WO2019069352A1 - 表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 - Google Patents

表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 Download PDF

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WO2019069352A1
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layer
display device
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film
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真由子 坂本
幸也 西岡
Original Assignee
シャープ株式会社
堺ディスプレイプロダクト株式会社
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    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a display device.
  • a laminate including a resin layer, a TFT layer, a light emitting element layer and the like is formed on a glass substrate, and laser is irradiated to the lower surface of the resin layer from the back surface of the glass substrate. Peel off the glass substrate.
  • the laser irradiation apparatus is not easy to handle and generation of defects due to the heat of the laser (for example, wrinkles of the resin layer) and carbides on the lower surface of the resin layer There is a problem of adhesion of
  • the display device includes a first film forming step of forming a photocatalyst layer on the upper side of a substrate, a second film forming step of forming a resin layer on the photocatalyst layer, an upper surface of the resin layer and And a third film forming step of forming a barrier layer so as to cover the end face, and a peeling step of irradiating the photocatalyst layer with ultraviolet light to separate the photocatalyst layer and the resin layer.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the display device of Embodiment 1.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a modification of the first embodiment.
  • It is a block diagram which shows the structure of a display device manufacturing apparatus. 7 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a display device of Embodiment 2.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a modification of the second embodiment.
  • FIG. 13 is a plan view showing a method of manufacturing a display device of Embodiment 3.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the display device of Embodiment 3. It is sectional drawing which shows another structure of the display part of a display device.
  • “same layer” means being formed of the same material in the same process, and “lower layer” means being formed in a process earlier than the layer to be compared , “Upper layer” means that it is formed in a later process than the layer to be compared.
  • FIG. 1 is a flowchart showing a method of manufacturing the display device of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration example of a display unit of the display device.
  • FIG. 3 is a plan view showing a method of manufacturing a display device.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing the method for manufacturing the display device of Embodiment 1.
  • the photocatalytic layer AL is formed on the translucent substrate 13 (step S1).
  • the resin layer 12 is formed on the photocatalyst layer AL (step S2).
  • the barrier layer 3 is formed on the resin layer 12 (step S3).
  • the TFT layer 4 above the barrier layer 3 is formed (step S4).
  • a top emission type light emitting element layer (including a light emitting layer) 5 is formed (step S5).
  • the sealing layer 6 covering the light emitting element layer is formed (step S6).
  • the laminate 7 is cut out and the top film 14 is attached (see FIG. 4) (step S7).
  • the photocatalyst layer AL is irradiated with ultraviolet light LV through the substrate 13 to reduce the bonding force between the photocatalyst layer AL and the resin layer 12, and the substrate 13 and the photocatalyst layer AL are peeled off from the resin layer 12 (step S8).
  • an ultraviolet irradiation device for example, a light source such as a UV fluorescent lamp, a high pressure mercury lamp, or a UV-LED is used.
  • the lower surface film 10 of FIG. 2 is attached to the lower surface of the resin layer 12 (step S9).
  • the base body including the lower surface film 10, the resin layer 12, the barrier layer 3, the TFT layer 4, the light emitting element layer 5, and the sealing layer 6 is divided to obtain a plurality of pieces (step S10).
  • the functional film 39 is attached to the obtained piece (step S11).
  • an electronic circuit board (for example, an IC chip) is mounted on the non-display area of the individual piece to make the display device 2 (step S12).
  • the below-mentioned display device manufacturing apparatus performs said each step.
  • a glass substrate is used as the substrate 13.
  • a material containing titanium oxide of anatase type is preferable, but a material containing at least one of zinc oxide, tin oxide, tungsten oxide, bismuth oxide and strontium titanate may be used.
  • a film forming method a sputtering method or a coating method can be applied.
  • Examples of the material of the resin layer 12 include polyimide, epoxy, polyamide and the like.
  • Examples of the material of the top film 14 in step S7 include polyethylene terephthalate (PET).
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents foreign matter such as moisture and oxygen from reaching the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5, and for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film formed by CVD. It can be composed of a film or a laminated film of these.
  • the TFT layer 4 includes the semiconductor film 15, the inorganic insulating film 16 (gate insulating film) above the semiconductor film 15, the gate electrode GE above the inorganic insulating film 16, and the inorganic insulating layer above the gate electrode GE.
  • the thin film transistor (TFT) Tr is configured to include the planarization film 21, the semiconductor film 15, the inorganic insulating film 16, and the gate electrode GE.
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor.
  • LTPS low temperature polysilicon
  • FIG. 2 shows the transistor Tr having the semiconductor film 15 as a channel in a top gate structure, it may have a bottom gate structure (for example, when the channel of the TFT is an oxide semiconductor).
  • the gate electrode GE, the capacitance electrode CE, and the source wiring SH are made of, for example, aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), chromium (Cr), titanium (Ti), copper (Cu) It is comprised by the single layer film or laminated film of the metal containing at least one.
  • the inorganic insulating films 16, 18 and 20 can be formed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • SiOx silicon oxide
  • SiNx silicon nitride
  • the planarizing film (interlayer insulating film) 21 can be made of, for example, a coatable organic material such as polyimide or acrylic.
  • the light emitting element layer 5 (for example, an organic light emitting diode layer) has an anode 22 above the planarization film 21, an anode edge cover 23 covering the edge of the anode 22, and an EL (electroluminescence) above the anode edge cover 23.
  • a light emitting element eg, OLED: organic light emitting diode
  • OLED organic light emitting diode
  • the anode edge cover 23 also referred to as a bank
  • the EL layer 24 is configured, for example, by laminating a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in order from the lower layer side.
  • the light emitting layer is formed in an island shape for each sub-pixel by a vapor deposition method or an ink jet method.
  • the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the one or more layers of the electron injection layer are solid Common layer or non-formed layer.
  • the anode (anode) 22 is formed of, for example, a laminate of ITO (Indium Tin Oxide) and an alloy containing Ag, and has light reflectivity.
  • the cathode 25 can be made of a translucent conductive material such as MgAg alloy (very thin film) or ITO (Indium Tin Oxide).
  • the drive current between the anode 22 and the cathode 25 causes holes and electrons to recombine in the EL layer 24 and the resulting excitons fall to the ground state, whereby light is generated. Released. Since the anode 22 is light reflective and the cathode 25 is translucent, the display light DL emitted from the EL layer 24 is directed upward to become top emission.
  • the light emitting element layer 5 is not limited to forming an OLED element, and may form an inorganic light emitting diode or a quantum dot light emitting diode.
  • the sealing layer 6 is translucent, and the inorganic sealing film 26 covering the cathode 25, the organic sealing film 27 above the inorganic sealing film 26, and the inorganic sealing film 28 covering the organic sealing film 27. And.
  • the sealing layer 6 covering the light emitting element layer 5 prevents the penetration of foreign matter such as water and oxygen into the light emitting element layer 5.
  • Each of the inorganic sealing films 26 and 28 can be formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof formed by CVD.
  • the organic sealing film 27 is a translucent organic film thicker than the inorganic sealing films 26 and 28, and can be made of an applicable organic material such as acrylic.
  • the lower surface film 10 is for adhering to the lower surface of the resin layer 12 after peeling off the support substrate to realize a display device excellent in flexibility.
  • Examples of the material include PET and the like.
  • the functional film 39 has, for example, an optical compensation function, a touch sensor function, a protection function, and the like.
  • step S3 of FIG. 1 as shown in FIG. 4A, the barrier layer 3 is formed to cover the upper surface and the end surface of the resin layer 12. Thereby, it is possible to prevent the permeation of moisture into the resin layer 12, and it is possible to solve the problem that the photocatalyst layer AL and the resin layer 12 are separated (unintentionally) until the step S8. .
  • step S7 of FIG. 1 as shown in FIGS. 4B and 4C, the laminate 7 including the barrier layer 3, the resin layer 12, the photocatalyst layer AL, and the substrate 13 is passed through the end of the resin layer 12 Thus, a cutting step of cutting in the thickness direction of the laminate 7 is performed. Thereby, a portion where the photocatalyst layer AL and the barrier layer 3 are in contact is cut, and as shown in FIG. 4C, the end surfaces of the barrier layer 3, the resin layer 12, the photocatalyst layer AL and the substrate 13 become flush. The entire upper surface of the photocatalyst layer AL is in contact with the resin layer 12. In this state, as shown in FIG.
  • the bonding force between the photocatalyst layer AL (inorganic film) and the barrier layer 3 (inorganic film) is strong. Even if the photocatalyst layer AL is irradiated with ultraviolet light, the peripheral edge may not be peeled off well.
  • the photocatalyst layer AL is irradiated with ultraviolet light LV through the substrate 13 in a state where the laminate 7 is inverted so that the substrate 13 is on the upper side in the vertical direction and the resin layer 12 is on the lower side in the vertical direction.
  • the substrate 13 and the photocatalyst layer AL are easily peeled from the resin layer 12 due to the weight of the resin layer 12, the TFT layer 4, the light emitting element layer 5, the sealing layer 6 and the top film 14.
  • step S8 it is not necessary to use a laser irradiation apparatus which is not easy to handle in the peeling step (step S8).
  • the problem that carbide adheres to the lower surface of the resin layer is also solved.
  • FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of a display device manufacturing apparatus.
  • the display device manufacturing apparatus 70 includes a film forming apparatus 76, a dividing apparatus 78, a peeling apparatus 80, and a controller 72 for controlling these apparatuses, and the film forming apparatus 76 is a diagram.
  • the steps S1 to S6 of 1 are performed, the cutting device 78 performs the cutting process of step S7, and the peeling device 80 performs step S8.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the display device of the second embodiment
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a modification of the second embodiment.
  • the photocatalyst layer AL and the substrate 13 are also cut in step S7 (cut-out step) of Embodiment 1, but the present invention is not limited thereto.
  • FIGS. 7B and 7C it is possible to stop the downward cutting in the photocatalyst layer AL and not to cut the substrate 13. By so doing, it is possible to maintain the original form of the substrate 13 while cutting the portion where the photocatalyst layer AL and the barrier layer 3 are in contact, so that the substrate 13 can be reused.
  • the ultraviolet is applied to the photocatalyst layer AL through the substrate 13 in a state where the laminate 7 is inverted so that the substrate 13 is on the upper side in the vertical direction and the resin layer 12 is on the lower side in the vertical direction.
  • the substrate 13 and the photocatalyst layer AL are easily peeled off from the resin layer 12 due to the weight of the resin layer 12, the TFT layer 4, the light emitting element layer 5, the sealing layer 6 and the top film 14.
  • FIG. 9 is a plan view showing the method of manufacturing the display device of Embodiment 3
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the display device of Embodiment 3.
  • the photocatalyst layer AL is formed on the large-sized substrate 13, and the island-shaped first portion 12a and the island are formed on the photocatalyst layer AL.
  • the resin layer 12 including the second portion 12b of is formed to cover the first portion 12a and the second portion 12b, and then a TFT layer including a region 4a overlapping the first portion 12a and a region 4b overlapping the second portion 12b is formed.
  • the light emitting element layer including the area 5a overlapping the first portion 12a and the area 5b overlapping the second portion 12b is formed, and the sealing layer 6 covering the light emitting element layer is formed.
  • sealing is performed so as to pass through the portion outside the first portion 12a in plan view and in contact with the barrier layer 3 and the photocatalyst layer AL.
  • the four sides of the layer 6, the barrier layer 3, the photocatalyst layer AL and the substrate 13 are cut, and sealing is performed so as to pass through the portion outside the second portion 12b in plan view and in contact with the barrier layer 3 and the photocatalyst layer AL.
  • a pre-cut step of cutting the layer 6, the barrier layer 3, the photocatalyst layer AL, and the substrate 13 into four sides is performed. Thereafter, the top film is formed on the first laminate 7A including the first portion 12a and the barrier layer 3 on the divided substrate 13a, and the second laminate 7B including the second portion 12b and the barrier layer 3 on the divided substrate 13b.
  • the first stacked body 7A is cut in the thickness direction so as to pass through the end of the first portion 12a, and the second stacked body 7B is processed as a second portion.
  • a cutting process of cutting in the thickness direction is performed so as to pass through the end of 12b.
  • the photocatalyst layer AL located below each of the first stacked body 7A and the second stacked body 7B is irradiated with ultraviolet light LV to divide the first portion 12a into the divided substrate 13a.
  • the second part 12b is peeled off from the divided substrate 13b.
  • the laminate 7A attached to the divided substrate 13a (glass substrate) and the laminate 7B attached to the divided substrate 13b (glass substrate) can be separately transported and stored.
  • the laminates 7A and 7B are much easier to transport and store than the laminate in a state of being peeled from the glass substrate (flexible state).
  • the barrier layer 3 covers the top and end faces of the first portion 12a and the second portion 12b of the resin layer, foreign matter such as moisture permeates the resin layers 12a and 12b.
  • the photocatalyst layer AL and the first portion 12a or the second portion 12b of the resin layer are separated before the step S8 (peeling step). can do.
  • the resin layer 12 is formed separately into two of the first portion 12a and the second portion 12b, the present invention is not limited to this, and the resin layer 12 may be divided into three or more. Further, in steps S4 to S6, devices corresponding to a plurality of panels are formed on the first part 12a, and devices corresponding to a plurality of panels are formed on the second part 12b. In step S10, the laminate 7A is formed. A plurality of display devices (flexible panels) may be obtained from each of the laminate 7B.
  • Embodiments 1 to 3 describe a display device having a top emission type OLED as an example, the present invention is not limited to this.
  • the resin layer 12 is made of transparent polyimide
  • the anode 22 is made of a light-transmitting conductor
  • the cathode 25 is made of a light-reflecting conductor.
  • the lower surface of the resin layer 12 is less likely to be deteriorated in the peeling step, and therefore, it can be said that it is also suitable for a display device having a bottom emission type OLED in which the display light DL passes through the lower surface of the resin layer 12.
  • the flexible backlight unit 50 is disposed on the back of the resin layer 12, the resin layer 12 is made of transparent polyimide, the pixel electrode PE is formed on the TFT layer 4, and the pixel electrode PE and the flexible A liquid crystal layer 35 which functions as a shutter is disposed between the color counter substrate 37 (color filter substrate).
  • the liquid crystal display device in which the display light DL (backlight) passes through the lower surface of the resin layer 12 is suitable.
  • the electro-optical elements included in the display device according to the present embodiment are not particularly limited.
  • the display device according to the present embodiment includes, for example, an organic EL (Electro Luminescence) display provided with an OLED (Organic Light Emitting Diode) as an electro-optical element, and an inorganic light emitting diode as an electro-optical element Inorganic EL display, a QLED display provided with a QLED (Quantum dot Light Emitting Diode) as an electro-optical element, and the like.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and embodiments obtained by appropriately combining the technical means respectively disclosed in different embodiments are also included in the technical scope of the present invention. Furthermore, new technical features can be formed by combining the technical means disclosed in each embodiment.
  • Aspect 1 Forming a photocatalytic layer on the upper side of the substrate; Forming a resin layer on the photocatalyst layer so as to be positioned inside the edge of the photocatalyst layer in plan view; Forming a barrier layer so as to cover the upper surface and the end surface of the resin layer; Forming a TFT layer above the barrier layer; A method of manufacturing a display device, comprising: a peeling step of irradiating the photocatalytic layer with ultraviolet light to separate the photocatalytic layer and the resin layer.
  • a cutting step of cutting the laminate including the resin layer and the barrier layer in the thickness direction of the laminate so as to pass through the end of the resin layer is included.
  • Aspect 7 A method of manufacturing a display device according to any one of embodiments 1 to 6, wherein a light emitting layer is disposed above the TFT layer.
  • the resin layer including an island-shaped first portion and an island-shaped second portion is formed;
  • the common barrier layer covering the first portion and the second portion is formed;
  • the TFT layer including a region overlapping the first portion and a region overlapping the second portion is formed;
  • the portion is on the outer side than the first portion and the second portion in plan view so as to pass through the portion in contact with the barrier layer and the photocatalyst layer.
  • the first laminate including the first portion and the barrier layer is cut in the thickness direction of the first laminate so as to pass through the end portion of the first portion;

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Abstract

基板（１３）の上側に光触媒層（ＡＬ）を形成する第１成膜工程と、前記光触媒層上に、樹脂層（１２）を、平面視において前記光触媒層のエッジの内側に位置するように形成する第２成膜工程と、前記樹脂層の上面および端面を覆うようにバリア層（３）を形成する第３成膜工程と、前記バリア層よりも上層にＴＦＴ層（４）を形成する第４成膜工程と、前記光触媒層に紫外線（ＬＶ）を照射し、光触媒層（ＡＬ）と樹脂層（１２）とを分離する剥離工程と、を含む表示デバイスの製造方法。

Description

表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
　本発明は、表示デバイスの製造方法に関する。
　可撓性の表示デバイスを製造する場合、例えば、ガラス基板上に、樹脂層、ＴＦＴ層、発光素子層等を含む積層体を形成し、ガラス基板の裏面から樹脂層の下面にレーザを照射してガラス基板を剥離する。
特開２００４－３４９５４３号公報（２００４年１２月９日公開） 特開２００９－９４０３１号公報（２００９年４月３０日公開）
　レーザアブレーションによって樹脂層とガラス基板とを分離する前記従来の手法では、レーザ照射装置の取り扱いが容易でなく、レーザの熱による不具合（例えば樹脂層のシワ等）の発生、樹脂層下面への炭化物の付着という問題がある。
　本発明の一態様に係る表示デバイスは、基板の上側に光触媒層を形成する第１成膜工程と、前記光触媒層上に樹脂層を形成する第２成膜工程と、前記樹脂層の上面および端面を覆うようにバリア層を形成する第３成膜工程と、前記光触媒層に紫外線を照射し、前記光触媒層と前記樹脂層とを分離する剥離工程と、を含む。
　本発明の一態様によれば、レーザ照射装置を使用する必要がなく、また、樹脂層の下面に炭化物が付着するという問題も解消される。
表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。 表示デバイスの表示部の構成例を示す断面図である。 実施形態１の表示デバイスの製造方法を示す平面図である。 実施形態１の表示デバイスの製造方法を示す断面図である。 実施形態１の変形例を示す断面図である。 表示デバイス製造装置の構成を示すブロック図である。 実施形態２の表示デバイスの製造方法を示す断面図である。 実施形態２の変形例を示す断面図である。 実施形態３の表示デバイスの製造方法を示す平面図である。 実施形態３の表示デバイスの製造方法を示す断面図である。 表示デバイスの表示部の別構成を示す断面図である。
以下においては、「同層」とは同一プロセスにて同材料で形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
　〔実施形態１〕
　図１は、実施形態１の表示デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図２は表示デバイスの表示部の構成例を示す断面図である。図３は、表示デバイスの製造方法を示す平面図である。図４は、実施形態１の表示デバイスの製造方法を示す断面図である。
　フレキシブルな表示デバイスを製造する場合、図１～図４に示すように、まず、透光性の基板１３上に光触媒層ＡＬを形成する（ステップＳ１）。次いで、光触媒層ＡＬ上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ２）。次いで、樹脂層１２上にバリア層３を形成する（ステップＳ３）。次いで、バリア層３よりも上層のＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ４）。次いで、トップエミッション型の発光素子層（発光層を含む）５を形成する（ステップＳ５）。次いで、発光素子層を覆う封止層６を形成する（ステップＳ６）。次いで、積層体７の切り出しおよび上面フィルム１４の貼り付け（図４参照）を行う（ステップＳ７）。次いで、基板１３越しに光触媒層ＡＬに紫外線ＬＶを照射して光触媒層ＡＬと樹脂層１２との結合力を低下させ、基板１３および光触媒層ＡＬを樹脂層１２から剥離する（ステップＳ８）。紫外線照射装置としては、例えば、ＵＶ蛍光灯、高圧水銀ランプ、ＵＶ－ＬＥＤなどの光源を用いる。
　次いで、樹脂層１２の下面に、図２の下面フィルム１０を貼り付ける（ステップＳ９）。次いで、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６を含む原体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ１０）。次いで、得られた個片に機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ１１）。次いで、個片の非表示領域に電子回路基板（例えば、ＩＣチップ）をマウントして表示デバイス２とする（ステップＳ１２）。なお、前記各ステップは、後述の表示デバイス製造装置が行う。
　基板１３には、例えばガラス基板が用いられる。光触媒層ＡＬには、アナターゼ型の酸化チタンを含む材料が好適であるが、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化タングステン、酸化ビスマス、チタン酸ストロンチウムの少なくとも１つを含む材料を用いてもよい。成膜方法としては、スパッタリング法あるいは塗布法を適用することができる。
　樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリアミド等が挙げられる。ステップＳ７の上面フィルム１４の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
　バリア層３は、水分、酸素等の異物がＴＦＴ層４や発光素子層５に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１６よりも上層のゲート電極ＧＥと、ゲート電極ＧＥよりも上層の無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の容量電極ＣＥと、容量電極ＣＥよりも上層の無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層のソース配線ＳＨと、ソース配線ＳＨよりも上層の平坦化膜２１とを含み、半導体膜１５、無機絶縁膜１６、およびゲート電極ＧＥを含むように薄層トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒが構成される。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとするトランジスタＴｒがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
　ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、ソース配線ＳＨは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。
　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。
　平坦化膜（層間絶縁膜）２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、平坦化膜２１よりも上層のアノード２２と、アノード２２のエッジを覆うアノードエッジカバー２３と、アノードエッジカバー２３よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層のカソード２５とを含み、サブピクセルごとに、島状のアノード２２、ＥＬ層２４、およびカソード２５を含む発光素子（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード）と、これを駆動するサブ画素回路とが設けられる。アノードエッジカバー２３（バンクとも称する）は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。
　ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、サブピクセルごとに島状に形成されるが、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層の１以上の層については、ベタ状の共通層とすることもあるし、非形成とすることもある。
　アノード（陽極）２２は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。カソード２５は、ＭｇＡｇ合金（極薄膜）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。
　発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子がＥＬ層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。アノード２２が光反射性であり、カソード２５が透光性であるため、ＥＬ層２４から放出された表示光ＤＬは上方に向かい、トップエミッションとなる。
　発光素子層５は、ＯＬＥＤ素子を構成する場合に限られず、無機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードを構成してもよい。
　封止層６は透光性であり、カソード２５を覆う無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層の有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う無機封止膜２８とを含む。発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
　無機封止膜２６・２８はそれぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、無機封止膜２６・２８よりも厚い透光性有機膜であり、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。
　下面フィルム１０は、支持基板を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けることで、柔軟性に優れた表示デバイスを実現するためのものであり、その材料としては、ＰＥＴ等が挙げられる。機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する。
　図１のステップＳ３では、図４（ａ）に示すように、樹脂層１２の上面および端面を覆うようにバリア層３を形成する。これにより、樹脂層１２に水分が浸透することを防ぐことができ、ステップＳ８までの間に光触媒層ＡＬと樹脂層１２とが（意図せず）分離してしまうという問題を解消することができる。
　図１のステップＳ７では、図４（ｂ）（ｃ）に示すように、バリア層３、樹脂層１２、光触媒層ＡＬ、および基板１３を含む積層体７を、樹脂層１２の端部を通るよう積層体７の厚み方向に切断する切り出し工程を行う。これにより、光触媒層ＡＬとバリア層３とが接する部分がカットされ、図４（ｃ）に示すように、バリア層３、樹脂層１２、光触媒層ＡＬ、および基板１３の端面が面一となり、光触媒層ＡＬの上面全域が樹脂層１２と接する状態となる。この状態で、図４（ｄ）に示すように、基板１３の下面から光触媒層ＡＬに紫外線ＬＶを照射すると、光触媒層ＡＬの活性化（価電子帯の電子の励起）に伴って生じた電子および正孔によって樹脂層（例えば、ポリイミド）内の炭素－炭素接合、炭素－水素結合が分離され、樹脂層１２および光触媒層ＡＬ間の結合力が低下する。これにより、図４（ｅ）に示すように、基板１３および光触媒層ＡＬが、樹脂層１２から剥離する。
　なお、切り出し工程を行わず、周縁にバリア層３と光触媒層ＡＬとが接する部分が残っている場合、光触媒層ＡＬ（無機膜）およびバリア層３（無機膜）間の結合力が強いため、光触媒層ＡＬに紫外線照射を行っても周縁がうまく剥がれない場合がある。
　図５に示すように、基板１３が鉛直方向上側に、樹脂層１２が鉛直方向下側となるように積層体７を反転させた状態で、基板１３越しに光触媒層ＡＬに紫外線ＬＶを照射すれば、樹脂層１２、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６および上面フィルム１４の自重によって基板１３および光触媒層ＡＬが樹脂層１２から剥離しやすくなる。
　実施形態１によれば、剥離工程（ステップＳ８）において取り扱いが容易でないレーザ照射装置を使用する必要がない。また、レーザアブレーションによって基板と樹脂層とを分離する場合に樹脂層下面に炭化物が付着するという問題も解消される。また、レーザアブレーションの後に基板とバリア層との界面にナイフを入れて剥がす場合に生じうるクラックの問題も解消することができる。
　図６は、表示デバイス製造装置の構成を示すブロック図である。図６に示すように、表示デバイス製造装置７０は、成膜装置７６と、分断装置７８と、剥離装置８０と、これらの装置を制御するコントローラ７２とを含んでおり、成膜装置７６が図１のステップＳ１～Ｓ６を行い、切断装置７８がステップＳ７の切り出し工程を行い、剥離装置８０がステップＳ８を行う。
　〔実施形態２〕
　図７は実施形態２の表示デバイスの製造方法を示す断面図であり、図８は実施形態２の変形例を示す断面図である。
　実施形態１のステップＳ７（切り出し工程）では、図４に示すようにバリア層３および樹脂１２に加えて光触媒層ＡＬおよび基板１３も切断しているがこれに限定されない。図７（ｂ）（ｃ）に示すように、下方に向けての切断を光触媒層ＡＬ内で止め、基板１３を切断しないことも可能である。こうすれば、光触媒層ＡＬとバリア層３とが接する部分をカットしながら、基板１３の原型を維持することができるため、基板１３の再利用が可能となる。
　この場合も、図８に示すように、基板１３が鉛直方向上側に、樹脂層１２が鉛直方向下側となるように積層体７を反転させた状態で、基板１３越しに光触媒層ＡＬに紫外線ＬＶを照射すれば、樹脂層１２、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６および上面フィルム１４の自重によって基板１３および光触媒層ＡＬが樹脂層１２から剥離しやすくなる。
　〔実施形態３〕
　図９は実施形態３の表示デバイスの製造方法を示す平面図であり、図１０は実施形態３の表示デバイスの製造方法を示す断面図である。
　実施形態３では、図９（ａ）および図１０（ａ）に示すように、大判の基板１３上に光触媒層ＡＬを形成し、光触媒層ＡＬ上に、島状の第１部１２ａおよび島状の第２部１２ｂを含む樹脂層１２を形成する。次いで、第１部１２ａおよび第２部１２ｂを覆うように共通のバリア層３を形成し、次いで、第１部１２ａと重なる領域４ａおよび第２部１２ｂと重なる領域４ｂを含むＴＦＴ層を形成する。次いで、第１部１２ａと重なる領域５ａおよび第２部１２ｂと重なる領域５ｂを含む発光素子層を形成し、発光素子層を覆う封止層６を形成する。
　次いで、図９および図１０（ｂ）・（ｃ）に示すように、平面視における第１部１２ａよりも外側にあってバリア層３および光触媒層ＡＬが接触する部分を通るように、封止層６、バリア層３、光触媒層ＡＬおよび基板１３を４辺切断し、平面視における第２部１２ｂよりも外側にあってバリア層３および光触媒層ＡＬが接触する部分を通るように、封止層６、バリア層３、光触媒層ＡＬおよび基板１３を４辺切断するプレカット工程を行う。その後、分割基板１３ａ上の、第１部１２ａおよびバリア層３を含む第１積層体７Ａと、分割基板１３ｂ上の、第２部１２ｂおよびバリア層３を含む第２積層体７Ｂそれぞれに上面フィルム１４を張り付ける。
　次いで、図９（ｃ）および図１０（ｄ）のように、第１積層体７Ａを、第１部１２ａの端部を通るよう厚み方向に切断し、第２積層体７Ｂを、第２部１２ｂの端部を通るよう厚み方向に切断する切り出し工程を行う。次いで、図１０（ｅ）（ｆ）のように、第１積層体７Ａおよび第２積層体７Ｂそれぞれの下側に位置する光触媒層ＡＬに紫外線ＬＶを照射し、第１部１２ａを分割基板１３ａから剥離し、第２部１２ｂを分割基板１３ｂから剥離する。
　実施形態３では、分割基板１３ａ（ガラス基板）に付着した状態の積層体７Ａと、分割基板１３ｂ（ガラス基板）に付着した状態の積層体７Ｂとを別々に運搬、保管することができる。積層体７Ａ・７Ｂは、ガラス基板から剥がされた状態（可撓状態）の積層体と比較して運搬、保管が格段に容易である。
　図１０（ｃ）に示すように、バリア層３が、樹脂層の第１部１２ａおよび第２部１２ｂそれぞれの上面および端面を覆っているため、樹脂層１２ａ・１２ｂに水分等の異物が浸透することを防ぐことができ、ステップＳ８（剥離工程）までの間に光触媒層ＡＬと、樹脂層の第１部１２ａあるいは第２部１２ｂとが（意図せず）分離してしまうという問題を解消することができる。例えば、積層体７Ａの運搬作業中に、樹脂層の第１部１２ａが光触媒層ＡＬから剥がれ、積層体７Ａが落下して破損するといったアクシデントを防ぐことができる。
　実施形態３では、樹脂層１２を第１部１２ａおよび第２部１２ｂの２つに分離形成しているがこれに限定されず、３つ以上に分割してもよい。また、ステップＳ４～Ｓ６において、第１部１２ａ上に複数パネルに対応するデバイスを形成するとともに、第２部１２ｂ上に複数パネルに対応するデバイスを形成しておき、ステップＳ１０において、積層体７Ａおよび積層体７Ｂそれぞれから複数の表示デバイス（可撓性パネル）を得る構成でもよい。
　実施形態１～３では、一例としてトップエミッション型のＯＬＥＤを有する表示デバイスについて説明しているが、これに限定されない。前記各実施形態は、図１１（ａ）に示すボトムエミッション型のＯＬＥＤを有する表示デバイス２にも適用可能である。この場合、例えば、樹脂層１２を透明ポリイミドで構成し、アノード２２を透光性の導電体で構成し、カソード２５を光反射性の導電体で構成する。前記各実施形態によれば、剥離工程において樹脂層１２の下面が劣化しにくいため、表示光ＤＬが樹脂層１２の下面を通過するボトムエミッション型のＯＬＥＤを有する表示デバイスにも好適といえる。
　また、前記各実施形態は、図１１（ｂ）に示す、可撓性の液晶表示デバイス２にも適用可能である。この場合、例えば、樹脂層１２の背面に可撓性のバックライトユニット５０を配し、樹脂層１２を透明ポリイミドで構成し、ＴＦＴ層４に画素電極ＰＥを形成し、画素電極ＰＥと可撓性の対向基板３７（カラーフィルタ基板）との間に、シャッターとして機能する液晶層３５を配する。前記各実施形態によれば、剥離工程において樹脂層１２の下面が劣化しにくいため、表示光ＤＬ（バックライト光）が樹脂層１２の下面を通過する液晶表示デバイスにも好適といえる。
　〔まとめ〕
　本実施形態にかかる表示デバイスが備える電気光学素子（電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子）は特に限定されるものではない。本実施形態にかかる表示装置としては、例えば、電気光学素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電気光学素子として無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。
　本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　〔態様１〕
　基板の上側に光触媒層を形成する第１成膜工程と、
　前記光触媒層上に、樹脂層を、平面視において前記光触媒層のエッジの内側に位置するように形成する第２成膜工程と、
　前記樹脂層の上面および端面を覆うようにバリア層を形成する第３成膜工程と、
　前記バリア層よりも上層にＴＦＴ層を形成する第４成膜工程と、
　前記光触媒層に紫外線を照射し、前記光触媒層と前記樹脂層とを分離する剥離工程と、を含む表示デバイスの製造方法。
　〔態様２〕
　前記第４成膜工程と前記剥離工程との間に、前記樹脂層および前記バリア層を含む積層体を、前記樹脂層の端部を通るよう前記積層体の厚み方向に切断する切り出し工程を含む例えば態様１記載の表示デバイスの製造方法。
　〔態様３〕
　前記切り出し工程では、前記積層体に加えて前記光触媒層および前記基板も切断する例えば態様２記載の表示デバイスの製造方法。
　〔態様４〕
　前記切り出し工程では、下方に向けての切断を前記光触媒層内で止め、前記基板を切断しない例えば態様２記載の表示デバイスの製造方法。
　〔態様５〕
　前記光触媒層が残された基板を回収し、前記基板を再利用する例えば態様４記載の表示デバイスの製造方法。
　〔態様６〕
　前記光触媒層に酸化チタンが含まれる例えば態様１～５のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　〔態様７〕
　前記ＴＦＴ層よりも上層に発光層を配する例えば態様１～６のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　〔態様８〕
　前記ＴＦＴ層よりも上層に液晶層を配する例えば態様１～６のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　〔態様９〕
　前記第２成膜工程では、島状の第１部および島状の第２部を含む前記樹脂層を形成し、
　前記第３成膜工程では、前記第１部および前記第２部を覆う共通の前記バリア層を形成し、
　前記第４成膜工程では、前記第１部と重なる領域および前記第２部と重なる領域を含む前記ＴＦＴ層を形成し、
　前記第４成膜工程と前記剥離工程との間に、平面視において前記第１部および前記第２部よりも外側にあって前記バリア層および前記光触媒層が接触する部分を通るように、前記バリア層、前記光触媒層および前記基板を切断するプレカット工程を含む例えば態様１に記載の表示デバイスの製造方法。
　〔態様１０〕
　前記プレカット工程と前記剥離工程との間に、前記第１部および前記バリア層を含む第１積層体を、前記第１部の端部を通るよう前記第１積層体の厚み方向に切断し、前記第２部および前記バリア層を含む第２積層体を、前記第２部の端部を通るよう前記第２積層体の厚み方向に切断する切り出し工程を含む例えば態様９に記載の表示デバイスの製造方法。
　〔態様１１〕
　例えば態様１に記載の、前記第１成膜工程、前記第２成膜工程、前記第３成膜工程、前記第４成膜工程、および前記剥離工程を行う表示デバイスの製造装置。
　２　　表示デバイス
　３　　バリア層
　４　　ＴＦＴ層
　５　　発光素子層
　６　　封止層
　７　　積層体
　１２　１２ａ・１２ｂ　樹脂層
　１３・１３ａ・１３ｂ　ガラス基板
　１６・１８・２０　無機絶縁膜
　２１　平坦化膜
　２２　アノード
　２３　アノードエッジカバー（バンク）
　２４　ＥＬ層
　２５　カソード
　７０　表示デバイス製造装置
　ＡＬ　光触媒層
　ＬＶ　紫外線

Claims (11)

  1. 　基板の上側に光触媒層を形成する第１成膜工程と、
    　前記光触媒層上に、樹脂層を、平面視において前記光触媒層のエッジの内側に位置するように形成する第２成膜工程と、
    　前記樹脂層の上面および端面を覆うようにバリア層を形成する第３成膜工程と、
    　前記バリア層よりも上層にＴＦＴ層を形成する第４成膜工程と、
    　前記光触媒層に紫外線を照射し、前記光触媒層と前記樹脂層とを分離する剥離工程と、を含む表示デバイスの製造方法。
  2. 　前記第４成膜工程と前記剥離工程との間に、前記樹脂層および前記バリア層を含む積層体を、前記樹脂層の端部を通るよう前記積層体の厚み方向に切断する切り出し工程を含む請求項１記載の表示デバイスの製造方法。
  3. 　前記切り出し工程では、前記積層体に加えて前記光触媒層および前記基板も切断する請求項２記載の表示デバイスの製造方法。
  4. 　前記切り出し工程では、下方に向けての切断を前記光触媒層内で止め、前記基板を切断しない請求項２記載の表示デバイスの製造方法。
  5. 　前記光触媒層が残された基板を回収し、前記基板を再利用する請求項４記載の表示デバイスの製造方法。
  6. 　前記光触媒層に酸化チタンが含まれる請求項１～５のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  7. 　前記ＴＦＴ層よりも上層に発光層を配する請求項１～６のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  8. 　前記ＴＦＴ層よりも上層に液晶層を配する請求項１～６のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  9. 　前記第２成膜工程では、島状の第１部および島状の第２部を含む前記樹脂層を形成し、
    　前記第３成膜工程では、前記第１部および前記第２部を覆う共通の前記バリア層を形成し、
    　前記第４成膜工程では、前記第１部と重なる領域および前記第２部と重なる領域を含む前記ＴＦＴ層を形成し、
    　前記第４成膜工程と前記剥離工程との間に、平面視において前記第１部および前記第２部よりも外側にあって前記バリア層および前記光触媒層が接触する部分を通るように、前記バリア層、前記光触媒層および前記基板を切断するプレカット工程を含む請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  10. 　前記プレカット工程と前記剥離工程との間に、前記第１部および前記バリア層を含む第１積層体を、前記第１部の端部を通るよう前記第１積層体の厚み方向に切断し、前記第２部および前記バリア層を含む第２積層体を、前記第２部の端部を通るよう前記第２積層体の厚み方向に切断する切り出し工程を含む請求項９に記載の表示デバイスの製造方法。
  11. 　請求項１に記載の、前記第１成膜工程、前記第２成膜工程、前記第３成膜工程、前記第４成膜工程、および前記剥離工程を行う表示デバイスの製造装置。
     
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