WO2019187002A1 - 表示デバイスの製造方法及び表示デバイス用の母基板 - Google Patents

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WO2019187002A1
WO2019187002A1 PCT/JP2018/013609 JP2018013609W WO2019187002A1 WO 2019187002 A1 WO2019187002 A1 WO 2019187002A1 JP 2018013609 W JP2018013609 W JP 2018013609W WO 2019187002 A1 WO2019187002 A1 WO 2019187002A1
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WO
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layer
resin layer
film
display device
manufacturing
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有希 安田
菅　勝行
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a display device manufacturing method and a display device mother board.
  • the process of peeling the resin layer formed on the support substrate from a support substrate may be included.
  • the resin layer must be peeled off reliably and appropriately.
  • the mother substrate means a substrate in which a plurality of panels are formed on a support substrate.
  • Patent Document 1 there is a description about the arrangement of the element layer in the vicinity of the opening where the blade starts to be inserted into the resin layer in relation to the above-described peeling.
  • An object of the present invention is to reliably and appropriately peel the resin layer from the support substrate.
  • a manufacturing method of a display device includes a resin layer forming step of forming a resin layer on a support substrate, an inorganic insulating film, a semiconductor layer, an organic film, and at least a part of a metal film.
  • a protective film attaching step to attach an LLO step of irradiating a laser from the support substrate side to peel off the interface between the support substrate and the resin layer, a peeling step of peeling the support substrate and the resin layer, In the TFT layer forming step, the end portion of the resin layer and the organic film do not overlap with each other.
  • the resin layer can be reliably and appropriately peeled from the support substrate.
  • FIG. 1 It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of a display device. It is sectional drawing which shows the structural example of the display area of a display device. A comparative example is shown, (a) is sectional drawing which shows the outline
  • “same layer” means formed in the same process (film formation step), and “lower layer” means formed in a process prior to the layer to be compared.
  • the “upper layer” means that it is formed in a later process than the layer to be compared.
  • FIG. 1 is a flowchart showing an example of a display device manufacturing method.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the display area of the display device.
  • a resin layer 12 is formed on a translucent support substrate 50 (step S1: resin layer forming step).
  • the base coat layer 3 is formed (step S2).
  • the TFT layer 4 is formed (step S3: TFT layer forming step).
  • a top emission type light emitting element layer 5 is formed (step S4: light emitting element forming step).
  • the sealing layer 6 is formed (step S5).
  • an upper surface film (protective film) is attached on the sealing layer 6 (step S6: protective film attaching step).
  • step S7 LLO process
  • step S8 peeling process
  • step S9 the support film 10 is affixed on the lower surface of the resin layer 12 (step S9).
  • step S10 the laminate including the support film 10, the resin layer 12, the base coat layer 3, the TFT layer 4, the light emitting element layer 5, and the sealing layer 6 is divided (see the dividing line L1 in FIG. Individual pieces are obtained (step S10).
  • an electronic circuit supporting substrate for example, an IC chip and an FPC
  • a part (terminal portion) outside (non-display area, frame) of the display area (PA) in which a plurality of sub-pixels are formed step) S11.
  • the protective film 39 is peeled off and a functional film (a polarizing plate, a touch panel, etc.) is attached (step S12).
  • a bent portion may be formed outside the display region (bent portion forming step), the resin layer 12 may be bent, and an electronic circuit supporting substrate or the like may be mounted on the bent portion.
  • Steps S1 to S11 are performed by a display device manufacturing apparatus (including a film forming apparatus that performs each step of steps S1 to S5).
  • the material of the resin layer 12 examples include polyimide.
  • the resin layer 12 may be replaced with a two-layer resin film (for example, a polyimide film) and an inorganic insulating film sandwiched between them.
  • the base coat layer 3 is a layer that prevents foreign matters such as water and oxygen from entering the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5.
  • a silicon oxide film, a silicon nitride film, or an oxynitride formed by a CVD method is used.
  • a silicon film or a laminated film thereof can be used.
  • the TFT layer 4 includes a semiconductor layer 15, a gate insulating film 16 that is an inorganic insulating film above the semiconductor layer 15, a gate electrode 70 and a gate wiring 72 that are above the gate insulating film 16, a gate electrode 70 and A lower insulating film 18 that is an inorganic insulating film above the gate wiring 72, a capacitive electrode 76 that is above the lower insulating film 18, and an interlayer insulating film 20 that is an inorganic insulating film above the capacitive electrode 76;
  • the source wiring 74 above the interlayer insulating film 20 and the planarizing film 21 above the source wiring 74 are included.
  • the semiconductor layer 15 is made of, for example, low-temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor (for example, an In—Ga—Zn—O-based semiconductor), and the transistor 32 (TFT) includes the semiconductor layer 15 and the gate electrode 70. Composed.
  • the transistor 32 is shown with a top gate structure, but may have a bottom gate structure.
  • the gate electrode 70, the gate wiring 72, the capacitor electrode 76, and the source wiring 74 are configured by a single-layer film or a stacked film of a metal including at least one of aluminum, tungsten, molybdenum, tantalum, chromium, titanium, and copper, for example.
  • the TFT layer 4 in FIG. 2 includes a single semiconductor layer and a three-layer metal film.
  • the inorganic insulating films 16, 18, and 20 can be formed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a stacked film thereof formed by a CVD method.
  • the planarizing film 21 can be made of, for example, an applicable organic material such as polyimide or acrylic.
  • the light emitting element layer 5 includes an anode 22 above the planarizing film 21, an insulating bank 23 covering the edge of the anode 22, an EL (electroluminescence) layer 24 above the bank 23, and an EL layer 24. And the upper layer cathode 25.
  • the bank 23 is formed, for example, by applying an organic material such as polyimide or acrylic and then patterning by photolithography.
  • a light emitting element 30 for example, OLED: organic light emitting diode, QLED: quantum dot light emitting diode
  • OLED organic light emitting diode
  • QLED quantum dot light emitting diode
  • the island-shaped anode 22, EL layer 24, and cathode 25 is formed in the light emitting element layer 5, and the light emitting element
  • a sub-pixel circuit for controlling 30 is formed in the TFT layer 4.
  • the EL layer 24 is configured, for example, by laminating a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in order from the lower layer side.
  • the light emitting layer is formed in an island shape in the opening (for each subpixel) of the bank 23 by an evaporation method or an ink jet method.
  • the other layers are formed in an island shape or a solid shape (common layer).
  • the structure which does not form one or more layers among a positive hole injection layer, a positive hole transport layer, an electron carrying layer, and an electron injection layer is also possible.
  • FMM fine metal mask
  • the FMM is a sheet having a large number of openings (for example, made of Invar), and an island-shaped light emitting layer (corresponding to one subpixel) is formed by an organic material that has passed through one opening.
  • the light emitting layer of the QLED can form an island-shaped light emitting layer (corresponding to one subpixel) by, for example, applying a solvent in which quantum dots are diffused by inkjet.
  • the anode 22 is composed of, for example, a laminate of ITO (Indium Tin Oxide) and Ag (silver) or an alloy containing Ag, has light reflectivity, and functions as a reflective electrode.
  • the cathode 25 can be made of a light-transmitting conductive material such as MgAg alloy (ultra-thin film), ITO, or IZO (Indium zinc Oxide).
  • the light emitting element 30 When the light emitting element 30 is an OLED, holes and electrons are recombined in the light emitting layer by a driving current between the anode 22 and the cathode 25, and light is emitted in the process in which the excitons generated thereby transition to the ground state. . Since the cathode 25 is light-transmitting and the anode 22 is light-reflective, the light emitted from the EL layer 24 is directed upward and becomes top emission.
  • the light emitting element 30 When the light emitting element 30 is a QLED, holes and electrons are recombined in the light emitting layer by the driving current between the anode 22 and the cathode 25, and the excitons generated thereby are conduction band levels of the quantum dots. Light (fluorescence) is emitted in the process of transition from the valence band level to the valence band level.
  • light emitting elements inorganic light emitting diodes or the like
  • OLED and QLED may be formed.
  • the sealing layer 6 is translucent, and includes an inorganic sealing film 26 that covers the cathode 25, an organic sealing film 27 that is above the inorganic sealing film 26, and an inorganic sealing that is above the organic sealing film 27. A film 28.
  • the sealing layer 6 covering the light emitting element layer 5 prevents penetration of foreign substances such as water and oxygen into the light emitting element layer 5.
  • Each of the inorganic sealing film 26 and the inorganic sealing film 28 is an inorganic insulating film, and is formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof formed by a CVD method. be able to.
  • the organic sealing film 27 is a light-transmitting organic film having a flattening effect, and can be made of a coatable organic material such as acrylic.
  • the organic sealing film 27 can be formed by, for example, inkjet coating, but a bank for stopping the liquid droplets may be provided in the non-display area.
  • the support film 10 is, for example, a PET film for realizing a display device having excellent flexibility by being attached to the lower surface of the resin layer 12 after peeling the support substrate.
  • the functional film has, for example, at least one of an optical compensation function, a touch sensor function, and a protection function.
  • the protective film 39 serves as a support film until the light-emitting element surface such as OLED is protected and the support substrate is peeled off, and is then peeled off before the functional film is pasted.
  • the present invention mainly relates to the above steps S7 and S8 (step of peeling the resin layer 12 from the support substrate 50 by laser light irradiation or the like).
  • FIG. 3A is a cross-sectional view showing an outline of the laminate 60 before peeling before irradiation with the laser beam LR
  • FIG. 3B is a cross-sectional view after irradiation with the laser beam LR and isolation. is there.
  • the resin layer 12 and the support substrate 50 are in close contact before the irradiation with the laser beam LR.
  • the resin layer 12 is irradiated with a laser beam LR from a surface that does not face the resin layer 12 of the support substrate 50.
  • This process is generally called an LLO (Laser Lift Off) process.
  • a knife K is inserted into the interface between the resin layer 12 and the support substrate 50 from the vicinity of the end portion L ⁇ b> 2 of the resin layer 12.
  • FIG. 3B is a diagram illustrating a defect example in peeling.
  • the protective film 39 and the resin layer 12 are peeled off, and only the protective film 39 is peeled off.
  • the film thickness of the organic film or the like is large, even if the knife K is inserted, the organic film or the like cannot be broken by the knife K, and the knife K cannot reach the interface between the resin layer 12 and the support substrate 50. . In such a case, the resin layer 12 and the support substrate 50 are not peeled off, and only the protective film 39 may be peeled off.
  • an object of the present invention is to surely peel off the resin layer 12 and the support substrate 50.
  • embodiments of the present invention will be described in order.
  • the organic film includes the planarization film 21 and the bank 23, the inorganic insulating film includes the gate insulating film 16, the lower insulating film 18, the interlayer insulating film 20, and the base coat layer 3, and the metal film is It includes a gate layer (meaning the same layer as the gate electrode 70 and gate wiring 72), a source layer (meaning the same layer as the source electrode and source wiring 74), and the anode 22 as a reflective electrode layer.
  • a gate layer meaning the same layer as the gate electrode 70 and gate wiring 72
  • a source layer meaning the same layer as the source electrode and source wiring 74
  • the anode 22 as a reflective electrode layer.
  • FIGS. 4 (a) to 4 (c) are cross-sectional views showing the outline of the pre-peeled laminate 60 and the like of Embodiment 1
  • FIG. 4 (a) is before laser irradiation
  • FIG. 4 (b) is laser irradiation
  • FIG. 4C shows the resin layer after peeling.
  • pre-peeling laminate 60 compared with the pre-peeling laminate 60 illustrated in FIG. 3A, organic films such as the planarization film 21 and the bank 23 are formed at the end L2 of the resin layer 12. The difference is not made.
  • the knife K can easily reach the interface between the resin layer 12 and the support substrate 50. For this reason, the resin layer 12 and the support substrate 50 can be more reliably separated.
  • a relatively thick organic film (planarization film 21, bank 23) is formed on the end L2 of the resin layer. Is not formed.
  • the laser beam LR is irradiated onto the resin layer 12 from the surface of the support substrate 50 where the resin layer 12 is not formed. As a result, a gap S is generated at the interface between the support substrate 50 and the resin layer 12.
  • the knife K is inserted near the end L2 of the resin layer 12. Since the organic film is not formed in the vicinity of the end portion L2 of the resin layer 12 in the laminate 60 before peeling in the first embodiment, the tip of the knife K easily reaches the interface between the resin layer 12 and the support substrate 50. Therefore, unlike the pre-peeling laminate 60 in FIG. 3B, the resin layer 12 can be favorably peeled from the support substrate 50 without the protective film 39 and the resin layer 12 being separated.
  • the region where the organic film is not formed is preferably a region having a certain width including the end portion L2.
  • the region preferably includes a range of at least 5 mm in the direction from the end L2 toward the inside of the resin layer 12 (direction from the end L2 to the panel area PA). This is because the resin layer 12 can be more reliably cut by inserting the knife K because the region has a certain width.
  • the width of the region may be within a range of 15 mm in the direction from the end L2 toward the inside of the resin layer.
  • the width of the region exceeds 15 mm, the effective area where the panel can be arranged becomes narrow.
  • the resin layer 12 tends to be stretched as a whole, and the resin layer 12 may be stretched to generate wrinkles around the periphery.
  • membrane such as an organic film, is not formed in the edge part L2 of the resin layer 12, when the said film
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an outline of the laminate body 60 before peeling according to the second embodiment of the present invention.
  • the laminate 60 before peeling has a gate layer, a source layer, and a reflective electrode layer at the end L2 of the resin layer 12.
  • a metal film such as the anode 22 is not formed. That is, in the layered product 60 before peeling according to the second embodiment, the metal film is not formed on the end L2 of the resin layer 12 in addition to the organic film.
  • the metal film that may press down the resin layer 12 does not exist at the position where the knife K is inserted, so that the knife K reaches the interface between the resin layer 12 and the support substrate 50. It becomes easy to do. For this reason, the resin layer 12 and the support substrate 50 can be more reliably separated.
  • the type of the metal film is not limited to the above, and it is effective not to provide a metal film that is not easily deformed against the application of external stress at the end L2.
  • the region where the metal film is not provided can be the same as the region described in the first embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an outline of the laminate body 60 before peeling according to the third embodiment of the present invention.
  • an inorganic insulating film such as the interlayer insulating film 20 is formed at the end L2 of the resin layer 12 as compared with the pre-peeling laminate 60 of Embodiment 2 shown in FIG. The difference is not made. That is, in the pre-peeling laminate 60 of the third embodiment, a part of the inorganic insulating film is not formed on the end portion L2 of the resin layer 12 in addition to the organic film and the metal film.
  • the inorganic insulating film refers to the base coat layer 3, the gate insulating film 16, the lower insulating film 18, the interlayer insulating film 20, and the like.
  • the number of layers formed at the end L2 is smaller, and the knife K is more likely to reach the interface between the resin layer 12 and the support substrate 50. For this reason, the resin layer 12 and the support substrate 50 can be more reliably separated.
  • FIG. 6 shows a configuration in which the base coat layer 3 is left as an inorganic insulating film as an example of the third embodiment. This is because the base coat layer 3 is not strong against deformation, is easily broken when the knife K is inserted, and is difficult to resist the knife K. Also, the resin layer 12 can be protected by leaving the base coat layer 3 at the end L2.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an outline of the laminate body 60 before peeling according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the pre-peeling laminate 60 of the fourth embodiment is different from the pre-peeling laminate 60 of the third embodiment shown in FIG. 6 in that the base coat layer 3 is not formed at the end L2 of the resin layer 12. To do. That is, in the pre-peeling laminate 60 of Embodiment 3, nothing is formed at the end L2 of the resin layer 12, and the resin layer 12 is exposed.
  • the knife K can easily reach the interface between the resin layer 12 and the support substrate 50, and the resin layer 12 and the support substrate 50 can be more reliably peeled off. It becomes possible.
  • the base coat layer 3 can be removed together with the patterning. (Refer to the above-described bent portion forming step.)
  • FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating an outline of the laminate body 60 before peeling according to the fifth embodiment of the present invention.
  • the laminated body 60 before peeling of Embodiment 5 has the same layer structure as the laminated body 60 before peeling of Embodiment 3 shown in FIG.
  • the base coat layer 3 at the end L2 of the resin layer 12 when the base coat layer 3 at the end L2 of the resin layer 12 is formed, for example, film formation conditions (temperature, power, gas type, gas flow ratio, etc.) by the CVD method when the base coat layer 3 is formed.
  • film formation conditions temperature, power, gas type, gas flow ratio, etc.
  • the base coat layer 3 is intentionally stressed.
  • the base coat layer 3 is peeled from the support substrate 50 together with the resin layer 12, the base coat layer 3 is stretched and the base coat layer 3 is easily cracked by the stretch force.
  • the base coat layer 3 is a compressive film (compressed film)
  • the base coat layer 3 is expanded
  • the base coat layer 3 is a Tensile film (extended film)
  • the base coat layer 3 is contracted. Utilizing this expansion and contraction, peeling between the resin layer 12 and the support substrate 50 is promoted.
  • the compressive film is peeled from the support substrate, the stress is released and the resin layer is expanded, so that the Tensile film is contracted.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing an outline of the laminate body 60 before peeling according to the sixth embodiment of the present invention.
  • the pre-peeling laminate 60 of Embodiment 6 is added to the end portion L ⁇ b> 2 of the resin layer 12 in addition to the basecoat layer 3.
  • the upper layer is made of the same material as the semiconductor layer 15 (for example, ⁇ -Si, an oxide semiconductor made of indium, gallium, zinc, zinc, or oxygen). The difference is that a semiconductor material layer 15A to be formed is provided.
  • the semiconductor material layer 15A serves as an etching stopper, and the base coat layer 3 can be protected, and the protective effect of the resin layer 12 by the base coat layer 3 can be reliably obtained. be able to.
  • FIG. 10A is a top view showing an outline of the mother board
  • FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
  • FIG. 11 is a top view showing an outline of the mother board 80 of the present invention.
  • the mother substrate means a substrate in which a plurality of panels 7 are formed on the support substrate 50.
  • FIG. 10A illustrates a configuration in which 12 panels 7 are formed on one mother board 80.
  • the panel 7 means a portion corresponding to one display device when divided from the mother board 80 into individual pieces.
  • etc. Is laminated
  • the structure of the laminated body of the present invention for example, the structure of the pre-peeled laminated body 60 described in the first to sixth embodiments is applied to each panel 7 formed on the mother substrate 80. be able to.
  • the resin layer 12 can be formed on the mother substrate 80 in a plurality of ranges.
  • two (two surfaces) resin layers 12 are formed separated by a one-dot chain line L3.
  • the TFT layer forming process can handle a relatively large substrate.
  • the substrate is divided after the TFT layer forming step and before the light emitting element forming step.
  • the substrate is divided along the alternate long and short dash line L3.
  • the resin layer 12 is connected across L3 serving as a dividing line, moisture may permeate from the cross section, and film peeling or the like may occur. Therefore, a configuration in which a plurality of resin layers 12 are formed on the mother substrate 80 and the end portions thereof are not covered with an organic film is preferable.
  • the protective film 39 is not bonded.
  • the protective film 39 is appropriately bonded after dividing the substrate at L3.
  • a manufacturing method of a display device includes a resin layer forming step of forming a resin layer on a support substrate, an inorganic insulating film, a semiconductor layer, an organic film, and at least a part of a metal film.
  • a protective film attaching step to attach an LLO step of irradiating a laser from the support substrate side to peel off the interface between the support substrate and the resin layer, a peeling step of peeling the support substrate and the resin layer, In the TFT layer forming step, the end portion of the resin layer and the organic film do not overlap with each other.
  • the end portion does not overlap the metal film.
  • the metal film includes a gate layer, a source layer, and a reflective electrode layer.
  • the end portion overlaps with the inorganic insulating film.
  • the inorganic insulating film includes a gate insulating film, a lower insulating film, an interlayer insulating film, and a base coat layer.
  • the end portion is covered only with the base coat layer of the inorganic insulating film.
  • the base coat layer is a compressed film or a stretched film.
  • the end portion overlaps the semiconductor material layer formed on the base coat layer.
  • the resin layer is exposed at the end.
  • the method for manufacturing a display device further includes a bent portion forming step, and the resin layer is exposed at an end portion of the resin layer in the bent portion forming step.
  • the organic film includes a planarization film and a bank.
  • the resin layer is a polyimide layer.
  • the end of the resin layer that does not overlap with the organic film includes a range of at least 5 mm from the end toward the resin layer.
  • the end of the resin layer that does not overlap with the organic film is within a range of 15 mm from the end toward the resin layer.
  • the mother board of the display device is a mother board in which a plurality of panels are formed on a support substrate, and a resin layer is formed on the support substrate.
  • a TFT layer including an inorganic layer, a semiconductor layer, an organic film, and at least a part of a metal film is formed on the resin layer, and a plurality of light emitting elements are formed on the TFT layer.
  • a protective film is affixed on the plurality of light emitting elements, and the end portion of the resin layer and the organic film do not overlap each other.
  • the mother board of the display device is a mother board in which a plurality of panels are formed on a support substrate, and the resin layer is divided into a plurality of ranges on the support substrate.
  • a TFT layer including an inorganic layer, a semiconductor layer, an organic film, and at least a part of a metal film is formed on the resin layer, and a plurality of light emitting elements are formed on the TFT layer. Is formed, and the end portion of the resin layer and the organic film do not overlap each other.
  • the display device is not particularly limited as long as it is a display panel including a display element.
  • the display element is a display element whose luminance and transmittance are controlled by current.
  • an organic EL Electro Luminescence
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • a display, or an EL display QLED Quantum Dot Emitting Diode: quantum dot light emitting diode
  • an inorganic EL display provided with an inorganic light emitting diode.
  • the present invention is not limited to a display panel and can be applied to devices that are widely formed on a resin layer.
  • a touch panel, a sensor such as an X-ray, and the like can be given.

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Abstract

支持基板（５０）の上に樹脂層（１２）を形成する樹脂層形成工程と、無機絶縁膜（３、１６、１８、２０）と、半導体層（１５）と、有機膜（２１、２３）と、少なくとも金属膜（７０、７２、７４、２２）の一部を含むＴＦＴ層（４）とを樹脂層（１２）の上に形成するＴＦＴ層形成工程と、ＴＦＴ層（４）の上に複数の発光素子（５）を形成する発光素子形成工程と、複数の発光素子（５）の上に保護フィルム（３９）を貼り付ける保護フィルム貼り付け工程と、支持基板（５０）側からレーザを照射して支持基板（５０）と上記樹脂層（１２）との界面を剥離するＬＬＯ工程と、支持基板（５０）と樹脂層（１２）とを剥離する剥離工程と、を有する表示デバイスの製造方法であって、ＴＦＴ層形成工程において、樹脂層（１２）の端部と有機膜（２１、２３）とが重畳しない、表示デバイスの製造方法。

Description

表示デバイスの製造方法及び表示デバイス用の母基板
　本発明は、表示デバイスの製造方法及び表示デバイス用の母基板に関する。
　フレキシブル表示デバイスを製造する際、支持基板上に形成された樹脂層を、支持基板から剥離する工程が含まれる場合がある。この樹脂層の剥離は、確実かつ適切に行われる必要がある。
　また、母基板とは、支持基板上にパネルが複数個形成されている基板を意味する。
　下記特許文献１には、上記剥離に関連して、樹脂層に刃を入れ始める開口部の近傍における素子層の配置についての記載がある。
特開２０１７／１９８９８７号公報（公開日：２０１７年１１月２日）
　本発明の課題は、樹脂層の支持基板からの剥離を、確実かつ適切に行うことである。
　本発明の一態様に係る表示デバイスの製造方法は、支持基板の上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、無機絶縁膜と、半導体層と、有機膜と、少なくとも金属膜の一部を含むＴＦＴ層とを上記樹脂層の上に形成するＴＦＴ層形成工程と、上記ＴＦＴ層の上に複数の発光素子を形成する発光素子形成工程と、上記複数の発光素子の上に保護フィルムを貼り付ける保護フィルム貼り付け工程と、上記支持基板側からレーザを照射して上記支持基板と上記樹脂層との界面を剥離するＬＬＯ工程と、上記支持基板と上記樹脂層とを剥離する剥離工程と、を有する表示デバイスの製造方法であって、上記ＴＦＴ層形成工程において、上記樹脂層の端部と上記有機膜とが重畳しない。
　本発明の一態様によれば、樹脂層の支持基板からの剥離を、確実かつ適切に行うことができる。
表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。 表示デバイスの表示領域の構成例を示す断面図である。 比較例を示し、（ａ）はレーザ光を照射する前の剥離前積層体の概要を示す断面図であり、（ｂ）はレーザ光の照射後の断面図である。 本発明の実施形態１の剥離前積層体等の概要を示す断面図であり、（ａ）はレーザ照射前、（ｂ）はレーザ照射、（ｃ）は剥離後を示す。 本発明の実施形態２の剥離前積層体の概要を示す断面図である。 本発明の実施形態３の剥離前積層体の概要を示す断面図である。 本発明の実施形態４の剥離前積層体の概要を示す断面図である。 本発明の実施形態５の剥離前積層体の概要を示す断面図である。 本発明の実施形態６の剥離前積層体の概要を示す断面図である。 （ａ）は母基板の概要を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ－Ａ線断面図である。 本発明の母基板の概要を示す上面図である。
　以下においては、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
　図１は表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２は、表示デバイスの表示領域の構成を示す断面図である。
　フレキシブルな表示デバイスを製造する場合、図１および図２に示すように、まず、透光性の支持基板５０上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１：樹脂層形成工程）。次いで、ベースコート層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、ＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３：ＴＦＴ層形成工程）。次いで、トップエミッション型の発光素子層５を形成する（ステップＳ４：発光素子形成工程）。次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層６上に上面フィルム（保護フィルム）を貼り付ける（ステップＳ６：保護フィルム貼り付け工程）。これにより、支持基板５０と樹脂層１２とが一体化した状態の積層体（以下、剥離前積層体と呼ぶ場合がある。）得る。
　次いで、樹脂層１２にレーザ光を照射し（ステップＳ７：ＬＬＯ工程）、その後、支持基板を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ８：剥離工程）。次いで、樹脂層１２の下面に支持フィルム１０を貼り付ける（ステップＳ９）。次いで、支持フィルム１０、樹脂層１２、ベースコート層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６を含む積層体を分断（図３（ａ）等の分断ラインＬ１参照）し、複数の個片を得る（ステップＳ１０）。次いで、複数のサブ画素が形成された表示領域（ＰＡ）よりも外側（非表示領域、額縁）の一部（端子部）に電子回路支持基板（例えば、ＩＣチップおよびＦＰＣ）をマウントする（ステップＳ１１）。次いで、保護フィルム３９を剥離し機能性フィルム（偏光板やタッチパネル等）を貼り付ける（ステップＳ１２）。
その際、表示領域よりも外側に折り曲げ部を形成し（折り曲げ部形成工程）、樹脂層１２を折り曲げ、折り曲げた先の部分に電子回路支持基板等をマウントしてもよい。なお、ステップＳ１～Ｓ１１は、表示デバイス製造装置（ステップＳ１～Ｓ５の各工程を行う成膜装置を含む）が行う。
　樹脂層１２の材料としては、例えばポリイミド等が挙げられる。樹脂層１２の部分を、二層の樹脂膜（例えば、ポリイミド膜）およびこれらに挟まれた無機絶縁膜で置き換えることもできる。
　ベースコート層３は、水、酸素等の異物がＴＦＴ層４および発光素子層５に侵入することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　ＴＦＴ層４は、半導体層１５と、半導体層１５よりも上層の無機絶縁膜であるゲート絶縁膜１６と、ゲート絶縁膜１６よりも上層の、ゲート電極７０およびゲート配線７２と、ゲート電極７０およびゲート配線７２よりも上層の無機絶縁膜である下側絶縁膜１８と、下側絶縁膜１８よりも上層の容量電極７６と、容量電極７６よりも上層の無機絶縁膜である層間絶縁膜２０と、層間絶縁膜２０よりも上層のソース配線７４と、ソース配線７４よりも上層の平坦化膜２１とを含む。
　半導体層１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体（例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体）で構成され、半導体層１５およびゲート電極７０を含むようにトランジスタ３２（ＴＦＴ）が構成される。図２では、トランジスタ３２がトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい。
　ゲート電極７０、ゲート配線７２、容量電極７６、およびソース配線７４は、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、チタン、銅の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。図２のＴＦＴ層４には、一層の半導体層および三層の金属膜が含まれる。
　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５は、平坦化膜２１よりも上層の陽極２２と、陽極２２のエッジを覆う絶縁性のバンク２３と、バンク２３よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層の陰極２５とを含む。バンク２３は、例えば、ポリイミド、アクリル等の有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィよってパターニングすることで形成される。
　サブ画素ごとに、島状の陽極２２、ＥＬ層２４、および陰極２５を含む発光素子３０（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード，ＱＬＥＤ：量子ドット発光ダイオード）が発光素子層５に形成され、発光素子３０を制御するサブ画素回路がＴＦＴ層４に形成される。
　ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、バンク２３の開口（サブ画素ごと）に、島状に形成される。他の層は、島状あるいはベタ状（共通層）に形成する。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成も可能である。
　ＯＬＥＤの発光層を蒸着形成する場合は、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いる。ＦＭＭは多数の開口を有するシート（例えば、インバー材製）であり、１つの開口を通過した有機物質によって島状の発光層（１つのサブ画素に対応）が形成される。
　ＱＬＥＤの発光層は、例えば、量子ドットを拡散させた溶媒をインクジェット塗布することで、島状の発光層（１つのサブ画素に対応）を形成することができる。
　陽極２２は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）とＡｇ（銀）あるいはＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有し、反射電極として機能する。陰極２５は、ＭｇＡｇ合金（極薄膜）、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）等の透光性の導電材で構成することができる。
　発光素子３０がＯＬＥＤである場合、陽極２２および陰極２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。陰極２５が透光性であり、陽極２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
　発光素子３０がＱＬＥＤである場合、陽極２２および陰極２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位（ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ　ｂａｎｄ）から価電子帯準位（ｖａｌｅｎｃｅ　ｂａｎｄ）に遷移する過程で光（蛍光）が放出される。
　発光素子層５には、上記のＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子（無機発光ダイオード等）を形成してもよい。
　封止層６は透光性であり、陰極２５を覆う無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層の有機封止膜２７と、有機封止膜２７よりも上層の無機封止膜２８とを含む。発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
　無機封止膜２６および無機封止膜２８はそれぞれ無機絶縁膜であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、平坦化効果のある透光性有機膜であり、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。有機封止膜２７は例えばインクジェット塗布によって形成することができるが、液滴を止めるためのバンクを非表示領域に設けてもよい。
　支持フィルム１０は、支持基板を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けることで柔軟性に優れた表示デバイスを実現するための、例えばＰＥＴフィルムである。
　機能フィルムは、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能の少なくとも１つを有する。
　保護フィルム３９は、ＯＬＥＤ等の発光素子面の保護と支持基板を剥離した後に支持フィルム１０へ貼るまでの支持フィルムの役目を果たし、機能フィルムを貼合する前に剥離されるものである。
　以上にフレキシブルな表示デバイスについて説明したが、非フレキシブルな表示デバイスを製造する場合は、一般的に樹脂層の形成、基材の付け替え等が不要であるため、例えば、ガラス支持基板上にステップＳ２～Ｓ５の積層工程を行い、その後ステップＳ９に移行する。
　本発明は、主に上記ステップＳ７及びＳ８（レーザ光の照射等によって樹脂層１２を支持基板５０から剥離ステップ）に関する。
　（剥離の概要）
　図３（ａ）及び図３（ｂ）に基づいて、比較例の上記剥離について説明する。図３（ａ）はレーザ光ＬＲを照射する前の剥離前積層体６０の概要を示す断面図であり、図３（ｂ）は、レーザ光ＬＲを照射し、隔離した後を示す断面図である。
　図３（ａ）に示すように、レーザ光ＬＲの照射前は、樹脂層１２と支持基板５０とは密着している。
　樹脂層１２と支持基板５０とを剥離するために、図３（ｂ）に示すように、支持基板５０の樹脂層１２と面しない面から、樹脂層１２にレーザ光ＬＲを照射する。この工程は、一般にＬＬＯ（Ｌａｓｅｒ　Ｌｉｆｔ　Ｏｆｆ）工程と呼ばれている。このレーザ光ＬＲの照射により、樹脂層１２と支持基板５０との界面に剥離が生じ、その界面に空隙Ｓが生じる。
　続いて、樹脂層１２を支持基板５０から剥がし取るために、樹脂層１２の端部Ｌ２の近傍から、ナイフＫを、樹脂層１２と支持基板５０との界面に挿入する。
　これにより、樹脂層１２の剥離の端緒を形成し、樹脂層１２全体を支持基板５０から剥離する（剥離（Ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）工程）。
　（剥離不良）
　樹脂層１２の支持基板５０からの剥離において不良が発生する場合がある。図３（ｂ）が、剥離における不良例を示す図である。図３（ｂ）に示す図では、保護フィルム３９と樹脂層１２とが剥離し、保護フィルム３９のみが剥離している。
　不良発生の原因としては、例えば、樹脂層１２と支持基板５０との界面にナイフＫが挿入できない場合が挙げられる。樹脂層１２の端部Ｌ２の上に、有機膜等の膜厚が厚いと層が積層されている場合などに、この不良が発生しやすい。
　例えば、有機膜等の膜厚が厚いと、ナイフＫを挿入しても、ナイフＫで有機膜等を割ることがでず、樹脂層１２と支持基板５０との界面にナイフＫが到達できなくなる。このような場合には、樹脂層１２と支持基板５０とは剥離されず、保護フィルム３９のみが剥離されることがある。
　そこで、本発明は、樹脂層１２と支持基板５０との剥離を確実に行うことを目的とする。以下、順に本発明の実施形態を説明する。
　なお、以下の記載において、有機膜は平坦化膜２１及びバンク２３を含み、無機絶縁膜はゲート絶縁膜１６、下側絶縁膜１８、層間絶縁膜２０及びベースコート層３を含み、金属膜は、ゲート層（ゲート電極７０、ゲート配線７２等と同層の意）、ソース層（ソース電極、ソース配線７４と同層の意）及び反射電極層としての陽極２２を含む。
　（実施形態１）
　図４（ａ）～図４（ｃ）に基づいて、実施形態１について説明する。図４（ａ）～図４（ｃ）は、実施形態１の剥離前積層体６０等の概要を示す断面図であり、図４（ａ）はレーザ照射前、図４（ｂ）はレーザ照射、図４（ｃ）は樹脂層の剥離後を示す。
　実施形態１の剥離前積層体６０は、図３（ａ）に示した剥離前積層体６０と比較して、樹脂層１２の端部Ｌ２に平坦化膜２１、バンク２３等の有機膜が形成されていない点が相違する。
　このように、樹脂層１２の端部Ｌ２に膜厚の厚い有機膜を形成しないことにより、ナイフＫが、樹脂層１２と支持基板５０との界面に到達しやすくなる。そのため、樹脂層１２と支持基板５０との剥離をより確実に行うことが可能になる。
　具体的には、図４(a)に示すように、実施形態１の剥離前積層体６０では、樹脂層の端部Ｌ２に相対的に厚みの厚い有機膜（平坦化膜２１、バンク２３）が形成されていない。
　このような剥離前積層体６０に、図４（ｂ）に示すように、支持基板５０の樹脂層１２が形成されていない面側から、樹脂層１２に対してレーザ光ＬＲを照射する。これにより、支持基板５０と樹脂層１２との界面に空隙Ｓが生じる。
　この状態で、図４（ｃ）に示すように、樹脂層１２の端部Ｌ２近傍にナイフＫを差し込む。実施形態１の剥離前積層体６０には、樹脂層１２の端部Ｌ２近傍に有機膜が形成されていないため、ナイフＫの先端が樹脂層１２と支持基板５０との界面に到達しやすい。そのため、図３（ｂ）の剥離前積層体６０とは異なり、保護フィルム３９と樹脂層１２とが分離することなく、樹脂層１２を支持基板５０から良好に剥離することができる。
　なお、上記有機膜を形成しない領域は、上記端部Ｌ２を含むある程度の幅を有する領域であることが好ましい。例えば、上記領域は、上記端部Ｌ２から、樹脂層１２の内側に向う方向（端部Ｌ２からパネルエリアＰＡに向かう方向）において、少なくとも５ｍｍの範囲を含むことが好ましい。上記領域がある程度の幅を有することにより、ナイフＫの挿入による樹脂層１２の切断が、より確実になるためである。
　また、上記領域の幅は、上記端部Ｌ２から、樹脂層の内側に向かう方向において、１５ｍｍ以内の範囲とすることもできる。上記領域の幅が１５ｍｍを超えた場合には、パネルを配置できる有効エリアが狭くなる。また、ＴＦＴ層の応力バランスにもよるが、有機膜を抜くと応力バランスが崩れやすくなるため、全体としてＣｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ膜の傾向を持ち樹脂層１２が伸びて周辺にシワが発生する場合がある。
　また、樹脂層１２の端部Ｌ２に有機膜等の特定の膜等が形成されていない、とは、当初より端部Ｌ２に上記膜等を形成しない場合と、一旦形成した後にそれを除去する場合とを含む。
　（実施形態２）
　図５に基づいて、実施形態２について説明する。図５は、本発明の実施形態２の剥離前積層体６０の概要を示す断面図である。
　なお、以下の各実施形態の説明では、先に説明した実施形態との相違点を中心に説明する。
　実施形態２の剥離前積層体６０は、図４に示した実施形態１の剥離前積層体６０と比較して、樹脂層１２の端部Ｌ２に、ゲート層、ソース層、反射電極層としての陽極２２等の金属膜が形成されていない点が相違する。すなわち、実施形態２の剥離前積層体６０では、樹脂層１２の端部Ｌ２には、有機膜に加えて金属膜も形成されていない。
　実施形態２の剥離前積層体６０では、樹脂層１２を押さえつける可能性のある金属膜が、ナイフＫを挿入する箇所に存在しないため、ナイフＫが樹脂層１２と支持基板５０との界面により到達しやすくなる。そのため、樹脂層１２と支持基板５０との剥離をより確実に行うことが可能になる。
　なお、金属膜の種類は上記に限定されず、特に外部からの応力の付与に対して変形しにくい金属膜を、上記端部Ｌ２に設けないことが効果的である。
　また、金属膜を設けない領域は、先に実施形態１において説明した領域と同様とすることができる。
　（実施形態３）
　図６に基づいて、実施形態３について説明する。図６は、本発明の実施形態３の剥離前積層体６０の概要を示す断面図である。
　実施形態３の剥離前積層体６０は、図５に示した実施形態２の剥離前積層体６０と比較して、樹脂層１２の端部Ｌ２に、層間絶縁膜２０等の無機絶縁膜が形成されていない点が相違する。すなわち、実施形態３の剥離前積層体６０では、樹脂層１２の端部Ｌ２には、有機膜、金属膜に加えて、一部の無機絶縁膜も形成されていない。ここで、無機絶縁膜とは、ベースコート層３、ゲート絶縁膜１６、下側絶縁膜１８、層間絶縁膜２０等を指す。
　実施形態３の剥離前積層体６０では、端部Ｌ２に形成されている層がより少なくなり、ナイフＫが樹脂層１２と支持基板５０との界面により到達しやすくなる。そのため、樹脂層１２と支持基板５０との剥離をより確実に行うことが可能になる。
　図６には、実施形態３の一例として、無機絶縁膜としてベースコート層３を残した構成を示した。このベースコート層３は、変形に対して強くはなく、ナイフＫの挿入の際に割れやすく、ナイフＫへの抵抗となりにくいためである。また、ベースコート層３を上記端部Ｌ２に残すことにより、樹脂層１２を保護することもできる。
　（実施形態４）
　図７に基づいて、実施形態４について説明する。図７は、本発明の実施形態４の剥離前積層体６０の概要を示す断面図である。
　実施形態４の剥離前積層体６０は、図６に示した実施形態３の剥離前積層体６０と比較して、樹脂層１２の端部Ｌ２に、ベースコート層３が形成されていない点が相違する。すなわち、実施形態３の剥離前積層体６０では、樹脂層１２の端部Ｌ２には、何も形成されておらず、樹脂層１２が露出している。
　そのため、実施形態４の剥離前積層体６０では、ナイフＫが、樹脂層１２と支持基板５０との界面により到達しやすくなり、樹脂層１２と支持基板５０との剥離をより確実に行うことが可能になる。
　なお、上記端部Ｌ２において、ベースコート層３を除去する工程は、例えば、表示デバイスの端子折り曲げ部においてベースコート層３までエッチングする場合、そのパターニングの際に併せてベースコート層３を除去することもできる（上述の、折り曲げ部形成工程参照。）。
　（実施形態５）
　図８に基づいて、実施形態５について説明する。図８は、本発明の実施形態５の剥離前積層体６０の概要を示す断面図である。
　実施形態５の剥離前積層体６０は、図６に示した実施形態３の剥離前積層体６０と同様の層構成を有している。
　実施形態５では、樹脂層１２の端部Ｌ２にあるベースコート層３が、当該ベースコート層３の形成時において、例えば、ＣＶＤ法での成膜条件（温度、Ｐｏｗｅｒ、ガス種、ガス流量比等）を調整することにより、応力調整されている。
　すなわち、ベースコート層３に意図的に応力を付与している。そして、樹脂層１２と共にベースコート層３が支持基板５０から剥離される際、ベースコート層３に伸縮が生じるようにして、その伸縮力により、ベースコート層３を割れやすくする。
　具体的には、ベースコート層３がＣｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ膜（圧縮膜）の場合にはベースコート層３が伸び、Ｔｅｎｓｉｌｅ膜（伸張膜）の場合は縮む。この伸縮を利用して、樹脂層１２と支持基板５０との剥離を促進する。Ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ膜は支持基板から剥離された時に応力が解放され樹脂層が伸びることで、Ｔｅｎｓｉｌｅ膜は逆に縮む。
　（実施形態６）
　図９に基づいて、実施形態６について説明する。図９は、本発明の実施形態６の剥離前積層体６０の概要を示す断面図である。
　実施形態６の剥離前積層体６０は、図６に示した実施形態３の剥離前積層体６０と比較して、樹脂層１２の端部Ｌ２に、ベースコート層３に加えて、このベースコート層３の上層に半導体層１５と同層で同材料（例えば、α－Ｓｉや、インジウム（Ｉｎｄｉｕｍ）・ガリウム・（Ｇａｌｌｉｕｍ）・亜鉛（Ｚｉｎｃ）・酸素（Ｏｘｙｇｅｎ）から構成される酸化物半導体等）で形成される半導体材料層１５Ａが設けられている点が相違する。
　ベースコート層３の上層に半導体材料層１５Ａを形成することにより、半導体材料層１５Ａがエッチングストッパとなり、ベースコート層３を保護することができ、当該ベースコート層３による樹脂層１２の保護効果を確実に得ることができる。
　（母基板）
　次に、表示デバイスを製造するための表示デバイス用の母基板８０について図１０（ａ）、図１０（ｂ）及び図１１に基づいて説明する。図１０（ａ）は母基板の概要を示す上面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＡ－Ａ線断面図である。また、図１１は、本発明の母基板８０の概要を示す上面図である。なお、母基板とは、先に記載した通り、支持基板５０上にパネル７が複数個形成されている基板を意味する。
　図１０（ａ）に示すように、母基板８０には、パネル７が複数個形成されている。図１０（ａ）には、１枚の母基板８０にパネル７が１２個形成されている構成を例示している。ここで、パネル７とは、母基板８０から分断され個片とされた際、１つの表示デバイスに対応する部分を意味する。
　そして、図１０（ｂ）に示す母基板８０の例では、支持基板５０上に樹脂層１２等が積層され、その最外層には、保護フィルム３９が貼合されている。
　本発明に於いては、母基板８０に形成された各々のパネル７に対して、本発明の積層体の構成、例えば上記実施形態１から６に記載した剥離前積層体６０の構成を適用することができる。
　また、図１１に示すように、母基板８０に複数の範囲に分けて樹脂層１２を形成することも可能である。図１１に示す例では、一点鎖線Ｌ３に隔てられて、２個（２面）の樹脂層１２が形成されている。
　ＴＦＴ層形成工程は比較的大きな基板を取り扱うことができる。これに対して、発光素子形成工程では、装置の制約から、ＴＦＴ層形成工程よりも基板を小さくする必要がある。この場合、ＴＦＴ層形成工程後、発光素子形成工程前に、基板を分割する。図１１に示す例では、一点鎖線Ｌ３で基板を分割する。その際、分割ラインとなるＬ３を跨いで樹脂層１２が繋がっていると、その断面から水分が浸透し、膜剥がれ等が発生する可能性が有る。そのため、母基板８０に複数の樹脂層１２が形成され、その端部がそれぞれ、有機膜で覆われていない構成が好ましい。
　なお、図１１に示す状態では、保護フィルム３９は貼合されていない。保護フィルム３９は、Ｌ３にて基板を分断した後に、適宜貼合される。
　（まとめ）
　本発明の態様１に係る表示デバイスの製造方法は、支持基板の上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、無機絶縁膜と、半導体層と、有機膜と、少なくとも金属膜の一部を含むＴＦＴ層とを上記樹脂層の上に形成するＴＦＴ層形成工程と、上記ＴＦＴ層の上に複数の発光素子を形成する発光素子形成工程と、上記複数の発光素子の上に保護フィルムを貼り付ける保護フィルム貼り付け工程と、上記支持基板側からレーザを照射して上記支持基板と上記樹脂層との界面を剥離するＬＬＯ工程と、上記支持基板と上記樹脂層とを剥離する剥離工程と、を有する表示デバイスの製造方法であって、上記ＴＦＴ層形成工程において、上記樹脂層の端部と上記有機膜とが重畳しない。
　本発明の態様２に係る表示デバイスの製造方法は、上記端部は、上記金属膜と重畳しない。
　本発明の態様３に係る表示デバイスの製造方法は、上記金属膜には、ゲート層、ソース層、及び反射電極層が含まれる。
　本発明の態様４に係る表示デバイスの製造方法は、上記端部は、上記無機絶縁膜と重畳する。
　本発明の態様５に係る表示デバイスの製造方法は、上記無機絶縁膜には、ゲート絶縁膜、下側絶縁膜、層間絶縁膜、及びベースコート層が含まれる。
　本発明の態様６に係る表示デバイスの製造方法は、上記端部は、上記無機絶縁膜のうち、ベースコート層のみにより覆われている。
　本発明の態様７に係る表示デバイスの製造方法は、上記ベースコート層は、圧縮膜又は伸張膜である。
　本発明の態様８に係る表示デバイスの製造方法は、上記端部は、上記ベースコート層の上に形成された半導体材料層と重畳する。
　本発明の態様９に係る表示デバイスの製造方法は、上記端部では、上記樹脂層が露出している。
　本発明の態様１０に係る表示デバイスの製造方法は、折り曲げ部形成工程をさらに含み、上記折り曲げ部形成工程において、上記樹脂層の端部に上記樹脂層を露出させる。
　本発明の態様１１に係る表示デバイスの製造方法は、上記有機膜には、平坦化膜及びバンクが含まれる。
　本発明の態様１２に係る表示デバイスの製造方法は、上記樹脂層が、ポリイミド層である。
　本発明の態様１３に係る表示デバイスの製造方法は、上記有機膜と重畳しない上記樹脂層の上記端部とは、上記端部から、上記樹脂層内に向けて少なくとも５ｍｍの範囲を含む。
　本発明の態様１４に係る表示デバイスの製造方法は、上記有機膜と重畳しない上記樹脂層の上記端部とは、上記端部から、上記樹脂層内に向けて１５ｍｍ以内の範囲である。
　本発明の態様１５に係る表示デバイスの母基板は、支持基板の上に複数個のパネルが形成されている母基板であって、上記支持基板の上には樹脂層が形成されており、上記樹脂層の上には、無機層、半導体層、有機膜、少なくとも金属膜の一部を含むＴＦＴ層が形成されており、上記ＴＦＴ層の上には複数の発光素子が形成されており、上記複数の発光素子の上に保護フィルムが貼り付けられており、上記樹脂層の端部と上記有機膜とが重畳しない。
　本発明の態様１６に係る表示デバイスの母基板は、支持基板の上に複数個のパネルが形成されている母基板であって、上記支持基板の上には樹脂層が、複数の範囲に分けて形成されており、上記樹脂層の上には、無機層、半導体層、有機膜、少なくとも金属膜の一部を含むＴＦＴ層が形成されており、上記ＴＦＴ層の上には複数の発光素子が形成されており、上記樹脂層の端部と上記有機膜とが重畳しない。
　（付記事項）
　本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　本実施形態にかかる表示デバイスは、表示素子を備えた表示パネルであれば、特に限定されるものではない。上記表示素子は、電流によって輝度や透過率が制御される表示素子であり、電流制御の表示素子としては、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、又は無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ等のＥＬディスプレイＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ　ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等がある。
　また、本発明は、表示パネルに限定されず、広く樹脂層上に形成されるデバイスに対して適用可能である。その一例としては、タッチパネルやＸ線等のセンサー等が挙げられる。
３　　ベースコート層（無機絶縁膜）
４　　ＴＦＴ層
５　　発光素子層
６　　封止層
７　　パネル
１０　支持フィルム
１２　樹脂層
１５　半導体層
１５Ａ　半導体材料層
１６　ゲート絶縁膜（無機絶縁膜）
１８　下側絶縁膜（無機絶縁膜）
２０　層間絶縁膜（無機絶縁膜）
２１　平坦化膜（有機膜）
２２　陽極（反射電極層、金属膜）
２３　バンク（有機膜）
２４　ＥＬ層
２５　陰極
２６、２８　無機封止膜
２７　有機封止膜
３０　発光素子
３２　トランジスタ
３９　保護フィルム
５０　支持基板
６０　剥離前積層体
７０　ゲート電極（ゲート層、金属膜）
７２　ゲート配線（ゲート層、金属膜）
７４　ソース配線（ソース層、金属膜）
７６　容量電極
８０　母基板
ＬＲ　レーザ光
Ｌ１　分断ライン
Ｌ２　樹脂層の端部
ＰＡ　パネルエリア
Ｓ　　空隙
Ｋ　　ナイフ

Claims (16)

  1. 　支持基板の上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
    　無機絶縁膜と、半導体層と、有機膜と、少なくとも金属膜の一部を含むＴＦＴ層とを上記樹脂層の上に形成するＴＦＴ層形成工程と、
    　上記ＴＦＴ層の上に複数の発光素子を形成する発光素子形成工程と、
    　上記複数の発光素子の上に保護フィルムを貼り付ける保護フィルム貼り付け工程と、
    　上記支持基板側からレーザを照射して上記支持基板と上記樹脂層との界面を剥離するＬＬＯ工程と、
    　上記支持基板と上記樹脂層とを剥離する剥離工程と、を有する表示デバイスの製造方法であって、
    　上記ＴＦＴ層形成工程において、上記樹脂層の端部と上記有機膜とが重畳しない、
    　表示デバイスの製造方法。
  2. 　上記端部は、上記金属膜と重畳しない、
    　請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  3. 　上記金属膜には、ゲート層、ソース層、及び反射電極層が含まれる、
    　請求項２に記載の表示デバイスの製造方法。
  4. 　上記端部は、上記無機絶縁膜と重畳する、
    　請求項１～３の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  5. 　上記無機絶縁膜には、ゲート絶縁膜、下側絶縁膜、層間絶縁膜、及びベースコート層が含まれる、
    　請求項４に記載の表示デバイスの製造方法。
  6. 　上記端部は、上記無機絶縁膜のうち、ベースコート層のみにより覆われている、
    　請求項５に記載の表示デバイスの製造方法。
  7. 　上記ベースコート層は、圧縮膜又は伸張膜である、
    　請求項６に記載の表示デバイスの製造方法。
  8. 　上記端部は、上記ベースコート層の上に形成された半導体材料層と重畳する、
    　請求項６に記載の表示デバイスの製造方法。
  9. 　上記端部では、上記樹脂層が露出している、
    　請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  10. 　折り曲げ部形成工程をさらに含み、上記折り曲げ部形成工程において、上記樹脂層の端部に上記樹脂層を露出させる、
    　請求項９に記載の表示デバイスの製造方法。
  11. 　上記有機膜には、平坦化膜及びバンクが含まれる、
    　請求項１から１０の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  12. 　上記樹脂層が、ポリイミド層である、
    　請求項１から１１の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  13. 　上記有機膜と重畳しない上記樹脂層の上記端部とは、上記端部から、上記樹脂層内に向けて少なくとも５ｍｍの範囲を含む、
    　請求項１から１２の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  14. 　上記有機膜と重畳しない上記樹脂層の上記端部とは、上記端部から、上記樹脂層内に向けて１５ｍｍ以内の範囲である、
    　請求項１３に記載の表示デバイスの製造方法。
  15. 　支持基板の上に複数個のパネルが形成されている母基板であって、
    　上記支持基板の上には樹脂層が形成されており、
    　上記樹脂層の上には、無機層、半導体層、有機膜、少なくとも金属膜の一部を含むＴＦＴ層が形成されており、
    　上記ＴＦＴ層の上には複数の発光素子が形成されており、
    　上記複数の発光素子の上に保護フィルムが貼り付けられており、
    　上記樹脂層の端部と上記有機膜とが重畳しない、
    　表示デバイス用の母基板。
  16. 　支持基板の上に複数個のパネルが形成されている母基板であって、
    　上記支持基板の上には樹脂層が、複数の範囲に分けて形成されており、
    　上記樹脂層の上には、無機層、半導体層、有機膜、少なくとも金属膜の一部を含むＴＦＴ層が形成されており、
    　上記ＴＦＴ層の上には複数の発光素子が形成されており、
    　上記樹脂層の端部と上記有機膜とが重畳しない、
    　表示デバイス用の母基板。
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