CN112420939A - 电子装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明一些实施例提供一种电子装置的制造方法。上述方法包含提供虚设基板。上述方法包含形成导电图案于虚设基板上。上述方法包含形成可挠性层以覆盖导电图案。此外，上述方法包含形成电路层于可挠性层上。上述方法包含移除虚设基板。

Description

电子装置及其制造方法
技术领域
本发明是有关于电子装置及其制造方法，且特别是有关于一种使用具有导电图案的电子装置及其制造方法。
背景技术
随着数字科技的发展，电子装置已被广泛地应用在日常生活中，此电子装置不断朝着轻、薄、短小及时尚化方向发展。
其中，电子装置可包含具有多种功能的导电图案，由于目前导电图案的形成技术限制了电子装置的应用，因此，业界仍须一种新的制造方法来形成具有导电图案的电子装置。
发明内容
为了解决上述目前导电图案的形成技术限制了电子装置的应用的问题，本发明提供一种电子装置的制造方法以及一种电子装置。
本发明一些实施例提供一种电子装置的制造方法。上述方法包含提供虚设基板。上述方法包含形成导电图案于虚设基板上。上述方法包含形成可挠性层以覆盖导电图案。此外，上述方法包含形成电路层于可挠性层上。上述方法包含移除虚设基板。
在本发明的一实施例中，在形成该可挠性层的步骤中包括：设置一聚合物层，该聚合物层为液态且覆盖该导电图案，以及固化该聚合物层以形成一可挠性层，使该导电图案镶入于该可挠性层。
在本发明的一实施例中，该电子装置的制造方法更包括：在形成该导电图案的步骤前，形成一保护层于该虚设基板上。
在本发明的一实施例中，该导电图案包含一偏光组件、一天线组件、一触控感测组件及一指纹感测组件中的至少一者。
在本发明的一实施例中，电子装置的制造方法更包括：提供一附加基板，以及将一介质层密封于该可挠性层及该附加基板之间。
本发明另一些实施例提供一种电子装置。上述电子装置包含可挠性层，其具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。上述电子装置包含电路层，其设置于可挠性层的第一表面上。上述电子装置包含导电图案，其中可挠性层设置于电路层与导电图案之间。
在本发明的另一实施例中，该导电图案由该可挠性层的该第二表面镶入于该可挠性层。
在本发明的另一实施例中，该电子装置，更包括：一保护层，覆盖该导电图案与该可挠性层的该第二表面。
在本发明的另一实施例中，该可挠性层具有一弯曲形状。
在本发明的另一实施例中，该电子装置更包括：附加基板和介质层。附加基板具有该弯曲形状。介质层密封于该可挠性层与该附加基板之间。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1A-1G绘示根据本发明的一些实施例的制造电子装置方法的剖面示意图；
图2A-2C绘示根据本发明的一些实施例的制造电子装置方法的剖面示意图；
图3A-3C绘示根据本发明的一些实施例的制造电子装置方法的剖面示意图；
图4A-4D绘示根据本发明的一些实施例的制造电子装置方法的剖面示意图；
图5A-5B绘示根据本发明的一些实施例的制造电子装置方法的其中两阶段的剖面示意图；
图6A-6B绘示根据本发明的一些实施例的电子装置的剖面示意图；
图7绘示根据本发明的一些实施例的导电图案的立体图；
图8绘示根据本发明的一些实施例的电子装置的剖面示意图；
图9绘示根据本发明的一些实施例的电子装置的剖面示意图；
图10绘示根据本发明的一些实施例的电子装置的剖面示意图；
图11绘示根据本发明的一些实施例的电子装置的剖面示意图；
图12绘示根据本发明的一些实施例的电子装置的剖面示意图；
图13绘示根据本发明的一些实施例的电子装置的剖面示意图；
图14绘示根据本发明的一些实施例的导电图案的俯视图；
图15A-15C绘示根据本发明的一些实施例的导电图案的俯视图；
图16绘示根据本发明的一些实施例的电子装置的剖面示意图；
图17绘示根据本发明的一些实施例的电子装置的剖面示意图；
图18绘示根据本发明的一些实施例的电子装置的剖面示意图。
符号说明：
10A～10O 电子装置
110 虚设基板
120 剥离层
130 保护层
140 导电图案
142、142a、142b、142c、142d 金属线
150 可挠性层
150’ 聚合物层
160 固化制程
170 电路层
180 衬层
180’ 衬层
190 蚀刻制程
200 可挠性层
200’ 聚合物层
210 介质层
220 附加基板
230 电路层
240 可挠性层
250 导电图案
252 金属线
260 背光模块
270 偏光片
280 相位差层
290 发光层
300 反射层
310 基板
320 芯片
330 薄膜晶体管
332 栅极
334 半导体层
336 源/漏极
340 绝缘层
350 导线
360 导线
370 导线
D1 距离
D2 距离
S1 第一表面
S2 第二表面
T1 厚度
T2 厚度
W1 宽度
W2 宽度
具体实施方式
以下针对本发明一些实施例的电子装置及其制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例，用以实施本发明一些实施例的不同样态。以下所述特定的组件及排列方式仅为简单清楚描述本发明一些实施例。当然，该多个仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。该多个重复仅为了简单清楚地叙述本发明一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
在此，「约」、「大约」、「大抵」的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，或10％之内，或5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明「约」、「大约」、「大抵」的情况下，仍可隐含「约」、「大约」、「大抵」的含义。
能理解的是，虽然在此可使用用语「第一」、「第二」、「第三」等来叙述各种组件、组成成分、区域、层、及/或部分，该多个组件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被该多个用语限定，且该多个用语仅是用来区别不同的组件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一组件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本发明一些实施例的教示的情况下被称为一第二组件、组成成分、区域、层、及/或部分。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇公开所属的一般技艺者所通常理解的相同涵义。能理解的是，该多个用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明实施例有特别定义。
本发明一些实施例可配合附图一并理解，本发明实施例的附图亦被视为本发明实施例说明的一部分。需了解的是，本发明实施例的附图并未以实际装置及组件的比例绘示。在附图中可能夸大实施例的形状与厚度以便清楚表现出本发明实施例的特征。此外，附图中的结构及装置是以示意的方式绘示，以便清楚表现出本发明实施例的特征。
在本发明一些实施例中，相对性的用语例如「下」、「上」、「水平」、「垂直」、「之下」、「之上」、「顶部」、「底部」等等应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作。而关于接合、连接的用语例如「连接」、「互连」等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。
值得注意的是，在后文中「基板」或「面板」一词可包括透明基板上已形成的组件与覆盖在基底上的各种膜层，其上方可以已形成任何所需的多个有源组件(晶体管组件)，不过此处为了简化附图，仅以平整的基板表示的。
根据本发明一些实施例的电子装置可包括显示设备、照明装置、天线装置、感测装置、拼接装置、其他适合的装置或上述装置的组合，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式装置。本发明一些实施例中所提到的「可挠式电子装置」，是指电子装置可以沿着至少一弯折轴被弯曲、弯折、卷曲、挠曲或是其他类似的作动，但不限定于此。根据一些实施例，装置亦可以沿着两个以上的弯折轴被分别弯折。
参阅图1A-1F，其绘示根据本发明的一些实施例的制造电子装置10A的方法的剖面示意图。如图1A所示，首先，提供虚设基板(dummy substrate)110。在一些实施例，虚设基板110是设置来暂时承载形成于其上方的组件，且在后续的制程会被移除。在一些实施例，虚设基板110可为硬质基板。虚设基板110可包含玻璃、蓝宝石、陶瓷、或其他适合的材料，但不限定于此。
如图1B所示，依序在虚设基板110上形成剥离层120及保护层130。剥离层120的材料可包含金属，例如铬、镍、钴或钼；金属氧化物，例如氧化铬、氧化镍、磷酸铬或者磷酸镍；有机化合物，例如苯并三唑、苯并三唑的衍生物及其组合，但不限定于此。剥离层120可提供足够的粘着力，以减少保护层130由虚设基板110剥离的情形，且能轻易地由保护层130剥离。保护层130包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其他适合的材料，且不限于此。保护层130是设置来保护之后形成的导电图案，并减少导电图案受到外力的影响。在一些实施例，可选择性地形成剥离层120及/或保护层130。在一些实施例，并未形成剥离层120及/或保护层130。
如图1C所示，形成导电图案140于保护层130上。导电图案140包含导电材料，例如铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、钯(Pt)、银(Ag)、铝(Al)、其他金属材料、上述的合金或其组合，但不限定于此。导电图案140能执行多种功能。在一些实施例，导电图案140可为偏光组件、天线组件、触控感测组件及指纹感测组件中的至少一者。在一些实施例，导电图案140可作为线栅偏振片(wire grid polarizer，WGP)。例如，导电图案140可让具有第一偏光方向(如p波)的光穿过，且可让具有与第一偏光方向垂直的第二偏光方向(如s波)的光反射。导电图案140可由多个长条状的金属线142形成，但不限于此。
在一些实施例，导电图案140可借由纳米压印技术、喷墨打印技术、微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems)等形成，但不限于此。在一些实施例，纳米压印技术的制程包含设置金属材料于保护层130上；形成光阻于金属材料上；使用具有图案的压印机压印光阻，以图案化光阻；借由图案化光阻蚀刻金属材料，以形成导电图案。
在一些实施例，如图1D所示，设置液态的聚合物层150’于保护层130及导电图案140上，且覆盖导电图案140。聚合物层150’可填入相邻两个金属线142之间的空间。此外，由于聚合物层150’具有较强的粘着性且为液态，因此聚合物层150’的上表面并不平坦。聚合物层150’的材料可包含聚酰亚胺(poly imide，PI)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate，PET)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醚砜(polyether oxime，PES)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(polybutylene terephthalate，PBT)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polynaphthalene Ethylene glycolate，PEN)或聚芳酯(polyarylate，PAR)、其他适合的材料、或其组合，但不限于此。
如图1E所示，执行固化制程160，使聚合物层150’硬化而形成可挠性层(flexiblelayer)150覆盖导电图案140。固化制程160包含照射紫外线、加热、其他方法或上述组合，但不限于此。在一些实施例，导电图案140镶入于可挠性层150内。可挠性层150具有第一表面S1，及与其相对的第二表面S2。第二表面S2可与保护层130相邻。在一些实施例，导电图案140从第二表面S2镶入至可挠性层150内。换句话说，导电图案140设置在可挠性层150和保护层130之间。
在一些实施例，形成可挠性层150后，可执行平坦化制程。由于有部分的可挠性层150形成在导电图案140上方，部分的可挠性层150形成在保护层130上方，使得可挠性层150的表面较不平整。借由平坦化制程可使可挠性层150的第一表面S1成为较平坦的表面。
如图1F所示，形成电路层170于可挠性层150的第一表面S1上。在一些实施例，电路层170包含多个有源组件及/或无源组件。有源组件可包含薄膜晶体管。上述薄膜晶体管可包含开关晶体管、驱动晶体管、重置晶体管、或其他薄膜晶体管。无源组件可包含电容器、电感器或其他无源组件，但不限于此。在一些实施例，电路层170的有源组件可与导电图案140电性连接。在一些实施例，电路层170的有源组件未与导电图案140电性连接。如图1G所示，移除虚设基板110及剥离层120，形成电子装置10A。在一些实施例，可借由激光剥离(laserlift off，LLF)制程或其他适合的制程移除虚设基板110及剥离层120。电子装置10A包含可作为线栅偏振片的导电图案140，且此导电图案140镶入于可弯曲的可挠性层150。借此，可使得导电图案140应用在可挠式的电子装置10A。在一些实施例，在软性基板上借由纳米压印技术形成使用金属材料的导电图案140可能会有金属材料不易成型的问题。在此实施例，先提供硬质的虚设基板110，使导电图案140形成于其上，再形成可挠性层150于导电图案140上，可减少借由纳米压印技术让导电图案140直接形成在软性基板上造成的问题。
参阅图2A-2C，其绘示根据本发明的一些实施例的制造电子装置10B的方法的剖面示意图。在一些实施例，可对如上述图1C所示的结构设置衬层180(interlayer)，形成如图2A所示的结构。衬层180的材料可包含流动性材料，例如有机层及/或无机层，但不限于此。衬层180可借由包含化学气相沉积制程、物理气相沉积制程、原子层沉积制程、旋转涂布制程、溶胶凝胶制程(Sol–Gel Process)或其他适合的制程形成，但不限于此。。如图2A所示，衬层180可顺应性地(conformally)形成在导电图案140上，且填入相邻的两个金属线142之间的空间。在一些实施例，衬层180覆盖金属线142的上表面及侧表面。
如图2B所示，形成可挠性层150于衬层180及导电图案140上。形成可挠性层150的制程可与如图1D至1E所示的制程相同或相似，在此不再赘述。可挠性层150可填入相邻的两个金属线142之间的空间。须注意的是，本发明一些实施例中所提到的「填入相邻的…之间的空间」，可指空间被全部填入或是空间被部分填入的情况。
如图2C所示，形成电路层170于可挠性层150上，并移除虚设基板110及剥离层120，形成电子装置10B。上述流程可与如图1F-1G所示的制程相同或相似，在此不再赘述。在此实施例，形成流动性较好的衬层180于导电图案140上，可让粘滞系数较大的聚合物层150’较容易填入相邻的两个金属线142之间的空间，减少可挠性层150由导电图案140剥离的几率。
参阅图3A-3C，其绘示根据本发明的一些实施例的制造电子装置10C的方法的剖面示意图。在一些实施例，可对如上述图2A所示的结构执行蚀刻制程190，移除部分的衬层180，形成衬层180’。如图3A所示，衬层180’并未覆盖导电图案140的上表面，只覆盖导电图案140的至少部分侧表面和保护层130的至少部分上表面。在其他实施例，衬层180’只覆盖导电图案140的至少部分侧表面。在其他实施例，衬层180’只覆盖保护层130的至少部分上表面，但不限于此。
如图3B所示，形成可挠性层150于衬层180’及导电图案140上。形成可挠性层150的制程可与如图1D-1E所示的制程相同或相似，在此不再赘述。可挠性层150可填入相邻的两个金属线142之间的空间。
如图3C所示，形成电路层170于可挠性层150上，并移除虚设基板110及剥离层120，形成电子装置10C。上述流程可与如图1F-1G所示的制程相同或相似，在此不再赘述。在此实施例，形成流动性较好的衬层180’于导电图案140上，可让粘滞系数较大的聚合物层150’较容易地填入相邻的两个金属线142之间的空间，减少可挠性层150由导电图案140剥离的几率。
参阅图4A-4D，其绘示根据本发明的一些实施例的制造电子装置10D的方法的剖面示意图。如图4A所示，在一些实施例，可在形成导电图案140前，形成液态的聚合物层200’于剥离层120上，取代保护层130。在一些实施例，聚合物层200’的材料与制程可与聚合物层150’相同或相似。在一些实施例，聚合物层200’的材料与制程可与聚合物层150’不同，但不限于此。如图4B所示，执行固化制程使聚合物层200’硬化而形成可挠性层200。固化制程可包含照射紫外线、加热、其他方法或上述组合，但不限于此。可挠性层200具有厚度T1，厚度T1可为可挠性层200在法线方向上的最大厚度。在一些实施例，厚度T1介于约3μm(微米)至5μm的范围之间(3μm≤厚度T1≤5μm)。
如图4C所示，形成导电图案140于可挠性层200上。请参考图4D所示，形成可挠性层150及电路层170，并移除虚设基板110及剥离层120，形成电子装置10D。上述流程可与如图1D-1G所示的制程相同或相似，在此不再赘述。可挠性层150具有厚度T2，厚度T2可为可挠性层150在法线方向上的最大厚度。在一些实施例，厚度T2介于约15μm至20μm的范围之间(15μm≤厚度T2≤20μm)。在一些实施例，厚度T1小于厚度T2。由于厚度T1较薄，可借由纳米压印技术形成导电图案140于可挠性层200上，可减少金属材料在软性基板上无法成型的问题。在此实施例，以可挠性层200取代保护层130，可提升电子装置10D可挠曲的能力。
参阅图5A-5B，其绘示根据本发明的一些实施例的制造电子装置10E的方法的剖面示意图。如图5A所示，在一些实施例，可在电路层170上，形成介质层210及附加基板220。在一些实施例，介质层210可为液晶层，介质层210中包含的液晶分子排列方式可包含向列型(nematic)、层列型(smectic)、胆固醇型(cholesteric)，但本发明并不限于此。在一些实施例，介质层210可被密封于电路层170与附加基板220之间。在其他实施例中，介质层210可包含发光二极管(light-emitting diode，LED)、有机发光二极管(organic light-emittingdiode，OLED)、量子点(quantum dot，QD)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。上述发光二极管可例如包含次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(QLED、QDLED)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。在其他实施例中，可视选用的介质层种类新增或移除一些层别或结构，在此不赘述。
附加基板220可依据电子装置的用途，含有各种有源组件及/或无源组件。有源组件包含薄膜晶体管或其他组件。上述薄膜晶体管可包含开关晶体管、驱动晶体管、重置晶体管、或其他薄膜晶体管。无源组件包含电容、电感或其他无源组件，但不限于此。在一些实施例，可挠性层150可具有弯曲的形状，附加基板220可具有与可挠性层150相同或相似的形状。
如图5B所示，移除虚设基板110及剥离层120，形成电子装置10E。在一些实施例，可借由激光剥离制程或其他适合的制程移除虚设基板110及剥离层120。在一些实施例，可在设置介质层210及/或附加基板220前，移除虚设基板110及剥离层120，但本发明并不限于此。在此实施例，由于电子装置10E含有介质层210，因此电子装置10E可作为一显示设备。在一些实施例，以导电图案140代替由聚酰亚胺制成的偏光板，可降低电子装置的厚度，也可减少制造时间与成本。
参阅图6A，其绘示根据本发明的一些实施例的电子装置10F的剖面示意图。如图6A所示，电子装置10F的附加基板220可更包含电路层230、可挠性层240及导电图案250。电路层230设置于介质层210上，可挠性层240设置于电路层230上。在一些实施例，导电图案250可镶入于可挠性层240内。在一些实施例，导电图案140与导电图案250可分别镶入于可挠性层150与可挠性层240内。在一些实施例，电路层230可包含多个有源及/或无源组件。有源组件包含薄膜晶体管。上述薄膜晶体管可包含开关晶体管、驱动晶体管、重置晶体管、或其他薄膜晶体管。无源组件包含电容、电感或其他无源组件，但不限于此。在一些实施例，电路层170与电路层230可包含多个有源及/或无源组件。有源组件包含薄膜晶体管。上述薄膜晶体管可包含开关晶体管、驱动晶体管、重置晶体管、或其他薄膜晶体管。无源组件包含电容、电感或其他无源组件，但不限于此。可包含多个有源及/或无源组件。有源组件包含薄膜晶体管。上述薄膜晶体管可包含开关晶体管、驱动晶体管、重置晶体管、或其他薄膜晶体管。无源组件包含电容、电感或其他无源组件，但不限于此。在一些实施例，如图6B所示，电子装置10F包含显示区DA与非显示区NDA，电路层170和/或电路层230对应于显示区DA包含开关晶体管，但不限于此。在一些实施例，电路层170和/或电路层230对应于非显示区NDA包含驱动晶体管，但不限于此。在一些实施例，电路层170和/或电路层230对应于显示区DA包含开关晶体管也对应于非显示区NDA包含驱动晶体管，但不限于此。在一些实施例，导电图案140和/或导电图案250对应于电路层170和/或电路层230的显示区DA有可使光穿透的区域，但不限于此。在一些实施例，导电图案140和/或导电图案250对应于电路层170和/或电路层230的非显示区NDA包含有第一遮蔽层SL1和/或第四遮蔽层SL4可使光反射和/或光遮蔽的区域，但不限于此。在一些实施例，电路层170和/或电路层230的非显示区NDA包含有第二遮蔽层SL2和/或第三遮蔽层SL4可使光反射和/或光遮蔽的区域，但不限于此。在一些实施例，电子装置10F仅包含单层的遮蔽层例如第一遮蔽层SL1、第二遮蔽层SL2、第三遮蔽层SL3或第四遮蔽层SL4，但不限于此。在一些实施例，电子装置10F包含多个层的遮蔽层，例如由第一遮蔽层SL1、第二遮蔽层SL2、第三遮蔽层SL3或第四遮蔽层SL4任意组合而成。如图6A与图6B所示，可挠性层240包含可挠性材料。在一些实施例，可挠性层240的材料及形成方法可与可挠性层150相同或相似，在此不再重复叙述。在一些实施例，可挠性层240的材料及形成方法可与可挠性层150不同。在一些实施例，导电图案250可为导电材料。在一些实施例，导电图案250可包含偏光组件、天线组件、触控感测组件及指纹感测组件或其他感测组件中的至少一者。在一些实施例，导电图案250可作为线栅偏振片。在一些实施例，导电图案250可借由纳米压印技术、喷墨打印技术、微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems)等形成，但不限于此。在一些实施例，导电图案250的材料及形成方法可与导电图案140相同或不同。在一些实施例，电路层230的材料及形成方法可与电路层170相同或不同。
参阅图7，其绘示如图6A与图6B中的导电图案140与导电图案250的排列关系。导电图案140包含多个金属线142，沿第一方向延伸，例如为X方向延伸；导电图案250包含多个金属线252，沿第二方向延伸，例如为Y方向延伸。在一些实施例，金属线142的延伸方向与金属线252的延伸方向投影至XY平面后，所构成的角度可介于80°至100°的范围之间(80°≤角度≤100°)。在此实施例，当导电图案140与导电图案250的排列方向介于上述范围时，电子装置10F可作为常暗式(normally black type)电子装置。
在一些实施例，导电图案140可设置在电子装置10F的上基板及下基板。在本说明书，上基板与下基板可由与观看者的距离而定义。例如，观看者离上基板较近，离下基板较远。上基板与下基板亦可由其与背光模块的距离而定义。例如，背光模块离上基板较远，离下基板较近。下基板可包含导电图案140、可挠性层150及电路层170。上基板可包含导电图案250、可挠性层240及电路层230。
参阅图8，其绘示根据本发明的一些实施例的电子装置10G的剖面示意图。电子装置10G包含背光模块260。背光模块260可设置于可挠性层150的第二表面S2上。
在一些实施例，背光模块260可为直下式(direct back-lit)或侧照式(edge LEDback-lit)。在一些实施例，背光模块260可包含发光二极管、有机发光二极管、量子点、荧光、磷光、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。上述发光二极管可例如包含次毫米发光二极管、微发光二极管、量子点发光二极管、荧光、磷光、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。
发光二极管可包含半导体层及发光层。半导体层可为掺杂的InxAlyGa(1-x-y)N，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤(x+y)≤1；例如可为掺杂的GaN、InN、AlN、InxGa(1-x)N、AlxIn(1-x)N、AlxInyGa(1-x-y)N或其它类似的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤(x+y)≤1。发光层可包含同质接面(homojunction)、异质接面(heterojunction)、单一量子井(single-quantum well，SQW)、多重量子井(multiple-quantum well，MQW)或其它类似的结构。在一实施例中，发光层可包含例如AlxInyGa(1-x-y)N的其它常用的材料，但本发明并不限于此。
在一些实施例，背光模块260可包含有机发光二极管。有机发光二极管可包含上电极、下电极及设置于上电极与下电极之间的有机发光层。有机发光层可包含有机膜。此外，背光模块260亦可包含导光板、反射层、扩散板、或其他组件，但不限于此。
参阅图9，其绘示根据本发明的一些实施例的电子装置10H的剖面示意图。电子装置10H包含偏光片270，设置于可挠性层240上。在此实施例，附加基板220包含偏光片270以取代导电图案250。偏光片270可包含聚酰亚胺或其他适合的材料。
参阅图10，其绘示根据本发明的一些实施例的电子装置10I的剖面示意图。电子装置10I包含背光模块260。背光模块260可设置于可挠性层150的第二表面S2上。在本实施例，导电图案140可仅设置在下基板，上基板则设置偏光片270。在一些实施例，背光模块260可相邻于导电图案140，且远离偏光片270而设置。
参阅图11，其绘示根据本发明的一些实施例的电子装置10J的剖面示意图。电子装置10J其导电图案140仅设置在电子装置10J的上基板，下基板则设置偏光片270。在一些实施例，导电图案140可设置在电子装置的上基板或下基板中的至少一者。
参阅图12，其绘示根据本发明的一些实施例的电子装置10K的剖面示意图。电子装置10K包含背光模块260。背光模块260可远离导电图案140，且与偏光片270相邻而设置。
参阅图13，其绘示根据本发明的一些实施例的电子装置10L的剖面示意图。在一些实施例，电子装置10L包含相位差层280，设置于可挠性层150的第一表面S1上。在一些实施例，相位差层280可包含λ/4板或λ/2板(λ是光的波长)。在一些实施例，相位差层280可造成相位差，其相位差可以是由双折射材料所形成，例如液晶材料、树脂材料等构成。
在一些实施例，电子装置10L包含发光层290，发光层290设置于相位差层280上。在一些实施例，发光层290包含有机发光二极管或其他适合的发光组件。发光层290可包含上电极、下电极及设置于上电极与下电极之间的有机发光层(未绘示)。电子装置10L包含反射层300。反射层300可用来反射发光层290发出的光线。反射层300的材料可包含金属，例如钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、钨(W)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、铂(Pt)、铱(Ir)、铑(Rh)、铟(In)、铋(Bi)、上述的合金，但不限于此。
在一些实施例，电子装置10L包含基板310，基板310可设置于可挠性层150的第二表面S2上。基板310可包含多个有源及/或无源组件。在此实施例，可使用发光层290作为发光源，使得电子装置10L可作为显示设备。
参阅图14，其绘示根据本发明的一些实施例的导电图案140与导电图案250的俯视图。导电图案140的金属线142(如虚线所示)的延伸方向与导电图案250的金属线252(如实线所示)的延伸方向在可挠性层240(或可挠性层150)的投影所构成的角度为角度θ。在一些实施例，角度θ可介于0至10°(0°≤θ≤10°)的范围之间。
参阅图15A-15C，其绘示本发明的一些实施例的导电图案140的各种不同态样。导电图案140的布局可根据电子装置的用途，设计成不同的形状。如图15A所示，导电图案140包含多个金属线142，这些多个金属线142可沿相同的方向延伸。
如图15B所示，导电图案140包含金属线142a及金属线142b，金属线142a与金属线142b可沿相同的方向延伸。金属线142a可具有宽度W1，金属线142b可具有宽度W2，其中宽度W1指的是垂直金属线142a的延伸方向上的最大宽度，宽度W2指的是垂直金属线142b的延伸方向上的最大宽度。在一些实施例中，若金属线142a或金属线142b为曲线时，则定义宽度W1或宽度W2时可以局部线段为主，定义局部线段的延伸方向后，测量局部线段在垂直延伸方向上的最大宽度。在一些实施例，宽度W1大于宽度W2，宽度W1可介于5um至50um的范围之间(5um≤宽度W1≤50um)，宽度W2可介于10um至1000um的范围之间(10um≤宽度W2≤1000um)，或者宽度W2可介于10nm至100nm的范围之间(10um≤宽度W2≤100um)，或者宽度W2可介于1um至100um的范围之间(1um≤宽度W2≤100um)，但不限于此。在一些实施例，相邻的两个金属线142b之间可具有距离D2，其中距离D2指的是，相邻的两个金属线142b之间的最小距离。在一些实施例，距离D2可介于1um至1000um的范围之间(1um≤距离D2≤1000um)，或者距离D2可介于100um至1000um的范围之间(100um≤距离D2≤1000um)，或者距离D2可介于50nm至200nm的范围之间(50nm≤距离D2≤200nm)，但不限于此。如图15C所示，在一些实施例，金属线142可具有螺旋形状，螺旋形状可为顺时针方向及/或逆时针方向，本发明并不以此为限。在一些实施例，导电图案140可具有多种布局，例如在显示设备的第一区，导电图案140具有图15A所示的布局；在显示设备的第二区，导电图案140具有图15B所示的布局。在一些实施例，导电图案140的金属线142可具有多种延伸方向，例如在显示设备的第一区及第二区，金属线142可具有不同的延伸方向，但不限于此。
参阅图16，其绘示根据本发明的一些实施例的电子装置10M的剖面示意图。如图16所示，电子装置10M包含芯片320，芯片320可设置在可挠性层150的第一表面S1上并未被电路层170覆盖的部分。多个薄膜晶体管330可形成在电路层170内，且借由绝缘层340隔开，但不限于此。
薄膜晶体管330包含栅极332、半导体层334及源极/漏极336。栅极332可包含导电材料，例如铜、(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、钯(Pt)、钛(Ti)，但不限于此。半导体层334可为非晶硅、多晶硅、低温多晶硅、金属氧化物或其他材料。金属氧化物包含氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，IGZO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化铟镓锌锡(indium gallium zinc tin oxide，IGZTO)，但不限于此。在一些实施例，电子装置10M中可包含具有上述不同半导体层334的薄膜晶体管330，例如有些薄膜晶体管330包含氧化铟镓锌的半导体层334，有些薄膜晶体管330包含低温多晶硅的半导体层334，但不限于此。源极/漏极336的材料可与栅极332相同或相似，在此不再重复叙述。绝缘层340可包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，但不限于此。
可借由沉积制程、光刻制程及蚀刻制程形成薄膜晶体管330。沉积制程包含物理气相沉积制程、化学气相沉积制程、原子层沉积制程，但不限于此。光刻制程包含光阻涂布(例如旋转涂布)、软烤、光罩对位、曝光、曝后烤、将光阻显影、冲洗、干燥(例如硬烤)、其它合适的制程或前述的组合。另外，光刻制程可由其它适当的方法，例如无屏蔽光刻、电子束写入(electron-beam writing)及离子束写入(ion-beam writing)进行或取代。蚀刻制程包含干蚀刻、湿蚀刻或其它蚀刻方法，且不限于此。
在一些实施例，导电图案140可包含金属线142c及金属线142d。金属线142c及金属线142d可具有不同的宽度。金属线142c可设置在薄膜晶体管330的下方，作为遮光层减少光线射向半导体层334。金属线142d可经由导线350电性连接至薄膜晶体管330。
参阅图17，其绘示根据本发明的一些实施例的电子装置10N的剖面示意图。电子装置10N包含多个芯片320，设置于可挠性层150的第一表面S1上；且至少一个芯片320可经由设置在可挠性层150中的导线360电性连接至导电图案140。
参阅图18，其绘示根据本发明的一些实施例的电子装置10O的剖面示意图。电子装置10O的芯片320可设置在可挠性层150的第二表面S2上，且经由设置在保护层130内的导线370电性连接至导电图案140。
在本发明一些实施例，先将导电图案设置于虚设基板，再形成可挠性层及电路层，而形成电子装置。上述方法可借由纳米压印技术，使导电图案形成在软性基板上。在一些实施例，可弯折可挠性层，并在可挠性层的表面上设置芯片。在一些实施例，电子装置可具有介质层，此介质层可密封于可挠性层及附加基板之间。在一些实施例，附加基板亦可具有可挠性层及导电图案。在一些实施例，导电图案可设置在电子装置的上基板及下基板的至少一者。在一些实施例，导电图案可具有不同的布局及/或形状，且可作为偏光组件、天线组件、触控感测组件及/或指纹感测组件。在一些实施例，导电图案镶入于可挠性层。
关于厚度的测量可使用光学显微镜(optical microscopy，OM)扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪测量或其它合适的方式测量厚度。详细而言，在一些实施例中，可于移除介质层210之后，使用扫描式电子光学显微镜取得结构的剖面影像，并测量剖面影像中的最大厚度。上述最大厚度，可为任一剖面影像中的最大厚度，换句话说，可为液晶装置局部区域中的最大厚度。
虽然本发明的实施例及其优点已公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何本领域技术人员可从本发明一些实施例的揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明一些实施例使用。因此，本发明的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (10)

1.一种电子装置的制造方法，包括：
提供一虚设基板；
形成一导电图案于该虚设基板上；
形成一可挠性层覆盖该导电图案；
形成一电路层于该可挠性层上；以及
移除该虚设基板。
2.如权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在形成该可挠性层的步骤中包括：
设置一聚合物层，该聚合物层为液态且覆盖该导电图案；以及
固化该聚合物层以形成一可挠性层，使该导电图案镶入于该可挠性层。
3.如权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于更包括：
在形成该导电图案的步骤前，形成一保护层于该虚设基板上。
4.如权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，该导电图案包含一偏光组件、一天线组件、一触控感测组件及一指纹感测组件中的至少一者。
5.如权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于更包括：
提供一附加基板；以及
将一介质层密封于该可挠性层及该附加基板之间。
6.一种电子装置，包括：
一可挠性层，具有一第一表面及一第二表面与该第一表面相对；
一电路层，设置于该可挠性层的该第一表面上；以及
一导电图案，
其中该可挠性层设置于该电路层与该导电图案之间。
7.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，该导电图案由该可挠性层的该第二表面镶入于该可挠性层。
8.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于更包括：
一保护层，覆盖该导电图案与该可挠性层的该第二表面。
9.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，该可挠性层具有一弯曲形状。
10.如权利要求9所述的电子装置，其特征在于更包括：
一附加基板，其具有该弯曲形状；以及
一介质层，密封于该可挠性层与该附加基板之间。
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