電極104に対応する部分がチャンネル部1021になる。
ゲート電極104を覆って層間絶縁膜105をCVDによるSiNxによって形成する。その後、層間絶縁膜105およびゲート絶縁膜103にスルーホールを形成し、ドレイン電極106およびソース電極107を接続する。図7において、ドレイン電極106、ソース電極107、層間絶縁膜105を覆って有機パッシベーション膜108を形成する。有機パッシベーション膜108は平坦化膜を兼ねているので、2乃至3μmと、厚く形成される。有機パッシベーション膜108は例えばアクリル樹脂によって形成する。
有機パッシベーション膜108の上に、反射電極109を形成し、その上に陽極となる下部電極110をITO等の透明導電膜によって形成する。反射電極109は反射率の高いAl合金によって形成する。反射電極109は、有機パッシベーション膜108に形成されたスルーホールを介してTFTのソース電極107と接続する。
下部電極110の周辺にはアクリル等によるバンク111が形成される。バンク111を形成する目的は、次に形成される発光層を含む有機EL層112や上部電極113が段切れによって導通不良となることを防ぐことである。バンク111は、アクリル樹脂等の透明樹脂を全面にコートし、下部電極110に対応する部分に有機EL層からの光を取り出すホールを形成することによって形成される。
図7において、下部電極110の上に有機EL層112が形成される。有機EL層112は、例えば電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層等で形成される。有機EL層112の上には、カソードとしての上部導電層113が形成される。上部導電層113は、透明導電膜であるIZO(Indium Zinc Oxide)、ITO(Indium Tin Oxide)等によって形成されるほか、銀等の金属の薄膜で形成される場合もある。
その後、上部電極113側からの水分の侵入を防止するために、上部電極113の上に保護層114を、CVDを用いてSiNxによって形成する。有機EL層112は熱に弱いために、保護層114を形成するためのCVDは100℃程度の低温CVDによって形成される。保護層の上に、対向基板を接着する接着材を形成する。
一方、図5に示すように、TFT基板100とは別に対向基板200が形成される。対向基板200の形成はTFT基板100側と同様である。すなわち、第2ガラス基板2に剥離層20を形成し、その上にAlOx等による下地層10を形成し、その上に、ポリイミド材料をスリットコーター等で塗布し、乾燥、焼成してポリイミドによる対向基板200を形成する。このようにして形成した対向基板200を、TFT基板100側に形成された接着材220を用いて接着する。
この場合、対向基板200には下地層10が形成されているので、TFT基板100側に形成された有機EL層112が外部からの水分等に対して保護される。有機EL層112に白色有機EL層を用いる場合は、カラーフィルタが必要であるが、一般にはカラーフィルタは対向基板200側に形成される。
このようにして形成された有機EL表示装置をフレキシブルディスプレイとするために、第1ガラス基板1および第2ガラス基板2を剥離する必要がある。この剥離は、図6Dに示すように、剥離層20にレーザーLAを照射することによるレーザーアブレージョンで行う。レーザーアブレージョンを剥離層20に照射すると、剥離層20と下地層10の間の接着力が低下し、ガラス基板1を容易に剥離することが出来る。対向基板200側における第2ガラス基板2も同様である
図8に示すように、第1ガラス基板1および第2ガラス基板2を剥離した後の有機EL表示装置は非常に薄い。また、TFT基板100側と対向基板200側とで層構造が異なるので、図3Cに示すように、容易に湾曲してしまう。これに対して、例えば、下地層10としてAlOxを用いた場合、AlOxは、製造方法によって、膜応力を制御することが出来、これによって、フレキシブルディスプレイの湾曲を防止することが出来る。
すなわち、AlOxは、一般には、スパッタリングで形成されるが、スパッタリング時の水分圧によって膜応力の符号が変化する。図9は、スパッタリング時の水分圧と、製膜されたAlOxの膜応力の関係を示すグラフである。図9において、横軸はスパッタリング時の水分圧であり、縦軸は、製膜されたAlOxの膜応力である。図9に示すように、水分圧が高くなるにつれて膜応力の符号がマイナスからプラスに変化する。
図9において、水分圧が2×10−4Pa程度のときに、膜応力がゼロになる。つまり、水分圧が2×10−4Pa程度でスパッタリングした膜を用いれば膜応力がゼロの下地層を形成することが出来る。一方、AlOxをシート状の有機EL表示装置全体の湾曲制御に使用したい場合は、AlOxの膜応力が故意にプラス側あるいはマイナス側となるように製作することが出来る。
また、下地層10を外部からの水分等に対するバリア層として使用することが出来る。AlOxはスパッタリング時の水分圧によって膜質が異なり、水分圧が小さいほど緻密な膜を得ることが出来る。緻密な膜ほど、水分等に対するバリア特性を高くすることが出来る。
ところで、AlOxの膜の緻密さと屈折率との間には相関がある。すなわち、膜が緻密になるほど、屈折率は高くなる。図10はAlOxのスパッタリング時の水分圧と、形成されたAlOxの屈折率の関係を示すグラフである。すなわち、製膜されたAlOxの屈折率を測定することによってAlOxの膜質を評価することが出来る。なお、図9及び図10における○、△、×等は形成したサンプルのロットが異なるという意味である。
本発明は、図11に示すように、低い水分圧でスパッタリングしたバリア特性の高い第1AlOx11と、第1のAlOxの時よりも高い水分圧でスパッタリングした第2AlOx12の積層構造を用いることによって、優れたバリア特性を維持し、かつ、膜応力を任意に制御した下地層10を形成することを特徴の一つとしている。図11において、第1AlOx11は例えば10nm、第2AlOx12は例えば10nmである。
すなわち、第2AlOx12は、第1AlOx11とは反対の符号を持つ膜応力を持たせることもできるので、第1AlOx11と第2AlOx12の積層膜全体としては、小さな膜応力とすることも出来る。一方、第1AlOx11は高いバリア特性を有しているので、下地層全体としては高いバリア特性を得ることが出来る。
例えば、図9に示すように、第1AlOxを形成するときは、水分圧はP1(9×10−6Pa)程度とし、第2AlOxを形成するときは、水分圧をP2(4×10−4Pa)程度とすると、第1AlOx11の膜応力は−200MPa程度となり、第2AlOx12は180MPa程度になるので、第1下地層10全体としては、非常に小さな膜応力とすることも出来る。また、必要に応じて、引っ張り応力あるいは圧縮応力の大きな下地層を形成することも出来る。
図11は、下地層10は膜質の異なるAlOxのみで形成した例であるが、ポリイミド基板100との親和性等から、図12に示すように、AlOx層10とポリイミド基板100との間にSiOxを配置したほうが良い場合もある。なお、SiOxのみでなく、SiOxとSiNxとの積層膜をAlOx10とポリイミド基板100との間に配置してもよい。SiOxあるいはSiNxの膜厚は例えば、50nm乃至300nmである。さらに、SiOxあるいはSiNxは、AlOx10と第1ガラス基板 1の間に形成してもよい。この場合、製品においては、SiOxあるいはSiNxは、AlOxの外側に配置することになる。
図11は下地層10を膜質の異なるAlOx11とAlOx12の積層膜で形成した例であるが、この他に、図13に示すように、下地層10をAlOx11とAl13の積層膜で形成することが出来る。Al13はAlOx11に比べて、軟らかく膜応力が小さいので、下地層10の膜応力の制御に用いることが出来る。また、Al13はAlOx11とともに、外部からの水分等に対するバリアとして機能させることも出来る。ただし、図13のAl13を含む構成は、光を透過さないので、対向基板200側の下地層として用いることは困難である。
図7におけるTFTの構成は、ゲート電極が半導体層よりも上に存在する、いわゆるトップゲート型のTFTである。しかし、本発明は、半導体層がゲート電極よりも上側に存在する、ボトムゲート型のTFTであっても全く同様に適用することが出来る。
なお、バリア機能を高めるために、AlOxを含む下地層をポリイミド基板とTFTの間、あるいは、TFTと有機パッシベーション膜との間、あるいは、保護膜114と接着材の間等に設けることによって、バリア性能の向上と、フレキシブル基板の湾曲の防止の効果をより上げることが出来る。
液晶表示装置もTFT基板あるいは対向基板を薄くすることによってフレキシブルディスプレイとすることが可能である。また、実施例1の図6で説明したような方法によって、TFT基板および対向基板をポリイミドのような樹脂で形成することも可能である。
図14は液晶表示装置の平面図である。図14において、TFT基板100と対向した対向基板200に表示領域1000が形成され、表示領域1000を覆って上偏光板510が配置されている。端子部150にはドライバIC400とフレキシブル配線基板300が接続している。
図15は図14のB−B断面図である。図15において、TFT基板100と対向基板200が対向して配置され、TFT基板100と対向基板200の間に液晶が挟持されている。対向基板200の上に上偏光板510が貼り付けられ、TFT基板100の下に下偏光板520が貼り付けられている。TFT基板100、対向基板200、上偏光板510、下偏光板520で液晶表示パネル3000を構成している。下偏光板520の下側にバックライト2000が配置されている。
図15において、TFT基板100あるいは対向基板200を薄い樹脂で形成するか、薄いガラスで形成することによって、液晶表示パネル3000をフレキシブルに湾曲する構造とすることが出来る。バックライト2000は、光源、導光板、光学シート等を含むが、導光板を薄い樹脂によって形成するなどして、バックライトもフレキシブルなものとし、液晶表示装置全体をフレキシブル表示装置とすることが出来る。
図16は、このような液晶表示装置の製造プロセスの例である。なお、液晶表示装置の場合も、図4で示したように、最初はマザー基板に形成されることは有機EL表示装置の場合と同じである。図16において、TFT基板と対向基板は別々に形成され、対向基板側に液晶を滴下した後、貼りあわされる。
図16において、ポリイミドで形成されたTFT基板および対向基板の形成方法は、図5および図6で説明した有機EL表示装置の場合と同様である。ポリイミド基板が形成された後、TFT基板側ではアレイ層が形成される。一方、対向基板側では、カラーフィルタやシール材、が形成され、液晶が滴下される。TFT基板側と対向基板側の詳細構成は図17において説明する。
図16において、TFT基板と対向基板を貼りあわせた後、まず、対向基板側からガラス基板をレーザーアブレージョンによって剥離する。その後、各液晶セルに切断し、各液晶セルにドライバICやフレキシブル配線基板を接続する。その後、レーザーアブレージョンによってTFT基板側からガラス基板を剥離する。その後、TFT基板及び対向基板側に、各々、下偏光板および上偏光板を貼り付ける。
図17は、図16において、TFT基板100側と対向基板200側を貼りあわせた状態を示す表示領域の断面図である。図17において、第1ガラス基板1の上に剥離層20が形成され、その上に下地層10が形成されている。その上にポリイミドによってTFT基板100が形成されている。このプロセスは、図6で説明した有機EL表示装置の場合と同様である。
TFT基板100の上にSiOxあるいはSiNxで形成される下地膜101が形成されている。下地膜101の上に形成されたTFTの構成は実施例1の図7において説明した構成と基本的には同じである。すなわち、第1下地層10の上に半導体層102が形成され、その上をTEOSで形成されたSiOxによるゲート絶縁膜103が覆っている。ゲート絶縁膜103の上にゲート電極104が形成され、これを覆ってスパッタリングで形成されたSiNxによる層間絶縁膜105が形成されている。
層間絶縁膜105の上にコンタクト電極1071が形成されている。コンタクト電極1071はスルーホール140を介してTFTのドレイン電極107と接続し、スルーホール130を介して画素電極122と接続する。図17のドレイン電極106は映像信号線と接続する。図17において、層間絶縁膜105の上に例えば、SiNxによる無機パッシベーション膜40が形成されている。無機パッシベーション膜40は、上側から侵入する水分や水素からTFTを保護する。
無機パッシベーション膜40の上に平坦化膜を兼ねた有機パッシベーション膜108が形成されている。有機パッシベーション膜108の上に平面状にコモン電極120が形成され、その上に容量絶縁膜121が形成され、その上に画素電極122が形成されている。画素電極122はスルーホール130を介してコンタクト電極1071と接続している。容量絶縁膜121は画素電極122およびコモン電極120とともに、保持容量を構成する。図17において、画素電極122に電圧が印加されると、コモン電極120との間に矢印のような電気力線が発生し、液晶分子251を駆動する。画素電極122の上に、液晶分子251を初期配向させるための配向膜123が形成されている。
図17において、液晶層250を挟んで、対向基板200が対向している。対向基板200もポリイミドで形成されている。対向基板200の形成方法もTFT基板100側と同じであり、図16および、図6で説明したとおりである。すなわち、第2ガラス基板2に剥離層20が形成され、その上に下地層10が形成され、その上に対向基板200となるポリイミド基板が形成されている。
対向基板200の上にブラックマトリクス202およびカラーフィルタ201が形成され、カラーフィルタ201を覆ってオーバーコート膜203が形成されている。オーバーコート膜203を覆って、液晶分子251を初期配向させるための配向膜123が形成されている。
その後、図18に示すように、レーザーアブレージョンによって、まず、第2ガラス基板2を対向基板2から剥離する。レーザーアブレージョンを行うことによって、剥離層2は第2ガラス基板2とともに剥離され、対向基板200の外側には下地層10が残る。
その後、マザー基板を切断して個々の液晶セルに分離し、ドライバICおよびフレキシブル配線基板を接続する。その後、図18に示すように、TFT基板100側から第1ガラス基板1をレーザーアブレージョンによって剥離する。剥離層20は第1ガラス基板1とともに剥離され、TFT基板100の外側には、下地層10が存在している。
このように、液晶表示装置の場合にも、ポリイミドで形成されたTFT基板100あるいは対向基板200の外側に下地層10を残すことが出来る。これによって、レーザーアブレージョン時におけるポリイミド基板100、200へのダメージを防止することが出来る。また、下地層10を図11乃至図12で説明したように、AlOxを含む多層膜とすることによって、膜ストレスを制御し、フレキシブル表示装置の湾曲を防止することが出来る。
なお、下地層が図13のように、Al層を含む場合、下地層が不透明になるので、バックライトを有する液晶表示装置においては、使用は難しい。しかし、反射型液晶表示装置の場合には使用することが出来る。
図17におけるTFTの構成は、ゲート電極が半導体層よりも上に存在する、いわゆるトップゲート型のTFTである。しかし、本発明は、半導体層がゲート電極よりも上側に存在する、ボトムゲート型のTFTであっても全く同様に適用することが出来る。
バリア機能を高めるために、AlOxを含む下地層をTFT基板100とTFTの間、あるいは、TFTと有機パッシベーション膜108の間、あるいは、対向基板200とカラーフィルタあるいはブラックマトリクスとの間等に設けることによって、バリア性能の向上と、フレキシブル基板の湾曲の防止の効果をより上げることが出来る。
1…第1ガラス基板、 2…第2ガラス基板、 10…下地層、 11…第1AlOx層、 12…第2AlOx層、 13…Al層、 20…剥離層、 50…アレイ層、 40…無機パッシベーション膜、 60…保護フィルム、 100…TFT基板、 101…下地膜、 102…半導体層、 103…ゲート絶縁膜、 104…ゲート電極、 105…層間絶縁膜、 106…ドレイン電極、 107…ソース電極、 108…有機パッシベーション膜、 109…反射膜、 110…下部電極、 111…バンク、 112…有機EL層、 113…上部電極、 114…保護層、 120…コモン電極、 121…容量絶縁膜、 122…画素電極、 123…配向膜、 130…スルーホール、 140…スルーホール、 150…端子部、 200…対向基板、 201…カラーフィルタ、 202…ブラックマトリクス、 203…オーバーコート膜、 220…接着材、 250…液晶層、 251…液晶分子、 300…フレキシブル配線基板、 400…ドライバIC、 500…偏光板、 501…粘着材、 510…上偏光板、 520…下偏光板、 1000…表示領域、 1071…コンタクト電極、 2000…バックライト、 3000…液晶表示パネル 4000…マザー基板、 4100…有機ELセル、 4200…切断線

Claims (20)

  1. 第1の基板にTFTが形成され、前記TFTの上に有機EL層が形成された有機EL表示装置であって、
    前記有機EL層の上には保護層が形成され、
    前記第1の基板の外側には、第1の下地層が形成されていることを特徴とする有機EL表示装置。
  2. 前記第1の下地層は、AlOxを含む層で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
  3. 前記第1の下地層は、膜質の異なる第1のAlOxと第2のAlOxの積層構造であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
  4. 前記保護層の上には第2の基板が形成され、
    前記第2の基板の外側には第2の下地層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
  5. 前記第2の下地層は、AlOxを含む層で形成されていることを特徴とする請求項4に記載の有機EL表示装置。
  6. 第1の基板にTFTが形成され、前記TFTの上に有機EL層が形成された有機EL表示装置の製造方法であって、
    第1のガラス基板の上に剥離層を形成し、
    前記剥離層の上に下地層を形成し、
    前記下地層の上にポリイミドによって第1の基板を形成し、
    前記第1の基板に前記TFTを形成し、前記TFTの上に有機EL層を形成し、
    前記有機EL層の上に保護層を形成し、
    その後、前記ガラス基板を前記剥離層とともに、前記第1の基板から剥離することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。
  7. 前記剥離層は、Ti、Ni、Cu、Fe、Ag、Au、Cr、Mo、W等の金属、あるいは、これらの金属を含む合金で形成することを特徴とする請求項6に記載の有機EL表示装置の製造方法。
  8. 前記下地層をAlOxで形成することを特徴とする請求項6に記載の有機EL表示装置の製造方法。
  9. 前記下地層を第1の水分圧下における第1のAlOxと第2水分圧下における第2のAlOxの積層構造で形成することを特徴とする請求項6に記載の有機EL表示装置の製造方法。
  10. 前記剥離はレーザーアブレージョンによって行うことを特徴とする請求項6に記載の有機EL表示装置の製造方法。
  11. 第1の基板にTFTと画素電極が形成され、
    前記第1の基板に対向して対向基板が配置され、
    前記第1の基板と前記第2の基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
    前記第1の基板の外側に第1の下地層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
  12. 前記第1の下地層は、AlOxを含む層で形成されていることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。
  13. 前記第1の下地層は、膜質の異なる第1のAlOxと第2のAlOxの積層構造であることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。
  14. 前記第2の基板の外側には第2の下地層が形成されていることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。
  15. 前記第2の下地層は、AlOxを含む層で形成されていることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
  16. 第1の基板にTFTと画素電極が形成され、
    前記第1の基板に対向して対向基板が配置され、
    前記第1の基板と前記第2の基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、
    第1のガラス基板の上に第1の剥離層を形成し、
    前記第1の剥離層の上に第1の下地層を形成し、
    前記第1の下地層の上にポリイミドにより第1の基板を形成し、
    前記第1の基板の上に前記TFTと前記画素電極を形成し、
    第2のガラス基板の上に第2の剥離層を形成し、
    前記第2の剥離層の上に第2の下地層を形成し、
    前記第2の下地層の上にポリイミドにより第2の基板を形成し、
    前記第1の基板と前記第2の基板の間に液晶を封止し、
    その後、前記第2のガラス基板を前記第2の剥離層とともに、前記第2の基板から剥離し、
    前記第1のガラス基板を前記第1の剥離層とともに、前記第1の基板から剥離することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  17. 前記剥離層は、Ti、Ni、Cu、Fe、Ag、Au、Cr、Mo、W等の金属、あるいは、これらの金属を含む合金で形成することを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置の製造方法。
  18. 前記下地層をAlOxで形成することを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置の製造方法。
  19. 前記下地層を第1の水分圧下における第1のAlOxと第2水分圧下における第2のAlOxの積層構造で形成することを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置の製造方法。
  20. 前記剥離はレーザーアブレージョンによって行うことを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。
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